EA023641B1 - Способ легирования полупроводникового материала - Google Patents
Способ легирования полупроводникового материала Download PDFInfo
- Publication number
- EA023641B1 EA023641B1 EA201390127A EA201390127A EA023641B1 EA 023641 B1 EA023641 B1 EA 023641B1 EA 201390127 A EA201390127 A EA 201390127A EA 201390127 A EA201390127 A EA 201390127A EA 023641 B1 EA023641 B1 EA 023641B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- reservoir
- semiconductor material
- crucible
- consumable
- impurities
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 30
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 22
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 22
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 17
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 21
- 239000012768 molten material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001033 granulometry Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Сырье (4) полупроводникового материала помещают в тигель (1). Закрытый расходный резервуар (5а, 5b), содержащий легирующий материал (6), помещают в тигель (1). Содержимое тигля (1) расплавляют, что приводит к внедрению легирующего вещества в ванну расплавленного материала. Изменение температуры выполняется при пониженном давлении.
Description
Данное изобретение относится к способу легирования полупроводникового материала.
Уровень техники
В области электроники и фотоэлектроники важно контролировать количество легирующих примесей, присутствующих в кристаллической матрице из полупроводникового материала.
Столкнувшись с трудностью производства полупроводникового материала, содержащего необходимые концентрации электрически активных примесей, промышленность пошла по пути устранения последних с целью получения очень слабо легированных материалов. После того, как материал избавлен от этих примесей, ему придают форму, а затем снова легируют другими способами, которые обеспечивают лучший контроль количества легирующих веществ.
Этот способ производства является длительным и дорогостоящим, так как требует устранения примесей легирующих веществ, которые впоследствии будут вновь внесены в необходимой концентрации.
Когда легирующие вещества необходимо включить в полупроводниковый материал, эти примеси вводят до кристаллизации либо в расплавленное сырье или в само сырье до этапа плавления. Тем не менее, в обоих случаях, окончательное количество легирующих веществ в кристаллическом полупроводниковом материале не всегда соответствует количеству, внесенному в тигель. Обычно используются различные способы для введения легирующих веществ, но все эти способы связаны с риском загрязнения и/или с проблемами контроля точного количества введенных легирующих веществ. Сходным образом, распределение примесей в тигле не является однородным, что приводит к неоднородности с точки зрения электрических свойств полупроводниковых материалов.
Цель изобретения
Установлено, что существует требование для обеспечения способа легирования полупроводникового материала, который легко реализовать, который является экономичным и обеспечивает хорошее управление количеством введенных легирующих веществ.
Способ по настоящему изобретению отличается тем, что он включает в себя следующие этапы:
обеспечение тигля, содержащего сырье указанного полупроводникового материала, внесение материала легирующего вещества в закрытом расходуемом резервуаре, расходуемый резервуар формируют из указанного полупроводникового материала, плавление содержимого тигля.
Краткое описание чертежа
Прочие преимущества и свойства станут более очевидными из последующего описания конкретных вариантов осуществления по настоящему изобретению, которые приведены для целей неограничивающих примеров и представлены в прилагаемом чертеже. Весь чертеж схематическим образом в поперечном сечении изображает тигель, содержащий сырье полупроводникового материала, обеспеченное вместе с расходуемым резервуаром.
Осуществление изобретения
Как показано на фиг. 1, тигель 1 имеет нижнюю 2 и боковые стенки 3. Тигель 1 заполняют сырьем 4 полупроводникового материала. Данный полупроводниковый материал является, например, кремнием, кремний-германиевым сплавом, δίΟ, бинарным соединением ΙΙΙ-У или ΙΙ-νΙ типа, таким как ОаЛк и СйТс. или тройным соединением ΙΙΙ-У или ΙΙ-νΙ типа, таким как ЛЮаЛк или НдСйТе.
В зависимости от целевого технологического сектора сырье 4 полупроводникового материала включает в себя четко определенные уровни электрически активных примесей легирующих веществ. Данные примесные уровни определяют таким образом, чтобы создать твердый полупроводниковый материал, совместимый с выбранным применением. Для применения в области микроэлектроники сырье 4 полупроводникового материала легируют очень слабо. Для применения в фотоэлектронике сырье 4 полупроводникового материала может содержать большее количество примесных уровней. Распределение примесей в сырье 4 до плавления является свободным. Сырье 4 может содержать очень слабо легированный полупроводниковый материал наряду с более сильно легированным блоком полупроводникового материала. Сырье 4 может также содержать один или несколько блоков легирующего материала внутри тигля 1.
Для того, чтобы в результате получить требуемую концентрацию примесей в кристаллическом материале, сырье 4 анализируют для измерения количества присутствующего полупроводникового материала, количества присутствующих легирующих веществ и количества примесей, которые необходимо ввести. Этот шаг может быть выполнен в любое время до расплавления шихты.
Закрытый расходуемый резервуар 5, содержащий один или несколько легирующих материалов 6, помещают в сырье 4 полупроводникового материала внутри тигля 1. В конкретном варианте осуществления множество закрытых расходуемых резервуаров 5 размещают в сырье 4. Резервуары могут быть распределены любым образом или их распределение может быть выбрано так, чтобы получить очень хорошую однородность с самого начала плавления. Дополнительный расходуемый резервуар, присутствующий в сырье, может содержать те же легирующие вещества или смеси легирующих веществ, что и расходуемый резервуар. В другом варианте осуществления дополнительный расходуемый резервуар содержит различные легирующие вещества из расходуемого резервуара.
- 1 023641
Использование нескольких резервуаров 5а, 5Ь, содержащих одинаковые примеси или отличные примеси, повышает однородность в расплавленной шихте. Это также позволяет использовать резервуары 5а, 5Ь с различными температурами плавления, тем самым позволяя легирующим добавкам включаться постепенно в исходное сырье или избежать одновременного включения двух различных примесей. Далее, является преимуществом использование расходуемых резервуаров 5, которые обладают различными температурами плавления.
Резервуар 5 является расходуемым, так как его расплавляют, чтобы он стал частью сырья 4 в жидком состоянии, из которого получают кристаллический полупроводниковый материал.
Расходуемый резервуар 5 образуется из материала, являющегося частью сырья 4. Материал, составляющий закрытый резервуар 5, является предпочтительно полупроводниковым материалом, который подлежит расплавке. Этот полупроводниковый материал может быть легированным или не легированным. Тем не менее, также возможно для закрытого резервуара 5 быть образованным из другого материала, например из легирующей примеси, подлежащей включению.
В предпочтительном варианте осуществления, расходуемый резервуар 5 образован из материала, который имеет температуру плавления, близкую или равную температуре плавления основного компонента сырья 4, подлежащего расплавлению. Таким образом, расходуемый резервуар 5 не разрушается до того, как он окружен и/или покрыт достаточным количеством расплавленного материала, происходящего из сырья 4.
В предпочтительном варианте размеры расходуемого резервуара 5 выбирают так, что выделение легирующих материалов 6 происходило тогда, когда присутствует достаточное количество расплавленного материала. Размеры резервуара зависят от гранулометрии легирующего вещества. Предпочтительно объем резервуара 5 составляет от нескольких кубических миллиметров до нескольких кубических сантиметров. Тем не менее, большие размеры могут быть использованы даже если становится предпочтительнее работать с несколькими резервуарами 5.
После того, как сырье 4 полупроводникового материала было помещено в тигель 1 с закрытым резервуаром 5, содержащим одно или несколько легирующих веществ, сырье 4 подвергают расплавлению. Расходуемый резервуар 5 также расплавляют, что приводит к выделению легирующих веществ 6, введенных внутрь резервуара 5. Таким образом, легирующие примеси 6 введены в ванну расплава внутри тигля 1. Все содержимое тигля 1 расплавляют и используют для формирования кристаллических полупроводниковых материалов.
Использование закрытого расходуемого резервуара 5, содержащего по меньшей мере одну легирующую примесь 6, является особенно выгодным. Легирующая примесь 6 может находиться в индивидуальном состоянии или в виде сплава.
Когда расходуемый резервуар 5 имеет идентичную или практически идентичную температуру плавления, что и остальное сырье 4, легирующий материал 6 вводят непосредственно в расплавленное сырье 4. Это значительно уменьшает проблемы испарения легирующих материалов, когда существует градиент температуры тигля 1, например, когда примеси имеют более низкую температуру плавления, чем у полупроводниковых материалов, составляющих сырье, в которое необходимо провести включение. Этот вариант осуществления может быть улучшен путем создания расходуемого резервуар 5 герметически изолированным.
Использование изолированного резервуара является еще более выгодным, когда тигель 1 находится в корпусе 7 при давлении ниже атмосферного и даже в вакууме. В качестве примера этот вариант осуществления особенно выгоден, когда рабочее давление составляет от атмосферного давления до 10-5 мбар. Работа при низком давлении является трудной или даже невозможной, когда она нацелена на включение легирующих веществ 6, имеющих высокое давление насыщенных паров, например галлия или фосфора.
Далее, возможно выполнять повышение температуры сырья 4 при пониженном давлении, как правило, в диапазоне давлений, указанном выше, так, чтобы исключить паразитные примеси и затем выполнить плавление при более высоком давлении в целях предотвращения испарения легирующих примесей 6, намеренно введенных в сырье 4.
Поскольку легирующие примеси 6 помещают непосредственно в ванну расплава, их введение в полупроводниковый материал поддается лучшему контролю. Это приводит к большей точности в количестве примесей, присутствующих в окончательном материале, поскольку снижаются потери, а также приводит к большей однородности примесей в ванне расплава и, следовательно, в кристаллизованном материале. Кроме того, легирующие примеси 6, будучи введенными в тигель 1 до шага плавления, устраняют необходимость вводить их в процессе способа плавления, что исключает риск загрязнения, когда примеси вносят, например, при помощи палочки. Это также приводит к упрощению оборудования, используемого для выполнения плавления сырья 4.
Расходуемый резервуар 5, содержащий примеси 6 может быть использован в большом количестве технологий, которые включают размещение твердого материала в тигле, плавление этого твердого материала и затвердевание последнего.
Обычные примеси полупроводникового материала могут быть введены в расходуемый резервуар 5, например, бор, фосфор, галлий, индий и германий. В преимущественном варианте примеси, имеющие
- 2 023641 низкую температуру плавления по сравнению с оставшейся частью сырья и/или имеющие равновесное давление паров, несовместимое со способом плавки, заключают в расходуемый резервуар 5.
Расходуемый резервуар 5 производят любым подходящим способом, например путем нарезки блока полупроводникового материала, составляющего сырье 4, или с помощью другой техники машинной обработки.
Расходуемый резервуар 5 может быть образован из чистого материала, сплава или легированного материала. Легирующее вещество 6, содержащееся в расходуемом резервуаре 5, представляет собой отличный материал от материала резервуара. В предпочтительно варианте примесь 6 является чистым или в большей степени чистым материалом.
В предпочтительном варианте расходуемый резервуар 5 расположен внутри сырья 4, а не в контакте с нижней 2, боковыми стенками 3 и верхней частью шихты. Еще более предпочтительным образом расходуемый резервуар 5 расположен между верхней третью и нижней третью сырья 4, подлежащего расплавлению. Это позволяет осуществить отложенное плавление расходуемого резервуара 5 по сравнению с сырьем 4. Кроме того, можно расположить резервуар в нижней трети, чтобы не допустить слишком легкого всплывания резервуара.
В альтернативном варианте осуществления расходуемый резервуар или расходуемые резервуары размещают в сырье после этапа плавления. Таким образом, примеси вводят после плавления шихты. Как и в различных вариантах осуществления, резервуары могут вводить отличные друг от друга легирующие вещества или смеси легирующих веществ в целях предотвращения паразитных реакций. Резервуар позволяет осуществить лучшее введение примесей в центр сырья перед переходом в расплавленное состояние.
Поскольку количество легирующего вещества, теряемого из-за испарения, уменьшается, то можно получить кристаллический полупроводниковый материал с такой добавленной концентрацией примеси, которая является очень низкой и очень хорошо управляемой.
Claims (6)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ1. Способ легирования полупроводникового материала, содержащий следующие этапы: обеспечение тигля (1), содержащего сырье (4) упомянутого полупроводникового материала, размещение легирующего материала (6) в закрытом расходуемом резервуаре (5а), образованном упомянутым полупроводниковым материалом, помещение резервуара (5а) в тигель (1), плавление содержимого тигля (1).
- 2. Способ по п.1, согласно которому закрытый расходуемый резервуар (5а) выполнен герметичным.
- 3. Способ по п.1 или 2, согласно которому тигель (1) помещают в корпус (7), в котором создают давление ниже атмосферного.
- 4. Способ по любому из пп.1-3, согласно которому закрытый расходуемый резервуар (5а) располагают в нижней трети сырья (4) полупроводникового материала.
- 5. Способ по любому из пп.1-4, согласно которому используют дополнительный расходуемый резервуар (5Ь), размещаемый в том же тигле (1).
- 6. Способ по п.5, согласно которому расходуемый резервуар (5а) и дополнительный расходуемый резервуар (5Ь) выполнены из материалов с различными температурами плавления.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1003009A FR2962849B1 (fr) | 2010-07-16 | 2010-07-16 | Procede de dopage d'un materiau semi-conducteur |
| PCT/FR2011/000385 WO2012007653A1 (fr) | 2010-07-16 | 2011-07-01 | Procédé de dopage d'un matériau semi-conducteur |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201390127A1 EA201390127A1 (ru) | 2013-05-30 |
| EA023641B1 true EA023641B1 (ru) | 2016-06-30 |
Family
ID=43334566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201390127A EA023641B1 (ru) | 2010-07-16 | 2011-07-01 | Способ легирования полупроводникового материала |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8900981B2 (ru) |
| EP (1) | EP2593593B1 (ru) |
| JP (1) | JP5833115B2 (ru) |
| CN (1) | CN103119206B (ru) |
| BR (1) | BR112013001064A2 (ru) |
| CA (1) | CA2804613A1 (ru) |
| EA (1) | EA023641B1 (ru) |
| ES (1) | ES2528618T3 (ru) |
| FR (1) | FR2962849B1 (ru) |
| WO (1) | WO2012007653A1 (ru) |
| ZA (1) | ZA201300367B (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106591942B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-06-11 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法和多晶硅锭及其制备方法 |
| CN108360061B (zh) * | 2017-12-08 | 2019-07-09 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种水平注入合成后旋转连续vgf晶体生长的方法 |
| CN108360060B (zh) * | 2017-12-08 | 2019-07-09 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6179914B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-01-30 | Seh America, Inc. | Dopant delivery system and method |
| US20010015167A1 (en) * | 2000-02-17 | 2001-08-23 | Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag | Method and apparatus for doping a melt with a dopant |
| DE102005032790A1 (de) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Deutsche Solar Ag | Behälter mit Beschichtung und Herstellungsverfahren |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4789596A (en) * | 1987-11-27 | 1988-12-06 | Ethyl Corporation | Dopant coated bead-like silicon particles |
| JPH0446097A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-17 | Mitsubishi Materials Corp | 化合物半導体単結晶成長におけるドーピング方法 |
| US5406905A (en) * | 1993-05-28 | 1995-04-18 | Simco/Ramic Corporation | Cast dopant for crystal growing |
| JPH11312683A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体単結晶シリコンの製造方法 |
| JP4607307B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2011-01-05 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池用シリコン単結晶及び太陽電池用シリコン単結晶ウエーハ並びにその製造方法 |
| JP2004224582A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の製造方法 |
| KR20100049078A (ko) * | 2007-07-20 | 2010-05-11 | 비피 코포레이션 노쓰 아메리카 인코포레이티드 | 시드 결정으로부터 캐스트 실리콘을 제조하는 방법 및 장치 |
| JP5186684B2 (ja) * | 2007-08-02 | 2013-04-17 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体単結晶の製造装置 |
| JP2009249262A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
-
2010
- 2010-07-16 FR FR1003009A patent/FR2962849B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-07-01 ES ES11744038.8T patent/ES2528618T3/es active Active
- 2011-07-01 CN CN201180039656.9A patent/CN103119206B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-01 CA CA2804613A patent/CA2804613A1/en not_active Abandoned
- 2011-07-01 EP EP11744038.8A patent/EP2593593B1/fr not_active Not-in-force
- 2011-07-01 EA EA201390127A patent/EA023641B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-07-01 WO PCT/FR2011/000385 patent/WO2012007653A1/fr active Application Filing
- 2011-07-01 JP JP2013519122A patent/JP5833115B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-01 US US13/810,622 patent/US8900981B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-01 BR BR112013001064A patent/BR112013001064A2/pt not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-01-15 ZA ZA2013/00367A patent/ZA201300367B/en unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6179914B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-01-30 | Seh America, Inc. | Dopant delivery system and method |
| US20010015167A1 (en) * | 2000-02-17 | 2001-08-23 | Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag | Method and apparatus for doping a melt with a dopant |
| DE102005032790A1 (de) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Deutsche Solar Ag | Behälter mit Beschichtung und Herstellungsverfahren |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA201300367B (en) | 2013-09-25 |
| ES2528618T3 (es) | 2015-02-11 |
| US20130115762A1 (en) | 2013-05-09 |
| EP2593593A1 (fr) | 2013-05-22 |
| EP2593593B1 (fr) | 2014-11-19 |
| JP2013537511A (ja) | 2013-10-03 |
| FR2962849A1 (fr) | 2012-01-20 |
| WO2012007653A8 (fr) | 2012-08-02 |
| US8900981B2 (en) | 2014-12-02 |
| CA2804613A1 (en) | 2012-01-19 |
| BR112013001064A2 (pt) | 2016-05-24 |
| JP5833115B2 (ja) | 2015-12-16 |
| CN103119206B (zh) | 2015-11-25 |
| WO2012007653A1 (fr) | 2012-01-19 |
| EA201390127A1 (ru) | 2013-05-30 |
| FR2962849B1 (fr) | 2014-03-28 |
| CN103119206A (zh) | 2013-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102312204B1 (ko) | 저항률 제어방법 및 n형 실리콘 단결정 | |
| US8231727B2 (en) | Crystal growth apparatus and method | |
| JP5566699B2 (ja) | 結晶化中にドープ半導体チャージを添加する半導体の凝固方法 | |
| KR102150405B1 (ko) | 단결정 육성장치 및 그 장치를 이용한 단결정 육성방법 | |
| KR20160078343A (ko) | SiC 단결정의 제조 방법 | |
| EA023641B1 (ru) | Способ легирования полупроводникового материала | |
| EP3012353A1 (en) | Garnet-type single crystal and production method therefor | |
| KR101857612B1 (ko) | GaAs 단결정의 제조 방법 및 GaAs 단결정 웨이퍼 | |
| KR20130055534A (ko) | 실리콘 블록 및 이의 제조방법 | |
| EP3591102B1 (en) | Compound semiconductor and method for producing single crystal of compound semiconductor | |
| KR100777336B1 (ko) | 실리콘 단결정 잉고트의 제조장치 | |
| US7229494B2 (en) | Production method for compound semiconductor single crystal | |
| WO2011043777A1 (en) | Crystal growth apparatus and method | |
| Armour et al. | Liquid phase diffusion growth of SiGe single crystals under magnetic fields | |
| CN114635188B (zh) | 一种甚多微孔坩埚以及高通量制备氟化物单晶光纤的方法 | |
| US20210222321A1 (en) | Method for growing single crystal | |
| US20190352800A1 (en) | Gallium-arsenide-based compound semiconductor crystal and wafer group | |
| JPH11343194A (ja) | 単結晶の製造装置および単結晶の製造方法 | |
| JPH10182298A (ja) | 半磁性半導体多結晶体の製造方法 | |
| KR20110086979A (ko) | 단결정 성장방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM RU |