DK157514B - Tykfilmleder-kompositioner - Google Patents
Tykfilmleder-kompositioner Download PDFInfo
- Publication number
- DK157514B DK157514B DK405584A DK405584A DK157514B DK 157514 B DK157514 B DK 157514B DK 405584 A DK405584 A DK 405584A DK 405584 A DK405584 A DK 405584A DK 157514 B DK157514 B DK 157514B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- copper
- organic medium
- layer
- conductor
- template
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 58
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 104
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 102
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 95
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 95
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 62
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 38
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 33
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 24
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 22
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 5
- -1 copper Chemical class 0.000 description 5
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 2
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 2
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000784732 Lycaena phlaeas Species 0.000 description 1
- 101001034845 Mus musculus Interferon-induced transmembrane protein 3 Proteins 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N Propionic acid Chemical class CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DAZWMJDZEPDDGO-UHFFFAOYSA-N [O].[O].[Cu] Chemical compound [O].[O].[Cu] DAZWMJDZEPDDGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UDRRLPGVCZOTQW-UHFFFAOYSA-N bismuth lead Chemical compound [Pb].[Bi] UDRRLPGVCZOTQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 229960002380 dibutyl phthalate Drugs 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000374 eutectic mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000013020 final formulation Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015927 pasta Nutrition 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- GAJQCIFYLSXSEZ-UHFFFAOYSA-L tridecyl phosphate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP([O-])([O-])=O GAJQCIFYLSXSEZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
- H01C17/283—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
DK 157514 B
O
Den foreliggende opfindelse angår tykfilmlederkomposi-tioner og angår især sådanne kompositioner, der let kan loddes selv efter adskillige brændinger.
Tykfilmledere anvendes i vid udstrækning som et mid-5 del til at forbinde forskellige passive og aktive indretninger til hybridmikrokredsløb og modstandsnet. Ved anvendelse af lederen til generelle formål kræves der visse funktionsegenskaber, såsom specifik ledeevne, loddebarhed, loddemiddel-udvaskningsbestandighed, forenelighed med andre kredsløbs-10 komponenter og bearbejdelighed under varierende betingelser. Prisen på materialerne i kompositionen er uløseligt forbundet med tykfilmlederes anvendelighed. Det er overordentlig fordelagtigt at reducere omkostningerne uden i betydeligt omfang at ændre funktionsegenskaberne.
15 Tykfilmledere omfatter ledende metal og uorganisk bindemiddel, som begge er i findelt form og er dispergeret i et organisk medium. Det ledende metal er almindeligvis guld, palladium, sølv, platin eller blandinger og legeringer deraf, idet valget af disse afhænger af den specielle kombination 20 af funktionsegenskaber, der søges, f.eks. specifik modstand, loddebarhed, loddemiddeludvaskningsbestandighed, migrations-bestandighed og adhæsion.
Tykfilmteknikker står i modsætning til tyndfilmteknikker, der omfatter partikeludfældning ved vakuumfordampning 25 eller forstøvning (sputtering)'. Tykfilmteknikker er omtalt i Handbook of Materials and Processes for Electronics, C. A. Harper, udg., Mc-Graw-Hill, N.Y. 1970, kap. 12.
I det aktuelle økonomiske klima, hvor ædle metaller har været ude for væsentlige svingninger i pris, er det sær-30 ligt tiltrækkende ud fra et forretningsmæssigt synspunkt i stedet at anvende mindre kostbare uædle metaller som det ledende metal i tykfilmlederkompositioner. Der er blevet foreslået adskillige uædle metaller, og disse har været anvendt med blandet resultat som den ledende fase til tykfilmledere.
35 Blandt disse er det vigtigste metal kobber, der har været formuleret på en række forskellige måder til vidt forskellige
O
2 DK 157514 B
anvendelser. F.eks. angår US patentskrift nr. 2.993.815 en fremgangsmåde til dannelse af et ledende lag af kobber til trykte kredsløb på et tungt smelteligt underlag ved skabelontrykning af et lag af 5-50 vægtdele kobber eller kobberoxid 5 og 1 vægtdel reduktionsbestandig glasfritte dispergeret i et organisk medium. Det ledende lag dannes ved brænding af den påførte pasta i to trin ved 500-1050°C. På den anden side angår US patentskrift nr. 3.647.532 ledende tryksværter til brug på keramiske underlag indeholdende kobber og glas-10 fritte dispergeret i et organisk polymert bindemiddel/ idet der anvendes et blyborsilicat-glasbindemiddel, der indeholder cadmiumoxid. Brændingen gennemføres i en ikke-oxiderende atmosfære ved 820-850°C.
I US patentskrift nr. 3.988.647 er be-15 skrevet en lederkomposition, der indeholder kobberpartikler, der er blevet behandlet for at fjerne oxid fra overfladen, hvilke kobberpartikler er dispergeret i et opløsningsmiddelfrit polymert bindemiddel. I US patentskrift nr. 4.070.518 er beskrevet en lederkomposition, der især kan anvendes 20 på dielektriske underlag, hvilken lederkomposition indeholder 85-97 vægtprocent kobberpulver og 3 til 15 vægtprocent cadmium- og vismuthfri blyalumoborat-glasfritte dispergeret i et organisk medium.
I US patentskrift nr. 4.072.771 er beskrevet en leder-25 komposition, der indeholder kobberpartikler, der er oxideret på forhånd, således at der dannes et overfladelag af CuO, samt glasfritte dispergeret i 15-25 vægtprocent organisk medium. I US patentskrift nr. 4.172.919 er beskrevet en lederkomposition, der indeholder 86-97 vægtprocent kobber-30 pulver, 1-7 .vægtprocent CuO og 1-7 vægtprocent glas fritte indeholdende mindst 75% Bi203 dispergeret i 10-30 vægtprocent indifferent organisk medium.
I EPO ansøgning nr. 68.167 er beskrevet en lederkomposition, der indeholder 65-80 vægtdele kobberpulver, 35 0-6 vægtdele CuO og 3-8 vægtdele Bi-frit, lavtsmeltende glas dispergeret i et organisk medium indeholdende 20-40 vægtprocent
3 DK 157514B
O
methacrylatharpiks opløst i et flygtigt opløsningsmiddel.
I ansøgerens sideløbende US patentansøgning serie nr. 505.730 er beskrevet en tykfilmlederkomposition indeholdende findelte partikler kobberoxid-belagt kobber og uorga-5 nisk bindemiddel med lavt blødgøringspunkt dispergeret i et lavharpiks-organisk medium.
Når kobberledere, såsom de ovenfor beskrevne, anvendes i mikrokredsløb, udsættes de hyppigt for ganske hårde betingelser under fremstillingsprocessen. F.eks. trykkes den 10 kobberholdige komposition, ved en typisk anvendelse, på et underlag, hvorpå dette tørres og brændes i en nitrogenatmosfære ved 900°C. Derefter trykkes der en skabelon af modstandsmateriale i korrekt register oven på lederlaget, og den kobberholdige komposition og det ovenover liggende modstandsma-15 terialelag brændes ved ca. den samme temperatur i nitrogen for at bevirke sintring af modstandsmaterialet. Derpå kan der påføres en overglasur, og hele samlingen brændes i nitrogen endnu engang for at sintre overglasurmaterialet.
Når dette er bragt til ende, loddes der bly på det ledende 20 lag. Således udsættes kobberet, i denne typiske situation, for helt op til tre højtemperaturbrændinger, og i nogle fremstillingsprocesser kan det kobberholdige lag udsættes for helt op til fem sådanne brændinger. På grund af meget små mængder oxygen, der bliver tilbage i brændingsatmosfærerne 25 af nitrogen, bliver den ledende overflade af kobber progressivt mere oxideret. Den progressive oxidation af kobberkomponenterne i lederkompositionen bevirker igen en dårlig loddebarhed. Tidligere var det nødvendigt at gennemføre brændingen i en meget ren ikke-oxiderende atmosfære inden 30 for en kort brændingscyclus for at formindske en sådan oxidation eller at begrænse brugen af kompositionen til anvendelser, som ikke kræver adskillige brændinger.
Den foreliggende opfindelse angår således en kobberholdig tykfilmlederkomposition, der overvinder 35 de kendte problemer ved at bevare en god loddebarhed selv efter adskillige brændinger, nemlig en kobberholdig
O
4 DK 157514B
tykfilmlederkomposition, der omfatter en blanding af findelte partikler af a) 85-98/8 vægtprocent ledende materiale, hvoraf mindst 28 vægtprocent er kobber, 5 b) 10-1 vægtprocent uorganisk bindemiddel og c) 5-0,2 vægtprocent ikke-kobbermateriale valgt blandt tungsten, molybdæn, rhenium og legeringer og blandinger deraf, dispergeret i et organisk medium, idet kompositionen yder-10 ligere er karakteriseret ved, at 1) kobberpartiklerne har en maksimal størrelse under lOyum og har en gennemsnitsstørrelse på 2-4yum, og 2) ikke-kobbermetalpartiklerne har en maksimal størrelse under 57um og en gennemsnitsstørrelse på 0,2-3/um.
15 Det har ikke tidligere været beskrevet, at kob berledere kan anvendes sammen med tungt smeltelige metaller.
Det har heller ikke været muligt at finde noget eksempel på brug af tungstenmetal i små mængder sammen med kobber. Dette holder stik til trods for, at tungsten er et i vid udstræk-20 ning anvendt materiale til elektroniske formål. F.eks. er der i US patentskrift nr. 3.246.197 beskrevet en modstandstråd-komposition med en belægning af AlgOg i blanding med tungsten, og i US patentskrift nr. 3.341.363 er beskrevet en fremgangsmåde til fremstilling af et tykfilmmodstandsma-25 teriale, der omfatter en dispersion af findelte partikler af a) Si, WOg, MoSigf Co, W, Mg og (b) et uorganisk bindemiddel bestående af kaolin og "glasur "-materiale. I US patentskrift nr. 3.673.117 er ligeledes beskrevet et modstandsmateriale, der indeholder RuOg-hydrat, vismuth-blyborsilicat-30 glas og 0,01-25% højohmmetal, såsom tungsten. I US patentskrift nr. 3.807.965 er beskrevet et materiale til ledningskontakter omfattende findelte partikler af tungstencarbid, cobalt og kobber.
Det fremgår af det ovenfor anførte, at til mikrokreds-35 løbsformål anvendes tungsten hyppigst som modstand frem for som leder. Dette er yderligere bekræftet i US patentskrift
s DK 157514B
o nr. 4.172.922, hvori der er beskrevet modstandsmaterialer indeholdende findelte partikler af ZnO og op til 5% vilkårligt andet metal, såsom tungsten, og glasfritte. I US patentskrift nr. 4.455.758 er ligeledes beskrevet en elek-5 trisk ledende cermetmodstand bestående af 'findelte partikler af tungsten, og borsilicatglas. Andre tungstenhol- dige modstandsmaterialer er beskrevet i USSR nr. 636.884, som beskriver tykfilmmodstandsmaterialer indeholdende findelte partikler af blyborsilicatglas, RuC>2 og metallisk tung-10 sten. yderligere er der i japansk patentansøgning nr. 64.563 beskrevet en sintret blanding af findelte partikler af 60-99 vægtprocent tungsten eller molybden, 0,5-10 vægtprocent Mn eller Cu og 0,5-30 vægtprocent BeO eller A^O^.
I betragtning af den kendte teknik, fremgår det, 15 at det slet ikke har været foreslået at anvende små mængder tungstenmetal sammen med kobber i tykfilmledere eller til at forbedre tykfilmledernes loddebarhed og adhæsion.
A. Kobber.
Både den ledende fases sammensætning og form er 20 vigtig i kompositionerne ifølge opfindelsen.
Opfindelsen angår ledende faser, der indeholder væsentlige mængder kobber, dvs. som indeholder mindst 28 vægtprocent kobber, der er den mængde kobber, der er indeholdt i en kobber/sølv-eutektisk legering. Den ledende 25 fase kan indeholde kobberpartikler alene, en blanding af partikler af kobber og et andet metal og/eller partikler af en legering af kobber med et andet metal, især med et ædelt metal. Det foretrækkes imidlertid kun at anvende kobberpartikler som den ledende fase, da opfindelsen i vid udstrækning 30 anvendes til ledende film.
Især fordi tilstedeværelsen af visse urenheder i kobberet sænker den elektriske specifikke ledeevne og vanskeliggør sintringen af kobberet og det uorganiske bindemiddel, er det væsentligt som en praktisk foranstaltning, 35 at kobberet, eksklusive eventuelt oxidlag derpå, har en renhedsgrad på mindst ca. 99,5% på vægtbasis, fortrinsvis endnu
6 DK 157514B
O
højere. Dette er især vigtigt, fordi det med kompositionen ifølge opfindelsen er nødvendigt at opnå en maksimal elektrisk specifik ledeevne og sintring af kobberpartiklerne ved relativt lav brændingstemperatur (750-950°C), som er væ-5 sentligt under kobberets smeltepunkt (1083°C).
Med hensyn til partikelkonfigurationen, er både partikelstørrelsen og partikelformen meget vigtige. For at opnå en passende sintring og fuldstændig uddrivning af det organiske medium og optimale skabelontryksegenskaber, er det væsent-10 ligt, at kobberpartiklerne har en maksimal partikelstørrelse, der er under lO^um, og en gennemsnitspartikelstørrelse på 2-4 ,um. Inden for disse grænser foretrækkes det, at kobber-pulverpartiklerne har et overfladeareal på mindre end 1 m /g, fortrinsvis 0,2-0,5 m^/g, afhængende af partikelstørreisen.
15 Foruden de ovenfor anførte kriterier med hensyn til sammensætning og konfiguration, foretrækkes det, at kobberpartiklerne er i det mindste delvis belagte med et lag kobberoxid. Selv om det foretrækkes, at kobberoxidbelægningen udgør mindst 1% kobberoxid beregnet på basis af vægten af de 20 belagte kobberpartikler, er det især foretrukket, at mængden af kobberoxidbelægning er endnu højere, f.eks. 4-10 vægtprocent. Det er imidlertid væsentligt, at oxidbelægningen ikke er mere end ca. 15 vægtprocent, beregnet på basis af de oxidbelagte partikler. Over ca. 15 vægtprocent oxid bli-25 ver de ender, der er fremstillet med disse, vanskeligere at lodde og har tendens til at affugte ved gentagen neddypning i smeltet loddemetal.
Størsteparten af det tilgængelige, findelte kobbermetal har en oxidbelægning, der udgør mindst 2-3% beregnet 30 på basis af partiklens vægt. Hvis det imidlertid Ønskes at øge oxidbelægningen, kan dette gøres ved omrystning og opvarmning af partiklerne i luft. På den anden side kan kugleformede partikler med endnu højere oxidindhold fremstilles ved atomisering af kobberet i luft eller en atmos-35 fære, der indeholder en kontrolleret mængde oxygen.
O
7 DK 157514 B
På grund af den mere intime kontakt mellem oxidet og det organiske medium, når oxidet forekommer på kobberpartiklerne, foretrækkes det, at størsteparten, fortrinsvis al kobberoxidet i kompositionen ifølge opfindelsen stam-5 mer fra belægningen på de dispergerede kobberpartikler.
Resten af det til kompositionen nødvendige oxid, såfremt det er nødvendigt med yderligere oxid, kan tilføres ved tilsætning af kobberoxidpartikler til kompositionen og/eller ved inkl sion af kobberoxid i det uorganiske bindemiddel. Eventuelt 10 yderligere oxid kan tilvejebringes ved en af disse metoder eller ved begge. Som anført ovenfor, må det samlede kobberoxid i kompositionen imidlertid ikke overstige ca. 15%, beregnet på basis af vægten af de oxidbelagte kobberpartikler.
Almindeligvis skal mængden af oxygen som kobber-15 oxid fra alle kilder,(oxidbelægning på kobberpulveret, og Cu20 og CuO tilsat separat eller til glasfritten) være ca. 1,0%, beregnet på vægten af den samlede mængde kobber, for at opnå en god underlagsadhæsion, men ikke mere end ca.
2,0 vægtprocent for at opretholde en god loddebarhed.
20 Kobberpulvere med høj renhedsgrad og lavt indhold af overfladeoxid (mindre end 0,3 vægtprocent oxygen) giver sandsynligvis kobberledere med lav adhæsion, med mindre der tilsættes yderligere kobberoxider.
Den ledende fase kan indeholde andre ledende metaller, 25 når blot disse andre materialer er indifferente og ikke hæmmer kobberoxiddekompositionen, tungstenoxiddannelsen og sintringen af kobberet og det uorganiske bindemiddel under brændingen. I særlige tilfælde kan, om ønsket, kobberet blandes med andre uædle metaller eller endog med ædle metaller.
30 I teorien kan der endog anvendes større mængcfec ædle metaller sammen med den ledende fase af kobber/kobberoxid. Det er imidlertid klart, at de økonomiske fordele ved opfindelsen reduceres i overensstemmelse hermed. Det foretrækkes desuden, at tilsætningen af sådanne metaller formindskes for at 35 de tilsatte metalpartikler ikke skal hæmme vekselvirkningerne mellem kobberet, kobberoxidet, tungsten og det uorganiske
O
8 DK 157514 B
bindemiddel og derved forringe den brændte tykfilms egenskaber.
Som ædelt metal foretrækkes der sølv til brug sammen med kobberet i kompositionerne ifølge opfindelsen. Der 5 kan almindeligvis anvendes fra 1-50 vægtprocent sølv, på basis af det samlede kobberindhold, fortrinsvis 5-20 vægtprocent sølv. Der kan imidlertid også anvendes eutekti-ske mængder sølv og kobber. Ag/Cu eutektisk blanding er 72 vægtprocent Ag/28 vægtprocent Cu.
10 Betydningen af kobberpartikelstørrelsen og kobberoxid- indholdet i ledende kompositioner er anført i sideløbende US patentansøgning serie nr. 505.730.
B. Ikke-kobbermetal.
Ikke-kobbermetaller, som kan anvendes ifølge 15 opfindelsen, er tungsten, molybdæn og rhenium. Blandinger eller legeringer af disse metaller kan ligeledes anvendes.
Mængden af ikke-kobbermetal i kompositionen ifølge opfindelsen er temmelig kritisk og skal ligge i området fra 0,2-5,0 vægtprocent, beregnet på basis af det totale 20 faststofindhold. Der kræves mindst 0,2 vægtprocent for at opnå en betydelig forbedring med hensyn til loddebarhed.
Over 5,0 vægtprocent øges den gunstige virkning på loddebar-heden imidlertid ikke yderligere, og kobberfilmens adhæsion til underlaget reduceres. Det foretrækkes, at tungstenind-25 holdet i kompositionen ligger i området fra 0,5 til 3 vægtprocent.
Et interessant træk ved opfindelsen er den store betydning af partikélstørrelsen af tungsten for dets effektivitet i opfindelsen. Især ikke-kobbermetalpartiklerne og 30 specielt tungsten skal have en maksimal størrelse under 5 yum, og gennemsnitsstørrelsen skal ligge i området fra 0,2-3^um. Grunden til disse kritiske værdier kendes ikke med sikkerhed. Det antages imidlertid, at den er tæt forbundet med metallets evne til at blive jævnt dispergeret i le-35 gemet og over kobberfilmens overflade.
9 DK 157514 B
O
Det er kendt, at rene metaloverflader har en høj overfladeenergi, som resulterer i en stærk gradient mod en lavere energitilstand. Sådanne overflader adsorberer let gasser, såsom oxygen, der reagerer kemisk med stærkt 5 elektropositive metalatomer til dannelse af et stærkt bundet oxidlag på overfladen (jvf. Pask, Glass-Metal "Interfaces" and Bonding, U. of California, Lawrence Radiation Laboratory, Berkeley, CA, Report UCRL 10611, 1963Ϊ. I kraft af denne mekanisme, indeholder de fleste 10 metaloverflader, der er blevet renset, et oxidlag. Yderligere vil mere reaktionsdygtige metaller, såsom kobber, normalt have en væsentlig oxidbelægning, såfremt der ikke gennemføres specielle behandlinger for at undgå en sådan oxidation. For tungstens vedkommende antages det, at meget små partik-15 ler af tungsten, som ikke kan danne en legering med kobber, reagerer med overfladeoxidet på kobberfilmen og den lille mængde oxygen i ovnatmosfæren, således at der dannes W02 og/eller W2Og, som fjernes fra partikeloverfladerne ved sublimation under brændingen.
20 Både molybdæn og rhenium viser sig at være effekti ve på lignende måde., selv om man ikke er fuldstændig klar over de nøjagtige detaljer med hensyn til deres reaktion med overfladeoxidet, med fritten og ovnatmosfæren.
Den foreliggende fremgangsmåde giver en i det væsent-25 lige oxidfri kobberoverflade, som lettere fugtes med lodde-middel og derfor giver bedre loddebarhed. Af særlig interesse er det imidlertid, at de kobberholdige kompositioner ifølge opfindelsen kan brændes igen flere gange og bevare dette forbedrede loddebarhedsniveau.
30 C. Uorganisk bindemiddel.
Glasser og andre uorganiske bindemidler, der anvendes i ledere, udfører flere funktioner. Bindemidlernes primære funktion er at tilvejebringe kemisk eller mekanisk binding til substratet. De kan desuden lette sintringen af 35 metalfilmen ved hjælp af sintring i flydende fase, når det glasagtige bindemiddel fugter lederens overflade. Det fore-
DK 157514 B
O
trækkes, at glasbindemidlet har et blødgøringspunkt under 800°C, for at glasset har tilstrækkelige flydeegenskaber.
Dette er nødvendigt for adhæsionen til underlaget og, i nogle tilfælde, for at beskytte det ledende materiale.
5 Et blødgøringspunkt på ca. 400-600°C er at foretrække.
Selv om den kemiske sammensætning af bindemiddel-systemet ikke er kritisk for funktionaliteten af disse tykfilmlederkompositioner, bør det uorganiske bindemiddel smelte eller være flydende ved en tilstrækkelig lav tempe-10 ratur for at hjælpe til sintring af metalpartiklerne under brændingen.
Det uorganiske bindemiddel er fortrinsvis et glas med lavt blødgøringspunkt og lav viskositet, som anvendes i en mængde på 1-10 vægtprocent, fortrinsvis i en mængde 15 på 2-8 vægtprocent, beregnet på basis af de faste stoffer. Udtrykket glas med lavt blødgøringspunkt betyder i denne forbindelse et glas med et blødgøringspunkt, der er mindst ca. 100°C under den tilsigtede topbrændingstemperatur som målt ved fiber for længels esmetoden (ASTM^‘C338-57). Det 20 ifølge opfindelsen anvendte glas skal også have en lav viskositet ved brændingstemperaturen for at hjælpe til sintring i flydende fase af de uorganiske partikler. Et glas med en specifik viskositet (log ή på mindre end 6) ved brændings-temperaturen vil hjælpe til sintring i flydende fase og er 25 derfor at foretrække.
Blyborsilicatglasser har været anvendt i vid udstrækning i opfindelsen og har vist sig at være fremragende set ud fra lavt blødgøringspunkt og god adhæsion til underlaget.
For at sikre en god lufttæthed og fungtbestandighed fore-30 trækkes det imidlertid at anvende glasser med lavt indhold af borat, dvs. glasser, der indeholder under ca. 20 vægtprocent eller et ækvivalent deraf. Både reducerende og ikke-reducerende glasser kan anvendes.
Giasserne fremstilles ved gængse fremstillingstek-35 nikker ved at blande de ønskede komponenter i de ønskede forhold og opvarme blandingen til dannelse af en smelte.
11 DK 157514 B
O
Som det er kendt gennemføres opvarmningen til en spidstemperatur og i et sådant tidsrum, at smelten bliver helt flydende og homogen. I det her foreliggende tilfælde blandes komponenterne på forhånd ved omrystning i en polyethylen-5 beholder med plastikkugler, hvorpå der smeltes i en platindigel ved 800-1000°C. Smelten opvarmes til spidstemperaturen i et tidsrum på 1-1 1/2 time. Derpå hældes smelten i koldt vand. Vandets maksimale temperatur under bratkølingen holdes så lav som muligt ved at øge forholdet mellem rumfanget 10 af vand og rumfanget af smelte. Den rå fritte befries efter fraskillelsen fra vand for rester af vand ved tørring i luft eller ved fjernelse af vandet ved skylning med methanol. Derpå formales den rå fritte i 3-5 timer i aluminiumoxidbehol-dere under anvendelse af aluminiumoxidformalingsmidler.
15 Aluminiumoxid optaget af materialerne, såfremt dette sker, er ikke indenfor observerbare grænser som målt ved røntgen-digfraktionsanalyse. Efter udtømning af den formalede fritteopslæmning fra møllen, fjernes overskud af opløsningsmiddel ved dekantering, og frittepulveret lufttørres ved stuetempe-20 ratur. Derpå sigtes det tørrede pulver gennem en 325 mesh sigte til fjernelse af eventuelt store partikler.
D. Organisk medium.
De uorganiske partikler blandes med et flydende organisk medium (bæremedium) ved mekanisk blanding til dannel-25 se af en pastalignende komposition med passende konsistens og rheologi til skabelontrykning. Derpå trykkes pastaen som en "tykfilm" på dielektriske underlag eller andre underlag på gængs måde.
Der kan anvendes enhver indifferent væske i bære-30 mediet, når blot den fordamper fuldstændigt ved tørring og brænding, gom bæremedium kan der anvendes forskellige organiske væsker, med eller uden fortykkelses- og/eller stabiliseringsmidler og/eller andre additiver. Som eksempler på organiske væsker, der kan anvendes, skal nævnes alipha-35 tiske alkoholer, estere af sådanne alkoholer, såsom acetater og propionater, terpener, såsom fyrrenåleolie, ter-pineoler og lignende, opløsninger af harpikser, såsom poly-
12 DK 157514 B
O
methacrylater af lavere alkoholer, og opløsninger af ethyl-cellulose i opløsningsmidler såsom fyrrenåleolie, og monobutylether af ethylenglycolmonoacetat. Bæremediet kan også indeholde flygtige væsker til fremme af en hurtig tørring 5 efter påføring på underlaget.
Selv om der kan anvendes et stort antal forskellige indifferente væsker i det organiske medium, har det trods alt vist sig, at i modsætning til gængse tykfilmkompositioner, er det bedre, hvis det organiske polymerindhold i det orga-10 niske medium, der anvendes i opfindelsen, holdes inden for forholdsvis snævre grænser. Det foretrækkes især, at indholdet af sådanne polymere materialer, f.eks. ethylcellulose og methacrylatharpikser, holdes på et niveau, der ikke er større end 1,0 vægtprocent af indholdet af faste stoffer 15 i dispersionen. Der foretrækkes en polymer mængde, der ikke er større end 0,5 vægtprocent, især når der i det organiske medium anvendes ikke-acryliske polymere, såsom ethylcellulose. Der kan tolereres noget højere polymermængder i det organiske medium, såfremt nitrogen-brændingsatmosfæren indehol-20 der flere ppm oxygen i ovnens brændingszone.
( I teorien ville det være ønskeligt slet ikke at have harpiks i det organiske medium. Det er imidlertid praktisk, at det organiske medium indeholder mindst ca. 1-3 vægtprocent harpiks for at opnå passende rheologiske egenskaber i 25 dispersionen og tilstrækkelig råstyrke i den påførte kobberfilm, når den påføres ved skabelontrykning.
Forholdet mellem organisk medium og faste stoffer i dispersionen kan variere betydeligt og afhænger af den måde, hvorpå dispersionen påføres og arten af det bære-30 medium, der anvendes . Til opnåelse af god dækning indeholder dispersionerne normalt komplementært 70-90% faste stoffer og 30-10% bæremedium.
Ved formulering af kompositionerne ifølge opfindelsen foretrækkes det at formindske mængden af organisk 35 medium og som anført ovenfor at formindske mængden af højmolekylvægtsmaterialer i det organiske medium. Årsagen hertil er i begge tilfælde at tilvejebringe en fuldstændig
13 DK 157514 B
O
forflygtigelse af det organiske medium. Den mængde oxygen, der er til rådighed til forflygtigelse af det organiske medium ved oxidation, er naturligvis forholdsvis begrænset på grund af nødvendigheden af at brænde kobberet i en ikke-5 -oxiderende atmosfære. Ved formuleringen af kompositionen reguleres rheologien derfor for at opnå den ønskede tryknings-viskositet med den mindst mulige mængde organisk medium.
Både til sænkning af viskositeten og til forøgelse af forflygtigelsen af det organiske medium foretrækkes det 10 således også at begrænse mængden af harpiks i det organiske medium til et niveau på 10 vægtprocent eller derunder, som svarer til mindre end 1,0 vægtprocent af den samlede formulering, Kompositionerne ifølge opfindelsen kan naturligvis modificeres ved tilsætning af andre materialer, som ikke ind-15 virker uheldigt på de fordelagtige egenskaber. En sådan formulering er kendt.
Viskositeten af pastaerne til skabelontrykningen ligger typisk inden for følgende områder, når den måles på et Brookfield HBT viskosimeter ved lave, moderate og høje 20 forskydningshastigheder:
Forsk'ydhinqshastiqhed (sek"1) Viskositet (Pa- s) 0,2 100-5000 - 25 300-2000 Foretrukken 600-1500 Mest foretrukken 4 40-400 - 100-250 Foretrukken 140-200 Mest foretrukken 3841 7-40 30 10-25 Foretrukken 12-18 Mest foretrukken 35 Målt på HBT Cone and Plate Model
Brookfield Viscometer.
14 DK 157514 B
O
Den mængde bæremedium, der anvendes, bestemmes af den til slut ønskede formuleringsviskositet.
Formulering og påføring.
Ved fremstillingen af kompositionen ifølge opfindelsen 5 blandes de partikelformige uorganiske faste stoffer med den organiske bærer og dispergeres med passende apparatur til dannelse af en suspension, som resulterer i en komposition, for hvilken viskositeten vil ligge i området fra ca. 100-250 Pa*s ved en forskydningshastighed på 4 sek ίο I de følgende eksempler gennemføres formuleringen på følgende måde: Pastabestanddelene, minus ca. 5% organiske komponenter ækvivalent med ca. 0,5 vægtprocent af formuleringen, vejes sammen i en beholder. Derpå blandes komponenterne kraftigt til dannelse af en ensartet blanding, og'denne 15 passeres gennem dispergeringsapparaturet til opnåelse af en god dispersion af partiklerne. Der anvendes et Hegman måleapparat til bestemmelse af partiklernes dispersionstilstand i pastaen. Dette instrument består af en kanal i en stålblok, der er 25yum dyb i den ene ende og går ned til 20 en dybde på 0 i den anden ende. Der anvendes en kniv til at trække pastaen ned i kanalen i dens fulde længde. Der vil forekomme ridser i kanalen, hvor agglomeraternes diameter er større end kanaldybden. En tilfredsstillende dispersion vil give et fjerdedels ridsepunkt typisk på 10-15/am. Det 25 punkt, ved hvilket halvdelen af kanalen er udækket med en godt dispergeret pasta er typisk mellem 3 og 8^um. Fjerdedels-ridsepunktmålinger på mere end 20^um og "halvkanal" målinger på mere end lO^um indikerer en dårligt dispergeret suspension.
De resterende 5% bestående af organiske pastakompo-30 nenter tilsættes derefter, og indholdet af organisk medium reguleres, således at viskositeten, når denne er fuldstændigt formuleret, bringes til en værdi på mellem 140 og 200 Pa*s ved en forskydningshastighed på 4 sek
Derpå påføres kompositionen et underlag, såsom alumi-35 niumoxid, siliciumdioxid-aluminiumoxid eller forskellige dielektriske materialer, sædvanligvis ved skabelontrykning til en vådtykkelse på ca. 25-80^,um, fortrinsvis 25-60yum, især 25-35yUm. Lederkompositionerne ifølge opfindelsen kan
15 DK 157514 B
O
trykkes- på underlaget enten ved at anvende en automatisk trykkemaskine eller en manuel trykkemaskine på gængs måde.
Pep? anvendes fortrinsvis automatiske sigtestensilteknikker ynder anvendelse af 2QQ til 325 mesh sigter. Den trykte ska-5 &elon tørres· derpå ved en temperatur under 200°C, f.eks. 12Qt'150oC, i ca. 5^15 minutter inden brændingen. Brændingen til bevirkning af sintring af både det uorganiske bindemiddel og de findelte kobberpartikler udføres fortrinsvis i en transportbåndsovn under en nitrogenatmosfære med en 10 temperuturprofil, der tillader fuldstændig afbrænding af det organiske stof ved ca. 300°C og fortætning af tykfilmen yed opvarmning til 85Q’'95Q°C, Pette efterfølges af en kontrolleret nedkølingscyclus til hindring af en oversintring, uønskede kemiske reaktioner ved mellemliggende temperaturer 15 eller underlagsbrud, der kan forekomme ved for hurtig nedkøling, Den samlede brændingsprocedure strækker sig fortrinsvis over et tidsrum på ca. 1 time, med 20-25 minutter for at nå op på spidsbrændingstemperaturen, ca. 10 minutter -ved brændings temperaturen og ca, 20^-25 minutter til nedkø-20 ling. I nogle tilfælde kan der anvendes samlede cyclustider på så lidt som 30 minutter, tinder brændingen af de tørrede kobberfilm, bør oxygenkoncentrationen i de varme sektioner a,f ovnen holdes under 15^-20. ppm, fortrinsvis under 10 ppm, for at formindske oxidation åf kobberet.
25 Pederkompositionen ifølge opfindelsen kan anvendes til fremstilling af tykfilmmodstandsnet ved følgende række af fremstillingstrin: 1J_ påføring af et mønstret endeligt lag af lederkomposit; nen ifølge krav 1 på et keramisk underlag, 30 2} brænding af det mønstrede lederlag i en ikke-oxi- derende atmosfære for at bevirke forflygtigelse af det organiske medium, dekomposition af kobberoxidet og sintring af det. uorganiske bindemiddel, 3}. påføring af et mønstret lag af tykfilmmodstands-
QC
pastaen på substratet og det brændte lederlag, hvilken pasta indeholder en blanding af fihdelte partikler af modstands-materiale og uorganisk bindemiddel dispergeret i et organisk medium, og
O
16 DK 157514 B
4) brænding af det mønstrede modstandslag i en ikke--oxiderende atmosfære for at bevirke forflygtigelse af det organiske medium og sintring af det uorganiske bindemiddel.
Lederkompositionerne ifølge opfindelsen kan også 5 anvendes til fremstilling af mellemtilslutninger bestående af flere lag til komplekse elektroniske kredsløb ved følgende række af fremstillingstrin: 1) påføring af et mønstret lag af lederkompositionen ifølge krav 1 på et keramisk underlag, 10 2) brænding af det mønstrede lederlag i en ikke-oxi- derende atmosfære for at bevirke forflygtigelse af det organiske medium, dekomposition af kobberoxidet og sintring af det uorganiske bindemiddel, 3} påføring af et mønstret lag af dielektrisk tyk-15 filmpasta på underlaget og det brændte lederlag, hvilken pasta indeholder en blanding af findelte partikler af dielektriske faste stoffer og uorganisk bindemiddel dispergeret i et organisk medium, hvor det mønstrede lag har veje, der står i forbindelse med det under dette liggende ledende lag, 20 4) brænding af det mønstrede dielektriske lag i en ikke-oxiderende atmosfære for at bevirke forflygtigelse af det organiske medium og sintring af det uorganiske bindemiddel, 5} påføring ovenpå det brændte dielektriske lag af 25 et mønstret lag af og fyldning af vejene med lederkompositionen ifølge krav 1, 6) brænding af det mønstrede lederlag og de fyldte veje i en ikke-oxiderende atmosfære for at bevirke forflygtigelse af det organiske medium, dekomposition af kobberoxi- 30 det og sintring af det -uorganiske bindemiddel, og 7) gentagelse af trinnene 3-6 til opbygning af det nødvendige antal lag.
35
17 DK 157514 B
O
Multilags mellemtilslutninger indeholdende op til 2Q lag fremstilles hyppigt på denne måde.
Afprøvningsmetoder
Adhæsion; Adhæsionen måles ved anvendelse af et 5 "instron" trækkeapparat i en 90° afskrælningskonfigura-tion med en trækhastighed på 5 cm pr. minut* Tyve gauges på forhånd fortinnede tråde gøres fast på 2 mm x 2 mnrunder-lag ved dyplodning i 10 sekunder i 62 Sn/36 Pb/2 Ag lodde-middel ved 220°C eller i 63 Sn/37 Pb loddem'iddel ved 230°C 10 under anvendelse af "Alpha" 611 flux. ("Alpha" 611 er et varemærke for loddefluks fremstillet af Alpha Metals Inc., Jersey City, N.J.J Der gennemføres ældningsundersøgelser i en "Blue M Stabil-Therm" ovn indstillet til en temperatur på 15Q°C. Efter ældning tillades afprøvningsdelene at ekvi-15 librere i flere timer i luft, inden trådene 'udsættes for træk.
Loddebarhed: Loddebarhedsafprøvningeirne gennemføres på følgende måde; De brændte dele dyppes i en mildt aktiv harpiksfluks, såsom "Alpha" 611, hvorpå de opvarmes i 20 3 sekunder ved dypning af kanten af den keramiske chip i det smeltede loddemiddel. Chippen dyppes derefter ned i lodde-midlet i 10 sekunder, tages op igen, og renses og undersøges. Loddebarheden bestemmes ved den procentvise dækning med loddemiddel (opbygning), der opnås på kobberprøveskabelonen. ^ 25 Partikelstørrelse; De i opfindelsen anvendte partik lers størrelse måles på en "Sedi Graph" 50QDD partikelstørrelsesanalysator. Dette instrument bestemmer koncentrationen af partikler, der bliver tilbage ved aftagende sedimentationsdybder som en funktion af tid. Logaritmen af forskel-30 len i transmitteret røntgenintensitet frembringes elektronisk og omdannes, således at disse data præsenteres som en kumulativ masseprocentfordeling udtrykt i Stokisk eller ækvivalent sfærisk diameter i^um .
35
O
18 DK 157514B
Eksempler I de følgende eksempler er alle dele i vægtprocent, med mindre andet er angivet. Desuden er kompositionen og egenskaberne af visse komponenter af de eksemplificerede 5 ledende tykfilmmaterialer som følger:
Tabel I
Kobberpulvrenes egenskaber 10
Betegnelse A B__C__D_
Egenskaber vægt% under 99,9 99,9 99,9 99,9 15 liyim
Gennemsnitlig partikelstør- 2,2 4,0 3,0 1,2 rélse,^,um
Overfladeareal 0,3 0,25 0,3 1,20 m2/g 20 Vægti oxygen 1,0 0,1 0,5 0,4 25 30 35
19 DK 157514 B
O
Tabel II
Uorganiske bindemidlers sammensætning og blødgøringspunkt 5
Betegnelse A__B__C__D
Sammensæt- ning_ _Vægt%_ 10 PbO 66,9 78,1 58,8 80,6 B203 12,3 - 7,8 12,0
Si02 10,3 - 23,0 6,0
CdO 6,8- 3,9
NaF 3,5 15 AI2O3 0,2 — 0,4
ZnO - - - 1,4
Ge02 - 21,9
Ti02 - - 6,1 100,0 100,0 100,0 1.00,0 20
Blødgøringspunkt oc 420 - 560 430
Tabel III
25 Sammensætning af organisk medium
Ethylcallulose 5,2 vægtprocent α,β-Terpineol 11,4
Dibutylcarbitol^ 28,5 30 Dibuty lphthalat 51,5
Tridecylphosphat 1,3
Ionol ^ 2,1 100,0
35 (1) Varemærke anvendt af Union Carbide Co., New York, NY
for diethylenglycoldibutylether.
(2) Varemærke anvendt af Shell Chemical Co., Houston, TX for 2,6-di-tert.butyl-4-methylphenol.
20
DK 157514 B
O
Eksempel 1-10
Der fremstilles en serie på ti kobberholdige tykfilm-lederkompositioner med vidt forskellig sammensætning som beskrevet ovenfor, og disse afprøves for af vise de forskel-5 lige parametre for både sammensætning og komponentegenskaber. Bortset fra de steder, hvor det er anført, anvendes kompositionerne til fremstilling af en brændt tykfilmleder som beskrevet ovenfor, og lederen afprøves med hensyn til specifik modstand, loddebarhed og adhæsion. De fremkomne 10 data er anført i den følgende tabel IV.
15 20 25 30 35
O
21 DK 157514 B
Tabel IV
Sammensætning af kobberholdige tykfilmiederkompositioner samt egenskaber af ledere frem- stillet ud fra disse_ 5
Eksempel nr. 1__2 3__4
Sammensætning
Cu pulver A 89,0---- B 84,0 10 C 8i6,0 D - 82,4
Bindemiddel A 1,6 1,6 1,6 B - - - 1,6 C - 15 D - - - 1,0
Pb02 0,4 0,4 0,4
Cu20 - 5,0 '3,0 4,0 W pulver, 1,5,um gennem- 1,0 1,0 "1,0 1,0 snitlig partikelstørrelse 90
Organisk medium 8,0 8,0 '8,0 10,0
Samlet oxygen som kobber 0,9 0,6 0,7 0,7 oxid
Lederegenskaber
Spec, modstand, mil/{ZJ/mil 1,5 1,4 .1,5 1,7 Z.0
Loddebarhed, % På "Alsimag" 614-brændt IX 95 95 ::95 85 -brændt 3X 95 95 -9 5 80 På Du Pont "Dielectric" 4575 -brændt IX 95 95 95 80 -brændt 3X 90 95 95 70
Adhæsion, newton På "Alsimag" 614-brændt IX 25 27 25 20 På Du Pont "Dielectric" 4575 -brændt 5X27 30 28 20 -brændt 5X, ældet i 200 timer ved 25 25 24 17 150°C i luft 35
22 DK 15 7 514 B
O
Tabel IV (fortsat) 5__6__7 5 Sammensætning
Cu pulver A - - 89,0 B 88,0 84,0 C - D - 10
Bindemiddel A 1,6- B - 2,0 C 1,5 D - 15 Pb02 0,4 - 0,5
Cu20 1,0 5,0 - W pulver, 1,5 ,um gennemsnitlig partikelstørrelse 1,0 1,0 1,0
Organisk medium 8,0 8,0 8,0
Samlet oxygen som kobber- 20 oxid 0,2 0,6 0,9
Lederegenskaber
Spec, modstand, mfl/O /mil 1,7 1,5 1,4
Loddebarhed, % På "Alsimag" 614-brændt IX 95 95 95 25 -brændt 3X 95 95 95 På Du Pont "Dielectric" 4575 -brændt IX 95 95 90 -brændt 3X 95 90 90
Adhæsion, newton På "Alsimag" 614-brændt IX 10 24 26 3Q På Du Pont "Dielectric" 4575 -brændt 5X 14 28 29
-brændt 5X
&ldet i 200 timer ved 150°C
i luft 7 22 25 35
« DK 157514B
O
Tabel IV (fortsat) 8__9__10
Sammensætning 5 C« pulver A 90'° 89'° 88'°
B
C - D - -
Bindemiddel A 1,6 1,6 1,6 10 B - C - D -
Pb02 0,4 0,4 0,4
Cu90 - 15 z W pulver, 1,5,um gennem- - 1,0 2,0 snitlig partikelstørrelse
Organisk medium 8,0 8,0 8,0
Samlet oxygen som kobber- 0,9 0,9 0,9 oxid 20 Lederegenskaber
Spec, modstand, m-Q/O/mil 1,4 1,3 1,4
Loddebarhed, % På "Alsimag" 6'14-brændt IX 10 95 95 -brændt 3X 0 95 95 25 På Du Pont "Dielectric" 4575 -brændt IX 10 95 95 -brændt 3X 0 90 95
Adhæsion, newton På "Alsimag" 614-brændt IX - 24 18 30 På Du Pont "Dielectric" 4575 -brændt 5X - 24 20
-brændt 5X
ældet i 200 timer ved 150°C i luft - 21 35
O
24 DK 157514 B
Kompositionerne ifølge eksemplerne 1-3 og 8, der indeholder det samme uorganiske bindemiddel, formuleres med Cu-pulvere med forskellige partikelstørrelser (2-4^um) og kobberoxid (oxygen)-indhold. Alle de, der indeholder 5 tungstenmetalpulver udviser ganske fremragende loddebarhed på begge underlag selv efter 5 brændinger. Kompositionen, som ikke indeholder tungstenpulver, har imidlertid en ekstremt lav loddebarhed efter en brænding og bliver næsten fuldstændig umulig at lodde ved gentagne brændinger.
10 Dataene fra eksempel 5 sammenlignet med dataene fra eksempel 2 viser vigtigheden af at have tilstrækkeligt oxygen som kobberoxid i kompositionen for at sikre både en god loddebarhed og adhæsion. Selv om der stadig kan opnås en tilstrækkelig loddebarhed med lav oxidkomposition 15 for kobberpartiklerne, er de ligeledes vigtige adhæsionsegenskaber uønsket lave. Eksempel 5 viser også betydningen af at anvende partikler af kobber med et relativt lille overfladeareal, dvs. ikke større ca. 1 m /g.
Den fremragende loddebarhed og adhæsion ifølge 20 eksemplerne 1, 4, 6 og 7, hvor der anvendes helt forskellige uorganiske bindemidler, viser, at sammensætningen af bindemidlet ikke er specielt kritisk, når blot de øvrige kriterier for opfindelsen - oxygenindhold, partikelstørrelse og tungstenindhold - opfyldes.
25 Eksemplerne 1, 9 og 10, som indeholder successivt højere mængder tungstenmetal, viser, at ca. 2,0 vægtprocent tungstenmetal kan anvendes uden alvorlige ugunstige indvirkninger på adhæsionen. Sammenligning af eksempel 8, der ikke indeholder tungstenmetal, med både eksempel 9 og 10 30 viser tungstens væsentlige rolle i kompositionen ifølge opfindelsen, selv når de øvrige kriterier for opfindelsen opfyldes.
35
O
25 DK 157514 B
Eksempel 11-15
Der fremstilles en serie på fem kobberholdige tyk-filmlederkompositioner, hvori sammensætningen af hver del af serien er i det væsentlige den samme bortset fra progres-5 siv forøgelse af koncentrationen af ikke-kobbermetal, som i dette tilfælde er tungsten. De fem lederkompositioner fremstilles på samme måde som beskrevet i eksempel 1-10.
Alle kompositionerne anvendes til fremstilling af en brændt tykfilmleder som beskrevet ovenfor, og lederen afprøves med 10 hensyn til specifik modstand, loddebarhed og adhæsion. De opnåede data er anført i den følgende tabel V.
15 20 25 30 35 26
DK 157514 B
o
Tabel V
Ikke-kobbermetalkoncentrationens indvirkning _på lederegenskaber_ 5
Eksempel nr. 11 12 13
Sammensætning _ , _ 85,0 84,0 83,0
Cu pulver C
10 Bindemiddel A
Pb02 0/4 0,4 0,4
Cu20 4'° 4,0 4/0 W pulver, l,5yUm gennem- 1,0 2,0 3,0 snitlig partikelstørrelse
Organisk medium ®® ®® ®® „ ^ , , , 0,8 0,8 0,8 Samlet oxygen som kobber- ' ' oxid
Lederegenskaber 20 19 1112
Spec, modstand, m Ώ./Π /mil ' ' '
Loddebarhed, % På "Alsimag" 614-brændt IX 95 95 95 -brændt 3X 95 95 95 På Du Pont "Dielectric." 4575 -brændt IX 95 95 95 25 -brændt 3X 95 95 95
Adhæsion, newton På "Alsimag" 614-brændt IX 33 22 20 På Du Pont "Dielectric" 4575 -brændt 5X 24 24 27
-brændt 5X
30 ældet i 200 timer ved 150°C i luft 25 21 25 35
O
27 DK 157514 B
Tabel V (fortsat)
Eksempel nr. 14__15
Sammensætning 5 Cu pulver C 81,0 76,0
Bindemiddel A 1,6 1,6
PbO_ 0,4 0,4 „ i 4,0 4,0
Cu20 W pulver, l,5yum gennem- 5,0 10,0 10 snitlig partikelstørrelse
Organisk medium 8,0 8,0
Total oxygen som kobber- 0,8 0,8 oxid
Lederegenskaber 15 Spec, modstand, mJ2/Q/mil 1/0 1,2
Loddebarhed, % På "Alsimag" 614-brændt IX 95 85 -brændt 3X 90 90 På Du Pont "Dielectric" 4575 -brændt IX 95 90 20 -brændt 3X 95 95
Adhæs ion, newton På "Alsimag" 6.14-brændt IX 15 4 På Du Pont "Dielectric" 4575 -brændt 5X 15 10
-brændt 5X
25 ældet i 200 timer ved 9 6 150°C i luft
Det ovenfor anførte viser også/ at store mængder ikke-kofc bermetal (i dette tilfælde tungsten) er temmelig skadelige for underlagsadhæsion. Dataene viser især, at ved mængder 30 på over ca. 5,0 vægtprocent tungsten, bliver adhæsionen i stigende grad utilfredsstillende. Dataene viser desuden, at der foretrækkes mængder på ikke mere end ca. 3,0 vægtprocent tungsten, hvor der er både en forholdsvis høj loddebarhed og adhæsion.
35
DK 157514B
28
O
Eksempel 16
Der formuleres en yderligere tykfilmkomposition, og ledere, fremstillet ud fra denne, afprøves på samme måde som anført ved de foregående eksempler. Kompositionen har 5 de samme komponenter som anført i eksempel 11 bortset fra, at der i stedet for tungsten er anvendt molybdænpulver.
Den deraf fremstillede leder har en specifik modstand på 1,6 mii/O/mil. Loddebarheden på "Alsimag" 614 er 95% efter 3X brænding og på Du Pont "Dielectric" 4575 er den 10 90% efter 3X brænding. Adhæsion på "Alsimag" 614, brændt en gang, er 19 newtons, og på Du Pont "Dielectric" 4575, brændt 5X, er den 20 newton.
Disse data viser, at molybdænmetal er lige så effektivt som tungsten ved anvendelse til forbedring af 15 adhæsion og loddebarhed for ledende lag af kobber, der er brændt flere gange.
20 25 30 35
Claims (9)
1. Kobberholdig tykfilmlederkomposition, kendetegnet ved, at den omfatter en blanding af findelte partikler af O a) 85-98,8 vægtprocent ledende materiale, hvoraf mindst 28 vægtprocent er kobber, b) 10-1 vægtprocent uorganisk bindemiddel og c) 5-0,2 vægtprocent ikke-kobbermateriale valgt 1Q blandt tungsten, molybdæn, rhenium og legeringer og blandinger deraf, dispergeret i organisk medium, hvorhos kompositionen yderligere er karakteriseret ved, at 1. kobberpartiklerne har en maksimal størrelse 15 under 10^,um og en gennemsnitsstørrelse på 2-4^,um, og 2. ikke-kobbermetalpartiklerne har en maksimal størrelse under 5 pm og en gennemsnitsstørrelse på 0,2-3^um.
2. Komposition ifølge krav 1, kendetegnet ved, at det ledende materiale er kobber.
3. Komposition ifølge krav 1, kendetegnet ved, at det ledende materiale er kobberlegering.
4. Komposition ifølge krav 1, kendetegnet ved, at det ledende materiale er en blanding af kobber og ædelmetalpartikler.
5. Komposition ifølge krav 4, kendeteg net ved, at det ædle metal er sølv.
6. Komposition ifølge krav 5, kendetegnet ved, at kobber og sølv foreligger i eutektiske forhold.
7. Komposition ifølge krav 1, kendeteg net ved, at ikke-kobbermetallet er tungsten.
8. Fremgangsmåde til fremstilling af en tykfilmleder, kendetegnet ved, at 1. et keramisk underlag påføres et afsluttende 35 skabelonlag af lederkompositionen ifølge krav 1, 2. skabelonlederlaget brændes i en ikke-oxiderende atmosfære for at bevirke forflygtigelse af det organiske medium, dekomposition af kobberoxidet og sintring af det uorganiske bindemiddel, O
30 DK 157514 B 3. underlaget og det brændte lederlag påføres et skabelonlag af tykfilmlederpasta indeholdende en blanding af findelte partikler af modstandsmateriale og uorganisk bindemiddel dispergeret i et organisk medium, og 5 4) skabelonmodstandslaget brændes i en ikke-oxideren- de atmosfære for at bevirke forflygtigelse af det organiske medium og sintring af det uorganiske bindemiddel.
9. Fremgangsmåde til fremstilling af en flerlagsenhed af forbindelsesled, kendetegnet ved, 10 at 1. et keramisk underlag påføres et skabelonlag af lederkompositionen ifølge krav 1, 2. skabelonlederlaget brændes i en ikke-oxiderende atmosfære for at bevirke forflygtigelse af det organiske 15 medium, dekomposition af kobberoxidet og sintring af det uorganiske bindemiddel, 3. underlaget og det brændte lederlag påføres et skabelonlag af en dielektrisk tykfilmpasta omfattende en blanding af findelte partikler af dielektriske faste stoffer 20 og uorganisk bindemiddel dispergeret i et organisk medium, hvilket skabelonlag har områder der står i forbindelse med det underneden liggende ledende lag, 4. det dielektriske skabelonlag brændes i en ikke-oxiderende atmosfære for at bevirke forflygtigelse af det 25 organiske medium og sintring af det uorganiske bindemiddel, 5. det brændte dielektriske lag påføres et skabelonlag af og områderne fyldes med lederkompositionen ifølge krav 1, 6. skabelonlederlaget og de fyldte veje brændes 30. en ikke-oxiderende atmosfære for at bevirke forflygtigelse af det organiske medium, dekomposition af kobberoxidet og sintring af det uorganiske bindemiddel, og 7. trinnene 3-6 gentages. 35
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/526,400 US4514321A (en) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | Thick film conductor compositions |
US52640083 | 1983-08-25 |
Publications (4)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DK405584D0 DK405584D0 (da) | 1984-08-24 |
DK405584A DK405584A (da) | 1985-02-26 |
DK157514B true DK157514B (da) | 1990-01-15 |
DK157514C DK157514C (da) | 1990-06-05 |
Family
ID=24097180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DK405584A DK157514C (da) | 1983-08-25 | 1984-08-24 | Tykfilmleder-kompositioner |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4514321A (da) |
EP (1) | EP0135174B1 (da) |
JP (1) | JPS6070746A (da) |
KR (1) | KR900000398B1 (da) |
CA (1) | CA1228475A (da) |
DE (1) | DE3472729D1 (da) |
DK (1) | DK157514C (da) |
GR (1) | GR80195B (da) |
IE (1) | IE55728B1 (da) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4714570A (en) * | 1984-07-17 | 1987-12-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductor paste and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the paste |
US4594181A (en) * | 1984-09-17 | 1986-06-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metal oxide-coated copper powder |
US4600604A (en) * | 1984-09-17 | 1986-07-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metal oxide-coated copper powder |
KR900008781B1 (ko) * | 1985-06-17 | 1990-11-29 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 후막도체조성물 |
US4623482A (en) * | 1985-10-25 | 1986-11-18 | Cts Corporation | Copper conductive paint for porcelainized metal substrates |
US4687597A (en) * | 1986-01-29 | 1987-08-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper conductor compositions |
JPS6355807A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-10 | 古河電気工業株式会社 | 導電性ペ−スト |
US4733018A (en) * | 1986-10-02 | 1988-03-22 | Rca Corporation | Thick film copper conductor inks |
US4808770A (en) * | 1986-10-02 | 1989-02-28 | General Electric Company | Thick-film copper conductor inks |
US4808673A (en) * | 1986-10-02 | 1989-02-28 | General Electric Company | Dielectric inks for multilayer copper circuits |
US4810420A (en) * | 1986-10-02 | 1989-03-07 | General Electric Company | Thick film copper via-fill inks |
GB8717920D0 (en) * | 1987-07-29 | 1987-09-03 | Era Patents Ltd | Thick film ink |
US5062891A (en) * | 1987-08-13 | 1991-11-05 | Ceramics Process Systems Corporation | Metallic inks for co-sintering process |
US4788163A (en) * | 1987-08-20 | 1988-11-29 | General Electric Company | Devitrifying glass frits |
US4816615A (en) * | 1987-08-20 | 1989-03-28 | General Electric Company | Thick film copper conductor inks |
JPH01192781A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-08-02 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 銅厚膜導体組成物 |
US4868034A (en) * | 1988-02-11 | 1989-09-19 | Heraeus Incorporated Cermalloy Division | Non-oxidizing copper thick film conductors |
JPH01218089A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Toshiba Corp | 表面導電性セラミックス基板の製造方法 |
US4906404A (en) * | 1988-11-07 | 1990-03-06 | Dai-Ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. | Copper conductor composition |
FR2644665B1 (fr) * | 1989-03-16 | 1996-05-03 | Air Liquide | Procede d'elaboration de moyens de connexions electriques, en particulier de substrats d'interconnexion pour circuits hybrides |
DE69311870T2 (de) * | 1992-10-05 | 1997-11-27 | Du Pont | Zusammensetzungen zum Füllen von Durchgangslöchern |
US5407473A (en) * | 1993-12-29 | 1995-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive ink |
JPH0817241A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Mitsuboshi Belting Ltd | 銅導体ペーストおよび銅導体膜の製造方法 |
JPH09120715A (ja) * | 1995-10-25 | 1997-05-06 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗材料組成物 |
US5976628A (en) * | 1995-12-08 | 1999-11-02 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Copper conductor paste and production method of copper conductor film |
JPH09241862A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-16 | Murata Mfg Co Ltd | 銅粉末及び銅ペースト並びにセラミック電子部品 |
US5720859A (en) * | 1996-06-03 | 1998-02-24 | Raychem Corporation | Method of forming an electrode on a substrate |
US6338893B1 (en) * | 1998-10-28 | 2002-01-15 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Conductive paste and ceramic printed circuit substrate using the same |
DE10116653A1 (de) * | 2001-04-04 | 2002-10-10 | Dmc2 Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag | Leitfähigkeitspaste, damit erzeugte Artikel mit einer leitfähigen Beschichtung auf Glas, Keramik und emailliertem Stahl und Verfahren zu deren Herstellung |
GB2391116B (en) * | 2002-07-15 | 2006-02-22 | Sumitomo Metal | Conductor paste,method of printing the conductor paste and method of fabricating ceramic circuit board |
US7688569B2 (en) * | 2004-03-16 | 2010-03-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film dielectric and conductive compositions |
US20050204864A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Borland William J | Thick-film dielectric and conductive compositions |
EP1578179A3 (en) * | 2004-03-16 | 2006-05-03 | E.I. du Pont de Nemours and Company | Thick-film dielectric and conductive compositions |
US20060282999A1 (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-21 | Diptarka Majumdar | Electrodes, inner layers, capacitors and printed wiring boards and methods of making thereof - part II |
US7531416B2 (en) * | 2005-12-21 | 2009-05-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film capacitors on ceramic interconnect substrates |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2993815A (en) * | 1959-05-25 | 1961-07-25 | Bell Telephone Labor Inc | Metallizing refractory substrates |
US3246197A (en) * | 1962-10-02 | 1966-04-12 | Westinghouse Electric Corp | Cathode heater having an aluminum oxide and tungesten coating |
US3341363A (en) * | 1963-05-27 | 1967-09-12 | Charles J Owen | Method of making a thin-film electronic component |
US3838204A (en) * | 1966-03-30 | 1974-09-24 | Ibm | Multilayer circuits |
US3647532A (en) * | 1969-02-17 | 1972-03-07 | Gen Electric | Application of conductive inks |
JPS5140940B2 (da) * | 1972-03-07 | 1976-11-06 | ||
GB1506450A (en) * | 1974-09-18 | 1978-04-05 | Siemens Ag | Pastes for the production of thick-film conductor paths |
US3988647A (en) * | 1974-09-27 | 1976-10-26 | General Electric Company | Method for making a circuit board and article made thereby |
US4051074A (en) * | 1975-10-29 | 1977-09-27 | Shoei Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Resistor composition and method for its manufacture |
US4072771A (en) * | 1975-11-28 | 1978-02-07 | Bala Electronics Corporation | Copper thick film conductor |
GB1571084A (en) * | 1975-12-09 | 1980-07-09 | Thorn Electrical Ind Ltd | Electric lamps and components and materials therefor |
US4087778A (en) * | 1976-04-05 | 1978-05-02 | Trw Inc. | Termination for electrical resistor and method of making the same |
US4070518A (en) * | 1976-10-15 | 1978-01-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper metallizations |
US4172919A (en) * | 1977-04-22 | 1979-10-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3 |
US4172922A (en) * | 1977-08-18 | 1979-10-30 | Trw, Inc. | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
US4316942A (en) * | 1980-10-06 | 1982-02-23 | Cts Corporation | Thick film copper conductor circuits |
CA1190736A (en) * | 1981-06-03 | 1985-07-23 | Robert J. Moneta | Copper conductor composition for porcelain enamel steel substrates |
US4400214A (en) * | 1981-06-05 | 1983-08-23 | Matsushita Electric Industrial, Co., Ltd. | Conductive paste |
US4415624A (en) * | 1981-07-06 | 1983-11-15 | Rca Corporation | Air-fireable thick film inks |
US4379195A (en) * | 1981-07-06 | 1983-04-05 | Rca Corporation | Low value resistor inks |
US4371459A (en) * | 1981-12-17 | 1983-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Flexible screen-printable conductor composition |
JP2554910B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1996-11-20 | 東京応化工業株式会社 | 加筆修正液 |
-
1983
- 1983-08-25 US US06/526,400 patent/US4514321A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-08-23 GR GR80195A patent/GR80195B/el unknown
- 1984-08-23 CA CA000461683A patent/CA1228475A/en not_active Expired
- 1984-08-23 DE DE8484110038T patent/DE3472729D1/de not_active Expired
- 1984-08-23 IE IE2157/84A patent/IE55728B1/en not_active IP Right Cessation
- 1984-08-23 EP EP84110038A patent/EP0135174B1/en not_active Expired
- 1984-08-24 KR KR8405130A patent/KR900000398B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-08-24 DK DK405584A patent/DK157514C/da not_active IP Right Cessation
- 1984-08-24 JP JP59175336A patent/JPS6070746A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4514321A (en) | 1985-04-30 |
GR80195B (en) | 1985-01-02 |
CA1228475A (en) | 1987-10-27 |
DK405584D0 (da) | 1984-08-24 |
KR900000398B1 (en) | 1990-01-25 |
EP0135174A2 (en) | 1985-03-27 |
IE842157L (en) | 1985-02-25 |
JPS6070746A (ja) | 1985-04-22 |
EP0135174B1 (en) | 1988-07-13 |
DE3472729D1 (en) | 1988-08-18 |
DK157514C (da) | 1990-06-05 |
DK405584A (da) | 1985-02-26 |
EP0135174A3 (en) | 1985-11-27 |
JPH0443436B2 (da) | 1992-07-16 |
IE55728B1 (en) | 1991-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DK157514B (da) | Tykfilmleder-kompositioner | |
EP0131778B2 (en) | Copper-containing thick-film conductor compositions | |
US4540604A (en) | Thick film conductor compositions | |
US4172919A (en) | Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3 | |
US4381945A (en) | Thick film conductor compositions | |
US4416932A (en) | Thick film conductor compositions | |
US4636332A (en) | Thick film conductor composition | |
EP0240654B1 (en) | Copper conductor compositions | |
EP0046640B1 (en) | Thick film conductor employing copper oxide | |
US9934880B2 (en) | Copper paste composition and its use in a method for forming copper conductors on substrates | |
US4409261A (en) | Process for air firing oxidizable conductors | |
DE2222754C2 (de) | Metallisierende Paste und ihre Verwendung | |
EP0071928B1 (en) | Thick film conductor compositions | |
EP0047071B1 (en) | Thick film conductor employing nickel oxide | |
JP2795467B2 (ja) | 接着性良好な金属ペースト | |
JP2931450B2 (ja) | 導体ペースト | |
JPH0349108A (ja) | 銅導体組成物 | |
JPH0440803B2 (da) | ||
US4317749A (en) | Thick film conductor employing cobalt oxide | |
CA1148666A (en) | Process for air firing oxidizable conductors and a resulting printed thick film construction | |
JPS5871507A (ja) | 導電ペ−スト | |
JPH07112955B2 (ja) | 銅導体ペースト |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PBP | Patent lapsed |