NL8402575A - Werkwijze voor de vervaardiging van bismuthgermanaatkristallen. - Google Patents
Werkwijze voor de vervaardiging van bismuthgermanaatkristallen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8402575A NL8402575A NL8402575A NL8402575A NL8402575A NL 8402575 A NL8402575 A NL 8402575A NL 8402575 A NL8402575 A NL 8402575A NL 8402575 A NL8402575 A NL 8402575A NL 8402575 A NL8402575 A NL 8402575A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- crystals
- crystal
- manatic
- bismuthger
- manufacture
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
i V—.
» — FHN 11.129 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven
Werkwijze voor de vervaardiging van bismthgermanaatkristallen.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor de vervaardiging van bismuthgermanaat (Bi^Ge^O^) “kristallen en op de hiermede verkregen kristallen.
Bismthgermanaatkristallen van de samenstelling Bi^Ge^O^ 2, 5 of af gekort: BGO, zijn sterk in de belangstelling gekarten vanwege de door hen vertoonde scintillatie. De kristallen zijn voor verschillende toepassingen interessant, zoals voor gebruik als detector in een elektromagnetischs calorimeter met hoog oplossend vermogen of als detector voor Röntgenstralen in een tcmograaf.
10 De meest gebruikelijke werkwijze voor het vervaardigen van deze kristallen was tot nu toe die volgens Czochralski. Volgens deze werkwijze wordt een entkristal in contact met het oppervlak van een smelt gebracht en vervolgens met een nauwkeurig geregelde snelheid ópgetrokken. Het voordeel van deze werkwijze is dat er geen 15 extra thermcmechanische spanningén geïntroduceerd worden, doordat de groei en het afkoelen van het kristal niet in een kroes plaatsvindt.
Een nadeel is echter, dat bij deze werkwijze een intensieve stroming optreedt, waardoor verontreinigingen door de smelt gemengd worden, zoals beschreven door E. Lorenz: "Recent progress in BGO development for high 20 resolution calorimeter" (1984). Hierdoor daalt de opbrengst aanzienlijk.
Ook de werkwijze volgens Bridgman is voor het kweken van BGO-kristallen voorgesteld, zoals blijkt uit de bovengenoemde publicatie van E. Lorenz. Volgens deze methode wordt het uitgangsmengsel in een kroes gesmolten ei in contact met een entkristal in een oven met 25 een teiperatuurgradient bewogen op een zodanige wijze, dat het kristal vanuit het entkristal aangroeit. Het voordeel van deze werkwijze is, dat met de keuze van de kroesvorm de vormgeving van het kristal mogelijk is, hetgeen bij de werkwijze volgens Czochralski niet het geval is.
De werkwijze volgens Bridgman bleek echter evenals bij die 3Q volgens Czochralski aanleiding te geven tot grote kristalfouten in de vorm van insluitsels. Deze insluitsels hebben bijvoorbeeld samenstellingen Ge02, Bi2Ge309 , Bi12Ge02Q of Bi2Ge05.
Verrassenderwijze bleek volgens de uitvinding bij een afwij- S402575 -5.
ΡΗΝ 11.129 2 Ο king van de stoechicmetrie ten gunste van Bi2o3 in het uitgangsmengsel van Bi203 en Ge02 bij het aangroeien van het kristal, na een kleine zone met insluitsels aan de aanvang van de aangroei, het kristal een zodanige lage concentratie aan insluitsels te vertonen dat deze 5 voor de praktische toepassing volledig aanvaardbaar is. Bovendien bleek een hoge kristalperfectie te worden verkregen. Bij bisrmithgermanaat-kr is tallen vertoont een kristal naarmate het minder dislocaties en andere imperfectie vertoont een verminderde kans op beschadiging na blootstelling aan straling te hebben.
10 De werkwijze voor het vervaardigen van bismuthgermanaat (Bi^Ge^ 2)-kristallen waarbij het uitgangsmengsel in een kroes wordt gesmolten en in contact met een entkristal in een oven met een temperatuurgradient op zodanige wijze wordt bewogen, dat het kristal vanuit het entkristal aangroeit, is volgens de uitvinding 15 daardoor gekenmerkt, dat het uitgangsmengsel een samenstelling heeft tussen 40,2 en 40,5 mol.% Bi203 en 59,8 en 59,5 mol.% Ge02>
Experimenten toonden aan, dat ontoelaatbare insluitsels in het gehele kristal optraden met uitgangsmengsels met 39,4 - 39,7 - 39,75 en 40,0 mol.% Bi03· Bij mengsels met 40,6 mol.% en hoger wordt het 20 insluitselvrije stuk. geleidelijk kleiner.
Perfecte kristallen werden verkregen met uitgangsmengsels, die 40,2 en 40,5 mol.% Bi203 bevatten.
25 30 35 8402575
Claims (1)
1. Werkwijze voor de vervaardiging van bismthgermanaat (Bi^Ge^O^)** kristallen waarbij het uitgangsmengsel in een kroes wordt gesmolten en in contact roet een entkristal in een oven met een temperatunrgradient op een zodanige wijze wordt bewogen, dat het kristal -vanuit het ent-5 kristal aangroeit, met het kenmerk, dat het uitgangsmengsel een samenstelling heeft tussen 40,2 en 40,5 mol.% Bi^ en 59,8 en 59,5 mol.% GeC^. 10 15 20 25 30 35 840257a
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8402575A NL8402575A (nl) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | Werkwijze voor de vervaardiging van bismuthgermanaatkristallen. |
| DE8585201183T DE3563225D1 (en) | 1984-08-23 | 1985-07-12 | Method of manufacturing bismuth germanate crystals |
| EP85201183A EP0174672B1 (en) | 1984-08-23 | 1985-07-12 | Method of manufacturing bismuth germanate crystals |
| JP60181139A JPS6158898A (ja) | 1984-08-23 | 1985-08-20 | ゲルマニウム酸ビスマス結晶の製造方法 |
| IL76146A IL76146A (en) | 1984-08-23 | 1985-08-20 | Manufacture of bismuth germanate crystals |
| CA000489274A CA1253776A (en) | 1984-08-23 | 1985-08-22 | Method of manufacturing bismuth germanate crystals |
| US06/940,237 US4708763A (en) | 1984-08-23 | 1986-12-09 | Method of manufacturing bismuth germanate crystals |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8402575 | 1984-08-23 | ||
| NL8402575A NL8402575A (nl) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | Werkwijze voor de vervaardiging van bismuthgermanaatkristallen. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8402575A true NL8402575A (nl) | 1986-03-17 |
Family
ID=19844356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8402575A NL8402575A (nl) | 1984-08-23 | 1984-08-23 | Werkwijze voor de vervaardiging van bismuthgermanaatkristallen. |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4708763A (nl) |
| EP (1) | EP0174672B1 (nl) |
| JP (1) | JPS6158898A (nl) |
| CA (1) | CA1253776A (nl) |
| DE (1) | DE3563225D1 (nl) |
| IL (1) | IL76146A (nl) |
| NL (1) | NL8402575A (nl) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8800155A (nl) * | 1988-01-25 | 1989-08-16 | Philips Nv | Granaat en werkwijzen voor het bereiden van een granaat. |
| US5169486A (en) * | 1991-03-06 | 1992-12-08 | Bestal Corporation | Crystal growth apparatus and process |
| CN103695994B (zh) * | 2013-12-17 | 2016-08-17 | 清远先导材料有限公司 | 一种锗酸铋单晶体的生长方法 |
| RU2687924C1 (ru) * | 2018-06-26 | 2019-05-16 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Способ получения германата висмута Bi2Ge3O9 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1793672A (en) * | 1926-02-16 | 1931-02-24 | Percy W Bridgman | Crystals and their manufacture |
| US2816050A (en) * | 1953-12-18 | 1957-12-10 | Ibm | Method of forming monocrystals |
| US2835614A (en) * | 1955-11-30 | 1958-05-20 | Raulaud Corp | Method of manufacturing crystalline material |
| US3060065A (en) * | 1959-08-06 | 1962-10-23 | Theodore H Orem | Method for the growth of preferentially oriented single crystals of metals |
| BE754962A (fr) * | 1969-08-20 | 1971-02-01 | Western Electric Co | Procede de production de solides par solidification orientee |
| FR2548689B1 (fr) * | 1983-07-07 | 1985-11-08 | Crismatec | Procede de fabrication de monocristaux de germanate de bismuth a fort rendement de scintillation |
-
1984
- 1984-08-23 NL NL8402575A patent/NL8402575A/nl not_active Application Discontinuation
-
1985
- 1985-07-12 EP EP85201183A patent/EP0174672B1/en not_active Expired
- 1985-07-12 DE DE8585201183T patent/DE3563225D1/de not_active Expired
- 1985-08-20 IL IL76146A patent/IL76146A/xx unknown
- 1985-08-20 JP JP60181139A patent/JPS6158898A/ja active Granted
- 1985-08-22 CA CA000489274A patent/CA1253776A/en not_active Expired
-
1986
- 1986-12-09 US US06/940,237 patent/US4708763A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4708763A (en) | 1987-11-24 |
| DE3563225D1 (en) | 1988-07-14 |
| IL76146A (en) | 1988-11-15 |
| EP0174672A1 (en) | 1986-03-19 |
| JPH0471037B2 (nl) | 1992-11-12 |
| IL76146A0 (en) | 1985-12-31 |
| JPS6158898A (ja) | 1986-03-26 |
| CA1253776A (en) | 1989-05-09 |
| EP0174672B1 (en) | 1988-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100681400B1 (ko) | 글라스 세라믹 및 온도보상 부재 | |
| ES403104A1 (es) | Un metodo de fabricacion de un material ceramico. | |
| EP0995723B1 (en) | Negative thermal expansion glass ceramic and method for producing the same | |
| NL8402575A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van bismuthgermanaatkristallen. | |
| DE2857640C2 (de) | Verfahren zum Dotieren eines Halbleiters | |
| JPH07115882B2 (ja) | 異常な正の部分分散があり且つ改善された物理化学的性質を有する光学弗燐酸塩ガラスおよびその製造方法 | |
| KR102283586B1 (ko) | 칼코게나이드 잉곳 제조 방법 | |
| KR101760039B1 (ko) | Ｌｉ２Ｏ―Ａｌ２Ｏ３―ＳｉＯ２계 투명 결정화 유리 및 그 제조 방법 | |
| Fullmer et al. | Crystal growth of the solid electrolyte RbAg4I5 | |
| US2777255A (en) | Method for producing improved monocrystalline refractive material | |
| Linares | Growth of beryl from molten salt solutions | |
| DE1667604B1 (de) | Verfahren zur herstellung von kristallinem cadmiumtellurid | |
| Bruni | Gadolinium gallium garnet | |
| Jaeger et al. | Investigations in the field of silicate chemistry. IV. Some data on the meta-and orthosilicates of the bivalent metals: beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, zinc, cadmium and manganese | |
| JP7379054B2 (ja) | 石英ガラスるつぼの製造方法および光学ガラス溶融用石英ガラスるつぼ | |
| US2736659A (en) | Method for preparation of highly refractive material | |
| Fenner et al. | The effect of certain impurities in causing milkiness in optical glass | |
| JP2000203994A (ja) | 蛍石単結晶、その熱処理方法及び蛍石単結晶素材の製造 方法 | |
| JP3021937B2 (ja) | カドミウムマンガンテルル単結晶の製造方法 | |
| JPH01115897A (ja) | フッ化マグネシウム単結晶の製造方法 | |
| SU1542898A1 (ru) | Способ получения тройных фосфатов или арсенатов металлов первой, второй и четвертой групп | |
| JPH02279583A (ja) | 単結晶育成方法 | |
| KR940004762B1 (ko) | 마시너블 세라믹스(machinable ceramics) 및 그 제조방법 | |
| UA138827U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ ЗНЕБАРВЛЕНИХ КРИСТАЛІВ PbMoO<sub>4</sub> | |
| JPH05330994A (ja) | ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |