EP0523594A1 - Verfahren zur Korpuskularstrahl-Prüfung von Substraten für Flüssigkeitskristallanzeigen (LCD) - Google Patents
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 5
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 5
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136254—Checking; Testing
Definitions
- the invention relates to methods for testing a substrate for a liquid crystal display which has a plurality of picture elements, the substrate consisting of a transparent insulator body and on the surface of which a plurality of surface electrodes, switching elements and control lines are applied such that one surface electrode each a switching element is connected to control lines.
- the invention has for its object to provide improved methods of the type mentioned that allow both a check of the geometric integrity and a check of the electrical function, although for example a supplementary surface electrode for forming capacitors is not on the substrate to be tested.
- control lines are brought to a defined potential and that the resulting potential of the associated surface electrode is measured with the aid of secondary electron detection.
- a defined current is supplied to a surface electrode with a corpuscular beam and the resulting potential of this surface electrode is measured with the aid of secondary electron detection.
- a defined current is supplied to a surface electrode and the resulting currents are measured in the associated control lines.
- the advantage that can be achieved with the invention is, in particular, that defective substrates can be repaired or sorted out before further processing and thus costs can be saved.
- liquid crystal displays essentially consist of two substrates SUB1 and SUB2, between which a liquid crystal LC is enclosed.
- a large number of surface electrodes are applied to the substrate SUB1 and a supplementary surface electrode CE is applied to the substrate SUB2.
- the surface electrode PE forms, for example, with the supplementary surface electrode CE of the opposite substrate a capacitor in the field of which long-chain liquid crystal molecules are aligned, as a result of which the liquid crystal in the area of the surface electrode PE becomes translucent. If you now want to test the substrate SUB1 separately from the substrate SUB2, the intended operation encounters difficulties because the capacitances formed by the surface electrodes, the liquid crystal and the supplementary surface electrode CE are not present.
- the substrate SUB1 is shown with a plurality of surface electrodes, switching elements in the form of MOS transistors and control lines, with gate connections of MOS transistors in a row with a control line, source connections of the MOS transistors in a column with a control line and the respective Surface electrodes of the picture elements are connected to the drain connections of the MOS transistors in a matrix-like manner.
- the surface electrode PE of a picture element is connected to the drain connection of a MOS transistor T, the gate connection of which is contacted with a control line L2 and the source connection of which is connected to a control line L1.
- Line L1 has a line connection A1 and line L2 has a line connection A2.
- a current of line L1 is labeled I1 and a current of line L2 is labeled I2.
- a corpuscular beam S1 is directed onto line L1 and a corpuscular beam S4 is directed onto line L2.
- a corpuscular beam S2 is directed onto the surface electrode PE itself in order to supply a current I to the surface electrode PE.
- a corpuscular beam S3 is directed onto the surface electrode PE, which causes secondary electrons S5.
- the separate corpuscular beams S2 and S3 hereby indicate that the properties of a potential or a defined current I need not be identical to those of the corpuscular beam S3, which is used to trigger secondary electrons.
- FIG. 3 shows an electrical equivalent circuit diagram of a picture element with a MOS transistor T as a switching element, the source connection of which is in contact with the control line L1 and the gate connection of which is in contact with the control line L2.
- a drain terminal of the MOS transistor T is connected to the surface electrode PE, which together with the common surface electrode PE Capacitance C of the picture element forms, the supplementary surface electrode CE being connected to a supply voltage connection V.
- the division of the circuit onto two substrates is indicated by a cutting line that separates the two surface electrodes PE and CE from one another.
- the essential parasitic switching elements in the form of a resistor R1 and a capacitance C1 connected in parallel therewith between the drain connection of the MOS transistor T and the control line L1 and a parallel connection of a resistor R2 and a capacitance C2 between the drain connection of the MOS transistor T and the control line L2 shown.
- MIM elements M etal I solator- M etal
- the distribution of the switching elements and the surface electrodes on the two substrates SUB1 and SUB2 can also be designed differently and is only described as an example.
- control lines L1 and L2 which are connected to the surface electrode PE via the MOS transistor T, are brought to a defined potential for each picture element within a setting time interval, this being possible, for example, via the line connection A1 or A2 or via the Corpuscular beam S1 or S4 can take place. Due to the parasitic elements R1, C1, R2 and C2 shown in FIG. 3 and the MOS transistor T, a corresponding potential is established on the surface electrode PE. In this method, to measure the potential of the surface electrode PE, a corpuscular beam S3 is directed onto the surface electrode PE within a measurement time interval and the secondary electrons S5 triggered thereby are determined.
- the number of secondary electrons that fall into a detector depends on the potential of the surface electrode PE, since the attraction or Repulsion forces depend on the potential of the surface electrode PE. In the case of defective picture elements, deviations from the respective target potential arise, which can be easily evaluated, for example, by an electronic computer. If lines are charged with the aid of a corpuscular beam, this must be repeated cyclically, since the lines gradually discharge again.
- the setting time interval is to be selected so that the potentials on the control lines only change their potential within a certain measuring tolerance.
- the measuring time interval must be as short as possible so that no significant change in potential occurs on the surface electrode PE.
- a second method for checking the corpuscular beam of a substrate for a liquid crystal display is that the defined current I is supplied to the surface electrode PE with the aid of the corpuscular beam S2 and with the aid of the corpuscular beam S3, which is likewise directed onto the surface electrode PE, the secondary electrons S5 are triggered and thus the potential of the surface electrode PE is measured.
- the corpuscular beam S2 will be identical to the corpuscular beam S3 since the corpuscular beam is also suitable for supplying the current I for triggering secondary electrons.
- the current I is derived by the parasitic elements R1, C1, R2 and C2 indicated in FIG. 3 and by the switching element T, so that a certain potential is established on the surface electrode PE. This potential which is established can be compared in each case with a target potential and a test result for a picture element can be formed from this.
- a defined current I is likewise supplied to the surface electrode PE.
- the currents I1 and I2 which are established on account of the parasitic elements R1, C1, R2 and C2 and the MOS transistor T.
- the measurement of currents I1 and I2 takes place via the line connections A1 and A2, which are connected to external measuring contacts.
- the measuring time interval can also lie within the setting time interval, that is to say the current I is also supplied during the measuring time interval in order to obtain a stationary current distribution.
- a measurement can take place either immediately after a setting time interval or after a defined waiting time. If the measurement is only taken after a defined waiting time, errors in the time behavior of a picture element can be determined. If the measurement is only carried out after the setting time interval, it is possible to set different switching states of the switching element via the control lines connected to it during a measuring time interval.
- the control lines can be set via the connections A1 or A2 or via the corpuscular beam S1 or S4.
- the three methods according to the invention can also be combined, for example a defined potential being generated on the line L2 via a connection A2, a defined current I being fed to the surface electrode PE via a corpuscular beam S2, the current I1 of the line L1 being measured via a connection A1 and the potential of the surface electrode PE is detected via the secondary electrons S5 triggered by the corpuscular beam S2.
- An electron beam is particularly suitable as the corpuscular beam. However, it can also be a photon beam from a laser that generates secondary electrons in the form of photoelectrons.
- An ion beam which also triggers secondary electrons, is often used to repair very fine conductor track structures.
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Abstract
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Prüfung eines Substrats für eine Flüssigkristallanzeige, die eine Vielzahl von Bildelementen besitzt, wobei das Substrat aus einem lichtdurchlässigen Isolatorkörper besteht und auf dessen Oberfläche eine Vielzahl von Flächenelektroden, Schaltelementen und Steuerleitungen so aufgebracht sind, daß jeweils eine Flächenelektrode über ein Schaltelement mit Steuerleitungen verbunden ist.
- Ein Verfahren zum berührungslosen Testen von Leitungsnetzwerken auf Kurzschlüsse und Unterbrechungen ist aus der europäischen Patentschrift EP 0 189 777 B1 = GR 85 P 1016 bekannt.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, verbesserte Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, die sowohl eine Prüfung der geometrischen Integrität als auch eine Prüfung der elektrischen Funktion gestatten, obwohl sich beispielsweise eine ergänzende Flächenelektrode zur Bildung von Kondensatoren nicht auf dem zu prüfenden Substrat befindet.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß jeweils Steuerleitungen auf definiertes Potential gebracht werden und daß mit Hilfe von Sekundärelektronendetektion das sich daraus ergebende Potential der zugehörigen Flächenelektrode gemessen wird.
- Gemäß weiterer Erfindung wird jeweils einer Flächenelektrode ein definierter Strom mit einem Korpuskularstrahl zugeführt und das sich daraus ergebende Potential dieser Flächenelektrode mit Hilfe von Sekundärelektronendetektion gemessen.
- Alternativ wird gemäß weiterer Erfindung jeweils einer Flächenelektrode ein definierter Strom zugeführt und die sich hieraus ergebenden Ströme in den zugehörigen Steuerleitungen gemessen.
- Der mit der Erfindung erzielbare Vorteil liegt insbesondere darin, daß defekte Substrate repariert oder bereits vor einer Weiterverarbeitung ausgesondert und damit Kosten gespart werden können.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigt
- Figur 1
- eine Schnittdarstellung einer Flüssigkristallanzeige, die aus zwei Substraten und einem dazwischenliegenden Flüssigkristall besteht,
- Figur 2
- ein zu prüfendes Substrat auf das Teile von Bildelementen aufgebracht sind,
- Figur 3
- ein elektrisches Ersatzschaltbild eines Bildelementes.
- Wie aus Figur 1 ersichtlich, bestehen Flüssigkristallanzeigen (LCD) im wesentlichen aus zwei Substraten SUB1 und SUB2, zwischen denen ein Flüssigkristall LC eingeschlossen ist. Auf dem Substrat SUB1 im dargestellten Fall ist eine Vielzahl von Flächenelektroden und auf dem Substrat SUB2 ist eine ergänzende Flächenelektrode CE aufgebracht. Die Flächenelektrode PE bildet beispielsweise mit der ergänzenden Flächenelektrode CE des gegenüberliegenden Substrats einen Kondensator in dessen Feld langkettige Flüssigkristallmoleküle ausgerichtet werden, wodurch der Flüssigkristall im Bereich der Flächenelektrode PE lichtdurchlässig wird. Will man nun das Substrat SUB1 getrennt vom Substrat SUB2 testen, so stößt der bestimmungsgemäße Betrieb auf Schwierigkeiten, da die durch die Flächenelektroden, den Flüssigkristall und die ergänzende Flächenelektrode CE gebildeten Kapazitäten nicht vorhanden sind.
- In Figur 2 ist nur das Substrat SUB1 mit einer Vielzahl von Flächenelektroden, Schaltelementen in Form von MOS-Transistoren und Steuerleitungen gezeigt, wobei Gateanschlüsse von MOS-Transistoren einer Zeile mit einer Steuerleitung, Sourceanschlüsse der MOS-Transistoren einer Spalte mit einer Steuerleitung und die jeweiligen Flächenelektroden der Bildelemente mit den Drainanschlüssen der MOS-Transistoren matrixartig verbunden sind. Beispielhaft ist die Flächenelektrode PE eines Bildelementes mit dem Drainanschluß eines MOS-Transistors T verbunden, dessen Gateanschluß mit einer Steuerleitung L2 und dessen Sourceanschluß mit einer Steuerleitung L1 kontaktiert ist. Die Leitung L1 besitzt einen Leitungsanschluß A1 und die Leitung L2 besitzt einen Leitungsanschluß A2. Ein Strom der Leitung L1 ist mit I1 und ein Strom der Leitung L2 ist mit I2 bezeichnet. Auf die Leitung L1 ist ein Korpuskularstrahl S1 und auf die Leitung L2 ist ein Korpuskularstrahl S4 gerichtet. Auf die Flächenelektrode PE selbst ist ein Korpuskularstrahl S2 gerichtet um einen Strom I der Flächenelektrode PE zuzuführen. Getrennt zum Korpuskularstrahl S2 ist ein Korpuskularstrahl S3 auf die Flächenelektrode PE gerichtet, der Sekundärelektronen S5 bewirkt. Die getrennten Korpuskularstrahlen S2 und S3 deuten hierbei an, daß zur Einstellung eines Potentials oder eines definierten Stromes I in seinen Eigenschaften nicht identisch zu sein braucht mit dem Korpuskularstrahl S3, der zur Auslösung von Sekundärelektronen dient. So ist zum Beispiel denkbar, daß durch den Korpuskularstrahl S2 der Flächenelektrode PE ein größerer Strom I zugeführt wird als durch den Korpuskularstrahl S3, der zur Messung dient, oder daß der Korpuskularstrahl S2 aus einem Elektronenstrahl und der Korpuskularstrahl S3 aus einem Laserstrahl besteht, der Sekundärelektronen S5 in Form von Photoelektronen erzeugt.
- Figur 3 zeigt ein elektrisches Ersatzschaltbild eines Bildelementes mit einem MOS-Transistor T als Schaltelement, dessen Sourceanschluß mit der Steuerleitung L1 und dessen Gateanschluß mit der Steuerleitung L2 kontaktiert ist. Ein Drainanschluß des MOS-Transistors T ist mit der Flächenelektrode PE verbunden, die zusammen mit der gemeinsamen Flächenelektrode PE eine Kapazität C des Bildelementes bildet, wobei die ergänzende Flächenelektrode CE mit einem Versorgungsspannungsanschluß V verbunden ist. Durch eine Schnittlinie, die die beiden Flächenelektroden PE und CE voneinander trennt ist die Schaltungsaufteilung auf zwei Substrate angedeutet. Ferner sind die wesentlichen parasitären Schaltelemente in Form eines Widerstandes R1 und einer dazu parallel geschalteten Kapazität C1 zwischen dem Drainanschluß des MOS-Transistors T und der Steuerleitung L1 sowie einer Parallelschaltung aus einem Widerstand R2 und einer Kapazität C2 zwischen dem Drainanschluß des MOS-Transistors T und der Steuerleitung L2 dargestellt.
- Als Schaltelemente werden neben den beschriebenen MOS-Transistoren häufig auch Dioden oder sogenannte MIM-Elemente (Metall-Isolator-Metall) verwendet, wobei beispielsweise jeweils zwischen einer Steuerleitung und der Flächenelektrode eines Bildelementes eine Diode vorgesehen ist oder zwischen der Flächenelektrode und einer Steuerleitung ein MIM-Element eingefügt ist. Auch die Aufteilung der Schaltelemente und der Flächenelektroden auf den beiden Substraten SUB1 und SUB2 kann unterschiedlich ausgeführt sein und ist nur beispielhaft beschrieben.
- Bei einem ersten erfindungsgemäßen Verfahren werden bei jedem Bildelement innerhalb eines Einstellzeitintervalls Steuerleitungen L1 und L2, die über den MOS-Transistor T mit der Flächenelektrode PE verbunden sind, auf ein definiertes Potential gebracht, wobei dies beispielsweise über den Leitungsanschluß A1 bzw. A2 oder über den Korpuskularstrahl S1 bzw. S4 erfolgen kann. Aufgrund der in Figur 3 dargestellten parasitären Elemente R1, C1, R2 und C2 und den MOS-Transistor T stellt sich auf der Flächenelektrode PE ein entsprechendes Potential ein. Zur Messung des Potentials der Flächenelektrode PE wird bei diesem Verfahren ein Korpuskularstrahl S3, innerhalb eines Meßzeitintervalls, auf die Flächenelektrode PE gerichtet und die dabei ausgelösten Sekundärelektronen S5 bestimmt. Die Anzahl der Sekundärelektronen die in einen Detektor fallen hängt dabei vom Potential der Flächenelektrode PE ab, da die Anziehungs- bzw. Abstoßungskräfte vom Potential der Flächenelektrode PE abhängen. Bei defekten Bildelementen entstehen Abweichungen vom jeweiligen Soll-Potential, die beispielsweise durch einen elektronischen Rechner leicht auswertbar sind. Werden Leitungen mit Hilfe eines Korpuskularstrahls aufgeladen, so muß dies zyklisch wiederholt werden, da sich die Leitungen allmählich wieder entladen. Das Einstellzeitintervall ist dabei so zu wählen, daß die Potentiale auf den Steuerleitungen nur innerhalb einer bestimmten Meßtoleranz ihr Potential ändern. Das Meßzeitintervall muß dabei möglichst kurz sein, damit keine nennenswerte Potentialänderung auf der Flächenelektrode PE auftritt.
- Ein zweites erfindungsgemäßes Verfahren zur Korpuskularstrahl-Prüfung eines Substrats für eine Flüssigkeitskristallanzeige besteht darin, daß der definierte Strom I der Flächenelektrode PE mit Hilfe des Korpuskularstrahls S2 zugeführt wird und mit Hilfe das Korpuskularstrahls S3, der ebenfalls auf die Flächenelektrode PE gerichtet ist, die Sekundärelektronen S5 ausgelöst werden und damit das Potential der Flächenelektrode PE gemessen wird. In vielen Fällen wird der Korpuskularstrahl S2 mit dem Korpuskularstrahl S3 identisch sein, da der Korpuskularstrahl für die Zuführung des Stromes I auch zur Auslösung von Sekundärelektronen geeignet ist. Durch die in Figur 3 angedeuteten parasitären Elemente R1, C1, R2 und C2 und durch das Schaltelement T wird der Strom I abgeleitet, so daß sich ein bestimmtes Potential auf der Flächenelektrode PE einstellt. Dieses sich einstellende Potential kann jeweils mit einem Soll-Potential verglichen und daraus ein Testergebnis für ein Bildelement gebildet werden.
- Bei einem dritten erfindungsgemäßen Verfahren zur Korpuskularstrahl-Prüfung eines Substrats für eine Flüssigkeitskristallanzeige wird ebenfalls ein definierter Strom I der Flächenelektrode PE zugeführt. Hier wird jedoch nicht das Potential der Flächenelektrode, sondern die Ströme I1 und I2, die sich aufgrund der parasitären Elemente R1, C1, R2 und C2 und den MOS-Transistor T einstellen, gemessen. Die Messung der Ströme I1 und I2 erfolgt über die Leitungsanschlüsse A1 und A2, die mit externen Meßkontakten verbunden sind. Bei diesem Verfahren ist kann beispielsweise das Meßzeitintervall auch innerhalb des Einstellzeitintervalls liegen, daß also der Strom I auch während des Meßzeitintervalls zugeführt wird, um eine stationäre Stromaufteilung zu erhalten.
- Bei allen drei erfindungsgemäßen Verfahren kann eine Messung entweder unmittelbar nach einem Einstellzeitintervall oder nach einer definierten Wartezeit erfolgen. Erfolgt die Messung erst nach einer definierten Wartezeit, so können vor allem Fehler im Zeitverhalten eines Bildelementes festgestellt werden. Wenn die Messung erst nach dem Einstellzeitintervall erfolgt, ist es möglich verschiedene Schaltzustände des Schaltelements über die mit ihm verbundenen Steuerleitungen während eines Meßzeitintervalls einzustellen. Die Steuerleitungen können dabei über die Anschlüsse A1 bzw. A2 oder über den Korpuskularstrahl S1 bzw. S4 eingestellt werden.
- Die drei erfindungsgemäßen Verfahren können auch kombiniert werden, wobei beispielsweise über einen Anschluß A2 ein definiertes Potential auf der Leitung L2 erzeugt wird, über einen Korpuskularstrahl S2 ein definierter Strom I der Flächenelektrode PE zugeführt wird, der Strom I1 der Leitung L1 über einen Anschluß A1 gemessen wird und das Potential der Flächenelektrode PE über die durch den Korpuskularstrahl S2 ausgelösten Sekundärelektronen S5 detektiert werden.
- Als Korpuskularstrahl ist vor allem ein Elektronenstrahl geeignet. Es kann sich aber auch um einen Photonenstrahl eines Lasers, der Sekundärelektronen in Form von Photoelektronen erzeugt, handeln. Häufig wird auch zur Reparatur sehr feiner Leiterbahnstrukturen ein Ionenstrahl benutzt, der ebenfalls Sekundärelektronen auslöst. Durch den Einsatz eines Ionenstrahls für die obengenannten Aufgaben läßt sich daher ein erfindungsgemäßes Prüfungsverfahren mit einer Reparatur verbinden.
Claims (10)
- Verfahren zur Korpuskularstrahl-Prüfung, bei dem ein Substrat für eine Flüssigkeitskristallanzeige geprüft wird, die eine Vielzahl von Bildelementen besitzt, wobei das Substrat (SUB1) aus einem lichtdurchlässigen Isolatorkörper besteht auf dessen Oberfläche eine Vielzahl von Flächenelektroden (PE), Schaltelementen (T), und Steuerleitungen (L1, L2) so aufgebracht sind, daß jeweils eine Elektrode über mindestens ein Schaltelement mit Steuerleitungen verbunden ist, bei dem jeweils innerhalb eines Einstellzeitintervalls die Steuerleitungen (L1, L2), die über ein Schaltelement (T) mit einer Flächenelektrode (PE) verbunden sind, auf ein vorgegebenes Potential gebracht werden, bei dem jeweils das Potential der Flächenelektrode (PE) dadurch gemessen wird, daß innerhalb eines Meßzeitintervalls, ein Korpuskularstrahl (S3) auf die Flächenelektrode (PE) gerichtet wird und die durch den Korpuskularstrahl (S3) ausgelösten Sekundärelektronen (S5) bestimmt werden, und bei dem jeweils das gemessene Potential mit einem jeweiligen Soll-Potential verglichen und daraus ein Testergebnis von einem Bildelement gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Steuerleitungen (L1, L2), die über ein Schaltelement (T) mit einer Flächenelektrode (PE) verbunden sind, über ihre Leitungsanschlüsse (A1, A2) auf ein jeweils vorgegebenes Potential gebracht werden.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Steuerleitungen (L1, L2), die über ein Schaltelement (T) mit einer Flächenelektrode (PE) verbunden sind, durch einen Korpuskularstrahl (S1, S4) auf ein jeweils vorgegebenes Potential gebracht werden.
- Verfahren zur Korpuskularstrahl-Prüfung, bei dem ein Substrat für eine Flüssigkristallanzeige geprüft wird, die eine Vielzahl von Bildelementen besitzt, wobei das Substrat (SUB1) aus einem lichtdurchlässigen Isolatorkörper besteht auf dessen Oberfläche eine Vielzahl von Flächenelektroden (PE), Schaltelementen (T) und Steuerleitungen (L1, L2) so aufgebracht sind, daß jeweils eine Flächenelektrode (PE) über mindestens ein Schaltelement mit Steuerleitungen verbunden ist, bei dem jeweils innerhalb eines Einstellzeitintervalls mit Hilfe eines Korpuskularstrahls (S2) einer Flächenelektrode (PE) ein definierter Strom (I) zugeführt wird, bei dem jeweils innerhalb eines Meßzeitintervalls, das Potential der Flächenelektrode (PE) durch eine Bestimmung der durch einen Korpuskularstrahl (S3) ausgelösten Sekundärelektronen (S5) gemessen wird und bei dem jeweils das gemessene Potential mit einem jeweiligen Soll-Potential verglichen und daraus ein Testergebnis von einem Bildelement gebildet wird.
- Verfahren zur Korpuskularstrahl-Prüfung, bei dem ein Substrat für eine Flüssigkristallanzeige geprüft wird, die eine Vielzahl von Bildelementen besitzt, wobei das zu prüfende Substrat (SUB1) aus einem lichtdurchlässigen Isolatorkörper besteht auf dessen Oberfläche eine Vielzahl von Flächenelektroden (PE), Schaltelementen (T) und Steuerleitungen (L1, L2) so aufgebracht sind, daß jeweils eine Flächenelektrode über mindestens ein Schaltelement mit Steuerleitungen verbunden ist, bei dem jeweils innerhalb eines Einstellzeitintervalls mit Hilfe eines Korpuskularstrahls (S2) einer Flächenelektrode ein definierter Strom (I) zugeführt wird, bei dem jeweils innerhalb eines Meßzeitintervalls ein Strom (I1, I2) einer Steuerleitung (L1, L2), die über ein Schaltelement (T) mit einer Flächenelektrode (PE) verbunden ist, gemessen wird, wobei die Strommessung über einen Leitungsanschluß (A1, A2) der Steuerleitung (L1, L2) erfolgt, und bei dem jeweils der gemessene Strom (I1, I2) mit einem jeweiligen Soll-Strom verglichen und daraus ein Testergebnis für ein Bildelement gebildet wird.
- Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abänderung dadurch erfolgt, daß jeweils innerhalb eines Meßzeitintervalls an Stelle des Stromes einer Steuerleitung, ein Potential der Steuerleitung durch eine Bestimmung der durch einen Korpuskularstrahl ausgelösten Sekundärelektronen gemessen wird und daß das gemessene Potential mit einem Soll-Potential der Leitung verglichen wird.
- Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Meßzeitintervall innerhalb des Einstellzeitintervalls liegt.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß sich das Meßzeitintervall unmittelbar an das Einstellzeitintervall anschließt.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Ende des Einstellzeitintervalls und dem Beginn des Meßzeitintervalls eine definierte Wartezeit eingehalten wird.
- Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb eines Meßzeitintervalls verschiedene Schaltzustände des Schaltelementes (T) über die mit ihm verbundenen Steuerleitungen (L1, L2) eingestellt werden.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4123415 | 1991-07-15 | ||
DE4123415 | 1991-07-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
EP0523594A1 true EP0523594A1 (de) | 1993-01-20 |
EP0523594B1 EP0523594B1 (de) | 1998-11-18 |
Family
ID=6436191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
EP92111912A Expired - Lifetime EP0523594B1 (de) | 1991-07-15 | 1992-07-13 | Verfahren zur Korpuskularstrahl-Prüfung von Substraten für Flüssigkeitskristallanzeigen (LCD) |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5268638A (de) |
EP (1) | EP0523594B1 (de) |
JP (1) | JPH05240901A (de) |
DE (1) | DE59209561D1 (de) |
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PUAI | Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE FR GB IT NL |
|
17P | Request for examination filed |
Effective date: 19930715 |
|
RAP1 | Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred) |
Owner name: ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUER H |
|
17Q | First examination report despatched |
Effective date: 19960731 |
|
RAP1 | Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred) |
Owner name: EBETECH ELECTRON-BEAM TECHNOLOGY VERTRIEBS GMBH |
|
GRAG | Despatch of communication of intention to grant |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA |
|
GRAG | Despatch of communication of intention to grant |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA |
|
GRAH | Despatch of communication of intention to grant a patent |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA |
|
GRAH | Despatch of communication of intention to grant a patent |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA |
|
RAP1 | Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred) |
Owner name: ETEC EBT GMBH |
|
GRAA | (expected) grant |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210 |
|
AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: B1 Designated state(s): DE FR GB IT NL |
|
REF | Corresponds to: |
Ref document number: 59209561 Country of ref document: DE Date of ref document: 19981224 |
|
GBT | Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977) |
Effective date: 19981214 |
|
ITF | It: translation for a ep patent filed | ||
ET | Fr: translation filed | ||
PLBE | No opposition filed within time limit |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261 |
|
STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT |
|
26N | No opposition filed | ||
NLS | Nl: assignments of ep-patents |
Owner name: ETEC SYSTEMS, INC. |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: GB Ref legal event code: 732E |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: GB Ref legal event code: IF02 |
|
NLS | Nl: assignments of ep-patents |
Owner name: DISPLAY PRODUCTS GROUP, INC., A CORPORATION OF THE |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: FR Ref legal event code: TP |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: GB Payment date: 20030612 Year of fee payment: 12 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: FR Payment date: 20030702 Year of fee payment: 12 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: GB Ref legal event code: 732E |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: GB Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20040713 |
|
GBPC | Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee |
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|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: FR Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20050331 |
|
REG | Reference to a national code |
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|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
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|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: NL Payment date: 20080619 Year of fee payment: 17 |
|
NLV4 | Nl: lapsed or anulled due to non-payment of the annual fee |
Effective date: 20100201 |
|
PGFP | Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: DE Payment date: 20100730 Year of fee payment: 19 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: DE Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20120201 |
|
REG | Reference to a national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: R119 Ref document number: 59209561 Country of ref document: DE Effective date: 20120201 |
|
PG25 | Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo] |
Ref country code: NL Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES Effective date: 20100201 |