EP0133084A1 - Procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth à fort rendement de scintillation - Google Patents

Procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth à fort rendement de scintillation Download PDF

Info

Publication number
EP0133084A1
EP0133084A1 EP84401420A EP84401420A EP0133084A1 EP 0133084 A1 EP0133084 A1 EP 0133084A1 EP 84401420 A EP84401420 A EP 84401420A EP 84401420 A EP84401420 A EP 84401420A EP 0133084 A1 EP0133084 A1 EP 0133084A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
growth
carried out
single crystal
iridium
single crystals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP84401420A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0133084B1 (fr
Inventor
Hervé Le Gal
Jean-Louis Damelet
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Crismatec SA
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Crismatec SA, Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Crismatec SA
Publication of EP0133084A1 publication Critical patent/EP0133084A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP0133084B1 publication Critical patent/EP0133084B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/906—Special atmosphere other than vacuum or inert

Definitions

  • the present invention relates to a process for the manufacture of bismuth germanate single crystals with high scintillation yield.
  • the method of manufacture of single crystals of bismuth germanate (commonly called BGO)
  • BGO bismuth germanate
  • BGO monocrystals are manufactured from platinum crucibles and in an oxidizing atmosphere.
  • the object of the invention is precisely to remedy these drawbacks and in particular to allow the development of BGO monocrystals of all sizes free from light diffusing centers.
  • the invention relates to a process for the manufacture of bismuth germanate single crystals with high scintillation yield based on the growth of a single crystal from a molten bath in a crucible or a container, characterized in what the container is made of iridium, and that the melting and growth are carried out under a neutral or weakly oxidizing atmosphere.
  • the partial pressure of oxygen is less than or equal to 1X.
  • iridium crucibles for crystal growth is not new.
  • the article by P.S. YIN, S.E. BLUM, P. CHAUDHARI and D.F. 0'KANE published in IBM Technical Dis- closure Bulletin, vol. 15, No. 5, October 1972 indicates the use of iridium crucibles to produce crystals of oxides with a high melting point, such as silicates.
  • This article specifies that the crucibles undergo significant corrosion and that the material to be produced risks being contaminated by iridium: to remedy these drawbacks, it is proposed to work in a neutral atmosphere, for example in an argon atmosphere.
  • the growth of the single crystal is carried out according to the method of Czochralski.
  • the growth of the single crystal is carried out according to the method of the molten zone.
  • the growth of the single crystal is carried out according to the Bridgmann method in vertical or hozirontal geometry.
  • the crystals produced from iridium crucibles and under a neutral or weakly oxidizing atmosphere are perfectly clear and transparent and free from macroscopic inclusions (bubbles, filaments, etc.) such as are systematically observed in Ingots drawn under an oxidizing atmosphere. from a platinum crucible. Their properties of scintillation can therefore only be improved.
  • the crystallization speed can be increased appreciably under equivalent conditions (by a factor of 2 in the previous example, but this result is not limiting).
  • the method for manufacturing BGO monocrystals according to the invention is applicable in all the methods for growing monocrystals from a molten bath, among which the Crochzalski method is cited as a preferred mode.
  • the molten zone method, the Bridgmann method in vertical or horizontal geometry or similar methods are also possible.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth (BGO) à fort rendement de scintillation, basé sur la croissance d'un monocristal à partir d'un bain fondu dans un creuset ou un récipient. Il se caractérise en ce que le récipient est en iridium et en ce que la fusion et la croissance sont effectuées sous une atmosphére neutre ou faiblement oxydante. Ce procédé permet de fabriquer des monocristaux de BGO à fort rendement de scintillation de toutes dimensions exempts de centres diffuseurs de lumiére utilisables comme détecteurs de rayonnement à haute énergie.

Description

  • La présente invention concerne un procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth à fort rendement de scintillation.
  • Elle s'applique, en particulier, au domaine de La fabrication de scintillateurs utilisés comme détecteurs de rayonnement à haute énergie en médecine (tomodensitomètres, caméra à positrons), en physique des hautes énergies et dans La recherche pétrolière et minière, par exemple.
  • Certaines de ces applications nécessitent des cristaux de dimensions importantes (diamètre > 50 mm, longueur > 200 mm) et, dans tous les cas, on a besoin du meilleur rendement lumineux possible.
  • Pour cela it faut éviter Les impuretés qui peuvent diminuer L'intensité de L'émission Lumineuse ainsi que tout ce qui est susceptible de La réabsorber pendant son trajet à L'intérieur du matériau (impuretés, précipités, inclusions diverses,...).
  • La méthode de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth (couramment nommé BGO) La plus utilisée est La méthode Czochralski, une méthode de tirage qui consiste à porter à La température de fusion (TF=1050°C), dans un creuset approprié, une charge polycristalline voisine de La composition désirée, puis à mettre en contact avec ce bain fondu un petit barreau monocristallin convenablement taillé et orienté appelé germe. A partir de cet instant, une translation lente de ce germe (quelques mm/h) ainsi qu'un asservissement de La température du creuset permettent La croissance d'un monocristal ayant La géométrie désirée à condition d'avoir un environnement thermique convenable et une atmosphère satisfaisante.
  • A l'heure actuelle, on fabrique des monocristaux de BGO à partir de creusets en platine et sous atmosphère oxydante.
  • Un tel procédé de fabrication des monocristaux de BGO selon l'art antérieur est décrit dans La publication de O.H. NESTOR et C.Y. HUANG (Harshaw Cie) dans IEEE Transactions on Nuclear Science, V45, 22, (Fev. 1975). Le procédé selon cette publication permet d'obtenir des monocristaux de grandes dimensions qui présentent effectivement les propriétés de scintillation. Néanmoins, ces cristaux présentent tous des nappes de défauts macroscopiques (bulles, inclusions, filaments, etc...) qui diffusent La lumière, amoindrissent Le rendement global de scintillation, et nuisent à l'homogénéité de La réponse lumineuse le long du Lingot.
  • IL est bien connu des métallurgistes que l'alliage Pt-Bi se forme à 730°C. La température de fusion du BGO est égale à 1050°C : ceci impose d'utiliser Les creusets en platine sous atmosphère oxydante pour éviter La présence de bismuth métal. Malgré cela, on observe une corrosion du creuset avec l'accumulation d'impuretés métalliques issues du platine à L'intérieur des inclusions bulleuses du cristal.
  • Les publications scientifiques sont nombreuses qui décrivent tous Les défauts des monocristaux fabriqués selon ce procédé de l'art antérieur et La façon d'en réduire La quantité (par exemple, K. TAKAGI, T. FUKAZAWA, M. ISHII, S. AKIYAMA (Hitachi), J. of Cristal Growth, 52, (1981), p. 584-587).
  • Ces méthodes pour améliorer La qualité des cristaux de BGO, comme l'utilisation de matières premières pures, La croissance des cristaux à une vitesse lente, Les cristallisations successives, La rotation importante du cristal, sont onéreuses et Longues à réaliser et, dans ce cas précis, d'une efficacité médiocre.
  • L'invention a justement pour but de remédier à ces inconvénients et notamment de permettre l'élaboration de monocristaux de BGO de toutes dimensions exempts de centres diffuseurs de Lumière.
  • De façon plus précise, L'invention a pour objet un procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth à fort rendement de scintillation basé sur La croissance d'un monocristal à partir d'un bain fondu dans un creuset ou un récipient, caractérisé en ce que Le récipient est en iridium, et en ce que La fusion et La croissance sont effectuées sous une atmosphère neutre ou faiblement oxydante.
  • Selon une autre caractéristique de ce procédé, La pression partielle d'oxygène est inférieure ou égale à 1X.
  • L'utiLisation de creusets en iridium pour La croissance de cristaux n'est pas nouvelle. Par exemple, l'article de P.S. YIN, S.E. BLUM, P. CHAUDHARI et D.F. 0'KANE paru dans IBM Technical Dis- closure Bulletin, vol. 15, n°5, octobre 1972 indique l'utilisation de creusets en iridium pour réaliser des cristaux d'oxydes à point de fusion élevé, tels que des silicates. Cet article précise que Les creusets subissent une corrosion importante et que Le matériau à élaborer risque d'être contaminé par l'iridium : pour remédier à ces inconvénients, on propose de travailler sous atmosphère neutre, par exemple dans une atmosphère d'argon.
  • D'autre part, Le document US-A-4 055 391 décrit Lui aussi, dans son introduction, Les défauts des creusets en iridium : ce matériau doit être utilisé à des températures voisines de 1200°C et subit une corrosion importante. IL faut donc remplacer souvent les creusets, ce qui est très coûteux.
  • Or, contrairement à ce qui est enseigné dans ces documents, Les inventeurs ont montré que, dans le cas particulier du germanate de bismuth, on obtenait de très bons résultats en travaillant à des températures inférieures à 1200°C (de L'ordre de 1100°C ou éventuellement moins) et en atmosphère légèrement oxydante. La température de fusion du BGO étant de 1050°C, on peut travailler à des températures de L'ordre de 1100°C et éviter les réactions entre Le bismuth et L'iridium qui se produisent au-delà de 1400°C. De plus, on a constaté que, si la pression partielle d'oxygène était inférieure à 1%, on ne dé- cetait que très peu d'inclusions d'iridium dans Les cristaux. Cependant, avec des pressions partielles d'oxygène Légèrement supérieures, La quantité d'iridium dans Les cristaux est plus importante mais peut rester dans des Limites acceptables suivant l'utiti- sation envisagée.
  • SeLon un mode préféré de mise en oeuvre du procédé de L'invention, La croissance du monocristal est effectuée selon La méthode de Czochralski.
  • SeLon un autre mode de mise en oeuvre du procédé de L'invention, La croissance du monocristal est effectuée selon La méthode de La zone fondue.
  • SeLon un autre mode de mise en oeuvre du procédé de L'invention, La croissance du monocristal est effectuée selon La méthode Bridgmann en géométrie verticale ou hozirontale.
  • SeLon une autre caractéristique du procédé de L'invention, Lorsqu'une coloration apparaît sur le lingot élaboré, un recuit de L'ordre de quelques heures à l'air est effectué afin de rendre Le monocristal incolore.
  • D'autres caractéristiques et avantages de L'invention ressortiront mieux de La description qui va suivre, donnée à titre illustratif mais non limitatif.
  • On a réalisé une campagne de tirage de monocristaux de BGO selon La méthode de Czochralski ayant pour but de comparer les effets des paramètres suivants :
    • - creuset platine et atmosphère oxydante,
    • - creuset iridium et atmosphère faiblement oxydante (Po2 ≤ 10-3 torr).
  • Les autres paramètres de la croissance étaient identiques et on a mis en évidence que l'iridium a un comportement chimique beaucoup plus neutre que Le platine vis-à-vis du germanate de bismuth en fusion. Les creusets en iridium et Les conditions de tirage n'introduisent pas de cause de pollution majeure, contrairement au platine.
  • On a observé que L'atmosphère oxydante nécessaire pour l'utilisation d'un creuset en platine favorise fortement L'évaporation de L'oxyde de bismuth alors que, sous atmosphère neutre ou faiblement oxydante, une évaporation congruente du bain intervient ; par analogie, La composition à fusion congruente va se rapprocher de La composition stoechio- métrique et donc réduire La surfusion constitutionnelle au voisinage de L'interface de croissance du cristal.
  • Les cristaux élaborés à partir de creusets en iridium et sous atmosphère neutre ou faiblement oxydante sont parfaitement clairs et transparents et exempts d'inclusions macroscopiques (bulles, filaments,...) telles qu'on en observe systématiquement dans Les Lingots tirés sous atmosphère oxydante à partir d'un creuset en platine. Leurs propriétés de scintillation ne peuvent donc qu'en être améliorées.
  • En outre, La vitesse de cristallisation peut être augmentée sensiblement dans des conditions équivalentes (d'un facteur 2 dans l'exemple précédent mais ce résultat n'est pas limitatif).
  • Lorsqu'une coloration apparaît sur le lingot élaboré dans ces conditions, un simple recuit de quelques heures à l'air suffit à Le rendre incolore ; il est par contre impossible d'éliminer par recuit le type de défaut obtenu dans les conditions classiques.
  • Enfin, on a pu constater qu'il y avait très peu de corrosion du creuset en iridium puisqu'on a pu réaliser plusieurs dizaines d'essais sans perte significative de métal : ceci représente un gros avantage car L'iridium est un élément très coûteux et La corrosion entraîne La nécessité de changer souvent Les creusets.
  • Le procédé de fabrication de monocristaux de BGO selon L'invention est applicable dans toutes Les méthodes de croissance de monocristaux à partir d'un bain fondu, parmi lesquelles on cite comme un mode préférentiel La méthode de Crochzalski. Mais La méthode de La zone fondue, La méthode Bridgmann en géométrie verticale ou horizontale ou des méthodes analogues sont aussi envisageables.
  • Enfin, il est facile de reconnaître Les cristaux réalisés par Le procédé de L'invention grâce à leur teneur en iridium. Une méthode d'analyse globale (permettant d'analyser des échantillons d'un volume de 2 à 3 cm3) ont montré que des cristaux de BGO réalisés selon L'invention contenaient 7 ppm de platine et 200 ppm d'iridium, ces teneurs étant de 150 ppm et 20 ppm pour des cristaux réalisés dans des creusets en platine.

Claims (6)

1. Procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth à fort rendement de scintillation basé sur La croissance d'un monocristal à partir d'un bain fondu dans un creuset ou récipient, caractérisé en ce que le récipient est en iridium et en ce que La fusion et La croissance sont effectuées sous une atmosphère neutre ou faiblement oxydante.
2. Procédé selon La revendication 1, caractérisé en ce que la pression partielle d'oxygène dans L'atmosphère est inférieure ou égale à 1%.
3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la croissance du monocristal est effectuée selon la méthode de Czochralski.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que La croissance du monocristal est effectuée selon La méthode de La zone fondue.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que La croissance du monocristal est effectuée selon La méthode Bridgmann en géométrie verticale ou horizontale.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 , caractérisé en ce que, Lorsqu'une coloration apparaît sur Le lingot élaboré, un recuit de L'ordre de quelques heures à l'air est effectué afin de rendre Le monocristal incolore.
EP84401420A 1983-07-07 1984-07-04 Procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth à fort rendement de scintillation Expired EP0133084B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8311349A FR2548689B1 (fr) 1983-07-07 1983-07-07 Procede de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth a fort rendement de scintillation
FR8311349 1983-07-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0133084A1 true EP0133084A1 (fr) 1985-02-13
EP0133084B1 EP0133084B1 (fr) 1987-06-03

Family

ID=9290620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP84401420A Expired EP0133084B1 (fr) 1983-07-07 1984-07-04 Procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth à fort rendement de scintillation

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4664744A (fr)
EP (1) EP0133084B1 (fr)
JP (1) JPS6051694A (fr)
DE (1) DE3464065D1 (fr)
FR (1) FR2548689B1 (fr)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8402575A (nl) * 1984-08-23 1986-03-17 Philips Nv Werkwijze voor de vervaardiging van bismuthgermanaatkristallen.
JPH0718955B2 (ja) * 1986-03-25 1995-03-06 化成オプトニクス株式会社 増感紙
JP2651481B2 (ja) * 1987-09-21 1997-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 超伝導材料の作製方法
JPH085749B2 (ja) * 1989-03-30 1996-01-24 日本碍子株式会社 旋光性単結晶およびその製造方法
US6624420B1 (en) 1999-02-18 2003-09-23 University Of Central Florida Lutetium yttrium orthosilicate single crystal scintillator detector

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055391A (en) * 1975-06-11 1977-10-25 Prolizenz Ag Crucible
GB2039868A (en) * 1979-01-17 1980-08-20 Siemens Ag Bismuth-germanium-oxide material
GB2115310A (en) * 1982-01-21 1983-09-07 Engelhard Corp Iridium-rhenium crucible and process for growing a crystal in said crucible

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4056304A (en) * 1975-03-06 1977-11-01 Rca Corporation Light modulation employing single crystal optical waveguides of niobium-doped lithium tantalate
JPS5340200A (en) * 1976-09-24 1978-04-12 Japan Atom Energy Res Inst Continuous solidifying method and apparatus for radioactive waste
GB2047113B (en) * 1979-04-12 1983-08-03 Union Carbide Corp Method for producing gadolinium gallium garnet
JPS5933560B2 (ja) * 1981-01-23 1984-08-16 日立化成工業株式会社 Ｂｉ↓４Ｇｅ↓３Ｏ↓１↓２単結晶の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055391A (en) * 1975-06-11 1977-10-25 Prolizenz Ag Crucible
GB2039868A (en) * 1979-01-17 1980-08-20 Siemens Ag Bismuth-germanium-oxide material
GB2115310A (en) * 1982-01-21 1983-09-07 Engelhard Corp Iridium-rhenium crucible and process for growing a crystal in said crucible

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 15, no. 5, octobre 1972, page 1520, New York, US; P.S. YIN et al.: "Employment of neutral ambient gas in iridium crucibles" *

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6051694A (ja) 1985-03-23
FR2548689B1 (fr) 1985-11-08
US4664744A (en) 1987-05-12
EP0133084B1 (fr) 1987-06-03
FR2548689A1 (fr) 1985-01-11
DE3464065D1 (en) 1987-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8524001B2 (en) Silicon wafer and method for producing the same
US8524002B2 (en) Silicon wafer and method for producing the same
KR100453850B1 (ko) 웨이퍼주변부에결정결함이없는실리콘단결정
JPH11189495A (ja) シリコン単結晶及びその製造方法
WO2018179567A1 (fr) Semi-conducteur composé et procédé de production d'un monocristal de semi-conducteur composé
EP0133084B1 (fr) Procédé de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth à fort rendement de scintillation
JP4634553B2 (ja) シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法
JP5007596B2 (ja) 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置
JP4650520B2 (ja) シリコン単結晶の製造装置及び製造方法
WO2016075092A1 (fr) Procede de fabrication d'un lingot de silicium monocristallin de type n
JP4293188B2 (ja) 単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ
JP2002020192A (ja) Ｇａドープシリコン単結晶の製造方法
Kuroda et al. Growth and characterization of polycrystalline silicon ingots from metallurgical grade source material
KR101252915B1 (ko) 단결정 잉곳 제조방법
JP2004224582A (ja) 単結晶の製造方法
JP4200690B2 (ja) ＧａＡｓウェハの製造方法
JP2004269335A (ja) 単結晶の製造方法
JP4723079B2 (ja) 石英ルツボおよびこれを使用したシリコン結晶の製造方法
US10145023B2 (en) Methods for reducing deposits in ingot puller exhaust systems
CH427754A (fr) Procédé pour faire croître un monocristal de grenat
TW202229664A (zh) GaAs晶圓和GaAs錠的製造方法
JPH10182287A (ja) シリコン単結晶製造方法および石英ルツボ
Bronsveld et al. SIN PRECIPITATE FORMATION RELATED TO METAL CONTAMINATION OF MULTICRYSTALLINE SILICON FOR SOLAR CELLS
JPH0789790A (ja) 単結晶成長装置
JPH05270995A (ja) カドミウム−テルル系単結晶の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Designated state(s): DE GB NL

17P Request for examination filed

Effective date: 19850725

17Q First examination report despatched

Effective date: 19860801

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT DE

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE GB NL

REF Corresponds to:

Ref document number: 3464065

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19870709

RAP2 Party data changed (patent owner data changed or rights of a patent transferred)

Owner name: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

NLT2 Nl: modifications (of names), taken from the european patent patent bulletin

Owner name: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE TE PARIJS, FRANK

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed
PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 19950630

Year of fee payment: 12

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 19950710

Year of fee payment: 12

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Payment date: 19950829

Year of fee payment: 12

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Effective date: 19960704

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Effective date: 19970201

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 19960704

NLV4 Nl: lapsed or anulled due to non-payment of the annual fee

Effective date: 19970201

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Effective date: 19970402