EA004487B1 - Способ и система защиты от коррозии проводящих конструкций - Google Patents

Способ и система защиты от коррозии проводящих конструкций Download PDF

Info

Publication number
EA004487B1
EA004487B1 EA200200653A EA200200653A EA004487B1 EA 004487 B1 EA004487 B1 EA 004487B1 EA 200200653 A EA200200653 A EA 200200653A EA 200200653 A EA200200653 A EA 200200653A EA 004487 B1 EA004487 B1 EA 004487B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
metal
coating
semiconductor
zinc
silicate
Prior art date
Application number
EA200200653A
Other languages
English (en)
Other versions
EA200200653A1 (ru
Inventor
Артур Дж. Спивак
Дэвид Б. Даулинг
Original Assignee
Эпплайд Семикондактор, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эпплайд Семикондактор, Инк. filed Critical Эпплайд Семикондактор, Инк.
Publication of EA200200653A1 publication Critical patent/EA200200653A1/ru
Publication of EA004487B1 publication Critical patent/EA004487B1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/60—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only artificial stone
    • C04B41/61—Coating or impregnation
    • C04B41/65—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/68—Silicic acid; Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5024—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/08—Anti-corrosive paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/08—Anti-corrosive paints
    • C09D5/10—Anti-corrosive paints containing metal dust
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
    • C23C22/60—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using alkaline aqueous solutions with pH greater than 8
    • C23C22/62—Treatment of iron or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F15/00—Other methods of preventing corrosion or incrustation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D13/00—Electrophoretic coating characterised by the process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/90—Electrical properties
    • C04B2111/94—Electrically conducting materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Prevention Of Electric Corrosion (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Food Preservation Except Freezing, Refrigeration, And Drying (AREA)
  • Apparatus For Disinfection Or Sterilisation (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

Система для защиты от коррозии поверхности металлической конструкции при контакте с коррозионной средой, включающая в себя полупроводниковое покрытие (4), находящееся в проводящем контакте, по меньшей мере, с частью поверхности, и электронный фильтр (17) для фильтрования коррозионного шума; а также способ защиты от коррозии, использующий данную систему.

Description

Область изобретения
Настоящее изобретение относится к способу и системе защиты от коррозии проводящих конструкций с использованием полупроводниковой технологии.
Обсуждение предшествующего уровня техники
В течение последних нескольких столетий были разработаны разнообразные способы борьбы с коррозией с особым упором на способы увеличения времени жизни металлических сооружений в коррозионной среде. Данные способы типично включают в себя защитные покрытия, которые, преимущественно, используются для увеличения коррозионной стойкости черных металлов, таких как сталь, и некоторых цветных металлов, таких как алюминий, с тем, чтобы избежать необходимости использования более дорогостоящих сплавов. Таким образом, они (покрытия) улучшают эксплуатационные характеристики, а также снижают стоимость. Однако такие защитные покрытия типично имеют несколько недостатков, включая плохую применимость к неметаллическим конструкциям, которые страдают от коррозии или загрязнения.
Защитные покрытия относятся к двум основным категориям. Большинство покрытий из данных категорий представляют собой верхнее (поверхностное) покрытие, такое как краска, которое действует в качестве физического барьера по отношению к окружающей среде. Вторая категория состоит из покрытий с защитной коррозией, таких как цинк или кадмий, которые предназначены для того, чтобы предпочтительно подвергаться коррозии с целью предохранения основного металла от воздействия.
Катодная защита и покрытия представляют собой инженерные области знаний с основной целью ослабления и защиты от коррозии. Оба способа сильно отличаются: катодная защита борется с коррозией введением электрического тока от внешних источников для противодействия обычным реакциям электрохимической коррозии, тогда как покрытия образуют барьер для предотвращения потока коррозионного тока или электронов между существующими по естественным причинам анодами и катодами или внутри гальванических пар. Каждый из этих способов дает ограниченный успех. Покрытия, безусловно, представляют наиболее широко распространенный метод защиты от общей коррозии (см. Ьеои е! а1., патент США № 3 562 124 и НауакЫ е! а1., патент США № 4 219 358). Однако катодная защита использовалась для защиты сотен из тысяч миль трубопроводов и акров стальных поверхностей, на которые действуют условия подземного размещения или погружения.
Метод катодной защиты используют для уменьшения коррозии металлической поверхности, подавая на нее достаточный катодный ток, чтобы сделать скорость ее анодного растворения незначительной (например, см. Ргуог, патент США № 3 574 801; Ааккои патент США № 3 864 234; Маек патент США № 4 381 981; Αί1кои е! а1., патент США № 4 836 768; АеЬк!ег патент США № 4 863 578 и 81е\\'аг1 е! а1., патент США № 4 957 612). Идея катодной защиты работает на подавлении разности потенциалов между локальными анодными и катодными поверхностями посредством применения достаточного тока, чтобы поляризовать катоды до потенциала анодов. Другими словами, действие прилагаемых катодных токов заключается скорее в уменьшении площади, которая продолжает действовать как анод, чем в уменьшении скорости коррозии таких остающихся анодов. Полная защита достигается, когда все аноды «уничтожены». С электрохимической точки зрения это показывает, что к металлу, который следует защищать, было поставлено достаточное количество электронов так, что нейтрализована тенденция металла к ионизации или переходу в раствор.
Недавние работы по изучению коррозии обнаружили, что процессы электрохимической коррозии, как оказалось, связаны со случайными флуктуациями электрических свойств электрохимических систем, таких как ток элемента и электродный потенциал. Эти случайные флуктуации известны из уровня техники как «шум». Исследователи начали применять методику анализа шума для изучения процессов коррозии в электрохимических системах.
Патенты США 1СПе 5 352 342 и КДГе 5 009 757 описывают силикатное покрытие на основе цинка/оксида цинка, которое используется в комбинации с электроникой в системе для защиты от коррозии. Описывается, что частицы цинка/оксида цинка в покрытии имеют полупроводниковые свойства, прежде всего р-ппереход на фазовой границе Ζη-ΖηΟ. Описывается, что при обратном смещении данный р-п переход ведет себя как диод и запрещает перенос электронов через границу. Данное ограничение ставит предел переносу электронов от участков окисления Ζη к участкам восстановления кислорода на поверхности ΖηΟ. Фактически существует увеличенное сопротивление между анодом и катодом локальных коррозионных элементов и коррозия уменьшается.
В среднем переход на основе Ζη-ΖηΟ будет обратносмещенным из-за потенциалов, связанных с окислением Ζη на поверхности Ζη и восстановлением Ο2 на поверхности ΖηΟ. Однако имеют место значительные стохастические флуктуации напряжения. Данные флуктуации напряжения приводят к тому, что переход эпизодически становится прямосмещенным. Когда он прямосмещенный, перенос электронов через переход увеличивается, и происходит ускорение окисления Ζη и восстановления О2. Фактически, существует короткое замыкание между анодом и катодом локальных коррозионных элементов и коррозия увеличивается.
Патенты Ктйе описывают присоединение конденсатора с фиксированной величиной в электрохимическую цепь системы для защиты от коррозии. Однако там не имеется ни способа управления уровнем емкости, ни метода, предложенного для определения уровня емкости, необходимого для эффективной защиты от коррозии любой конкретной конструкции. Следовательно, необходимо использовать избыточную емкость в системе, чтобы она была эффективной.
Краткое изложение изобретения
Соответственно, цель настоящего изобретения заключается в предложении полупроводникового покрытия, которое обеспечивает антикоррозионные свойства любой проводящей конструкции.
Дальнейшая цель настоящего изобретения состоит в предложении способа защиты проводящих металлических конструкций от коррозии, который можно тонко подстраивать к уникальным характеристикам металлической конструкции.
Дальнейшая цель настоящего изобретения заключается в предложении способа защиты от коррозии проводящих конструкций с использованием полупроводниковой технологии и без внешнего анода, без электролита и без электрического тока.
Дальнейшая цель настоящего изобретения состоит в предложении системы для защиты проводящих конструкций от коррозии, где система предоставляет долговременную защиту с минимальным требуемым обслуживанием системы.
Данные и другие цели были достигнуты с открытием полупроводникового покрытия и связанной с ним электронной системы, где система может работать, просто фильтруя флуктуации напряжения в проводящей конструкции, на которой нанесено полупроводниковое покрытие, где способ использования системы включает в себя следующие стадии, на которых покрывают проводящую конструкцию полупроводниковым покрытием, причем к указанной покрытой конструкции подсоединен фиксированный электронный фильтр, контролируют шум, генерируемый указанным покрытием, имеющим присоединенный к нему указанный фиксированный электронный фильтр, используют регулируемый фильтр, соединенный с указанным покрытием, для определения отклика антикоррозионного фильтра, необходимого для сведения к минимуму шума, генерируемого указанным покрытием; и заменяют указанный регулируемый фильтр пассивным или активным фильтром, имеющим отклик фильтра, равный, по меньшей мере, отклику указанного антикоррозионного фильтра.
Краткое описание фигур
Более полная оценка изобретения и его многие сопутствующие преимущества будут легко получены и будут более понятными со ссылкой на нижеследующее детальное описание, когда оно рассматривается в связи с сопровождающими фигурами, где фиг.1 является графическим представлением перехода Ζη/ΖηΟ по предпочтительному варианту осуществления настоящего изобретения;
фиг.2 показывает эквивалентную электрическую схему, изображающую систему по настоящему изобретению.
Детальное описание предпочтительных вариантов осуществления
Настоящее изобретение предлагает способ защиты от коррозии любой проводящей конструкции, подверженной коррозии, включающий в себя покрытие проводящей конструкции полупроводниковым покрытием и присоединение к полученной в результате покрытой конструкции фиксированного электронного фильтра, контроль создаваемого системой коррозионного шума и определение отклика фильтра, необходимого для сведения к минимуму коррозионного шума (в контексте настоящего изобретения термин «коррозионный шум» используется для описания флуктуаций напряжения, которые происходят вследствие процесса гальванической коррозии). В одном варианте осуществления на практике настоящее изобретение включает в себя корректировку отклика фильтра с использованием регулируемого фильтра для задания отклика фильтра, необходимого для сведения к минимуму шума, создаваемого покрытой конструкцией, затем замену регулируемого фильтра пассивным электронным фильтром, имеющим, по меньшей мере, определенный антикоррозионный отклик фильтра. В альтернативном варианте осуществления изобретения заменяют регулируемый фильтр активным электронным фильтром и контролирующей системой, которая постоянно контролирует шум и автоматически корректирует отклик фильтра для сведения к минимуму флуктуации в системе.
Настоящее изобретение делает минимальным данный коррозионный шум, соединяя полупроводниковое покрытие с электронным фильтром. Электронный фильтр имеет отклик фильтра, определяемый в контексте настоящего изобретения как уровень уменьшения шума при данной частоте. Как отмечено выше, фильтр может быть пассивным, дистанционно управляемым КС-фильтром нижних частот или активным фильтром. В каждом случае фильтр делает минимальными флуктуации напряжения. Тогда присутствующие в полупроводниковом покрытии переходы поддерживают обратное смещение. Затем усредненный по времени элек тронный поток из анодных областей к катодным областям в полупроводниковом покрытии уменьшается и покрытие эффективно пассивируется.
Пассивный КС-фильтр нижних частот, по существу, представляет собой конденсатор и сопротивление. В случае настоящей системы полупроводниковое покрытие действует до некоторой степени как сопротивление, причем конденсатор завершает КС-фильтр. Подходящие активные фильтры включают в себя (но не ограничиваются ими) фильтры ВиЦег\\'ог111. Вс55с1 и 8а11еи-Кеу. Данные активные фильтры имеются в продаже и/или они могут быть легко созданы специалистами в данной области. Данные активные фильтры, в основном, представляют собой цепь операционного усилителя с конденсаторами. Предпочтительно главным компонентом фильтров по настоящему изобретению является конденсатор, где отклик фильтра связан с емкостью, необходимой для обеспечения уменьшенного шума при данной частоте.
Аспекты измерения шума по настоящему изобретению используют для тонкой регулировки схемы системы для конкретных областей использования. На основании измеренного шума можно определить и улучшить требуемые свойства фильтра и место установки фильтра в системе для стойкой защиты от коррозии по всей поверхности конструкции, даже в очень больших конструкциях, таких как авианосцы или мосты со значительной длиной пролетов. В настоящем изобретении контролируются флуктуации напряжения между покрытой поверхностью и электродом сравнения с низким шумом и высоким импедансом. Подходящий электрод сравнения с высоким импедансом можно приготовить, например, из насыщенного каломельного электрода или насыщенного сульфатного электрода. Имеющиеся в продаже электроды сравнения с высоким импедансом, подходящие для этой цели, можно купить у различных компаний, поставляющих оборудование по каталогам, таких как Весктап 1п51гитеп15 или Согшид. За шумом можно вести контроль, используя данные электроды и применяя осциллограф, чтобы показывать флуктуации напряжения. Альтернативно данные, полученные от электродов, можно сохранить и проанализировать с использованием персонального компьютера с аналогово-цифровым преобразователем, при этом анализируя полученные в результате данные с использованием программ анализа временного ряда, таких как анализ с быстрым преобразованием Фурье (ЕЕТ) или метод максимальной энтропии (метод МЕМ). Данные методы могут предоставить как результаты в реальном времени, так и с задержкой, как это желательно. Использование таких методов позволяет определить уровень отклика фильтра и размещение фильтров, необходимые для создания почти плоской линии на осциллографе (т. е. све сти к минимуму шум). Это можно сделать при одиночном размещении на конструкции или, для более тонкого управления, при множестве мест размещения на поверхности конструкции. Свойства электронного фильтра и места установки фильтра можно скорректировать, чтобы свести к минимуму измеряемые флуктуации напряжения, таким образом, делая максимальным пассивирование покрытия. Окончательным результатом является резкое увеличение долговечности системы защиты от коррозии для любого желательного типа конструкции. Это происходит вследствие уменьшения коррозионного шума, радикально уменьшая защитную коррозию, таким образом, полупроводникового покрытия.
Настоящее изобретение также относится к полупроводниковому покрытию, которое можно использовать с различными проводящими подложками для обеспечения совокупности интересных свойств. Полупроводниковое покрытие по настоящему изобретению может представлять собой любое полупроводниковое покрытие, включая (но не ограничиваясь ими) полупроводниковые покрытия, имеющие (а) как итип, так и р-тип полупроводниковых областей, (Ь) переходы металл-полупроводник, (с) переходы ионный проводник-полупроводник, (6) переходы металл-полупроводник-ионный проводник, (е) переходы полупроводник-изоляторполупроводник и их разнообразные комбинации. Полупроводниковое покрытие по настоящему изобретению можно использовать для различных конечных целей. Главная из этих конечных целей представляет собой защиту от коррозии проводящих конструкций. Настоящая система защиты от коррозии проводящих подложек включает в себя:
(a) полупроводниковое покрытие в проводящем контакте, по меньшей мере, с частью поверхности проводящей конструкции; и (b) устройство для фильтрования коррозионного шума, где устройство включает в себя сток электронов, такой как батарея или другой источник питания, вместе с фильтром, таким как конденсатор, присоединенными к покрытой проводящей подложке;
а также открытие способа защиты от коррозии, включающего в себя:
1) очистку внешней поверхности проводящей конструкции;
2) покрытие внешней поверхности полупроводниковым покрытием по настоящему изобретению; и
3) использование электронного фильтра для сведения к минимуму коррозионного шума в системе.
Принцип действия способа и системы по настоящему изобретению состоит в измерении коррозионного шума, генерируемого всей системой (включая, но не ограничиваясь этим, подложку, покрытие и компоненты фильтра) и све дении к минимуму данного шума с применением электронного фильтра.
В варианте осуществления для защиты от коррозии и порчи настоящая система включает в себя два взаимозависимых компонента: (1) полупроводниковое покрытие и (2) средство для придания эффективного отрицательного смещения проводящей конструкции, на которую нанесено покрытие. В целом, полупроводниковое покрытие наносят на проводящую поверхность после ее очистки, предпочтительно металлоструйной обработкой до окончательной коммерческой степени обработки, принятой для металлических поверхностей, или сопоставимым способом для неметаллических проводящих конструкций. Когда проводящую поверхность очищают металлоструйной обработкой или сопоставимыми методами, поверхность будет иметь многочисленные канавки или углубления с глубиной от 0,1 мил до нескольких мил (1 мил = 25,4 мкм). Полупроводниковое покрытие по настоящему изобретению следует наносить при глубине (толщине) по меньшей мере на 2 мил больше, чем размер углублений, образовавшихся в результате процесса очистки, предпочтительно от 2 до 10 мил по толщине, наиболее предпочтительно, от 7 до 9 мил. На ровных поверхностях без значительных углублений покрытие можно наносить при толщине, примерно, до 0,5 мил без вреда для эксплуатационных характеристик системы.
Конструкция, которую можно защищать с использованием настоящего способа и системы, может представлять собой любой проводящий чувствительный к коррозии материал. Предпочтительно конструкция является металлической конструкцией из черного металла или цветного проводящего металла. Типичные металлы включают (но не ограничиваются ими) железо, сталь и алюминий.
Полупроводниковое покрытие по настоящему изобретению предпочтительно представляет собой покрытие металлом или металлическим сплавом, с присутствием или без присутствия оксида(ов) металла(ов). В наиболее предпочтительном варианте осуществления покрытие представляет собой систему Ζη/ΖηΟ. Металлы или металлические сплавы можно использовать сами по себе или объединенными с подходящим для покрытия связующим. Связующие вещества для покрытия включают в себя различные силикатные связующие, такие как силикат натрия, силикат магния и силикат лития. Металл или металлический сплав в покрытии должен иметь более высокий окислительный потенциал, чем проводящий материал, который необходимо защищать. Стандартные электродные потенциалы для большинства металлов хорошо известны и воспроизводятся ниже для ряда различных металлов.
Стандартные электродные потенциалы восстановления (относительно водородного электрода):
Ре2+ + 2е- Ре: -0,41
Ζη2+ + 2е- Ζη: -0,76
Τί2+ + 2е- Τι: -1,63
А13+ + 3е- А1: -1,71
Се3+ + 3е- Се: -2,34
Мд2+ + 2е- Мд: -2,38
Ва2+ + 2е Ва: -2,90
С§+ + е- С§: -2,92 (Источник: СКС НаШЬоок о£ Сйеш18(гу αηά Р11У51С5. 60'1' ей.. Εά. РоЬей С. ХУеаА СКС Рге§8, 1пс, Воса КОоп, РЬ, 1979).
Поскольку покрытие настоящей системы и способ являются «жертвенными» (т.е. подвергающимися защитной коррозии) относительно защищаемого проводящего материала (хотя и минимально жертвенными, когда коррозионный шум сведен к минимуму), то при определении металла, который должен содержаться в покрытии, важно выбрать металл, имеющий стандартный электродный потенциал, который более отрицательный, чем у проводящего материала, который необходимо защищать. Например, чтобы защитить Ре (например, присутствующее в стали), в покрытии необходимо использовать Ζη, Τι или любой другой металл, имеющий стандартный электродный потенциал, который более отрицателен, чем -0,44. При защите металла, имеющего сильно отрицательный электродный потенциал, такого как алюминий (1,68), приемлемо использовать сплав металла, имеющего менее отрицательный электродный потенциал (такого как Ζη) вместе с металлом, имеющим более отрицательный электродный потенциал (таким как Мд). Данный сплав будет обеспечивать покрытие с необходимой «жертвенной» природой, в то же время избегая чрезмерного окисления, которое имело бы место при покрытии, содержащем только металл с высоким отрицательным электродным потенциалом, такой как Мд. Также возможно избежать получения покрытия, которое слишком быстро «жертвуется» (т. е. расходуется) введением металла с высоким отрицательным электродным потенциалом в одно из указанных выше связующих. Вместо сплава двух металлов можно ввести металл с более отрицательным электродным потенциалом в качестве противоиона силикатного связующего.
В предпочтительном варианте осуществления полупроводниковое покрытие по настоящему изобретению может быть таким же покрытием, как описывается в патентах США Зсйий, 3 620 784, Ртйе, 5 352 342 или Ртйе, 5 009 757, каждый из которых включается здесь в качестве ссылки. Основными строительными блоками неорганического цинкового покрытия являются кремний, кислород и цинк. В жидкой форме они представляют собой относительно небольшие молекулы силиката металла, такого как силикат натрия, или органического силиката, такого как этилсиликат. Данные по существу мономерные материалы сшиваются в структуру кремний-кислород-цинк, которая является основным пленкообразующим веществом или связующим для всех неорганических цинковых покрытий. Подходящие для использования в настоящем изобретении неорганические цинковые покрытия представляют собой разнообразные имеющиеся в продаже типы алкилсиликатов или гидролизованных щелочью силикатов. Одним таким имеющимся в продаже покрытием является СагЬохшк Ό7 ^В™, производимый СатЬоНпе, 1пс.
Покрытие по настоящему изобретению также может содержать дополнительные полупроводники п-типа, включенные в покрытие, такие как 8п/8пО. Кроме того, покрытие можно допировать металлами, такими как А1 или Са, для увеличения проводимости покрытия или 15% Ь1 для уменьшения проводимости покрытия. Поверхность раздела метал/оксид металла (Ζη/ΖηΟ) в покрытии по настоящему изобретению действует как диод в электрохимической системе. Таким образом, покрытие содержит множество микрообластей, действующих как диоды. Из-за коррозионного шума, генерируемого покрытием, диод периодически включается и выключается вследствие флуктуаций проводящего потенциала микрообластей в покрытии. Данная флуктуация проводящего потенциала и переключение диода вызывает «жертвенную» коррозию покрытия. Уменьшая проводимость покрытия допированием, например, с помощью Ы, можно понизить потенциал переключения диода ниже наиболее низкой точки на кривой флуктуации шума. Это будет приводить к минимальной «жертвенной» коррозии покрытия, в то же время по прежнему защищая проводящий материал конструкции, которую необходимо защищать.
Можно добавить, что соответствующим выбором полупроводникового материала покрытия для проводящей поверхности можно реализовать как традиционный пассивный, так и новый активный барьеры.
В предпочтительном варианте осуществления цинковая пыль покрытия по настоящему изобретению образует переход металлполупроводник, где имеется поверхность раздела металлического цинка и оксида цинка, причем оксид цинка является полупроводником птипа.
Предпочтительный вариант осуществления завершенного покрытия схематично показан на фиг. 1. Фиг. 1 показывает пористую природу предпочтительного покрытия цинк/оксид цинка/силикат (4) по настоящему изобретению. Частицы цинка (1) покрыты слоем оксида цинка (2), причем различные покрытые оксидом частицы окружены нерастворимым связующим веществом из силиката металла (3). У поверхности раздела (5) между покрытием и металлом конструкции существует слой нерастворимого силиката металла, который в случае стальной конструкции будет представлять собой слой нерастворимого силиката железа.
Проводящая конструкция по настоящему изобретению может представлять собой любую проводящую конструкцию, нуждающуюся в защите от коррозии, включая как металлические конструкции, так и неметаллические конструкции. Примеры таких металлических конструкций включают в себя металлические транспортные средства, такие как корабли, самолеты, автомобили, военные танки или транспортеры, части металлических транспортных средств, мосты, железнодорожные соединительные механизмы, резервуары, трубы и металлические колонны, а также меньшие конструкции, такие как биомедицинские приборы. Примеры частей металлических транспортных средств включают в себя металлические части транспортных средств, таких как автомобили, аэропланы, поезда, наземные военные транспортные средства, такие как танки, и корабли и другие морские транспортные средства. Примерами резервуаров являются резервуары для переработки нефти, силосы и бункеры для хранения. Примеры неметаллических проводящих конструкций включают проводящие бетонные и проводящие полимерные конструкции. Процессы коррозии также действуют на данные неметаллические проводящие конструкции и могут быть также сведены к минимуму настоящим изобретением. Проводящий бетон был предложен как возможный материал для получения плавучих взлетнопосадочных полос. Система по настоящему изобретению помогла бы предотвратить коррозию бетона, таким образом, увеличивая долговечность и структурную целостность бетонных конструкций.
Одно из значительных преимуществ, получаемых в настоящем изобретении, заключается в том, что уменьшая «жертвенную» коррозию полупроводникового покрытия, ожидается, что время жизни покрытия будет во много раз больше, чем время жизни обычных кроющих защитных систем. В то время, как этого можно было бы добиться под водой с применением катодного тока, это потребовало бы значительного тока и являлось бы очень трудным для контроля. Способ по настоящему изобретению функционирует внутренне по отношению к покрытию и, таким образом, предотвращает атмосферную коррозию, где коррозионная среда является ничем иным как влажностью, конденсирующейся из воздуха. Это становится крайне важным при защите таких поверхностей, как внутренние поверхности современных судов, где конструкции, предназначенные для увеличения прочности, имеют сопутствующие зоны, склонные к увеличенной коррозии, а также при защите частей автомобилей, мостов, самолетов и поездов.
Другой предпочтительный вариант осуществления состоит в использовании настоящего способа и системы на внутренних поверхностях современных судов, где конденсация является наиболее коррозионно опасной вследствие высокого содержания соли и где в то же время нет достаточной влажности для функционирования катодной защиты. Без фильтра шума по настоящему изобретению цинк в покрытии стал бы быстро выщелачиваться и разъедаться потоком конденсата, стекая в трюм. Однако при применении фильтра шума по настоящему изобретению по отношению к металлической основе данное выщелачивание эффективно останавливается.
Кроме того, использование фильтра шума на стальной основе корабля вносит столь малые помехи в корабельную электронику, которые не более, чем включение лампы накаливания внутри корабля, и не дает заметного вклада в сигналы в приборы обнаружения неприятеля, поскольку фильтр шума, даже использующий батарею или другой источник электронов, не создает поле, которое бы ощутимо излучало за пределами покрытия. Абсорбционные характеристики цинка хорошо известны и часто используются для электромагнитного экранирования и ограждения электроники. Таким образом, также не будет никакого измеряемого электромагнитного излучения от береговых конструкций, с которыми используется настоящая система.
Фиксированный электронный фильтр по настоящему изобретению действует как конденсатор, имеющий присоединенный к нему сток электронов, чтобы поддерживать конденсатор обратносмещенным. Фиксированный электронный фильтр, предпочтительно, представляет собой комбинацию обычного источника питания, например источника постоянного тока (ОС), такого как батарея, предпочтительно 12 В батарея, и солнечного элемента, и источника переменного тока (АС). Необходимо отметить, что хотя данный компонент называется «источник питания» в настоящем описании, в настоящей системе нет никакого тока и никакого напряжения. Соответственно, терминология «источник питания» используется просто для удобства и не подразумевает потока электронов. Используемый источник питания, предпочтительно, был бы достаточным для подачи напряжения от 0,5 до 30 В, наиболее предпочтительно от 10 до 20 В, если имеется замкнутая цепь. Фиксированный электронный фильтр (т.е. источник питания и конденсатор) можно соединить с покрытой проводящей основой либо непосредственно к основе, либо к покрытию. В предпочтительном варианте осуществления источник питания по настоящему изобретению имеет отрицательную клемму, непосредственно присоеди ненную к проводящей конструкции, которую необходимо защищать. Положительную клемму источника питания соединяют с проводящей конструкцией посредством фильтра/конденсатора, например, с частью конструкции, удаленной от места присоединения отрицательной клеммы. Поскольку настоящее изобретение не основывается на создании потока тока, который падает с увеличением расстояния между клеммами, расстояние между клеммами не является критичным, пока положительная и отрицательная клеммы не касаются друг друга. Присоединение положительной клеммы предпочтительно делать в таком месте, на конструкции, которое находится на расстоянии от 0,01 до 30 м от места присоединения отрицательной клеммы, наиболее предпочтительно от 5 до 10 м от места присоединения отрицательной клеммы.
Способ по настоящему изобретению является саморегулирующимся с точки зрения долговечности системы. Не существует токов или потенциалов для периодического мониторинга или контроля, как это было бы в случае традиционной системы катодной защиты. Далее, здесь не существует возможности того, что настоящая система выйдет из под контроля и серьезно повредит конструкцию основы, как может произойти в упомянутой системе катодной защиты. Следовательно, единственное эффективное уменьшение жизни покрытия будет происходить из-за истирания под действием ветра и воды. Поскольку сопротивление изнашиванию покрытия несколько лучше, чем в случае гальванизированного покрытия, можно продлить среднюю продолжительность жизни покрытия до нескольких десятилетий.
Кроме того, с использованием активного фильтра и контролирующей системы, которая непрерывно контролирует флуктуации шума и корректирует свойства фильтра, такие как отклик фильтра и частота отсечки, долговечность покрытия можно увеличить, предотвращая увеличение скорости «жертвенных» потерь вследствие увеличения коррозии со временем.
Фиг. 2 показывает эквивалентную электрическую схему, изображающую систему по настоящему изобретению. В данной цепи 10 обозначает сопротивление раствора, причем 11 и 12 представляют собой потенциал гальванического электрода на аноде (Еа) и катоде (Ес), соответственно. Источник шума (Еп) в цепи обозначен позицией 13. Фарадеев импеданс анода (Ва) и катода (Вс) показан как 14 и 15, соответственно. Переход металл-полупроводник на границе Ζη/ΖηΟ показан в виде диода (Ό) 16. Фильтр шума (Б), независимо от того является ли он активным или пассивным фильтром, представлен цифрой 17.
Очевидно, что в свете приведенного выше описания возможны многочисленные модификации и изменения настоящего изобретения. Поэтому необходимо понимать, что внутри ра мок прилагаемой формулы изобретения само изобретение может быть осуществлено на практике иначе, чем конкретно описывается здесь.

Claims (36)

1. Способ защиты от коррозии проводящей конструкции в контакте с коррозионной окружающей средой, причем указанный способ включает в себя стадии, на которых (a) покрывают проводящую конструкцию полупроводниковым покрытием и обеспечивают электронный фильтр, соединенный с покрытой проводящей конструкцией;
(b) контролируют коррозионный шум, создаваемый покрытой проводящей конструкцией, и регулируют фильтрующие свойства указанно го электронного фильтра для уменьшения коррозионного шума.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный электронный фильтр включает в себя источник питания и конденсатор.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанную стадию контроля и регулирования (Ь) проводят непрерывно, используя активный фильтр и контролирующее устройство.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный электронный фильтр включает в себя множество конденсаторов, и указанная стадия (Ь) дополнительно включает в себя определение размещения каждого из указанного множества конденсаторов на указанной проводящей конструкции.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанная проводящая конструкция представляет собой металлическую проводящую конструкцию.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что указанная металлическая проводящая конструкция включает в себя металл, выбранный из группы, состоящей из черных металлов и проводящих цветных металлов.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что указанный металл представляет собой сталь.
8. Способ по п.6, отличающийся тем, что указанный металл представляет собой алюминий.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанная проводящая конструкция выбрана из группы, состоящей из элементов конструкций мостов, железнодорожных соединительных механизмов, нефтеперерабатывающих заводов, резервуаров, металлических колонн и проводящих бетонных конструкций.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное полупроводниковое покрытие содержит области как р-типа, так и п-типа.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное полупроводниковое покрытие содержит переход металл-полупроводник .
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное полупроводниковое покрытие содержит переход ионный проводник-полупроводник.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное полупроводниковое покрытие содержит переход металл-полупроводник-ионный проводник.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное полупроводниковое покрытие содержит переход полупроводник-изолятор-полупроводник.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное полупроводниковое покрытие представляет собой покрытие металл/оксид металла/силикат.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что указанное покрытие металл/оксид металла/силикат представляет собой покрытие цинк/оксид цинка/силикат.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что указанное покрытие цинк/оксид цинка/силикат содержит цинк в количестве от 80-92% по массе относительно сухого покрытия.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что указанное покрытие цинк/оксид цинка/силикат содержит цинк в количестве от 85-89% по массе относительно сухого покрытия.
19. Способ по п.15, отличающийся тем, что указанное покрытие металл/оксид металла/силикат включает в себя металл, выбранный из группы, состоящей из Ζη, Τι, А1, Оа, Се, Мд, Ва и Ск, и соответствующий металлический оксид.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что указанное покрытие металл/оксид металла/силикат включает в себя смесь одного или более металлов, выбранных из группы, состоящей из Ζη, Τι, А1, Оа, Се, Мд, Ва и Ск, и одного или более металлических оксидов, полученных из указанных металлов.
21. Способ по п.19, отличающийся тем, что указанное полупроводниковое покрытие дополнительно включает в себя один или более допант.
22. Система для осуществления способа по п.1, включающая в себя (a) полупроводниковое покрытие;
(b) фиксированный электронный фильтр;
(c) систему, контролирующую коррозионный шум, и (б) регулируемый фильтр.
23. Система по п.22, отличающаяся тем, что указанная контролирующая коррозионный шум система далее включает в себя электрод сравнения с высоким импедансом и осциллограф.
24. Система по п.22, отличающаяся тем, что указанный регулируемый фильтр выбран из группы, состоящей из регулируемых вручную фильтров и активных фильтров.
25. Система по п.22, отличающаяся тем, что указанное полупроводниковое покрытие содержит области как р-типа, так и п-типа.
26. Система по и.22, отличающаяся тем, что указанное полупроводниковое покрытие содержит переход металл-полупроводник.
27. Система по п.22, отличающаяся тем, что указанное полупроводниковое покрытие содержит переход ионный проводникполупроводник.
28. Система по п.22, отличающаяся тем, что указанное полупроводниковое покрытие содержит переход металл-полупроводникионный проводник.
29. Система по п.22, отличающаяся тем, что указанное полупроводниковое покрытие содержит переход полупроводник-изоляторполупроводник.
30. Система по п.22, отличающаяся тем, что указанное полупроводниковое покрытие представляет собой покрытие металл/оксид металл а/силикат.
31. Система по п. 30, отличающаяся тем, что указанное покрытие металл/оксид металла/силикат представляет собой покрытие цинк/ оксид цинка/силикат.
32. Система по п.31, отличающаяся тем, что указанное покрытие цинк/оксид цинка/силикат содержит цинк в количестве от 8092% по массе относительно сухого покрытия.
33. Система по и.32, отличающаяся тем, что указанное покрытие цинк/оксид цинка/силикат содержит цинк в количестве от 85-89% по массе относительно сухого покрытия.
34. Система по и.30, отличающаяся тем, что указанное покрытие металл/оксид металла/силикат включает в себя металл, выбранный из группы, состоящей из Ζη, Τΐ, А1, Са, Се, М§, Ва и Сз, и соответствующий металлический оксид.
35. Система по и.34, отличающаяся тем, что указанное покрытие металл/оксид металла/силикат включает в себя смесь одного или более металлов, выбранных из группы, состоящей из Ζη, Τΐ, А1, Са, Се, М§, Ва и Сз, и одного или более металлических оксидов, полученных из указанных металлов.
36. Система по и.34, отличающаяся тем, что указанное полупроводниковое покрытие дополнительно включает в себя один или более допант.
EA200200653A 1999-12-09 2000-12-07 Способ и система защиты от коррозии проводящих конструкций EA004487B1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US45732899A 1999-12-09 1999-12-09
US09/585,397 US6325915B1 (en) 1999-12-09 2000-06-02 Method and system of preventing corrosion of conductive structures
PCT/US2000/032439 WO2001043173A1 (en) 1999-12-09 2000-12-07 Method and system of preventing corrosion of conductive structures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA200200653A1 EA200200653A1 (ru) 2003-06-26
EA004487B1 true EA004487B1 (ru) 2004-04-29

Family

ID=27038557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA200200653A EA004487B1 (ru) 1999-12-09 2000-12-07 Способ и система защиты от коррозии проводящих конструкций

Country Status (13)

Country Link
US (1) US6325915B1 (ru)
EP (1) EP1236223A4 (ru)
JP (1) JP5198702B2 (ru)
KR (1) KR100765589B1 (ru)
CN (1) CN1195591C (ru)
AU (1) AU784620B2 (ru)
CA (1) CA2393611C (ru)
EA (1) EA004487B1 (ru)
HK (1) HK1034480A1 (ru)
MX (1) MXPA02005702A (ru)
NO (1) NO20022726D0 (ru)
TW (1) TW556278B (ru)
WO (1) WO2001043173A1 (ru)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6325915B1 (en) * 1999-12-09 2001-12-04 Applied Semiconductor, Inc. Method and system of preventing corrosion of conductive structures
US6551491B2 (en) * 2000-06-02 2003-04-22 Applied Semiconductor, Inc. Method and system of preventing corrosion of conductive structures
US6524466B1 (en) * 2000-07-18 2003-02-25 Applied Semiconductor, Inc. Method and system of preventing fouling and corrosion of biomedical devices and structures
US6402933B1 (en) * 2001-06-08 2002-06-11 Applied Semiconductor, Inc. Method and system of preventing corrosion of conductive structures
US6562201B2 (en) * 2001-06-08 2003-05-13 Applied Semiconductor, Inc. Semiconductive polymeric system, devices incorporating the same, and its use in controlling corrosion
AU2005227402B2 (en) * 2001-06-08 2007-01-04 Applied Semiconductor, Inc. Semiconductive polymeric system, devices incorporating the same, and its use in controlling corrosion
US6811681B2 (en) * 2002-11-12 2004-11-02 Applied Semiconductor International Ltd. Semiconductive corrosion and fouling control apparatus, system, and method
CN100390323C (zh) * 2002-10-17 2008-05-28 应用半导体国际有限公司 半导体腐蚀和污染控制设备,系统和方法
CA2601125A1 (en) * 2005-03-17 2006-09-28 David B. Dowling Control apparatus, system, and method for reduction and/or prevention of space weather induced corrosion
US7318889B2 (en) * 2005-06-02 2008-01-15 Applied Semiconductor International, Ltd. Apparatus, system and method for extending the life of sacrificial anodes on cathodic protection systems
US20060272909A1 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Fuller Brian K Brake assembly and coating
KR20100093517A (ko) * 2007-09-07 2010-08-25 어플라이드 세미컨덕터 인터내셔널, 리미티드 고밀도 금속 산화물 층의 생성 방법 및 이 방법에 의해 생성된 금속 산화물 층
CN104502981B (zh) * 2014-12-30 2017-10-27 中国科学院电子学研究所 一种海洋电容性电极
JP7119823B2 (ja) 2018-09-19 2022-08-17 昭和電工マテリアルズ株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH507882A (de) * 1967-12-06 1971-05-31 Repla Sa Verfahren zur Herstellung kunstharzgebundener Platten
US3620784A (en) * 1968-01-24 1971-11-16 Nasa Potassium silicate-zinc coatings
US3562124A (en) * 1968-08-02 1971-02-09 Hooker Chemical Corp Composition for corrosion protection
US3864234A (en) * 1973-05-08 1975-02-04 Smith Corp A O Cathodic Protection System for Water Heaters with Sealant
GB2004560B (en) * 1977-09-13 1982-08-18 Dainippon Toryo Kk Anti-corrosion coating composition
US4381981A (en) * 1980-12-17 1983-05-03 S. A. Texaco Belgium N.V. Sacrificial cathodic protection system
FR2502001B1 (fr) * 1981-03-19 1985-07-12 Beghin Say Sa Articles d'hygiene pour l'absorption des liquides corporels
US4528460A (en) * 1982-12-23 1985-07-09 Brunswick Corporation Cathodic protection controller
GB8427138D0 (en) * 1984-10-26 1984-12-05 Wilson A D Coated substrates
US4957612A (en) * 1987-02-09 1990-09-18 Raychem Corporation Electrodes for use in electrochemical processes
US5009757A (en) * 1988-01-19 1991-04-23 Marine Environmental Research, Inc. Electrochemical system for the prevention of fouling on steel structures in seawater
US4863578A (en) * 1988-04-25 1989-09-05 Corrosion Service Company Limited Corrodible link for cathodic protection systems
GB9106218D0 (en) * 1991-03-23 1991-05-08 Capcis March Ltd Electrochemical impedance monitoring
JPH05256809A (ja) * 1991-03-29 1993-10-08 Osaka Gas Co Ltd 外部電源法による被防食物体の対地電位測定方法
US5352342A (en) * 1993-03-19 1994-10-04 William J. Riffe Method and apparatus for preventing corrosion of metal structures
US5500629A (en) * 1993-09-10 1996-03-19 Meyer Dennis R Noise suppressor
US5371695A (en) * 1993-10-14 1994-12-06 Ford Motor Company Method for automatically controlling the bandwidth of a digital filter and adaptive filter utilizing same
US5888374A (en) * 1997-05-08 1999-03-30 The University Of Chicago In-situ process for the monitoring of localized pitting corrosion
US6325915B1 (en) * 1999-12-09 2001-12-04 Applied Semiconductor, Inc. Method and system of preventing corrosion of conductive structures

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003519725A (ja) 2003-06-24
US6325915B1 (en) 2001-12-04
EP1236223A1 (en) 2002-09-04
KR100765589B1 (ko) 2007-10-09
TW556278B (en) 2003-10-01
EP1236223A4 (en) 2009-11-18
AU1931301A (en) 2001-06-18
CN1195591C (zh) 2005-04-06
JP5198702B2 (ja) 2013-05-15
HK1034480A1 (en) 2001-10-26
CA2393611A1 (en) 2001-06-14
AU784620B2 (en) 2006-05-18
NO20022726L (no) 2002-06-07
KR20020071884A (ko) 2002-09-13
CN1298770A (zh) 2001-06-13
WO2001043173A1 (en) 2001-06-14
MXPA02005702A (es) 2004-09-10
EA200200653A1 (ru) 2003-06-26
NO20022726D0 (no) 2002-06-07
CA2393611C (en) 2010-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100822090B1 (ko) 생의학 장치의 전도성 표면의 부식 방지 방법 및 장치
US5478451A (en) Method and apparatus for preventing corrosion of metal structures
EA004487B1 (ru) Способ и система защиты от коррозии проводящих конструкций
AU2001280458A1 (en) Method and system of preventing fouling and corrosion of biomedical devices and structures
US6551491B2 (en) Method and system of preventing corrosion of conductive structures
EA005659B1 (ru) Полупроводниковая полимерная система, включающие её устройства и её применение для борьбы с коррозией
AU2002348505A1 (en) Semiconductive polymeric system, devices incorporating the same, and its use in controlling corrosion
JP2006143815A (ja) 金属用の防食塗料、防食塗膜、複合塗膜および金属の防食方法
AU2005227402B2 (en) Semiconductive polymeric system, devices incorporating the same, and its use in controlling corrosion
JP2007162130A (ja) 暗中で使用される金属用の防食被膜、暗中での金属の防食方法および複合被膜

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM RU