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Publication number: DER0013270MA
Authority: DE

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

Tag der Anmeldung: 31. Dezember 1953 Bekanntgemacht am 17. Mai 1956

DEUTSCHES PATENTAMT

Die Erfindung liegt auf dem Gebiet] dier elektrischen Flächenhalbleiter und bezieht sich auf eine vorteilhafte Konstruktion solcher Flächenhalbleiter und auf Verfahren zu ihrer Herstellung.

Ein Flächenhalbleiter dieser Art enthält einen Körper aus halbleitendem Material, beispielsweise aus Germanium oder Silizium und eine oder mehrere gleichrichtende Schichten, welche durch Eindiffundieren eines Verunremigungsmateirials, welches eine andere Leitfähigkeit hervorruft, in dem Halbleiterkörper gebildet werden. Beispiele für Verunreinigungsmaterialien sind unter anderem Indium, Gallium, Tantal, Arsen und Antimon. Mit zwei Inversionsschichten stellt ein solcher Halbleiter einen Transistor mit drei Elementen dar, nämlich einer Basiselektrode, welche durch das Halbleitermaterial gebildet wird und zwei kleineren Körpern, von Verunreinigungsmaterial, welche mit zwei einander gegenüberliegenden Flächen, des Halhleiterkörpers verschmolzen werden, und dan Emittor und den Kollektor darstellen.

Flächenhalbleiter sind insbesondere für hohe Ausgangsleistungen geeignet. Dabei wird innerhalb des Halbleiters verhältnismäßig viel Wärme er-

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zeugt, und es muß für die Abführung dieser Wärme gesorgt werden, damit die gleichrichtenden Schichten nicht beschädigt werden. Eine Möglichkeit zur Wärmeabführung'besteht darin, daß man, an einem 5 oder mehreren, der Elemente des Halbleiters eine verhältnismäßig große Kühlfahne befestigt. Gewohnlich wird eine solche Kühlfahnie aus Kupferoder Nickelblech hergestellt und mit einem Element des Halbleiters verbunden. Diese Verbindung erfordert jedoch eine Erhitzung des Halbleiters nach der Bildung der Inversionsschichiten, und es kann dabei vorkommen, daß das Verunreinigungsmaterial sich über die frei liegende Kante der Inversionsschicht breitet und dieselbe kurzschließt. Die Erhitzung kann auch eine weitere Diffusion hervorrufen und dadurch, die Eigenschaf temi der Inversionsschicht verändern. Es ist bereits vorgeschlagen worden, das überschüssige Verunreiiiigungsmaterial nach der Verbindung mit der Kühlfahnei durch

ao Säure abzuätzen oder die Kühlfahne mittels einer niedrigschmelzenden Legierung zu verbinden, Dies bedeutet aber zusätzliche Arbeitsgänge, welche die Kosten des fertigen Halbleiters erheblich erhöhen.

Die Erfindung vermeidet: nicht nur diese Schwierigkeiten, sondern vereinfach* und verbilligt auch die Herstellung bei Erreichung eines besseren Endproduktes. Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Flächengleichrichters oder eines Flächentransistors mit einem Halhleiterkörper und: einem oder zweier ungleich großer gegenüberliegender Aktivatürkörper aus Verunreinigungsmaterial, die in die Oberfläche^ des Halbleiterkörpers zur Bildung einer gleichrichtenden Schicht eindiffundiert werden. Erfindungsgemäß wird eini Begrenzungskörper aus einem Material von höherem Schmelzpunkt als das Verunreiinigungsmaterial des Aktivatorkörpers auf diesen aufgelegt und, besitzt eine solche Form, daß er den von dem Aktivatorkörper in geschmolzenem Zustand einzunehmenden. Raum bis zu der sich im Halbleiter bildenden gleichrichtenden. Schicht festlegt und, bestimmt durch die Gestalt seiner auf dem Aktivatorkörper aufliegenden Fläche auch den Verlauf der gleichrichtenden Schicht im Halbleiterkörper.

Das Verunireinligungsmaterial soll dabei einen niedrigeren. Schmelzpunkt: besitzen, so· daß es bei der Erhitzung zur Bildung der gleichrichteniden Schicht schmilzt und eindiffundiert. Während der Erhitzung wird: der vom geschmolzenen Aktivatorkörper eingenommene Raum durch den, Begrenzungskörper in die gewünschte Fo<rm gebracht, die das Verunreinigungsmaterial auch nach Erstarrung beibehält. Die Dicke des Aktivatorkörpers kann durch einen diesen umgebenden Abstandshalter bestimmt werden.

Um die Halbleiteranordnung zu kühlen und einen, elektrischen Anschluß an, die Inversionsschicht zu schaffen, wird der Begrenzungskörper aus gurt¹ wärmeleitendem Metall hergestellt, welches mit dem Aktivatormaterial während der erwähnten Erhitzung verschmilzt und sich somit dauernd mit ihm verbindet. Eine nachträgliche Erhitzung zur Befestigung einer Kühlfahne oder einer elektrischen Anschlußklemme wird daher vermieden,

Wenn zwei Inversionsschichten auf gegenüberliegenden Seiten des Halbleiterkörpers hergestellt werden müssen, wird ein weiterer Aktivatorkörper und ein weiterer Begrenzungskörper benutzt, so daß beide Inversionsschichten bei demselben. Erhitzungsprozeß gebildet werden, Dabei kann dann für jede dieser Schichten, eine Kühleinrichtung und eine Anschlüßleitung hergestellt werden. Vorzugsweise sollen die Aktivatorkörper von verschiedener Größe sein, können aber dieselbe Dicke besitzen.

Bei diesem Herstellungsverfahren wird auch die Form der gleichrichtenden, Schicht in gewünschter Weise beeinflußt. Bei einem' Halbleiter mit zwei Inversionsschichten auf einander gegenüberliegenden Seiten des Halbleiterkörpers wird diese Form . so· ausgebildet, daß die eine Inversionsschicht über ihre ganze Fläche den gleichen Abstand von der anderen besitzt.

Der Inversionsschichtverlauf kann anschaulich so erklärt werden, daß man zunächst eine kleine Scheibe oder Pille eines Verunreinigungsmaterials betrachtet, welches auf einer ebenen Scheibe des Halbleitermaterials aufliegt. Wann die Scheibe oder Pille schmilzt, so nimmt sie zunächst infolge ihrer Oberflächenspannung eine etwa, kugelförmige Gestalt an, und die Diffusion beginnt an der kleinen Kontaktfläche güiit dem Halbleiter. Beim weiteren Erhitzen breite"? sich das geschmolzene Verunreinigungsmaterial aus und benetzt eine größere Fläche des Halbleiters, in den- es dann, eindiffundiert, wobei das Verunreinigungsmaterial die Form eines Halbellipsoids, annimmt. Dabei bildet sich eine gekrümmte Inversionsschicht, die in, der Mitte am tiefsten \ieg%> Um gemäß dem vorliegenden Herstellungsverfähren Inversionsschichten mit anderem Verlauf zu bilden,, wird der geschmolzene Körper d'es Verunreinigtlngsmaterials aus der Form, des . Halbellipsoids in eine gewünschte Form gebracht, in welcher dann auch die gleichrichtende Schicht entsteht. Diese Formgebung wird: mittels eines Begrenzungskörpers erreicht, der in Kontakt mit dem geschmolzenen Verunreinigungsmaterial des AktivatorkÖTpers steht, wobei die gebildete Inversionsschicht etwa ein Spiegelbild der Kontaktfläche zwischen dem formenden Körper und dem Verunreinigungsmaterial ist. Bei der Formgebung muß außer der Oberflächenspannung berücksichtigt werden, ob der formende Begrenzungskörper" durch das geschmolzene Verunreinigungsmaterial benetzt wird odbr nicht.

Der formende Begrenzung'skörpeir kann einen geschlossenen Raum bilden, der das geschmolzene Verunreiinigungsmaterial während der Formung umschließt. Es kann auch die ganze Anordnung unter Druck gesetzt: werden, wobei vorzugsweise ein nicht benetzender Abstandshalter zwischen, dem Begrenzungskörper und dem Halbleiterkörper benutzt wird, der die Dicke des Verunreinigungsmateriails bei der Erstarrung bestimmt. Ein solcher Abstandshalter wirkt auch dabei mit, den, obenerwähnten geschlossenen Raum zu bilden,

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Diejenigen· Teile des Begrenzungskörpers, welche nicht durch das geschmolzene Verunreinigungsmaterial des Aktivatorkörpers benetzt werden sollen, können aus Kohlenstoff oder Graphit oder aus einem mit Kohlenstoff überzogenen Metall hergestellt werden. Diese Teile können, entfernt werden, bevor der Halbleiter in ein Gehäuse eingebaut wird.

Die oben beschriebenen Arbeitsgänge lassen sich

ίο dann leichter ausführen, wenn man zuerst dein Halbleiterkörper mit einem dünnen Überzug von gegen Wärme; widerstandsfähigem Isoliermaterial umhüllt und, dabei nur an der Seite;, an, der eine Inversionsschicht gebildet werden soll, diesen Überzug ausspart. Ferner kann vorzugsweise am Rande des Halbleiterkörpers eine Stelle in dem, isolierenden Überzug für einen .Anschluß ausgespart werden, der gleichzeitig mit der Erhitzung zur'Herstellung der Inversions schichten, angebracht wird.

Fig. .1 veranschaulicht im Querschnitt einen Halbleiterkörper, der teilweise mit einem isolierenden Überzug versehen ist;

Fig. 2 zeigt im Querschnitt den Zusammenbau der verschiedenen Körper vo-r dem Erhitzungsprozeß gemäß obigem Herstellungsverfahren;

Fig. 3 zeigt die Anordnung nach Fig. 2 nach dem Erhitzungsprozeiß;

Fig. 4 zeigt; im Querschnitt eine Halbleiteranordnung gemäß obigem Herstellungsverfahren,; Fig. 5 bis 10 veranschaulichen verschiedene weitere, Ausführungsformen gemäß obigem Herstellungsverfahren.

Alle Figuren stellen stark vergrößerte Querschnitte der Anordnungen dax.

In, Fig. ι ist eine Scheibe 2 von halbleitendem Material dargestellt, die auf dem größten,Teil ihrer Oberfläche einen chemisch inerten zusammenhängenden. Überzug 4 aus einem wärmebeständigen Stoff trägt, beispielsweise einen. Überzug aus aufgedampftem Siliziumdioxyd. Drei getrennte Flächen 3, 5 und 7 der Halbleiteroberfläche bleiben dabei frei. Gemäß Fig. 2 werden, auf die Flächen, 3 und 5 kleine Aktivatorkörper 10 und 12 (Scheiben) von Verunreinigungsmaterial aufgelegt, und an der Fläche 7 wird ein, kleines Kügelchen, 14 aus Zinn oder einer Legierung am Ende eines Anschlußdrahtes 16 angebracht. Um die Aktivatorkörper 10 und 12 herum sind Abstandshalter 6 und 8, welche aus Glimmerscheiben oder Ringen bestehen können, angeordnet. Mit den Aktivätorkörpern 10 und 12 werden metallische Begrenzungskörper 18 und 20 in Berührung gebracht. Diese üben, einen Druck.auf die Aktivatorkörper 'aus und pressen diese zusammen. Die Abstandshalter verhindern beim Schmelzen dies. Aktivatorkörpers eine zu starke Verformung desselben. Die gesamte Anordnung wird sodann in, einer inerten oder reduzierenden Atmosphäre genügend hoch und lange erhitzt, um die gleichrichtenden Schichten, zu bilden. Eine Erhitzung auf 500° C für etwa 10¹ Minuten lieferte gute Ergebnisse, jedoch können, auch andere Temperaturen und Zeiten verwendet werden. Bei dieser Erhitzung schmilzt der Äktivatorkörper an, den Stirnflächen 23 und 25 der Begrenzungskörper 18 und 20 fest, und es verschmilzt ferner das Kügelchen 14 mit der Scheibe 2, so. daß ein fertiger Halbleiter entsteht.

Die Fig. 3 zeigt, wie sich dabei die gleichrichtenden Schichten 22 und 24 durch Eindiffundieren, des Verunreinigungsmaiterials in dem Halbleiterkörper 2 bilden und wie die ,obenerwähnten Verschmelzungs'vorgänge stattfinden. Das Kügelchen 14 ist mit der Halbleiterscheibe 2 ohne Bildung einer gleichrichtendEn. Schicht verschmölzen, und bewirkt somit einen guten elektrischen· Anschluß der Basiselektrodenzuleitung 16. Die Begrenzungskörper 18 und 20 können, mit Löchern, 28 und 30 versehen werden, in welche Kühlfahnen eingeschraubt: werden können. Der ganze Halbleiter kann von. einem Kunststoffkörper 26 umschlossen sein. Dieser dient dazu, den Halbleiter gegen Beschädigung, Korrosion, atmosphärische Feuchtigkeit undi sonstige schädliche Einflüsse zu schützen.

In der AusführungsfoTm nach Fig. 4 hat der Begrenzungskörper 18 die Form eines Bechers, in dem die Halbleiterscheibe 2, die kleinen Aktivatorkörper 10 und! 12, die Abstandshalter 6 und 8, die mit dem Zinnkügelcheni 14 versehene Leitung 16 und ein zweiter Begrenzungskörper 20 angeordnet werden. Diese Teile werden mittels eines Zentrierdeckeis 32 festgehalten. Die ganze Anordnung wird sodann erhitzt, so daß sich die Inversionsschichten 22 und 24 bilden und gleichzeitig die Aktivatorkörper 10 und 12 mit den Begrenzungskörpern 18 und 20 verschmelzen sowie die Leitung 16 an den Körper 2 angeschmolzen wird. Nach der Erhitzung wird der Zentrierdeckel 32 entfernt, und der becher-. förmige Begrenzungskörper 18 kann mit Kunststoff gefüllt werden.

Die Fig. 4 zeigt auch dünne Überzüge 19 und 21, die durch Elektroplatierung oder durch Auf- · dampfein auf den, Stirnflächen der Begrenzungskörper 18 und 20 angebracht werden können, um eine Diffusion des Materials dieser Körper durch das Verunreinigungsmaterial hindurch in den HaIb^ leiterkörper 2 hinein, zu verhindern. Da Gold einen verhältnismäßig großen, Atomdurchinesier besitzt, der viel größer ist als der von Kugfer und, Nickel, besitzt Gold eine niedrige Diffusionsgeschwindigkeit, so daß das Kupfer oder Nickel der Begrenzungskörper 18 und 20 nicht in Richtung der Inversionsschichtemi diffundieren kann. Eine Anfertigung der Körper 18 und 20 vollständig aus Gold verbietet sich aus Preisgründen. .

Die Fig. 5 zeigt einen. Halbleiterkörper 2, wie Germanium oder Silizium, auf dessen einer Oberfläche 34 ein AktivatO'rkörper 36 aus Verunreinigungsmaterial, vorzugsweise aus Indium, angebracht ist, aber auch, durch ein a,nder"es""d,ef~eingangs erwähnten Verunreinigungsmaterialien ersetzt werden kann. Das Verunreinigungsmaterial wird von einem Begrenzungskörper 318, der auf seiner Unterseite eine Vertiefung besitzt, umschlossen und fest an die Halbleiteroberfläche 34 angedrückt; Der Begrenzungskörper 38 soll aus einem Material von hohem Schmelzpunkt, beispielsweise aus Kohle

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oder Graphit, bestehen, und durch das geschmolzene Verunreinigungsmatierial nicht benetzt werden, Insbesondere soll er sich auch nach dem Erhiitzungsprozeß leicht von dem Halbleiter abheben lassen. Die ganze Anordnung nach Fig. 5 wird für etwa 20 Minuten auf etwa 500° C erhitzt. Durch dien Begrenzungskörper 38 wird das geschmolzene Verunreinigungsmaterial flach gedrückt, so daß es auf seiner¹ ganzen Berührungsfläche in den Halbleiterkörper gleichmäßig schnell und tief eindiffundiert:. Somit wird eine nahezu, ebene Inversionsschichit: 40 gebildet. Wenn zwei derartige Schichten in demselben Erhitzungsprozeß auf der Ober- und! Unterseite einer dünnen Halbleiterscheibe 2 gebildet werden, treten die Ladungsträger zwischen diesen Inversdonsschichten gleichmäßiger über, als zwischen ellipsoidartigen Inversionsschichten;, wie sie ohne den Körper 38 entstehen, würden,

Die Fig. 6 veranschaulicht eine andere in ähnlicher Weise herstellbare Form der Inversionsschichten. Auf dem Halbleiterkörper 2 befindet sich das geschmolzene Aktivatormaterial 36'. Die in Fig. 6 dargestellte Form, der Vertiefung in dem Begrenzungskörper 38' bewirkt, daß die Inversionsschicht 40' annähernd ein Spiegelbild der kegeiförmigen Gestalt der Begrenzungsfläche wird. Die Form des Aktivatorkörpers bleibt nach dier Erstarrung desselben bestehen.

In Fig. 7 wird ein Abstandshalter benutzt, beispielsweise eine metallische Ringscheibe 37, die mit einer Kohleschicht 39 überzogen: ist. Auf dieser Ringscheibe und dem Aktivatorkörper 36 liegt ein Begrenzungskörper 42 auf, der seinerseits auf

. seiner Unterseite ■ einen Kohlestoffüberzug' 45 be^ sitzt. Bei dieser Anordnung entsteht ein geschlossener Raum zwischen dem Begrenzungskörper 42 und! der Oberseite 34 des Halbleiterkörpers 2, welcher das. durch die Erhitzung geschmolzene Aktivatormaterial 36 begrenzt. Dabei entsteht eine ebene Inversionsschicht 40, wie in Fig. 5, und die Dicke des Aktivatorkörpers 36 wird durch die Dicke des Ringes 37, 39 bestimmt.

In Fig. 8 wird das geschmolzene Verunreinigungsmaterial 36' durch einie beispielsweise aus Nickel oder Kupfer besteheindei Begrenzungselektrodeso geformt, die durch, das Verunreinigungsmaterial beinetzt wird. Durch das Zusammenwirken der Form der Begrenzungsielektrode 50' und der Oberflächenspannung des geschmolzenen Aktivatorkörpers 36' wird der letztere in der Mitte der Oberfläche 34 zusammengehalten. Durch Diffusion wird dann eine gekrümmte gleichrichtende ,Inversionsschicht 40' gebildet, welche etwa spiegelbildilich zur Begrenzungselektrodeso verläuft. Bei der Abkühlung wird die Elektrode festgeschmolzen und dadurch, dauernd mit dem Halbleiter verbunden, so daß sie als Anschluß und zur Wärmeableitung dient.

Fig. 9 veranschaulicht die Herstellung eines Flächentransistors. Auf der Oberseite und Unterseite 34 und 35 einer Halbleiterscheibe 2 ist je ein Aktivatorkörper 44 und 46 aus Verunreinigungsmaterial angebracht. Diese letzteren Körper werden durch die Begrenzungselektroden 48 und 50 gehalten, Eine dritte Elektrode 52, die wenigstens am Ende 53 verzinnt ist, bildet mit dem Halbleiterkörper 2 einen nicht gleichrichtenden Basiskontakt. Die drei' Elektroden sind beispielsweise an einem Stab 54 gehalten, Die ganze Anordnung¹ wird für etwa 20 Minuten in einer nicht oxydierenden Atmosphäre auf ungefähr 500⁰ C erhitzt, so daß sich die gleichrichtenden. Schichten 40 und 40' bilden, und gleichzeitig die Elektroden 48, 50 und 52 mit den, Aktivatorkörpern, 44, 46 und diese mit dem Halbleiter verschmolzen werden. Somit wird ein Transistor mit zwei einander gegenüberliegenden Inversions- oder p/n-Schichten gebildet. Die p/n-Schicht 40 ist: konvex uind, die p/n-Schicht 40' konkav, und zwar jeweils gegenüber der anderen Schicht, so¹ daß der Abstand der beiden Schichten fast konstant ist. Vorzugsweise ist die p/n-Schichtnäche'40 kleiner als die p/n-Schichtfläche^o'.

Die Fig. 10 veranschaulicht dile Herstellung einer weiteren, Ausführungsform eines Transistors. Diese Anordnung enthält einen, Halbleiterkörpern, auf dessen Ober- und Unterseite 34 bzw. 35 die Äktivatoirkörper 44 und: 46 und die Abstandshalter 37 und 41 liegen. Ein Ring 43, der aus Zinn oder aus verzinntem Metall bestehen; kann, stellt einen nicht gleichrichtenden Kontakt zu der Oberseite 34 des Halbleiterkörpers 2 her. Die Anordnung ist in ' einem Becher 58 aus Kohle oder Graphit angebracht und wird durch einen Begrenzungskörper 60 aus \ Kohle oder Graphit, der in den Becher 58 eingeschoben werden, kann, gehalten. Zur Bildung der beiden gleichrichtenden. Schichten 40 und 40" wird die ganziei Anordnung, wie oben, beschrieben, erhitzt. Der Becher 58, der Begrenzerkörper 60 und die beiden Ringscheiben 37 und 41 umschließen je einen, Raum für das geschmolzene Aktivatormaterial. Bei· dieser Anordnung kann also¹ ein HaIb^ leiter mit zwei dicht aneinianderliegenden parallelen gleichrichtenden Schichten gebildet werden. Gleichzeitig mit: der Bildung der beiden Inversionsschichten wird der Ring 43 zur Herstellung eines nicht' gleichrichtendteini Kontaktes mit dem Halbleiterkörper 2 verschmolzen.

Bei denjenigen der beschriebenen Aüsführungsformen, bei denen ein. geschlossener Raum für das geschmolzene Aktivatormaterial gebildet wird, wird durch das Gewicht der Begrenzungskörper 38, 38', 42 oder 60 bereits ein. Druck auf den Halbleiter ausgeübt. Dieser Druck kann, von außen auch noch verstärkt werden.

Claims

PATENTANSPRÜCHE:-

I. Verfahren zur Herstellung eines Flächen-Gleichrichters mit einem Halbleiterkörper und einem kleineren Aktivatorkörper aus einem Verunreiniguingsmaterial, der in die Oberfläche des Halbleiterkörpers zur Bildung einer gleichrichtenden Schicht eindiffundiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß ein Begrenzungskörper aus

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einem Material von höherem Schmelzpunkt: als das Verunreinigungsmaterial des Aktivatorkörpers auf diesen' aufgelegt wird und eine solche Form besitzt, daß er den von dem Aktivatorkörper in, geschmolzenem Zustand einzunehmenden, Raum bis zu der' sich im Halbleiter bildenden gleichrichtenden. Schicht festlegt und durch die Gestalt seiner auf dem Aktivatorkörper aufliegenden Fläche auch den Verlauf

ίο der gleichrichtenden Schicht im Halbleiterkörper bestimmt.
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch, gekennzeichnet, daß der Begrenzungskörper unter Berücksichtigung der Obernächenspan-. nu.ng des geschmolzenen Aktivatorkörpers so geformt ist, daß die 'gleichrichtende Schicht ein Spiegelbild der Berührungsfläche des Begrenzungskörpers mit dem Veruinreinigungsmaterial wird.
3. Verfahren, nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Begrenzungskörper¹ aus gut wärmeleitendem Metall besteht und mit dem Aktivatorkörper während der Erhitzung zur Bildung der gleichrichtenden Schicht verschmilzt.
4. Verfahren, nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anschlußleitung am Ende verzinnt oder mit einer geeigneten Legierung überzogen, mit dem Halbleiterkörper in Kontakt gebracht und zur Herstellung eines sperrschichtfreieh Anschlusses an den, Halbleiterkörper, während, der Bildung der gleichrichtenden. Schicht verschmolzen, wird.
5. Verfahren, nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper zunächst mit einer dünnen Schicht eines wärmebeständigen Isoliermaterials überzogen, wird mit Ausnahme derjenigen, Stelle) an der er mit einem Aktivatorkörper oder Basisanschluß verschmolzen werden soll.
6. Verfahren, nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Begrenzungskörpier becherförmig ausgebildet ist und mit dem Becherrand, auf dem Halbleiterkörper aufliegt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß nicht benetzbarer Abstandshalter zwischen dem Begreruzungskörper und, dem Halbleiterkörper angeordnet: werden.
8. Verfahren, nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungskörper an ihrer den Aktivatorkörper berührenden Fläche mit einer Schicht eines difrusionshemmendeni Materials sehr kleiner Diffusionsgeschwindigkeit, vorzugsweise mit einer Goldschicht überzogen, werden.
■ 9. Verfahren, zur Herstellung eines Halbleiterverstärkers bzw. Flächentransistors nach einem der Ansprüche 1 bis 8 unter Verwendung zweier, ungleich großer Aktivatorkörper aus Verunreinigungsmaterial, welche einander gegenüberliegend auf zwei Seiten, des Halbleiterkörpers angebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Aktivatorkörper mit einem die Form der gleichrichtenden Schicht beeimh nussenden Begrenzungskörper in Berührung steht und daß die Berührungsflächen der beiden Begrenzungskörper so· zueinander verlaufen, daß die kleinere gleichrichtende Schicht von. der größeren überall den. gleichen Abstand, besitzt.
10. Verfahren, nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Begrenzungskörper aus gut wärmeleitendem Metall besteht, daß der Halbleiterkörper, die Aktivatorkörper und die Begrenzungskörper übereinander angeordnet werden, SO' daß ein einziger Erhitzungsvorgang zur Bildung der gleichrichtenden Schichten, und, zur Verschmelzung aller Körper miteinander führt.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungskörper von dem geschmolzenen, Aktivatormaterial nicht benetzt werden und auf das Verunreinigungsmaterial während der Erhitzung einen Druck ausüben, daß ein nicht benetzbarer Abstandshalter zur Festlegung der Dicke jedes Aktivatorkörpers vorhanden, ist und ein benetzbarer Metallring mit dem Halbleiterkörper während des Erhitzungsprozesses sperrschichtfrei verschmolzen, wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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