DE976646C - Schaltungsanordnung zur UEberlagerung zweier Wechselspannungen oder -stroeme - Google Patents
Schaltungsanordnung zur UEberlagerung zweier Wechselspannungen oder -stroemeInfo
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- DE976646C DE976646C DES39691A DES0039691A DE976646C DE 976646 C DE976646 C DE 976646C DE S39691 A DES39691 A DE S39691A DE S0039691 A DES0039691 A DE S0039691A DE 976646 C DE976646 C DE 976646C
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/12—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing by means of semiconductor devices having more than two electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
Description
Es ist bereits eine Schaltungsanordnung zur Überlagerung zweier Spannungen oder Ströme bekannt,
bei der ein symmetrischer Transistor Verwendung findet. Bekanntlich sind bei symmetrischen
Transistoren Emitter- und Kollektoranschlüsse miteinander vertauschbar. Diese beiden
Elektroden werden im folgenden als Hauptelektroden bezeichnet. Bei der bekannten Anordnung werden
der Emitter- und der Kollektoranschluß mittels einer aus einer Wechselstromquelle und einer Impedanz
bestehenden Reihenschaltung verbunden und die Anordnung über die Basis mittels einer
weiteren Stromquelle gesteuert, derart, daß an der Impedanz eine modulierte oder demodulierte Spannung
entsteht, die dem Produkt der beiden von den Stromquellen gelieferten Wechselspannungen oder
-ströme proportional ist. Die Anordnung erfordert zusätzliche Ankopplungsglieder, z. B. Richtleiter,
zwischen der Steuerstromquelle und den Hauptelektroden, die je nach Polarität der Hauptelektroden
die Steuerstromquelle niederohmig mit der als Emitter wirkenden Hauptelektrode verbinden.
Die Verwendung einer solchen Schaltung als Phasendetektor ist ebenfalls bekannt.
Die oben geschilderten Nachteile vermeidet die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung zur
309 795/5
Überlagerung zweier Wechselspannungen oder -ströme, die dadurch gekennzeichnet ist, daß zwei
symmetrische, zueinander komplementäre Transistoren Verwendung finden und ihre Hauptelektroden,
die sowohl als Emitter als auch als Kollektor wirken können, paarweise so zusammengeschaltet
sind, daß je eine Hauptelektrode eines Transistors mit einer Hauptelektrode des anderen Transistors
unmittelbar verbunden ist und die so gebildeten ίο Paare untereinander über die zweite Wechselstromquelle
und den mit dieser in Reihe liegenden Ausgangswiderstand verbunden sind, und daß die erste
Wechselstromquelle zwischen den beiden Basiselektroden angeordnet ist. Je nach dem Anwendungszweck
kann als Ausgangswiderstand entweder eine Impedanz und/oder eine Gleichrichteranordnung
oder ein ohmscher Widerstand oder auch eine Kombination aus ohmschen Widerständen
und Reaktanzen Verwendung rinden. Dadurch, daß zwei symmetrische Transistoren
vorgesehen sind, die zueinander komplementär, d. h. vom Typ npn bzw. pnp sind, und die beiden
Transistoren so, wie es die Erfindung vorsieht, zusammengeschaltet sind, besitzt die Anordnung
gemäß der Erfindung den Vorteil völliger Symmetrie und bedarf außer den beiden Transistoren
und einem Schaltmittel keiner weiteren Schaltelemente.
Es ist auch bereits bekannt, in Gegentaktverstärkern
zwei komplementäre, aber nicht symmetrische Transistoren zu verwenden und diese eingangsseitig
gleichphasig zu steuern, da sie auf Grund ihres Aufbaues im Betrieb entgegengesetztes Verhalten
haben.
Es ist weiterhin vorgeschlagen worden, einen Gegentaktmodulator mit komplementären, aber
nicht symmetrischen Transistoren aufzubauen und dabei die Transistoren gegenphasig mit der Trägerfrequenz
auszusteuern.
Die Erfindung wird an Hand eines in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Die beiden zueinander komplementären Transistoren sind mit npn und pnp bezeichnet. Ihre Hauptelektroden,
die, da es sich um symmetrische Transistoren handelt, sowohl als Emitter als auch Kollektor
verwendet werden können, tragen die Bezeichnung H1, H2, H3 und H1. Die eine der vorzusehenden
Spannungsquellen B1 befindet sich in dem die Basiselektroden verbindenden Kreis, während
die zweite Spannungsquelle, die mit einem Ausgangswiderstand M in Reihe geschaltet ist, in
dem Verbindungskreis zwischen den paarweise zusammengeschalteten Hauptelektroden liegt. Hat
beispielsweise die Spannungsquelle E2 solch eine
Polarität, daß an den Elektroden H1 und Hi ein
positives und an den Elektroden H2 und H3 ein
negatives Potential herrscht, und liefert die Stromquelle E1 einen Strom, der von der Basis des pnp-Transistors
in die Basis des npn-Transistors fließt, dann wirkt die Elektrode H1 als Emitter mit positivem,
dem Emitter zufließendem Strom, und der Kollektor Hs führt einen von H3 wegfließenden
Strom. Beim npn-Transistor wirkt wegen der entgegengesetzten Polarität die Elektrode H2 als
Emitter mit von H., wegfließendem positivem Strom, der gleichwertig mit einem H2 zufließenden
Elektronenstrom ist. Dieser Strom wird durch den der Basis zufließenden Strom so gesteuert, daß der
Kollektor H1 einen H1 zufließenden Strom führt.
Beide Transistoren führen also Ströme, die sich in dem Stromzweig, in dem die Spannungsquelle
E2 und der Ausgangswiderstand M angeordnet
sind, addieren. Bei Umpolung der Stromquelle E1 werden beide Kollektoren H1 und H3 stromlos,
während die Emitter H2 und i74 sich in Sperrichtung
polen und praktisch keinen Strom führen. Bei der Umpolung der Stromquelle E2 werden lediglich
die Rollen von Emitter und Kollektor beider Transistoren vertauscht.
Es ist daher möglich, durch wechselnde Polung der Stromquelle E1 einen Stromfluß durch den Ausgangswiderstand
M hervorzurufen oder zu unterbinden unabhängig von der Polung der Stromquelle
E2. Auf diese Weise kann man also den von der Stromquelle E2 gelieferten Strom durch den
Ausgangswiderstand M im Takt der von der Spannungsquelle E1 gelieferten Steuerspannung modulieren.
In ähnlicher Weise ist auch ein Demodulationsverfahren möglich. Sind! die Frequenzen der
Spannungsquellen E1 und E2 gleich, so kann man
auf diese Weise eine Phasenmeßeinrichtung oder auch eine Schaltungsanordnung zur Phasendetektion
erhalten. In diesem Falle fließt beispielsweise durch den Ausgangswiderstand M eine Gleichstromkomponente,
deren Wert je nach Phasenlage der beiden Spannungen E1* und E2 zueinander zwischen
einem positiven und einem negativen Höchstwert schwanken kann. Durch Einfügung einer
Gleichstromanzeige, beispielsweise eines Gleichstrommessers, der durch einen Kondensator überbrückt
sein kann, kann die Phasendifferenz zwischen den beiden Spannungen gemessen oder angezeigt
werden.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE:i. Schaltungsanordnung zur Überlagerung zweier Wechselspannungen oder -ströme unter Verwendung symmetrischer Transistoren, deren Hauptelektroden sowohl als Emitter wie auch als Kollektor wirken, einer ersten Wechselstromquelle im Basiskreis und einer zweiten Wechselstromquelle, die in Reihe mit einem Ausgangs widerstand im Emitter-Kollektor-Kreis liegt, dadurch gekennzeichnet, daß zwei zueinander komplementäre Transistoren Verwendung finden und ihre Hauptelektroden paarweise so zusammengeschaltet sind, daß je eine Hauptelektrode eines Transistors mit einer Hauptelektrode des anderen Transistors unmittelbar verbunden ist und die so gebildeten Paare untereinander über die zweite Wechselstromquelle und den mit dieser in Reihe liegenden Ausgangswiderstand verbunden sind, unddaß die erste Wechselstromquclle zwischen den beiden Basiselektroden angeordnet ist.
- 2. Anwendung der Schaltungsanordnung nach Anspruch ι als Modulations- bzw. Demodulationsanordnung.
- 3. Anwendung der Schaltungsanordnung nach Anspruch ι als Phasenmeßeinrichtung.Iu Betracht gezogene Druckschriften:Deutsche Patentschriften Nr. 842804, 1 004681; 10 deutsche Auslegeschrift Nr. 1 074 128; »Electronics«, September 1952, S. 108; »Proceedings of the IRE«, Juni 1953, S. 712, 718, 719, 723.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen© 309 795/5 1.64
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES39691A DE976646C (de) | 1954-06-23 | 1954-06-23 | Schaltungsanordnung zur UEberlagerung zweier Wechselspannungen oder -stroeme |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES39691A DE976646C (de) | 1954-06-23 | 1954-06-23 | Schaltungsanordnung zur UEberlagerung zweier Wechselspannungen oder -stroeme |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE976646C true DE976646C (de) | 1964-01-23 |
Family
ID=7483372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES39691A Expired DE976646C (de) | 1954-06-23 | 1954-06-23 | Schaltungsanordnung zur UEberlagerung zweier Wechselspannungen oder -stroeme |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE976646C (de) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE842804C (de) * | 1949-03-14 | 1952-06-30 | Siemens Ag | Einen Halbleiter enthaltende Anordnung |
| DE1004681B (de) * | 1954-06-09 | 1957-03-21 | Philips Nv | Gegentaktmodulator mit Transistoren |
| DE1074128B (de) * | 1955-04-29 | 1960-01-28 | N V Philips Gloeilampenfabne ken Eindhoven (Niederlande) | Phasenempfindliche Regelschaltung mit einem Verstärk« |
-
1954
- 1954-06-23 DE DES39691A patent/DE976646C/de not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE842804C (de) * | 1949-03-14 | 1952-06-30 | Siemens Ag | Einen Halbleiter enthaltende Anordnung |
| DE1004681B (de) * | 1954-06-09 | 1957-03-21 | Philips Nv | Gegentaktmodulator mit Transistoren |
| DE1074128B (de) * | 1955-04-29 | 1960-01-28 | N V Philips Gloeilampenfabne ken Eindhoven (Niederlande) | Phasenempfindliche Regelschaltung mit einem Verstärk« |
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