EP0370912B1 - Machine à microfaisceau laser d'intervention sur des objets à couche mince, en particulier pour la gravure ou le dépôt de matière par voie chimique en présence d'un gaz réactif - Google Patents

Machine à microfaisceau laser d'intervention sur des objets à couche mince, en particulier pour la gravure ou le dépôt de matière par voie chimique en présence d'un gaz réactif Download PDF

Info

Publication number
EP0370912B1
EP0370912B1 EP89403238A EP89403238A EP0370912B1 EP 0370912 B1 EP0370912 B1 EP 0370912B1 EP 89403238 A EP89403238 A EP 89403238A EP 89403238 A EP89403238 A EP 89403238A EP 0370912 B1 EP0370912 B1 EP 0370912B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
enclosure
reaction chamber
machine according
thin film
reactive gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP89403238A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0370912A1 (fr
Inventor
Geoffroy Auvert
Jean-Claude Georgel
Yves Guern
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bertin Technologies SAS
Orange SA
Original Assignee
Bertin et Cie SA
France Telecom SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bertin et Cie SA, France Telecom SA filed Critical Bertin et Cie SA
Publication of EP0370912A1 publication Critical patent/EP0370912A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP0370912B1 publication Critical patent/EP0370912B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/123—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of particular gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/126—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of gases chemically reacting with the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/127—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in an enclosure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Definitions

  • the invention relates to a laser microbeam intervention machine for thin-film objects, such as electronic circuits, flat screens, magnetic read heads, in particular for etching and depositing material on the surfaces of these objects. , chemically in the presence of a reactive gas.
  • a laser micro-beam machine making it possible in particular to perform very fine and very precise cutting operations on thin layers of material, for the correction of micro-defects on electronic circuits. , their repair, their reconfiguration, their micro-analysis, etc.
  • This machine essentially comprises a laser source, such as a continuous argon laser, an optical system for transmitting the laser beam emitted by the source to a target. microscope oriented towards the object to be treated, and means for supporting and moving in this object along three perpendicular axes.
  • This machine also has the advantage of allowing continuous observation, on a video screen, of the work of the laser microbeam on the object to be treated.
  • Such a machine could also be used to chemically etch and deposit material on a thin layer of material by applying the principle described in US Pat. No. 4,340,617.
  • a laser beam is brought on a thin layer of material, placed in a suitable reactive gas, preferably at low pressure.
  • a suitable reactive gas preferably at low pressure.
  • the release of heat at the point of impact of the laser beam and the photon flux respectively cause a chemical reaction between the material of the thin layer and the reactive gas, and a chemical reaction in this gas, which result in etching and deposition of matter located at the point of impact of the laser beam.
  • the thin-film object must be in a reactive gas at low pressure, it can therefore be placed in a sealed reactor or small volume box, one face of which is formed by a window transparent to laser radiation, then close the box , create a vacuum there and introduce the reactive gas at the desired pressure.
  • the porthole for the passage of the laser beam must have a relatively large surface area, making it possible to work on all or almost all of the surface of an electronic circuit, and a thickness sufficient to withstand pressure variations of the order of an atmosphere (105 Pa).
  • Document JP-A-59-126 774 discloses a metal vapor deposition machine, which comprises a sealed enclosure containing a sealed reactor receiving a thin film object, means allowing to lower the pressure in the enclosure and in the reactor, means making it possible to introduce a reactive gas at low pressure into the reactor, and a porthole mounted in an orifice of a wall of the enclosure to allow the passage of '' a laser beam from a focusing objective located outside the enclosure to the thin film object placed in the sealed reactor. Due to the significant difference in pressure which exists between the interior and the exterior of the sealed enclosure, the porthole for the passage of the laser beam must have a significant thickness, and the machine described in this prior document is subject to the same drawbacks. than those listed above.
  • a machine has been proposed in which the thin-film object is not enclosed in a sealed box, but simply placed on a support under the microscope objective and surrounded by concentric annular zones, the first of which is connected to a reactive gas supply and the following of which are connected to one or more sources of vacuum.
  • the laser beam passing through the microscope objective arrives directly, without passing through a porthole, on the thin layer of the object, which is in a localized atmosphere of reactive gas, dynamically isolated from the external atmosphere. by the concentric annular zones of depression.
  • the object of the invention is in particular to provide a simple and effective solution to these various problems.
  • It relates to a machine which allows the etching and the deposition of material by chemical means on an object with a thin layer, by means of a very fine laser microbeam, having a diameter for example less than one micron.
  • a laser micro-beam machine for working on thin-film objects, in particular for etching or depositing material chemically in the presence of a reactive gas, comprising a sealed enclosure in which is housed a sealed reactor receiving a thin film object, means for lowering the pressure in the enclosure and in the reactor, means for introducing a reactive gas at low pressure into the reactor, and a laser source associated by optical means transmission of the laser beam to a focusing objective oriented towards the thin-film object, characterized in that the focusing objective is a microscope objective placed inside the enclosure and carried by a wall of the latter, and in that the reactor is sealed in a sealed manner by a transparent cover of small thickness crossed by the laser beam coming from the microscope objective.
  • the pressure in the enclosure and in the reactor can be substantially equal and vary simultaneously, so that the transparent cover of the reactor does not have to resist significant variations in pressure and can therefore have a very small thickness. This results in the possibility of using a laser microbeam of very small diameter, less than 1 ⁇ m.
  • the thin-film object when the thin-film object consists of a transparent plate of which only one face comprises a thin layer, as is the case for example with flat liquid crystal screens and photolithography masks, it can serve itself even transparent reactor cover. It is then mounted in place of the reactor cover, so as to close the latter in a sealed manner, and its face carrying the thin layer is turned towards the interior of the reactor, so as to be able to be in contact with the reactive atmosphere.
  • the laser beam passes through the transparent plate of the object and acts on the thin layer, for etching, depositing, or cutting.
  • the machine comprises means for regulating the pressure in the enclosure, at a value substantially equal to or slightly higher than that of the pressure of the reactive gas in the reactor, by introducing an inert gas such as nitrogen into the enclosure.
  • the wall of the enclosure, to which the microscope objective is fixed comprises a window transparent to laser radiation for the transmission of this radiation to the microscope objective, having a thickness itself allowing resistance to pressure variations of at least one atmosphere.
  • This window placed upstream of the microscope objective is crossed by a laser beam having a relatively large diameter, substantially equal to that of the entrance to the microscope objective.
  • This window can therefore have a relatively large thickness, without drawbacks.
  • the reactor is carried by displacement motor means with respect to three perpendicular axes, and these motor means are also housed in said enclosure.
  • the bottom of the latter includes through passages, in which conduits are connected for sealing, connected to the pressure lowering and regulation means and to a source of reactive gas, and cables and wires for supplying and controlling the means of displacement of the reactor.
  • the enclosure includes a wall removable, for example its upper horizontal wall, to which the microscope objective or a turret objective holder is fixed.
  • Pneumatic cylinders are associated with this movable wall to assist in lifting it up, and in placing it in the service position.
  • the machine comprises, in addition to a laser beam transmission path, a lighting path and a viewing path all leading to the microscope objective, the viewing path comprising optical filters, a video camera and a screen video allowing the continuous observation of the action of the laser microbeam on the thin film object.
  • FIG. 1 schematically represents the essential constituent means of the machine according to the invention.
  • This machine comprises a sealed enclosure 10, capable of withstanding pressure variations of at least one atmosphere, and produced for example from aluminum.
  • This enclosure comprises a bottom 12, a vertical wall 14 which is for example cylindrical with a circular section, and a movable cover 16 mounted for example pivoting about a transverse horizontal axis and movable around this axis by means of pneumatic cylinders 18.
  • a reactor 20 consisting of a sealed box of relatively small volume, comprising a movable cover 22 forming a porthole, mounted to seal, for example by screwing, on the upper edge of the reactor 20.
  • a horizontal table 24 guided in vertical movement on columns 26 and urged towards the cover 22 by springs 28.
  • a shim 30 is interposed between the table 24 and the cover 22 and allows to adjust the distance between them, and to position an object 32 with a thin layer, mounted on the table 24.
  • a microscope objective 34 or, preferably a objective turret, is fixed to the cover 16 and extends vertically in the enclosure 10, being oriented perpendicular to the plane of the thin-film object 32.
  • the microscope objective 34 receives a laser beam 36 via a porthole 38 sealingly mounted in a through hole in the cover 16.
  • the laser beam 36 is emitted by a laser source 40 such as for example a continuous argon laser, and transmitted by an optical system 42 which is generally of the same type as that described in the aforementioned French patent 2 608 484.
  • the laser beam passing through the window 38 has a diameter substantially equal to that of the entrance objective of the microscope, for example from 5 to 6 mm.
  • the window 38 is made of a material transparent to laser radiation and has a sufficient thickness, for example of the order of cm, to withstand pressure variations of the order of one atmosphere. Given the diameter of the laser beam 36 and the radiated power, crossing the window 38 does not alter the optical qualities of the transmitted radiation.
  • the laser microbeam 54 emerging from the microscope objective passes through the porthole 22 of the reactor 20.
  • This porthole is formed of a thin plate 56 of material transparent to laser radiation, having an area substantially equal to the useful surface of the object 32 thin film, such as for example an electronic circuit, and has a thin thickness of the order of a millimeter to allow good transmission of the laser microbeam 54 whose diameter is for example between 0.1 and 10 microns.
  • the small thickness of the transparent plate 56 for example between 0.5 and 2 mm, makes it possible to respect the distance of the object with a thin layer from the microscope objective, which can be between 3 and 20 mm, depending on the front of goal 34.
  • the reactor 20 is carried by means 58, 60, 62, 64 making it possible to move it along three perpendicular axes, and to make it rotate around a vertical axis so as to be able to orient the object 32 angularly with respect to a horizontal axis of movement of the reactor 20.
  • These means 58, 60, 62, 64 are connected to a control circuit 66 outside the enclosure 10 and also ensuring the electrical supply of the motors of these displacement means.
  • the reactor 20 is in turn connected by flexible conduits 68, 70 to means 72 for lowering pressure and to means 74 for supplying a reactive gas atmosphere, while the enclosure 10 is connected, by conduits 76 and 78 to means 80 for lowering pressure and means 82 for regulating pressure by introduction of a neutral or chemically inert gas in the enclosure 10, for example nitrogen.
  • the aforementioned various cables and connecting conduits are mounted for sealing in through holes in the bottom 12 of the enclosure.
  • This machine works as follows; an object 32 with a thin layer is positioned on the table 24 of the reactor 20, then the cover 22 is fixed, for example by means of screws passing through an annular metal crown secured to the transparent plate 56.
  • the wedge 30 makes it possible to hold the object 32 in place on the table 24, and adjust the distance between this table and the transparent plate 56, so that, as a function of the front of the objective used, the distance between the transparent plate 56 and object 32 is as large as possible , to avoid or reduce the heating of the plate 56 and the risk of material deposit on this plate.
  • the enclosure 10 is closed, by fitting the cover 16 by means of the pneumatic cylinders 18.
  • the latter also make it possible to hold the cover 16 in place with a certain pressure force, in order to seal the enclosure 10.
  • Vacuum is then gradually created in enclosure 10 and in reactor 20, simultaneously, by means 72 and 80.
  • a sufficiently low pressure for example of the order of 0.1 mb ( 10Pa)
  • the desired reactive gas is introduced into the reactor 20, at the desired pressure, which is between 1 and 100 mb and which for example is of the order of 10 mb.
  • This reactive gas can be silane when wants to carry out a deposition of silicon on a particular zone of the object 32, or else chlorine if one wishes to proceed to an etching on a thin layer of aluminum or silicon of the object 32.
  • the pressure is regulated in the enclosure 10, by introduction of an inert gas such as nitrogen, to be slightly higher than the pressure in the reactor 20. This avoids any risk of leakage of reactive gas outside the reactor 20.
  • a vacuum sensor is provided, preferably in enclosure 10, to measure the pressure difference between the reactor and the enclosure, and consequently control, by an appropriate circuit, analog valves mounted on the vacuum and neutral gas from the enclosure. It thus succeeds in rapidly varying the pressure in the reactor and in the enclosure, without risking a bursting of the transparent cover of the reactor.
  • the means 58 and 60 make it possible to move the reactor along two perpendicular horizontal axes, the means 62 make it possible to move it in height along a vertical axis, and the means 64 make it possible to define its angular orientation relative to the one of the horizontal axes of movement.
  • the control circuit 66 may be actuated by an operator, or else be itself under the control of an information processing system.
  • the lighting path 44, 46 and the viewing path 50, 48, 52 allow continuous observation on the screen 52 of the action of the laser microbeam on the surface to be treated.
  • the engraving and / or filing operation can be controlled by an operator, or by an information processing system.
  • the transparent cover 22 of the reactor is formed by the thin-film object 32, when the latter consists of a flat plate transparent to laser radiation and of which only one face has a thin layer absorbing the laser radiation (case for example flat liquid crystal screens and photolithography masks).
  • the object 32 is then mounted in leaktight manner on the reactor 20, with its thin layer face oriented towards the interior of the reactor, so that the thin layer can be in contact with the reactive gas.
  • the laser beam then acts on the thin layer, through the transparent plate of the object, for etching, depositing or cutting.
  • the cover 16 of the enclosure 10 which is secured to a cylindrical skirt 84 coming to cap the cylindrical side wall 14 of the enclosure 10.
  • a turret objective holder 34 is fixed under the cover 16, in sight glass 38.
  • the objective turret is preferably motorized, and equipped with objectives having the same length, so that one can quickly change the objective without modifying the rest of the machine.
  • the reactor 20 is cylindrical in shape.
  • the displacement means 58, 60, 62, 64 are of the type with electric micro-motors.
  • the junction between the cylindrical wall 14 of the enclosure and the skirt 84 of the cover 16 is located substantially at the level of the cover of the reactor 20, which allows easy access to the object placed in this reactor.
  • the cylindrical wall 14 is itself removable, to facilitate maintenance of the machine.
  • the seals provided between the various parts of the machine are, for example, O-rings sold under the name "VITON", made of a material which is almost chemically inert.
  • the cover 16 can be secured to a plate 86 on which a part of the optical systems of the laser beam transmission, lighting and display channels can be provided.
  • the invention applies essentially to electronic circuits, hybrid circuits, flat display screens, magnetic read heads, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

  • L'invention concerne une machine à microfaisceau laser d'intervention sur des objets à couche mince, tels que des circuits électroniques, des écrans plats, des têtes de lecture magnétiques, notamment pour la gravure et le dépôt de matière sur les surfaces de ces objets, par voie chimique en présence d'un gaz réactif.
  • On connaît déjà, par le brevet français 2 608 484 du demandeur, une machine à microfaisceau laser permettant de réaliser notamment des opérations de découpe très fines et très précises sur des couches minces de matériau, pour la correction de micro-défauts sur des circuits électroniques, leur réparation, leur reconfiguration, leur micro-analyse, etc... Cette machine comprend essentiellement une source laser, telle qu'un laser continu à argon, un système optique de transmission du faisceau laser émis par la source jusqu'à un objectif de microscope orienté vers l'objet à traiter, et des moyens de support et de déplacement dans cet objet le long de trois axes perpendiculaires. Cette machine a en outre l'avantage de permettre une observation continue, sur un écran vidéo, du travail du microfaisceau laser sur l'objet à traiter.
  • Une telle machine pourrait également être utilisée pour réaliser, par voie chimique, une gravure et un dépôt de matière sur une couche mince de matériau par application du principe décrit dans le brevet US 4 340 617. Selon ce principe, on amène un faisceau laser sur une couche mince de matériau, placée dans un gaz réactif approprié, de préférence à basse pression. Le dégagement de chaleur au point d'impact du faisceau laser et le flux de photons provoquent respectivement, une réaction chimique entre le matériau de la couche mince et le gaz réactif, et une réaction chimique dans ce gaz, qui se traduisent par une gravure et un dépôt de matière localisés au point d'impact du faisceau laser.
  • Comme l'objet à couche mince doit être dans un gaz réactif à basse pression, on peut pour cela le placer dans un réacteur ou boîte étanche de faible volume, dont une face est formée par un hublot transparent au rayonnement laser, puis fermer la boîte, y faire le vide et y introduire le gaz réactif à la pression voulue. En pratique, le hublot de passage du faisceau laser doit avoir une surface relativement importante, permettant d'intervenir sur la totalité ou la quasi-totalité de la surface d'un circuit électronique, et une épaisseur suffisante pour résister à des variations de pression de l'ordre d'une atmosphère (10⁵ Pa).
  • Cette épaisseur de matériau transparent, relativement importante, a deux inconvénients majeurs :
    • elle fixe une distance minimale entre la surface de l'objet à traiter et l'extrémité de l'objectif de microscope utilisé pour la focalisation du faisceau laser,
    • elle dégrade fortement les qualités optiques d'un faisceau laser de très faible diamètre.
  • On ne peut donc utiliser, pour travailler sur un tel réacteur, qu'un objectif de microscope ayant un pouvoir grossissant relativement faible, et l'on ne peut réduire le diamètre du faisceau laser à des valeurs de l'ordre du micron, permettant un travail très fin et très précis.
  • On connaît par le document JP-A-59-126 774 une machine de dépôt de métal en phase vapeur, qui comprend une enceinte étanche contenant un réacteur étanche recevant un objet à couche mince, des moyens permettant d'abaisser la pression dans l'enceinte et dans le réacteur, des moyens permettant d'introduire un gaz réactif à basse pression dans le réacteur, et un hublot monté dans un orifice d'une paroi de l'enceinte pour permettre le passage d'un faisceau laser depuis un objectif de focalisation situé à l'extérieur de l'enceinte jusqu'à l'objet à couche mince placé dans le réacteur étanche. En raison de la différence importante de pression qui existe entre l'intérieur et l'extérieur de l'enceinte étanche, le hublot de passage du faisceau laser doit avoir une épaisseur importante, et la machine décrite dans ce document antérieur est soumise aux mêmes inconvénients que ceux indiqués ci-dessus.
  • Pour pallier ces inconvénients, on a proposé une machine dans laquelle l'objet à couche mince n'est pas enfermé dans une boîte étanche, mais simplement posé sur un support sous l'objectif de microscope et entouré de zones annulaires concentriques dont la première est reliée à une amenée de gaz réactif et dont les suivantes sont reliées à une ou à des sources de dépression. De cette façon, le faisceau laser passant par l'objectif de microscope arrive directement, sans passer à travers un hublot, sur la couche mince de l'objet, qui est dans une ambiance localisée de gaz réactif, isolée dynamiquement de l'atmosphère extérieure par les zones annulaires concentriques de dépression.
  • Toutefois, cette technique connue ne permet pas de bien maîtriser la pression et la composition du gaz réactif sur la zone de travail, et ne permet pas non plus d'opérer à basse pression, ce qui est essentiel pour une bonne qualité de gravure ou de dépôt de matière sur la couche mince de l'objet.
  • En outre, comme le gaz réactif est en général toxique ou explosif, il en résulte un problème de sécurité du personnel travaillant sur la machine.
  • L'invention a notamment pour but d'apporter une solution simple et efficace à ces divers problèmes.
  • Elle a pour objet une machine qui permette la gravure et le dépôt de matière par voie chimique sur un objet à couche mince, au moyen d'un microfaisceau laser très fin, ayant un diamètre par exemple inférieur au micron.
  • Elle a également pour objet une machine de ce type, qui permette de contrôler très précisément la pression et la composition de l'atmosphère réactive, et de travailler à basse pression.
  • Elle a encore pour objet une machine de ce type, qui soit utilisable dans un environnement industriel.
  • Elle propose, à cet effet, une machine à microfaisceau laser d'intervention sur des objets à couche mince, en particulier pour la gravure ou le dépôt de matière par voie chimique en présence d'un gaz réactif, comprenant une enceinte étanche dans laquelle est logé un réacteur étanche recevant un objet à couche mince, des moyens pour abaisser la pression dans l'enceinte et dans le réacteur, des moyens pour introduire un gaz réactif à basse pression dans le réacteur, et une source laser associée par des moyens optiques de transmission du faisceau laser à un objectif de focalisation orienté vers l'objet à couche mince, caractériséeen ce que l'objectif de focalisation est un objectif de microscope disposé à l'intérieur de l'enceinte et porté par une paroi de celle-ci, et en ce que le réacteur est fermé de façon étanche par un couvercle transparent de faible épaisseur traversé par le faisceau laser issu de l'objectif de microscope.
    La pression dans l'enceinte et dans le réacteur peuvent être sensiblement égales et varier de façon simultanée, de sorte que le couvercle transparent du réacteur n'a pas à résister à des variations importantes de pression et peut donc avoir une épaisseur très faible. Il en résulte la possibilité d'utiliser un microfaisceau laser de très faible diamètre, inférieur à 1 µm.
  • Avantageusement, lorsque l'objet à couche mince est constitué d'une plaque transparente dont une seule face comporte une couche mince, comme c'est le cas par exemple des écrans plats à cristaux liquides et des masques de photolithographie, il peut servir lui-même de couvercle transparent du réacteur. Il est alors monté à la place du couvercle du réacteur, de manière à fermer ce dernier de façon étanche, et sa face portant la couche mince est tournée vers l'intérieur du réacteur, pour pouvoir être au contact de l'atmosphère réactive. Le faisceau laser traverse la plaque transparente de l'objet et vient agir sur la couche mince, pour une gravure, un dépôt, ou une découpe.
  • Selon une autre caractéristique de l'invention, la machine comprend des moyens de régulation de la pression dans l'enceinte, à une valeur sensiblement égale ou légèrement supérieure à celle de la pression du gaz réactif dans le réacteur, par introduction d'un gaz inerte tel que l'azote dans l'enceinte.
  • Ces moyens permettent d'éviter l'établissement d'une trop grande différence de pression entre le réacteur et l'enceinte lorsqu'on introduit un gaz réactif dans le réacteur, et de maintenir une légère surpression à l'extérieur du réacteur pour éviter les fuites de gaz réactif, celui-ci pouvant être plus ou moins toxique, explosif ou corrosif vis à vis de certains matériaux.
  • Selon une autre caractéristique de l'invention, la paroi de l'enceinte, à laquelle est fixé l'objectif de microscope, comporte un hublot transparent au rayonnement laser pour la transmission de ce rayonnement à l'objectif de microscope, ayant une épaisseur lui permettant de résister à des variations de pression d'au moins une atmosphère.
  • Ce hublot placé en amont de l'objectif de microscope, est traversé par un faisceau laser ayant un diamètre relativement important, sensiblement égal à celui de l'entrée de l'objectif de microscope. Ce hublot peut donc avoir une épaisseur relativement importante, sans inconvénients.
  • Selon encore une autre caractéristique de l'invention, le réacteur est porté par des moyens moteurs de déplacement par rapport à trois axes perpendiculaires, et ces moyens moteurs sont également logés dans ladite enceinte.
  • Le fond de celle-ci comprend des passages traversants, dans lesquels sont montés à étanchéité des conduits reliés aux moyens d'abaissement et de régulation de pression et à une source de gaz réactif, et des câbles ou fils d'alimentation et de commande des moyens de déplacement du réacteur.
  • Pour permettre l'accés au réacteur et la maintenance de la machine, l'enceinte comprend une paroi amovible, par exemple sa paroi horizontale supérieure, à laquelle est fixé l'objectif de microscope ou une tourelle porte-objectifs. Des vérins pneumatiques sont associés à cette paroi mobile pour aider à son soulèvement, et à sa mise en position de service.
  • Par ailleurs, la machine comprend, outre une voie de transmission du faisceau laser, une voie d'éclairage et une voie de visualisation aboutissant toutes à l'objectif de microscope, la voie de visualisation comportant des filtres optiques, une caméra vidéo et un écran vidéo permettant l'observation en continu de l'action du microfaisceau laser sur l'objet à couche mince.
  • Dans la description qui suit, faite à titre d'exemple, on se réfère aux dessins annexés dans lesquels :
    • la figure 1 est une vue schématique, en coupe verticale, illustrant les caractéristiques essentielles d'une machine selon l'invention ;
    • la figure 2 est une vue schématique en perspective, avec arrachement partiel, d'un mode de réalisation préféré d'une partie d'une machine selon l'invention ;
    • la figure 3 représente cette partie de la machine en perspective, dans une position différente.
  • On se réfère d'abord à la figure 1 qui représente schématiquement les moyens constitutifs essentiels de la machine selon l'invention.
  • Cette machine comprend une enceinte étanche 10, capable de résister à des variations de pression d'au moins une atmosphère, et réalisée par exemple en aluminium.
  • Cette enceinte comprend un fond 12, une paroi verticale 14 qui est par exemple cylindrique à section circulaire, et un couvercle mobile 16 monté par exemple pivotant autour d'un axe horizontal transversal et déplaçable autour de cet axe au moyen de vérins pneumatiques 18.
  • A l'intérieur de l'enceinte 10 se trouve un réacteur 20 constitué d'une boîte étanche de volume relativement faible, comprenant un couvercle mobile 22 formant hublot, monté à étanchéité, par exemple par vissage, sur le bord supérieur du réacteur 20. A l'intérieur de celui-ci se trouve une table horizontale 24 guidée en déplacement vertical sur des colonnes 26 et sollicitée vers le couvercle 22 par des ressorts 28. Une cale d'épaisseur 30 est interposée entre la table 24 et le couvercle 22 et permet de régler la distance entre eux, et de positionner un objet 32 à couche mince, monté sur la table 24.
  • Un objectif de microscope 34 ou, de préférence une tourelle porte-objectifs, est fixé au couvercle 16 et s'étend verticalement dans l'enceinte 10, en étant orienté perpendiculairement au plan de l'objet 32 à couche mince. L'objectif de microscope 34 reçoit un faisceau laser 36 par l'intermédiaire d'un hublot 38 monté à étanchéité dans un orifice traversant du couvercle 16.
    Le faisceau laser 36 est émis par une source laser 40 telle par exemple qu'un laser continu à argon, et transmis par un système optique 42 qui est généralement du même type que celui décrit dans le brevet français 2 608 484 précité.
  • Une source lumineuse 44 associée à un système optique de transmission 46, et une caméra vidéo 48, par exemple du type à cellules C.C.D, associée à un système de filtres optiques 50 et à un écran vidéo 52, constituent respectivement une voie d'éclairage et une voie de visualisation qui sont réunies avec la voie de transmission du faisceau laser avant l'entrée dans l'objectif du microscope, c'est-à-dire légèrement en amont du hublot 38.
  • Le faisceau laser traversant le hublot 38 a un diamètre sensiblement égal à celui de l'objectif d'entrée du microscope, par exemple de 5 à 6 mm. Le hublot 38 est réalisé en une matière transparente au rayonnement laser et a une épaisseur suffisante, par exemple de l'ordre du cm, pour résister à des variations de pression de l'ordre d'une atmosphère. Compte tenu du diamètre du faisceau laser 36 et de la puissance rayonnée, la traversée du hublot 38 n'altère pas les qualités optiques du rayonnement transmis.
  • Le microfaisceau laser 54 sortant de l'objectif de microscope traverse le hublot 22 du réacteur 20. Ce hublot est formé d'une plaque mince 56 de matière transparente au rayonnement laser, ayant une surface sensiblement égale à la surface utile de l'objet 32 à couche mince, tel par exemple qu'un circuit électronique, et a une épaisseur faible de l'ordre du millimètre pour permettre une bonne transmission du microfaisceau laser 54 dont le diamètre est compris par exemple entre 0,1 et 10 µm. La faible épaisseur de la plaque transparente 56, comprise par exemple entre 0,5 et 2 mm, permet de respecter la distance objet à couche mince-objectif de microscope, qui peut être comprise entre 3 et 20 mm, en fonction de la frontale de l'objectif 34.
  • Le réacteur 20 est porté par des moyens 58, 60, 62, 64 permettant de le déplacer le long de trois axes perpendiculaires, et de le faire tourner autour d'un axe vertical de façon à pouvoir orienter l'objet 32 angulairement par rapport à un axe horizontal de déplacement du réacteur 20. Ces moyens 58, 60, 62, 64 sont reliés à un circuit de commande 66 extérieur à l'enceinte 10 et assurant également l'alimentation électrique des moteurs de ces moyens de déplacement.
  • Le réacteur 20 est quant à lui relié par des conduits souples 68, 70 à des moyens 72 d'abaissement de pression et à des moyens 74 d'alimentation en atmosphère gazeuse réactive, tandis que l'enceinte 10 est reliée, par des conduits 76 et 78 à des moyens 80 d'abaissement de pression et des moyens 82 de régulation de pression par introduction d'un gaz neutre ou chimiquement inerte dans l'enceinte 10, par exemple de l'azote.
  • Les différents câbles et conduits de liaison précités sont montés à étanchéité dans des trous traversants du fond 12 de l'enceinte.
  • Cette machine fonctionne de la façon suivante;
       un objet 32 à couche mince est positionné sur la table 24 du réacteur 20, puis le couvercle 22 est fixé, par exemple au moyen de vis traversant une couronne métallique annulaire solidaire de la plaque transparente 56. La cale 30 permet de maintenir l'objet 32 en place sur la table 24, et de régler la distance entre cette table et la plaque transparente 56, de sorte que, en fonction de la frontale de l'objectif utilisé, la distance plaque transparente 56-objet 32 soit la plus grande possible, pour éviter ou réduire l'échauffement de la plaque 56 et le risque de dépôt de matière sur cette plaque.
  • L'enceinte 10 est refermée, par mise en place du couvercle 16 au moyen des vérins pneumatiques 18. Ces derniers permettent également de maintenir le couvercle 16 en place avec une certaine force de pression, pour assurer l'étanchéité de l'enceinte 10.
  • Le vide est ensuite progressivement fait dans l'enceinte 10 et dans le réacteur 20, de façon simultanée, par les moyens 72 et 80. Lorsqu'une pression suffisamment faible a été atteinte, par exemple de l'ordre de 0,1 mb (10Pa), le gaz réactif voulu est introduit dans le réacteur 20, à la pression voulue, qui est comprise entre 1 et 100 mb et qui par exemple est de l'ordre de 10 mb.
  • Ce gaz réactif peut être du silane lorsqu'on veut procéder à un dépôt de silicium sur une zone particulière de l'objet 32, ou bien du chlore si l'on veut procéder à une gravure sur une couche mince d'aluminium ou de silicium de l'objet 32.
  • Simultanément, la pression est régulée dans l'enceinte 10, par introduction d'un gaz inerte tel que l'azote, pour être légèrement supérieure à la pression dans le réacteur 20. Ainsi, on évite tout risque de fuite de gaz réactif hors du réacteur 20.
  • Pour cela, un capteur de dépression est prévu, de préférence dans l'enceinte 10, pour mesurer la différence de pression entre le réacteur et l'enceinte, et commander en conséquence, par un circuit approprié, des vannes analogiques montées sur les conduits de vide et de gaz neutre de l'enceinte. On parvient ainsi à faire varier rapidement la pression dans le réacteur et dans l'enceinte, sans risquer un éclatement du couvercle transparent du réacteur.
  • Les moyens 58 et 60 permettent de déplacer le réacteur le long de deux axes horizontaux perpendiculaires, les moyens 62 permettent de le déplacer en hauteur le long d'un axe vertical, et les moyens 64 permettent de définir son orientation angulaire par rapport à l'un des axes horizontaux de déplacement. Le circuit 66 de commande peut être actionné par un opérateur, ou bien être lui-même sous commande d'un système de traitement de l'information.
  • Le faisceau laser émis par la source 40 et transmis par le système 42, traverse le hublot épais 38 du couvercle 16 et est focalisé par l'objectif 34 de façon à former un microfaisceau laser 54 de diamètre faible, compris entre 0,1 et 10 µm par exemple, au point d'impact sur la surface à traiter.
  • La voie d'éclairage 44, 46 et la voie de visualisation 50, 48, 52, permettent d'observer en continu, sur l'écran 52, l'action du microfaisceau laser sur la surface à traiter.
  • L'opération de gravure et/ou de dépôt peut être commandée par un opérateur, ou par un système de traitement de l'information.
  • En variante, le couvercle transparent 22 du réacteur est formé par l'objet 32 à couche mince, quand celui-ci est constitué d'une plaque plane transparente au rayonnement laser et dont une seule face comporte une couche mince absorbant le rayonnement laser (cas par exemple des écrans plats à cristaux liquides et des masques de photolithographie). L'objet 32 est alors monté de façon étanche sur le réacteur 20, avec sa face à couche mince orientée vers l'intérieur du réacteur, de sorte que la couche mince puisse être au contact du gaz réactif.
  • Le faisceau laser agit alors sur la couche mince, à travers la plaque transparente de l'objet, pour une gravure, un dépôt ou une découpe.
  • On se réfère maintenant aux figures 2 ou 3 où l'on a représenté les parties essentielles du mode de réalisation préféré d'une machine selon l'invention.
  • On reconnaît dans ces figures le couvercle 16 de l'enceinte 10, qui est solidarisé d'une jupe cylindrique 84 venant coiffer la paroi latérale cylindrique 14 de l'enceinte 10. Une tourelle porte-objectifs 34 est fixée sous le couvercle 16, en regard du hublot 38. La tourelle porte-objectifs est de préférence motorisée, et équipée d'objectifs ayant la même longueur, de sorte que l'on peut changer rapidement d'objectif sans modification du reste de la machine. Le réacteur 20 est de forme cylindrique. Les moyens de déplacement 58, 60, 62, 64 sont du type à micro-moteurs électriques.
  • La jonction entre la paroi cylindrique 14 de l'enceinte et la jupe 84 du couvercle 16 se trouve sensiblement au niveau du couvercle du réacteur 20, ce qui permet un accès facile à l'objet placé dans ce réacteur. La paroi cylindrique 14 est elle-même amovible, pour faciliter la maintenance de la machine. Les joints d'étanchéité prévus entre les diverses parties de la machine sont par exemple des joints toriques commercialisés sous la dénomination "VITON", réalisés en une matière qui est à peu près inerte chimiquement.
  • Comme on le voit en figure 3, le couvercle 16 peut être solidaire d'une platine 86 sur laquelle on peut prévoir une partie des systèmes optiques des voies de transmission du faisceau laser, d'éclairage et de visualisation.
  • L'invention s'applique essentiellement à des circuits électroniques, des circuits hybrides, des écrans plats de visualisation, des têtes de lecture magnétiques, etc...

Claims (11)

  1. Machine à microfaisceau laser d'intervention sur des objets à couche mince (32), en particulier pour la gravure ou le dépôt de matière par voie chimique en présence d'un gaz réactif, comprenant une enceinte étanche (10) dans laquelle est logé un réacteur étanche (20) recevant un objet à couche mince (32), des moyens (72, 80) pour abaisser la pression dans l'enceinte (10) et dans le réacteur (20), des moyens (74) pour introduire un gaz réactif à basse pression dans le réacteur, et une source laser (40) associée par des moyens optiques (42) de transmission du faisceau laser à un objectif de focalisation (34) orienté vers l'objet à couche mince, caractérisée en ce que l'objectif de focalisation est un objectif de microscope (34) disposé à l'intérieur de l'enceinte (10) et porté par une paroi (16) de celle-ci, et en ce que le réacteur (20) est fermé de façon étanche par un couvercle transparent (22) de faible épaisseur traversé par le faisceau laser issu de l'objectif de microscope.
  2. Machine selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit couvercle transparent (22) du réacteur (20) est constitué par l'objet à couche mince (32), dont la couche mince est orientée vers l'intérieur du réacteur pour être en contact avec le gaz réactif, lorsque ledit objet à couche mince est constitué d'une plaque transparente portant la couche mince précitée.
  3. Machine selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens (82) de régulation de la pression dans l'enceinte (10) à une valeur sensiblement égale ou légèrement supérieure à celle de la pression de gaz réactif dans le réacteur (20), par introduction d'un gaz inerte tel que de l'azote dans l'enceinte (10).
  4. Machine selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisée en ce que la paroi (16) de l'enceinte, à laquelle est fixé l'objectif de microscope (34), comporte un hublot (38) transparent au rayonnement laser pour la transmission de ce rayonnement à l'objectif du microscope (34), ayant une épaisseur lui permettant de résister à des variations de pression d'au moins une atmosphère.
  5. Machine selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que le réacteur (20) est porté par des moyens moteurs (58, 60, 62, 64) de déplacement par rapport à trois axes perpendiculaires, et ces moyens moteurs sont également logés dans ladite enceinte (10).
  6. Machine selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que le réacteur (20) comprend une table (24) de support de l'objet à couche mince (32), des moyens sollicitant cette table vers le couvercle transparent (22), et des moyens (30) formant cale d'épaisseur, pour le réglage de la distance entre la table (24) et le couvercle transparent (22) et le maintien de l'objet (32) en position sur la table (24).
  7. Machine selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que le fond (12) de l'enceinte comprend des passages traversants dans lesquels sont montés à étanchéité des conduits (68, 70, 76, 78) reliés aux moyens d'abaissement (72, 80) et de régulation (82) de la pression et à une source (74) de gaz réactif, et des câbles ou fils d'alimentation et de commande des moyens (58, 60, 62, 64) de déplacement du réacteur.
  8. Machine selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que l'enceinte (10) comprend une paroi amovible (16), permettant l'accès au réacteur (20).
  9. Machine selon la revendication 8, caractérisée en ce que la paroi amovible de l'enceinte est son couvercle (16), monté par exemple à pivotement autour d'un axe transversal et associé à des vérins de manoeuvre (18).
  10. Machine selon la revendication 8 ou 9, caractérisée en ce que l'objectif de microscope (34), ou une tourelle porte-objectifs, est fixé sur la paroi amovible (16) de l'enceinte.
  11. Machine selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comprend, outre une voie de transmission du faisceau laser (36), une voie d'éclairage (44, 46) et une voie de visualisation (48, 50, 52) aboutissant toutes à l'objectif de microscope (34), la voie de visualisation comprenant des filtres optiques (50), une caméra vidéo (48) et un écran vidéo (52) permettant l'observation en continu de l'action du microfaisceau laser (54) sur l'objet à couche mince (32).
EP89403238A 1988-11-25 1989-11-23 Machine à microfaisceau laser d'intervention sur des objets à couche mince, en particulier pour la gravure ou le dépôt de matière par voie chimique en présence d'un gaz réactif Expired - Lifetime EP0370912B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8815435 1988-11-25
FR8815435A FR2639567B1 (fr) 1988-11-25 1988-11-25 Machine a microfaisceau laser d'intervention sur des objets a couche mince, en particulier pour la gravure ou le depot de matiere par voie chimique en presence d'un gaz reactif

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0370912A1 EP0370912A1 (fr) 1990-05-30
EP0370912B1 true EP0370912B1 (fr) 1993-09-08

Family

ID=9372261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP89403238A Expired - Lifetime EP0370912B1 (fr) 1988-11-25 1989-11-23 Machine à microfaisceau laser d'intervention sur des objets à couche mince, en particulier pour la gravure ou le dépôt de matière par voie chimique en présence d'un gaz réactif

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4964940A (fr)
EP (1) EP0370912B1 (fr)
JP (1) JPH03503551A (fr)
KR (1) KR900701460A (fr)
CA (1) CA2003847A1 (fr)
DE (1) DE68909008T2 (fr)
ES (1) ES2049343T3 (fr)
FR (1) FR2639567B1 (fr)
IL (1) IL92446A (fr)
WO (1) WO1990006206A1 (fr)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0458199B1 (fr) * 1990-05-21 1995-08-23 Ntn Corporation Procédé et appareil pour le traitement au laser
JPH0464234A (ja) * 1990-07-04 1992-02-28 Mitsubishi Electric Corp 配線パターンの形成方法
US5106455A (en) * 1991-01-28 1992-04-21 Sarcos Group Method and apparatus for fabrication of micro-structures using non-planar, exposure beam lithography
US5129994A (en) * 1991-04-23 1992-07-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to inhibit obstruction of optical transmission through semiconductor etch process chamber viewport
FR2678194B1 (fr) * 1991-06-27 1995-10-27 Bertin & Cie Procede de formation de lignes metalliques conductrices de faible largeur sur un substrat dielectrique.
US5174826A (en) * 1991-12-06 1992-12-29 General Electric Company Laser-assisted chemical vapor deposition
FR2685127B1 (fr) * 1991-12-13 1994-02-04 Christian Licoppe Photonanographe a gaz pour la fabrication et l'analyse optique de motifs a l'echelle nanometrique.
US5238532A (en) * 1992-02-27 1993-08-24 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for removal of subsurface damage in semiconductor materials by plasma etching
US5376224A (en) * 1992-02-27 1994-12-27 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for non-contact plasma polishing and smoothing of uniformly thinned substrates
US5292400A (en) * 1992-03-23 1994-03-08 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for producing variable spatial frequency control in plasma assisted chemical etching
IL105925A (en) * 1992-06-22 1997-01-10 Martin Marietta Corp Ablative process for printed circuit board technology
JPH06350153A (ja) * 1993-06-10 1994-12-22 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 超電導デバイスの製造方法
JPH11167730A (ja) * 1997-12-02 1999-06-22 Toshiba Corp 光ディスク原盤記録装置および光ディスク原盤記録方法
US6063200A (en) * 1998-02-10 2000-05-16 Sarcos L.C. Three-dimensional micro fabrication device for filamentary substrates
US6057871A (en) * 1998-07-10 2000-05-02 Litton Systems, Inc. Laser marking system and associated microlaser apparatus
JP4689064B2 (ja) * 2000-03-30 2011-05-25 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
WO2002080859A2 (fr) * 2001-03-20 2002-10-17 Glaxo Group Limited Associations de medicaments administrees par inhalation
US20040261712A1 (en) * 2003-04-25 2004-12-30 Daisuke Hayashi Plasma processing apparatus
US7223674B2 (en) * 2004-05-06 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Methods for forming backside alignment markers useable in semiconductor lithography
DE102007062212A1 (de) 2007-12-21 2009-06-25 Linde Ag Verfahren und Vorrichtung zum Laser-Remote-Schneiden
DE102007062211A1 (de) 2007-12-21 2009-06-25 Linde Ag Verfahren und Vorrichtung zum Laser-Remote-Schweißen
US7943414B2 (en) * 2008-08-01 2011-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate
DE102009006932A1 (de) * 2009-01-30 2010-08-19 Centrotherm Thermal Solutions Gmbh + Co. Kg Anordnung und Verfahren zum gasdichten Versiegeln von OLED-Bauelementen
US8524139B2 (en) * 2009-08-10 2013-09-03 FEI Compay Gas-assisted laser ablation
WO2013052262A1 (fr) * 2011-10-05 2013-04-11 Applied Materials, Inc. Commande de particules dans des systèmes de traitement laser
CN103521920B (zh) * 2013-10-16 2015-09-30 江苏大学 一种无需吹送辅助气体的激光加工装置及方法
DE102015206237B4 (de) * 2015-04-08 2017-04-13 Felsomat Gmbh & Co Kg Verfahren zum Vakuum-Laserschweißen eines wenigstens zweiteiligen Werkstücks
US10507546B2 (en) * 2017-03-16 2019-12-17 Xerox Corporation Laser cutting debris collection system
US11890807B1 (en) 2017-08-31 2024-02-06 Blue Origin, Llc Systems and methods for controlling additive manufacturing processes
US11819943B1 (en) * 2019-03-28 2023-11-21 Blue Origin Llc Laser material fusion under vacuum, and associated systems and methods
FR3096678B1 (fr) * 2019-05-27 2021-05-21 Safran Ceram Procede de reparation d’une piece en cmc et dispositif
US20220305584A1 (en) * 2021-03-24 2022-09-29 Fei Company In-situ laser redeposition reduction by a controlled gas flow and a system for reducing contamination
CN113385817B (zh) * 2021-08-17 2021-12-10 国宏激光科技(江苏)有限公司 一种真空激光焊接装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1814888A1 (de) * 1968-12-16 1970-07-16 Inst Plasmaphysik Gmbh Verfahren und Einrichtung zum Herstellen einer duennen,freitragenden Scheibe im Hochvakuum aus bei Raumtemperatur gasfoermigem Material,wie Wasserstoff
US4340617A (en) * 1980-05-19 1982-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing a material on a surface
JPS59126774A (ja) * 1983-01-10 1984-07-21 Nec Corp 気相金属堆積装置
DE3787440T2 (de) * 1986-11-20 1994-01-13 Nippon Electric Co Verfahren und Vorrichtung um eine Linie auf einem strukturierten Substrat zu schreiben.
FR2608484B1 (fr) * 1986-12-23 1989-04-28 Bertin & Cie Machine a microfaisceau laser d'intervention sur des objets a couches minces de materiau
US4801352A (en) * 1986-12-30 1989-01-31 Image Micro Systems, Inc. Flowing gas seal enclosure for processing workpiece surface with controlled gas environment and intense laser irradiation
JP2545897B2 (ja) * 1987-12-11 1996-10-23 日本電気株式会社 光ｃｖｄ装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE68909008D1 (de) 1993-10-14
DE68909008T2 (de) 1994-04-28
IL92446A (en) 1994-04-12
WO1990006206A1 (fr) 1990-06-14
JPH03503551A (ja) 1991-08-08
ES2049343T3 (es) 1994-04-16
IL92446A0 (en) 1990-08-31
KR900701460A (ko) 1990-12-03
EP0370912A1 (fr) 1990-05-30
FR2639567A1 (fr) 1990-06-01
FR2639567B1 (fr) 1991-01-25
CA2003847A1 (fr) 1990-05-25
US4964940A (en) 1990-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0370912B1 (fr) Machine à microfaisceau laser d'intervention sur des objets à couche mince, en particulier pour la gravure ou le dépôt de matière par voie chimique en présence d'un gaz réactif
EP0401351B1 (fr) Procede et dispositif de mesure optique
EP0259414B1 (fr) Appareil pour traitements thermiques de pieces minces, telles que des plaquettes de silicium
FR2472199A1 (fr) Procede et dispositif de couplage d'une fibre optique a une source de lumiere
BE897641A (fr) Appareil pour usinage au laser
CA2265233A1 (fr) Masque de protection pour le soudage a vision dans l'infrarouge et utilisation d'un tel masque
FR2698884A1 (fr) Dépôt de différents matériaux sur un substrat.
CA2546810A1 (fr) Procede de controle de l'hermeticite d'une cavite close d'un composant micrometrique, et composant micrometrique pour sa mise en oeuvre ________
FR2598825A1 (fr) Procede de systeme de visualisation optique stereoscopique et application a une machine de soudage par faisceaux d'electrons.
EP1417526B1 (fr) Ensemble modifiable de trous microscopiques
EP0520894B1 (fr) Tête de soudage pour mesure de paramètres de soudage et son application au soudage automatique
WO1990000811A1 (fr) Interface microsonde laser pour spectrometre de masse
FR2675416A1 (fr) Procede d'alignement a distance d'un faisceau laser sur l'ouverture d'une buse et tete de focalisation appareillee pour l'usinage a distance par faisceau laser.
EP0350123A1 (fr) Dispositif de caractérisation d'échantillons semiconducteurs par photoluminescence à haute résolution spatiale et à basse température
EP0375528A1 (fr) Dispositif de manipulation d'un miroir réfléchissant la lumière
EP1770426B1 (fr) Ensemble modifiable de trous microscopiques
EP2473824B1 (fr) Interféromètre à compensation de champ
EP0362764B1 (fr) Dispositif générateur d'enveloppe d'un faisceau de puissance
FR3139735A1 (fr) Procédé et dispositif de dépôt de couche mince sur surface courbe
FR3128397A1 (fr) Machine d’impression en 3d équipée d’une chambre secondaire transparente permettant une fabrication sous atmosphère contrôlée
EP0221606A1 (fr) Dispositif optique de prise de vue ou de projection
FR2649475A1 (fr) Enceinte de four comportant un chemin optique permettant une visualisation de qualite et son procede d'obtention
WO2023285752A1 (fr) Procede de calibration d'un capteur de surveillance d'un bain de fusion dans une machine de fabrication additive
FR2647274A1 (fr) Support reglable pour tube laser a gaz et appareil a laser equipe d'un tel support
FR2611384A1 (fr) Dispositif cryostatique modulaire pour detecteurs photosensibles et le procede de mise en oeuvre

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BE CH DE ES FR GB IT LI NL SE

17P Request for examination filed

Effective date: 19901112

17Q First examination report despatched

Effective date: 19810304

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: FRANCE TELECOM

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: BERTIN & CIE

Owner name: FRANCE TELECOM

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): BE CH DE ES FR GB IT LI NL SE

REF Corresponds to:

Ref document number: 68909008

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19931014

ITF It: translation for a ep patent filed

Owner name: ST. ASSOC. MARIETTI & P

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 19931025

REG Reference to a national code

Ref country code: ES

Ref legal event code: FG2A

Ref document number: 2049343

Country of ref document: ES

Kind code of ref document: T3

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed
PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Payment date: 19941011

Year of fee payment: 6

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Payment date: 19941014

Year of fee payment: 6

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BE

Payment date: 19941028

Year of fee payment: 6

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: ES

Payment date: 19941117

Year of fee payment: 6

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Payment date: 19941130

Year of fee payment: 6

EAL Se: european patent in force in sweden

Ref document number: 89403238.2

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Effective date: 19951124

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF THE APPLICANT RENOUNCES

Effective date: 19951124

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LI

Effective date: 19951130

Ref country code: CH

Effective date: 19951130

Ref country code: BE

Effective date: 19951130

BERE Be: lapsed

Owner name: BERTIN & CIE

Effective date: 19951130

Owner name: FRANCE TELECOM

Effective date: 19951130

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Effective date: 19960601

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

NLV4 Nl: lapsed or anulled due to non-payment of the annual fee

Effective date: 19960601

EUG Se: european patent has lapsed

Ref document number: 89403238.2

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 19981114

Year of fee payment: 10

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 19981126

Year of fee payment: 10

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 19981127

Year of fee payment: 10

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19991123

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 19991123

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20000731

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20000901

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

REG Reference to a national code

Ref country code: ES

Ref legal event code: FD2A

Effective date: 20010402

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20051123