DK169190B1

DK169190B1 - Et mikrobølge-forsinkelseskredsløb

Info

Publication number: DK169190B1
Application number: DK347388A
Authority: DK
Inventors: Pierre-Louis Ouvrard; Philippe Dueme
Original assignee: Dassault Electronique
Priority date: 1987-07-20
Filing date: 1988-06-23
Publication date: 1994-09-05
Also published as: EP0300893A1; ES2033656T1; DE3878070T2; US4885562A; GR3007431T3; EP0300893B1; DK347388D0; NO172417B; NO883198L; TR27081A; NO883198D0; FR2618610B1; FR2618610A1; DK347388A; ES2033656T3; DE3878070D1; NO172417C

Description

DK 169190 B1

ET MIKROBØLGE-FORSINKELSESKREDSLØB

Den foreliggende opfindelse omhandler fremstilling af mikrobølgetransmissionslinier. Nærmere betegnet omhandler den 5 . et mikrobølge-forsinkelseskredsløb udformet som et alpas- filter under anvendelse af en monolitisk teknologi på basis af galliumarsenid. Den er anvendelig til fremstilling af transmissionslinier med programmerbar længde.

10

BAGGRUNDEN FOR OPFINDELSEN

En sagkyndig på området kender fordelene ved monolitisk teknologi på basis af galliumarsenid (GaAs) indenfor mi-15 krobølgeområdet.

Imidlertid opstår der problemer ved fremstilling af forsinkelseslinier; for at opnå ækvivalenten til en transmissionslinie i luft med en længde på omkring 1 cm og en 20 impedans på 50 ohm, vil det nødvendige areal af GaAs være omkring 1 mm2.

En sådan forsinkelseslinie er ikke tilfredsstillende, da forholdet mellem det anvendte areal af GaAs og længden af 25 den ækvivalente transmissionslinie i luft bliver meget stort. Dette teknologiske problem gør det vanskeligt og kostbart at levere en sådan funktion på et lag af GaAs.

Formålet med opfindelsen er at finde en løsning på dette 30 problem. Opfindelsen frembringer derfor et mikrobølge-forsinkelseskredsløb, der er udformet som et alpas-filter, der har et faseforløb, som er en lineær funktion af frekvensen, og som kan bringes til, i særdeleshed ved GaAs teknologi, at optage et formindsket areal ved hjælp af en særlig pla-35 cering af de væsentlige komponenter i kredsløbet i overensstemmelse med opfindelsen.

DK 169190 B1 2 I US patentskrift nr. 4,203,088 er der beskrevet et flerlags filterelement, der er udført monolitisk. Strukturen og opbygningen af filterelementet er imidlertid således, at 5 . det ikke er muligt at undgå en mangelaget opbygning af ele mentet. Således vil det være nødvendigt at føre kondensatoren til grundplanet over eller under viklingerne i spiralen. Yderligere er filteret ikke velegnet som del af en længere forsinkelseslinie, da filterets fasekarakteristik 10 vil bevirke en frekvensafhængig faseforskydning.

OPFINDELSEN I HOVEDTRÆK

15 Opfindelsen tilvejebringer et mikrobølge-forsinkelses kredsløb. Ifølge en generel definition af opfindelsen består dette af i det mindste et to-ports-netværk af typen med en "M-deriveret" sektion, forbundet som et alpas-filter og med et faseforløb, som er en lineær funktion af 2 0 frekvensen.

Udtrykket "alpas" anvendes her med hensyn til mikrobølgefrekvenser til at angive et kredsløb, hvis båndbredde strækker sig over i det mindste omkring 10 gigahertz (GHz) 25 Nærmere angivet har to-ports-netværket samme karakteristiske impedans ved dets indgang som ved dets udgang, og denne impedans er i det væsentlige lig med 50 ohm.

30 Ifølge et andet kendetegn for opfindelsen udgøres to- ports-netværket af en T-bro-sektion, som omfatter: to induktorer med samme induktans L, som er forbundet i serie, så de danner de to arme af Τ'et, og med en gensidig 35 induktans M; DK 169190 B1 3 en kondensator som danner T'ets stilk og som har en kapacitet C2; og en yderligere kondensator, som danner broen og har en ka-5 · pacitet C^; idet de i det væsentlige opfylder forholdet:

L - M

C2 (-) = 4Ci

10 L + M

Udtrykket "M-deriveret sektion" anvendes her til at betegne en T-bro-sektion som defineret ovenfor og ethvert elektrisk ækvivalent herfor.

15 I praksis skal, for at opnå et faseforløb der er lineær som funktion af frekvensen, kvotienten af den gensidige induktans M divideret med summen af induktansen L og den gensidige induktans M ligge mellem +0,2 og +0,4, og den skal 20 fortrinsvis ligge mellem ca. +0,27 og +0,34. Fortrinsvis skal dette forhold ligge mellem +0,30 og +0,33.

I praksis vil kredsløbet ifølge opfindelsen være udført i monolitisk teknologi på basis af galliuraarsenid.

25

Ifølge opfindelsen omfatter strukturen i det mindste én elementær sektion, der mellem en indgang og en udgang, som er placeret med en vis afstand fra hinanden, udgøres af en spiral, der er forbundet i parallel med en kondensator af 30 metal-isolator-metal struktur, idet det midterste punkt af spiralen via en anden kondensator af metal-isolator-metal struktur er forbundet til et grundplan uden at krydse spiralens viklinger.

35 Fordelen ved at forbinde midtpunktet af spiralen til grundplanet uden at krydse spiralens viklinger er, at der kan DK 169190 Bl 4 opnås en meget kompakt og produktionsteknisk billig udførelse af forsinkelseselementet, idet der ved at begrænse det nødvendige antal lag i den monolitiske udførelse dels opnås en reduktion af pladsforbruget og dermed forbruget af 5 .GaAs og ikke mindst opnås en reduktion af de vanskeligheder og fejlfaktorer under fremstillingen, der opstår, jo større antallet af lagene bliver. En anden fordel, der opnås, er, at forsinkelseselementet bliver velegnet til anvendelse i længere forsinkelseskredsløb. Disse forsinkelseskredsløb 10 vil som følge af førnævnte fordele blandt andet kunne overføres med programmerbar længde.

Spiralen strækker sig fortrinsvis over en og trefjerdedels omgang.

15 I sammenligning med konventionelle (50 ohms) transmissionslinier udført på et lag af GaAs har dette særlige arrangement af de essentielle komponentdele af et kredsløb i overensstemmelse med opfindelsen den fordel, at den redu-20 cerer forholdet mellem det GaAs areal, som er nødvendigt for at danne en sådan transmi s s ions linie, og længden af den ækvivalente transmissionslinie i luft, med en faktor på omkring 10.

25 Ifølge et yderligere kendetegn for kredsløbet ifølge opfindelsen omfatter det et antal sektioner fordelt over et fælles grundplan og forbundet i serie.

Dette sidste kendetegn gør det muligt at fremstille trans-30 missionslinier af større længde.

KORT BESKRIVELSE AF TEGNINGERNE

35 Udførelsesformer ifølge opfindelsen er beskrevet ved hjælp af eksempler under henvisning til tegningerne på hvilke: DK 169190 B1 5 fig. 1 er et diagram, som viser en elementær M-deriveret sektion, som er afsluttet ved dens indgang og udgang med dens karakteristiske impedanser, og som 5 kan anvendes ifølge opfindelsen; fig. 2 er et diagram, som viser den elementære sektion ifølge fig. 1, til hvilken der er tilføjet en kondensator i serie, og som kan anvendes i over-10 ensstemmelse med opfindelsen; fig. 3 og 4 er to diagrammer, som viser forskellige ækvivalenter til sektionen i fig. 2; 15 fig. 5 er en graf, som viser variationen af en variabel, der er proportional med den forsinkelse, som bevirkes af kredsløbet, vist som en funktion af en anden variabel, der er proportional med frekvensen, for et antal forskellige værdier af 20 en variabel, som er proportional med forholdet mellem den gensidige induktans (M) og summen af den gensidige induktans (M) og induktansen (L); fig. 6 er en graf, der viser variationen af forsinkelsen 25 i kredsløbet som en funktion af frekvensen ved forskellige værdier for to gange summen af induktansen (L) og den gensidige induktans (M); fig. 7 er et plant billede, som viser strukturen af et 30 kredsløb ifølge opfindelsen; fig. 8 er et snit gennem strukturen af en af induktorer-ne i en sektion; 35 fig. 9 er et snit gennem metal-isolator-metal strukturen i en kondensator; DK 169190 Bl 6 fig. 10 er et snit gennem grundplansstrukturen i en sektion; 5 fig. 11 er en graf, som viser variationer i tabene (både transmissionstabene og reflektionstabene) som en funktion af frekvensen for et kredsløb ifølge opfindelsen; 10 fig. 12 er en graf, der viser variationerne i faseænd ringerne ved et kredsløb ifølge opfindelsen som funktion af frekvensen, og fig. 13 viser en speciel placering af 9 sektioner fordelt 15 omkring en fælles grundplan i overensstemmelse med opfindelsen.

Den følgende beskrivelse skal betragtes som alene en ikke 20 begrænsende illustration.

MERE DETALJERET BESKRIVELSE

25 I fig. 1 angiver henvisningsbetegnelsen 2 et to-ports-net-værk af den M-deriverede type. Sektionen 2 har form som et T og omfatter en kondensator, som udgør T'ets stilk sammen med to induktorer L, der har samme induktans og er forbundet i serie, således at de udgør T'ets arme. De to induk-30 torer har en gensidig induktans M.

Når et antal induktorer er forbundet i kaskade for at danne 50 ohms impedans transmissionslinier, er hver sektion 2 afsluttet både ved indgangs- og udgangsenden med dens egne 35 karakteristiske impedanser henholdsvis We og Ws.

DK 169190 B1 7

En karakteristisk impedans er en impedans, som er placeret som en afslutningsbelastning, for eksempel ved udgangsenden af et to-ports-netværk, for at opnå den samme impedans ved indgangsenden af netværket.

5

Indgangs- og udgangsafslutningerne på de karakteristiske impedanser i sektionen 2 tjener således til at frembringe indgangs- og udgangsimpedanstilpasning.

10 I fig- 2 inkluderer to-ports-netværket 4 de samme komponenter som i sektionen 2, der er beskrevet med henvisning til fig. 1, tillige med en yderligere serieforbundet kondensator Cl. Den serieforbundne kondensator C1 danner bro hen over de to induktorer L.

15 1 fig. 3 angiver henvisningsbetegnelsen 6 et to-ports-net-værk, som er ækvivalent med, men forskelligt fra det i fig.

2 viste to-ports-netværk.

20 Sektionen 6 har to induktorer, som sammen tilvejebringer en serie-induktans, som er ækvivalent til 1^; en serie-kapacitet, som er ækvivalent med Cx er placeret som en bro hen over de to induktorer, som giver den ækvivalente serieinduktans 1^; der findes også en ækvivalent parallel kapa-25 citet C2 og en ækvivalent parallel induktans L2. De to induktorer, som har en ækvivalent serie-induktans Lx, har en gensidig induktans M, der også definerer den ækvivalente parallelle induktans L2. Den gensidige induktans M mellem de to induktorer, der danner den ækvivalente serie-induk-30 tans, er derfor i absolut værdi lig med den ækvivalente parallelle induktans L2.

I fig. 4 angiver henvisningsbetegnelsen 8 et to-ports-netværk, der har de samme komponenter som det to-ports-net-35 værk, der er beskrevet under henvisning til fig. 3, men i en anden placering.

DK 169190 B1 8

To-ports-netværket 8 omfatter: to grene Za, som forbinder udgangen med indgangen, og som 5 . hver har en parallelforbindelse med en induktans lig med halvdelen af den ækvivalente serie-induktans Lx og en kapacitet lig med to gange den ækvivalente serie-kapacitet Cx7 og 10 to krydsende serie-impedansgrene Zb, der hver udgør en serie-forbindelse med en induktans lig med summen af halvdelen af den ækvivalente serie-induktans Lx og to gange den ækvivalente parallelle induktans L2 sammen med en kapacitet lig med halvdelen af den ækvivalente parallelle kapacitet 15 C2.

En sådan sektion 8 udgør et alpas-filter, som har et faseforløb, der er lineært som en funktion af frekvensen, forudsat, at det tilfredstiller forholdet: 20 C2(l+4. (L./L·,)) = 4Cj, når det er afsluttet med sine karakteristiske impedanser, det vil sige, at Za x Zb = 50 ohm.

25

Imidlertid kan sektionen 8 ikke udformes i praksis under anvendelse af passive, lineære komponenter. Det essentielt karakteristiske ifølge opfindelsen består i at transponere forholdet i sektion 8 til den ækvivalente sektion 4, hvis 30 komponenter kan realiseres i praksis, og at associere et faseforløb med den nævnte sektion 4, hvis variation som en funktion af frekvensen viser en lineær egenskab, således at denne lineære egenskab kan anvendes til at fremstille transmissionslinier for analoge mikrobølgesignaler ved 35 frekvenser på for eksempel 2 GHz til 20 GHz.

DK 169190 B1 9

For sektion 4 bliver det forhold, som skal opfyldes, følgende :

5 L - M

C2(-) = 4C,

L + M

hvor Lx = 2(L + M) og L2 = -M.

10

Faseforskydningen D for signalet mellem indgangen og udgangen af sektion 4, beskrevet med henvisning til fig. 2, opfylder ligningen: xk 15 D = 2 Arctangens (--) 1 - xk2 (1 + u) hvor u = -2M/(L + M) og xk = 2rcf (L + M) C2 og f er frekvensen af de signaler, som transmitteres.

20

En undersøgelse af variationen af faseforskydningen som funktion af frekvensen gør det muligt at etablere et faseforløb, som er en lineær funktion af frekvensen i en sektion i overensstemmelse med opfindelsen.

25

Fig. 5 viser variationen af en variabel, der er proportional med forsinkelsen i en sektion, som en funktion af en variabel, der er proportional med frekvensen. Disse variationer er angivet for flere forskellige værdier af en va-30 riabel u, der er proportional med forholdet mellem den gensidige induktans M og summen af induktansen L og den gensidige induktans M.

Forholdet dØ/dxk (som er proportionalt med dø/dw, hvor w er 35 vinkelfrekvensen af de transmitterede signaler, og som føl gelig er proportionalt med forsinkelsen D) er angivet langs DK 169190 B1 10 Y-aksen.

Udtrykket xk, som er proportionalt med frekvensen, er angivet langs X-aksen.

5

Det ses således, at for værdier af u, der ligger mellem -0,6 og -0,65, er variationen af dø/dxk konstant indtil en værdi af xk lig med 1.

10 Variationen af faseforskydningen er således konstant indtil værdien xk = 1, det vil sige op til en afskæringsfrekvens w„ for hvilken: wc = 2/(2 V(L + M) . C2) 15

Fig. 6 viser variationen af forsinkelsen D som en funktion af frekvensen. Denne variation er angivet for et antal forskellige værdier af Lx ved u = -0,65.

20 Forsinkelsen D er angivet langs med Y-aksen i picosekunder, og frekvensen er angivet langs med X-aksen i gigahertz.

Det ses således, at for en ækvivalent serie-induktans 1^, som ligger mellem 0.25 og 0.5 nanohenry, vil variationen i 25 forsinkelsen D som en funktion af frekvensen være konstant i frekvensområdet 2 GHz til 20 GHz.

Fra resultaterne af kurverne, der er vist i fig. 5 og 6, bliver der etableret et lineært faseforløb som en funktion 30 af frekvensen (u = -0,65, Lx = 2(L + M) = 0,35 nanohenry, frekvensen 2 GHz til 20 GHz). Dette lineære faseforløb som en funktion af frekvensen gør det muligt at anvende sektionen 4 i fig. 2 til at fremstille et bredbåndet alpas-filter.

Fig. 7 er en tegning, der viser strukturen af sektionen 4 35 DK 169190 B1 11 som beskrevet med henvisning til fig. 2.

Der er vist en indgang 10 og en udgang 12 placeret med afstand fra hinanden. Mellem indgangen 10 og udgangen 12 er 5 . der en spiral 14, der fortrinsvis strækker sig over én og trefjerdedele af en omgang. Den ydre omgang 16 af spiralen 14 strækker sig fra indgangen 10 til et midtpunkt 22 og udgør den første induktor L, der danner den ene af armene i Τ'et i T-bro-sektionen 4.

10

Den indre omgang 18 af spiralen 14 strækker sig fra midtpunktet 22 til udgangen 12 og danner den anden arm af Τ'et i T-bro-sektionen. De to omgange 16 og 18 har en gensidig induktans M.

15

Fortrinsvis, for at opnå et lineært faseforløb, har de to omgange 16 og 18 sådanne dimensioner, at forholdet u, der er lig med minus to gange forholdet mellem den gensidige induktans M og summen af induktansen L og den gensidige 20 induktans M, bliver lig med -0,65. Med andre ord er dimensionerne af de to omgange 16 og 18 sådan, at forholdet mellem den gensidige induktans M og summen af induktansen L og den gensidige induktans M omtrent er lig med +0,325.

25 Spiralen 14 er forbundet i parallel med en kondensator 20 af metal-isolator-metal struktur som beskrevet nedenfor. Kondensatoren 20 udgør den ækvivalente serie-kapacitet Cx i kredsløbet i overensstemmelse med opfindelsen.

30 Midtpunktet 22 af spiralen 14 er forbundet til en grundplade 26 via en anden kondensator 24 af metal-isolator-metal struktur som beskrevet nedenfor.

Kondensatoren 24 udgør den ækvivalente parallelle kapacitet 35 C2 i kredsløbet i overensstemmelse med opfindelsen.

DK 169190 B1 12

Fortrinsvis er bredden af både indgangen 10 og udgangen 12 omkring 180 mikrometer, og længden af spiralen og stelpladen er omkring 360 mikrometer. Strukturen af denne sektion optager derfor et GaAs areal på omkring 0,06 kvadratmilli-5 . meter for en ækvivalent længde i luft på omkring 6 mm.

Den ækvivalente serie-induktans Llf som er lig med 2(L + M), har en værdi af omkring 0,35 nanohenry.

10 Fig. 8 er et tværsnit gennem omgangen 16 af spiralen 14.

Strukturen af omgangen 16 består for eksempel af et første lag 101 af GaAs med en tykkelse på omkring 100 mikrometer.

Et andet lag 102 af for eksempel siliciumnitrid (Si3N4) er 15 deponeret på det første lag indtil en tykkelse af omkring 0,65 mikrometer. Eksempelvis findes der et øvre metallag 104, som dækker laget 102. Tykkelsen af metallaget 104 er omkring 1 til 2,5 mikrometer.

20 Fig. 9 viser strukturen af den ækvivalente serie-kapacitet C,.

Metal-isolator-metal strukturen af kondensatoren 20 er den følgende: et første- eller "bund"-metallag 106 er deponeret 25 på et første lag 101 af GaAs. Metallet i metallaget 106 kan for eksempel være guld, og det er omkring 1 mikrometer tykt. Aggregatet, som udgøres af lagene 101 og 106, er dækket med et lag 102 af dielektrisk materiale, såsom Si3N4.

En fordybning er udformet i laget 102 for at danne en så-30 kaldt "via top" overgang T. Sluttelig bliver aggregatet, som udgøres af lagene 101, 106 og 102, dækket af et toplag 104 af metal, der også udfylder fordybningen T. Forbindelsen T tjener til at forbinde toplaget af metal med bundlaget .

Laget 104 er ikke fuldstændigt, idet det er afbrudt i en 35 DK 169190 B1 13 zone C, hvor laget 102 ikke er dækket af laget 104.

Den første plade af kondensatoren 20 udgøres af laget 104, og den anden plade udgøres af laget 106. Den dielektriske 5 . del af kapaciteten Cx udgøres af laget 102.

Kapaciteten C2 er proportional med den dielektriske konstant af laget 102 og med det areal, som er placeret mellem de to metallag 104 og 106, og den er omvendt proportional 10 med tykkelsen af laget af Si3N4.

Lagene 106, 102 og 104 er deponeret ved hjælp af teknikker, som er velkendte for en fagmand på området, for eksempel ved kemisk deponering i dampfase. Laget 104 formgives ved 15 teknikker, som er velkendte for en fagmand på området, for eksempel ved fotolitografisk teknik under anvendelse af masker og ætsning.

Laget 106, som udgør "bundlaget" af metal, er vist skrave-20 ret i fig. 9.

Fig. 10 viser strukturen af sektionen ved dens grundplan 26. Kondensatoren 24, som er dannet mellem midtpunktet 22 og grundplanet 26, er repræsenteret ved aggregatet G og H.

25 Denne kondensator C2 har den samme struktur som kondensatoren C*, det vil sige, det er en rnetal-isolator-metal struktur. Den første plade af kondensatoren C2 udgøres af laget 104, medens den anden plade af kondensatoren C2 udgøres af laget 106. Laget 102 udgør den dielektriske del af 30 kondensatoren 24.

Grundplanet, repræsenteret ved aggregatet D og E , forlænger kondensatoren 24. Grundplanet 26 omfatter et "bundlag" 106 af metal på et lag 101 af GaAs. Laget 106 strækker sig 35 over hele længden af grundplanet 26. Et hul 28 er udformet igennem laget 101 efter, at alle de øvre lag er blevet de- 14 DK 169190 B1 poneret. Sluttelig bliver et lag 108 af metal deponeret på laget 101, så det også fylder hullet 28, således at bundplanet af kredsløbet forbindes med topplanet.

5 .Fig. 11 viser tabene i en sektion som funktion af frekven sen. Tabene er angivet i decibel (dB) langs med Y-aksen, og frekvensen i gigahertz er angivet langs med X-aksen. Tabene skyldes dårlig impedanstilpasning samt modstanden i det materiale, hvoraf induktorerne er fremstillet. Dette resul-10 tat er meget nyttigt for at opnå sektionens lineære faseforløb. Denne simulation blev udført på en sektion, hvis kondensatorer havde følgende kapaciteter: C2 = 440 femto-farad og = 40 femtofarad, og hvor der fandtes et 15 mikrometer mellemrum mellem den første omgang 16 og den an-15 den omgang 18.

Det ses, at der er et transmissionstab på mindre end 1 dB op til 22 GHz, det vil sige, at der virkelig er opnået en alpas-filterfunktion.

20

Fig. 12 viser ændringen i faseforskydning igennem sektionen, som en funktion af frekvensen.

Faseforskydningen er angivet i grader langs med Y-aksen, og 25 frekvensen er angivet i gigahertz langs med X-aksen. Over frekvensområdet fra 2 GHz til 22 GHz varierer den ækvivalente længde i luft fra 6,3 mm til 6,5 mm. Denne kurve indicerer, at faseforløbet virkelig er lineært. Som resultat af opfindelsen kan der på et GaAs areal på 0.1 mm2 udformes 30 en transmissionslinie, som er ækvivalent med en transmissionslinie i luft med en længde af størrelsesordenen 1 cm, hvorved der kan spares et betydeligt areal, op til omkring 10 gange i sammenligning med konventionelt udformede transmissionslinier .

Fig. 13 viser en kaskade af et antal sektioner 4 af den 35 DK 169190 B1 15 type, der er beskrevet under henvisning til fig. 7. Denne kaskade er muliggjort ved impedanstilpasning af de karakteristiske impedanser. Fig. 13 viser ni sektioner 4, som er forbundet i serie. Disse sektioner 4 er fordelt omkring en 5 .grundplade 26. Dette arrangement af ni sektioner 4 optager et totalt areal på 800 x 900 mikrometer. Et sådant arrangement af ni sektioner 4 gør det muligt at opnå en transmissionslinie, hvis ækvivalente længde i luft er 5 cm. Planen for dette arrangement med ni sektioner er fremstillet under 10 anvendelse af CAD (Computer Aided Design) styret værktøj.

Claims

1. Mikrobølge-forsinkelseskredsløb, som omfatter mindst et to-ports netværk af den "M-deriverede" sektionstype, kon- 5 strueret som et alpas-filter med et lineært faseforløb som funktion af frekvensen, hvilket to-portsnetværk udgøres af en T-bro sektion, som indeholder: to induktorer med samme induktans L forbundet i serie, 10 så de danner de to arme af Τ'et og har en fælles induk tans M; en kondensator C2, der udgør stilken af Τ'et; og 15. en anden kondensator Cx, der udgør broen, kendetegnet ved, at designet af strukturen af det nævnte kredsløb i planar teknologi indeholder mindst en elementær sektion (4), der udstrækker sig mellem en indgang 20 (10) og en udgang (12), som er placeret med en vis ind byrdes afstand, hvilken sektion er udformet som en spiral (14) parallelforbundet med en kondensator (20) af en metal-isolator-metal struktur, og hvor midtpunktet af spiralen via en anden kondensator (24) af metal-isolator-metal 25 struktur er forbundet med et grundplan (26) uden at krydse spiralens (14) viklinger.

2. Kredsløb ifølge krav 1, hvor to-ports-kredsløbet har den samme karakteristiske impedans ved dets indgang og ved dets 30 udgang, og hvor denne impedans er i det væsentlige lig med 50 ohm.

3. Kredsløb ifølge krav 1 eller 2, kendetegnet ved, at følgende formel i det væsentlige er opfyldt: DK 169190 B1 17 L - M C2(-) = 4C, L + M 5

4. Kredsløb ifølge et af de foregående krav, kendetegnet ved, at værdien af den gensidige induktans M divideret med summen af induktansen L og den gensidige induktans M ligger mellem +0,2 og +0,4, og fortrinsvis 10 ligger mellem +0,27 og 0,34.

5. Kredsløb ifølge krav 4, hvor den nævnte værdi ligger mellem +0,30 og +0,33.

6. Kredsløb ifølge et af de foregående krav, kende tegnet ved, at nævnte to-ports-kredsløb er monteret således, at det kan omstilles til at være parallelt med en direkte forbindelse, der i det væsentligt udgør en kortslutningsforbindelse. 20

7. Kredsløb ifølge et af de foregående krav, kendetegnet ved, at det er udført i monolitisk teknologi baseret på galliumarsenid.

8. Kredsløb ifølge et af de foregående krav, kende tegnet ved, at strukturen omfatter i det mindste én elementær sektion, hvor der mellem en indgang og en udgang, som er placeret med en vis indbyrdes afstand, er udformet en spiral, som er forbundet i parallel med en kondensator 30 med en metal-isolator-metal struktur, og hvor midtpunktet af spiralen via en anden kondensator af metal-isolator-metal struktur er forbundet med en grundplan.

9. Kredsløb ifølge et af de foregående krav, kende-35 tegnet ved, at spiralen strækker sig over én og trekvart omgang. DK 169190 B1 18

10. Kredsløb ifølge et af de foregående krav, kendetegnet ved, at det omfatter et antal sektioner, der er placeret omkring et fælles grundplan, og som er for-5 bundet i serie.