DE975756C - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit mindestens einer p-n-p- bzw. n-p-n-Schicht - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit mindestens einer p-n-p- bzw. n-p-n-SchichtInfo
- Publication number
- DE975756C DE975756C DE1953S0034671 DES0034671A DE975756C DE 975756 C DE975756 C DE 975756C DE 1953S0034671 DE1953S0034671 DE 1953S0034671 DE S0034671 A DES0034671 A DE S0034671A DE 975756 C DE975756 C DE 975756C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- crystal
- melt
- plate
- semiconductor
- crystal plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 206010034719 Personality change Diseases 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
AUSGEGEBENAM 9. AUGUST 1962
S 34671 VIIIc / 21g
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen,
insbesondere von solchen für Schichtkristallgleichrichter und Schichtkristallverstärker.
Es ist bereits bekannt, daß man Kristallgleichrichter und Kristallverstärker nicht nur aus Halbleiterkristallen
mit Spitzenkontakten, sondern auch aus solchen mit flächenhaften Kontakten aufbauen
kann. Zu den Kristallgleichrichtern und -verstärkern mit flächenhaften Kontakten rechnen insbesondere
Halbleiterkörper mit sogenannten p-n-Übergängen, d. h. Halbleiterkörper, die mindestens zwei Gebiete
verschiedenen Leitfähigkeitstyps enthalten.
Bei Kristallverstärkern, die nach diesem Prinzip aufgebaut sind, befindet sich eine oder mehrere
meist dünne Schichten von bestimmtem Leitfähigkeitstyp zwischen zwei meist dickeren Schichten
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps. Wenn die mittlere Schicht η-Leitfähigkeit und die beiden
äußeren Schichten p-Leitfähigkeit haben, so spricht man von einer sogenannten p-n-p-Schicht, im umgekehrten
Falle von einer n-p-n-Schicht. Als Halbleiter für derartige Schichtkristalle werden vornehmlich
Germanium und Silizium verwendet. Der Verstärkereffekt bei diesen Schichtkristallen ist
um so besser, je schärfer der p-n-Übergang und je schmaler die mittlere Zone ist. Die Herstellung von
209 644/2
derartigen Schichtkristallanordnungen macht gewisse Schwierigkeiten.
Anordnungen, die durch Aneinanderpressen oder Aneinanderschmelzen von Kristallen verschiedenen
Leitfähigkeitstyps erhalten werden, zeigen an den Übergangsflächen Korngrenzen, die durch erhöhte
Rekombination den Gleichrichtereffekt stark reduzieren
können. Wenn man p-n-Übergänge durch Eindiffusion von Fremdatomen erzeugt, so fällt es
ίο schwer, eine hinreichend schmale Mittelzone zu erhalten. Außerdem ist es schwierig, Kontakte an
der sehr schmalen Mittelzone, die oft nur einige zehntel Millimeter dick sein darf, anzubringen.
Dasselbe gilt für Schichtkristalle, die durch Zufügen von Dotiersubstanzen während des Ziehens
von Einkristallen erzeugt wurden. Zudem ist die Herstellung von Schichtkristallen mit mehr als
zweimaligem Wechsel des Leitungstyps unmöglich bzw. sehr erschwert.
Bei der Herstellung von schichtförmigen Selen-Gleichrichtern
ist es bekannt, eine auf einer Grundplatte aufliegende Selenplatte in eine Metallschmelze
einzutauchen, um mit Herstellung einer Sperrschicht aus der Schmelze heraus gegebenenfalls
auch noch die metallische Deckelektrode aufwachsen zu lassen.
Nach dem Verfahren gemäß der Erfindung wird in die in einem Tiegel befindliche und wenig über
den Schmelzpunkt erhitzte Schmelze eines HaIbleiters bestimmten Leitfähigkeitstyps eine dünne
Platte eines Halbleiters entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps annähernd senkrecht zur Oberfläche der
Schmelze eingetaucht, so, daß die Schmelze durch die Platte vollkommen in zwei Teile getrennt wird,
und die Platte wird in der Schmelze so gekühlt, daß sich das flüssige Halbleitermaterial von der
Kristallplatte aus nach beiden Tiegelenden langsam verfestigt. Durch Wahl der Scheibenstärke läßt
sich die Dicke der Mittelzone des Schichtkristalls willkürlich bestimmen und in gewissen Grenzen
verändern. Weiter ist es bei dem Verfahren nach der Erfindung von: großem Vorteil, daß es ohne
weiteres möglich ist, den Kontaktanschluß für die Mittelzone vor Fertigstellung des Schichtkristalls
vorzunehmen und so die Schwierigkeiten, die dem Anbringen eines Kontaktes an der dünnen Mittelzone,
beispielsweise einer p-n-Schicht, entgegenstehen, zu umgehen.
, Das Verfahren gemäß der Erfindung wird in der Weise ausgeführt,, daß man aus Halbleitermaterial
des gewünschten Leitfähigkeitstyps, beispielsweise aus n-Typ-Germanium, eine dünne Platte von beispielsweise
mehreren zehntel Millimeter Dicke durch Sägen, Schleifen oder auf eine andere geeignete
Weise ausschneidet. Diese Platte wird von den durch den Trennvorgang anhaftenden kleinen
Teilchen des Halbleitermaterials gründlich, beispielsweise durch Ätzen, befreit und derart in die
Schmelze eines Halbleiters entgegengesetzter Leitfähigkeit, beispielsweise von p-Typ-Germanium,
eingetaucht, daß die Schmelze vollkommen in zwei Hälften getrennt wird. Dies geschieht am einfachsten
in der Weise, daß man der dünnen, in die Schmelze einzutauchenden Halbleiterplatte die
Form des Querschnitts des Schmelztiegels gibt. Es ist aber auch ohne weiteres möglich, im
Schmelztiegel an den Seitenwänden Schlitze vorzusehen, in welche die Kristallplatte gesteckt werden
kann. Infolge der großen Oberflächenspannung des geschmolzenen Metalls wird die Tiegelwandung
so wenig benetzt, daß das geschmolzene Metall durch diese Schlitze nicht herausfließt. In diesem
Fall kann die Kristallplatte größere Ausdehnungen, als es der Tiegelquerschnitt sonst erlaubt, haben.
Es muß dafür gesorgt werden, daß die Schmelze ganz langsam abgekühlt wird, so daß sich das Material
der Schmelze in festem Zustand an der eingesetzten Kristallplatte abscheidet. Man erreicht
das, wenn man die Kristallplatte entsprechend gegenüber dem Tiegel bzw. der Schmelze abkühlt.
Die Abkühlung der Kristallplatte kann auf mehrfache Weise erfolgen. Beispielsweise kann die in
die Schmelze eingetauchte Kristallplatte an ihrem herausragenden Teil mit einem größeren gekühlten
Metallblock in Kontakt stehen. Es ist auch möglieh, den herausragenden Teil der Kristallplatte
durch Anblasen mit gekühlten Gasströmen abzukühlen, wobei jedoch beachtet werden muß, daß
nicht die Oberfläche des flüssigen Metalls ebenfalls von dem kühlenden Gasstrom berührt wird. Am
einfachsten ist es, die Kristallplatte gleich mit einer elektrischen Zuleitung in Draht- oder Bandform
zu versehen und vermittels dieser Zuleitung die Wärme aus der Kristallplatte abzuleiten. Es ist ja
gerade ein Vorteil des Verfahrens nach der Erfindung, daß an der dünnen Mittelschicht des Schichtkristalls
die Zuleitung schon vor der Herstellung angebracht werden kann. Die einzutauchende
Kristallplatte wird zweckmäßig etwas höher gewählt als der Schmelztiegel, so daß das Metall der ioo
elektrischen Zuleitung oder der Kontaktierung auf keinen Fall mit der Schmelze in Berührung kommt.
Das Anbringen, der Zuleitung kann auf die bekannte Weise durch Anlöten, Anschweißen usw.
geschehen.
Die Kristallplatte bestimmten Leitfähigkeitstyps wird also in die erhitzte Metallschmelze entgegengesetzten
Leitfähigkeitstyps so eingesenkt, daß die Schmelze dadurch in zwei Teile, vorzugsweise in
zwei Hälften, geteilt wird. Durch Abkühlung der Kristallplatte, wie dies oben angedeutet wurde, erzielt
man ein Ankristallisieren des Materials der Schmelze auf beiden Seiten der Kristallplatte. Da
die Kristallplatte weitergekühlt und somit die Kristallisationswärme laufend abgeführt wird,
wachsen die festen, sich an der Kristallplatte abscheidenden Teile des Tiegelinhaltes von der
Kristallplatte weg gegen die Enden des Tiegels in die Schmelze hinein. Diese erstarrt also von der
Mitte aus nach dem Rande zu.
Gemäß der weiteren Ausbildung des Erfindungsgedankens können beim Erstarren der Schmelze
gleichzeitig die Elektrodenanschlüsse für die beiden äußeren Halbleiterschichten eingebracht werden.
Wenn nämlich nur noch ein kleiner Teil der Schmelze zu beiden Seiten der Kristallplatte flüssig
ist, können entsprechende Drähte oder Bänder in die Schmelze eingetaucht werden, die nach deren
Erstarren die Zuleitung zu den beiden äußeren Halbleiterschichten bilden. Nach Entfernung des
Halbleiterblockes aus dem Tiegel erhält man auf diese Weise einen Schichtkristall mit abwechselnder
n- und p-Leitfähigkeit. Derartige Anordnungen eignen sich besonders als Kristallverstärker.
Selbstverständlich können auch mehrere Kristallplatten in die Schmelze eingebracht werden, so daß
sich ein beliebig oftmaliger Wechsel des Leitfähigkeitscharakters ergibt.
Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung können gleichzeitig dotierende Stoffe in die Schmelze eingebracht
werden, dermaßen, daß die Kristallplatte an einer oder beiden Seiten mit einer dünnen
Schicht der entsprechenden Störstoffe versehen wird, bevor sie in die Schmelze eingesenkt wird. So
kann man beispielsweise auf einer Seite der ao Kristallplatte eine dünne Schicht von Störstoffen
durch Aufdampfen aufbringen. Wenn die Kristallplatte nun in die Schmelze eingetaucht wird, so verteilen
sich die Störstoffe infolge der großen Diffusionsgeschwindigkeit der Schmelze schnell und
gleichmäßig in dem geschmolzenen Halbleiter und erzeugen einen bestimmten Leitfähigkeitstyp oder
verändern die Leitfähigkeit in bestimmter Weise. Mit diesem Verfahren gelingt es beispielsweise, die
beiden äußeren Schichten gleichartiger Leitfähigkeit verschieden stark zu dotieren.
In den Figuren sind Ausführungsbeispiele für das erfindungsgemäße Verfahren dargestellt.
Fig. ι zeigt das Schema eines Schichtkristalls, Fig. 2 die Herstellung eines Schichtkristalls
nach dem Verfahren gemäß der Erfindung,
Fig. 3 die einzelnen Verfahrensschritte bei der Herstellung eines Schichtkristalls,
Fig. 4 Anschlußmöglichkeiten bei der dünnen Kristallplatte und
Fig. 5 das Verfahren, bei dem die Kristallplatte in Schlitze des Tiegels eingebracht ist.
Ein Schichtkristall, wie er beispielsweise in Fig. ι schematisch dargestellt ist, besteht aus mehreren
Schichten verschiedener Leitfähigkeit, welche mit ρ und η bezeichnet sind. Die mittlere Schicht
ist vorzugsweise nur ganz dünn, während die beiden äußeren Schichten eine größere Dicke aufweisen.
Alle drei Schichten sind mit je einer elektrischen Zuleitung versehen, wie dies in Fig. I angedeutet
ist.
Fig. 2 zeigt schematisch die Herstellung eines Schichtkristalls nach dem Verfahren gemäß der
Erfindung. In einem Schmelztiegel 1, welcher aus geeignetem reinem Material besteht und vorzugsweise
die Form des zu erzeugenden Schichtkristalls besitzt, wird eine entsprechende Menge des Halbleitermaterials
2 geschmolzen und an entsprechender Stelle die Kristallplatte 3 aus Halbleitermaterial
entgegengesetzter Leitfähigkeit so in die Schmelze 2 eingetaucht, daß diese in zwei vollkommen
getrennte Teile aufgeteilt wird. Die Kristallplatte 3 wird vorzugsweise etwas höher als
die Wandung des Tiegels gewählt, so daß die Anschlußstelle des Anschlußdrahtes 4 und dieser selbst
auf keinen Fall mit der Schmelze 2 in Berührung kommen. Durch Kühlung der Kristallplatte 3
wird erreicht, daß sich die Metallschmelze 2 von der Mitte her nach den Tiegelenden verfestigt.
Nach Abkühlung wird das ganze Gebilde dem Tiegel entnommen, geätzt, eventuell in mehrere
Einheiten zerteilt und schließlich die beiden äußeren Schichten mit entsprechenden Anschlüssen durch
Aufdampfen, Aufspritzen oder galvanisches Aufbringen von Metall und/oder durch Anlöten oder
Anschweißen von Drähten versehen. Der fertige Schichtkristall kann, wie dies bekannt ist, noch
mit einer feuchtigkeitsdichten, isolierenden Umhüllung, beispielsweise aus Kunststoff, versehen
oder in ein geeignetes Gehäuse eingebaut werden.
In Fig. 3 sind vier Phasen des erfmdungsgemäßen Herstellungsverfahrens dargestellt. Zuerst
wird, wie in Fig. 3 a angedeutet ist, der Halbleiter 2 im Tiegel 1 geschmolzen. Die Kristallplatte 3 ist zweckmäßig an ihrem Anschluß 4 derart
in der Nähe der Schmelze gehaltert, daß sie leicht in die Schmelze eingetaucht werden kann.
Ebenfalls werden zweckmäßig die Anschlußdrähte 4a für die äußeren Teile des Schichtkristalls
so oberhalb der Schmelze befestigt, daß sie ebenfalls leicht in die Schmelze, und zwar vorzugsweise
nahe am Tiegelrand, eingetaucht werden können. Wie in Fig. 3 b dargestellt, wird nun die
Kristallscheibe 3 in die Schmelze 2 eingetaucht und vorzugsweise vermittels des Anschlußdrahtes oder
Bandes 4 gekühlt, so daß sich die Schmelze in der Nähe der Kristallplatte 3 verfestigt, wie dies bei 5
angedeutet ist.
Wenn die Verfestigung der Schmelze so weit gegen die Tiegelränder fortgeschritten ist, wie dies
in Fig. 3 c beispielsweise dargestellt ist, so werden die beiden Anschlußdrähte 4a und 46 in den noch
verbleibenden flüssigen Teil 2 eingesenkt und bis zur" "vollständigen Verfestigung darin belassen.
Der so erhaltene Schichtkristall ist in Fig. 3 d dargestellt. Die Kristallplatte 3 aus Halbleitermaterial
bestimmter Leitfähigkeit ist nun in den verfestigten Block 5 von Halbleitermaterial entgegengesetzter
Leitfähigkeit eingeschlossen, in dem sich ebenfalls die beiden Zuleitungen 4a und 4& befinden. Es
ist dabei zu beachten, daß das Halbleitermaterial 5 vollkommen durch die Scheibe 3 in zwei Hälften
getrennt wird. Wenn dies nicht vollkommen der Fall sein sollte, muß der Block 5 entsprechend
weit abgeschliffen oder auf eine andere Weise abgetragen werden, bis die Kristallscheibe 3 überall
zutage tritt.
Um den Anschlußdraht 4 besser an der dünnen Kristallscheibe 3 befestigen zu können, kann es
zweckmäßig sein, die Scheibe 3 mit einer entsprechenden Verbreiterung 3a zu versehen, wie dies
in Fig. 4 a und 4b beispielsweise dargestellt ist. Der Anschlußdraht 4 wird dann nach einem der bekannten
Verfahren an der verbreiterten Stelle befestigt. Man kann aber die Kristallscheibe auch so weit
aus der Schmelze bzw. aus dem Halbleiterblock entgegengesetzter Leitfähigkeit herausragen lassen>
daß eine entsprechende Zuleitung 4 an der Breitseite der Platte befestigt werden kann, wie dies in
Fig. 4 c dargestellt ist.
In Fig. 5 ist ein Beispiel für die Herstellung eines Schichtkristalls dargestellt, bei dem der
Schmelztiegel 1 zwei Schlitze 6 enthält (oder ganz durchgesägt ist, wie in Fig. 5b angedeutet), in die
die Kristallplatte 3 eingeschoben ist, so daß sie beiderseits noch etwas über die Schlitze 6 herausragt.
Die Schmelze 2 wird dadurch ebenfalls in zwei vollkommen getrennte Teile geteilt, und das
Herausfließen des geschmolzenen Materials 2 vor dem Einschieben der Kristallplatte 3 wird durch
die starken Oberflächenkräfte des Schmelzgutes verhindert.
Claims (9)
- PATENTANSPRÜCHE:i. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit mindestens einer p-n-p- bzw. n-p-n-Schicht, vorzugsweise zur Verwendung in Schichtkristallgleichrichtern und Schichtkristallverstärkern, dadurch gekennzeichnet, daß in die in einem Tiegel befindliche und wenig über den Schmelzpunkt erhitzte Schmelze eines Halbleiters bestimmten Leitfähigkeitstyps eine dünne Platte eines Halbleiters entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps annähernd senkrecht zur Oberfläche der Schmelze ■eingetaucht wird, so, daß die Sehmelze durch die Platte vollkommen in zwei Teile getrennt wird, und daß die Platte in der Schmelze so gekühlt wird, daß sich das flüssige Halbleitermaterial von der Kristallplatte aus nach beiden Tiegelenden langsam verfestigt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristallplatte vor dem Eintauchen in die Schmelze mit einer elektrischen Zuleitung versehen wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der aus der Schmelze herausragende Rand der Platte, welcher die elektrische Zuleitung trägt, verbreitert ist.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristallplatte beim und/oder nach dem Eintauchen gekühlt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeableitung über die elektrische Zuleitung der Kristallplatte erfolgt.
- 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mehrere Scheiben gleicher oder verschiedener Leitfähigkeit eingetaucht werden.
- 7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit der Kristallplatte bzw. den Kristallplatten oder nachher in die noch flüssige Schmelze elektrische Zuleitungen eingebracht werden.
- 8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf die einzutauchende Kristallplatte bzw. die einzutauchenden Kristallplatten ein- oder beiderseitig dotierende Substanzen aufgebracht werden.In Betracht gezogene Druckschriften:
Das Elektron, Bd. 5, 1951/52, Heft 13/14, S. 430bis 433; Der Radiomarkt, - 9. Februar 1951, S. 14 bis 16.In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 974 364.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen© 509 70Ο/Ϊ73 3.56 (209 644/2 8.62)
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR65867D FR65867E (fr) | 1949-07-29 | 1953-04-24 | Triodes utilisant des cristaux tels que des cristaux de germainium |
DE1953S0034671 DE975756C (de) | 1953-08-04 | 1953-08-04 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit mindestens einer p-n-p- bzw. n-p-n-Schicht |
CH332637D CH332637A (de) | 1953-08-04 | 1954-07-28 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen |
GB2229854A GB754289A (en) | 1953-08-04 | 1954-07-30 | Method of producing semiconductor junction crystals (p-n-p-crystals) |
FR67258D FR67258E (fr) | 1949-07-29 | 1954-08-03 | Triodes utilisant des cristaux tels que des cristaux de germanium |
FR69063D FR69063E (fr) | 1949-07-29 | 1955-03-03 | Triodes utilisant des cristaux tels que des cristaux de germanium |
FR69069D FR69069E (fr) | 1949-07-29 | 1955-04-07 | Triodes utilisant des cristaux tels que des cristaux de germanium |
FR69071D FR69071E (fr) | 1950-06-09 | 1955-06-10 | Triodes utilisant des cristaux tels que des cristaux de germanium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1953S0034671 DE975756C (de) | 1953-08-04 | 1953-08-04 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit mindestens einer p-n-p- bzw. n-p-n-Schicht |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE975756C true DE975756C (de) | 1962-08-09 |
Family
ID=7481604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1953S0034671 Expired DE975756C (de) | 1949-07-29 | 1953-08-04 | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit mindestens einer p-n-p- bzw. n-p-n-Schicht |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH332637A (de) |
DE (1) | DE975756C (de) |
GB (1) | GB754289A (de) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE974364C (de) * | 1952-06-19 | 1960-12-01 | Sylvania Electric Prod | Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleiterkoerpern durch Eintauchen in eine Schmelze |
-
1953
- 1953-08-04 DE DE1953S0034671 patent/DE975756C/de not_active Expired
-
1954
- 1954-07-28 CH CH332637D patent/CH332637A/de unknown
- 1954-07-30 GB GB2229854A patent/GB754289A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE974364C (de) * | 1952-06-19 | 1960-12-01 | Sylvania Electric Prod | Verfahren zur Herstellung von P-N-Schichten in Halbleiterkoerpern durch Eintauchen in eine Schmelze |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH332637A (de) | 1958-09-15 |
GB754289A (en) | 1956-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2654063A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial | |
DE713970C (de) | Verfahren zur Herstellung doppelseitiger Mosaikelektroden | |
DE112018001998B4 (de) | Basismaterial, formpackung, die dasselbe verwendet, basismaterialherstellungsverfahren und formpackungsherstellungsverfahren | |
DE1093484B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere pnp- oder npn-Leistungstransistoren | |
DE1130522B (de) | Flaechentransistor mit anlegierten Emitter- und Kollektorelektroden und Legierungs-verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1106422B (de) | Blattfoermig zusammengesetztes, aus mehreren Lagen bestehendes Plaettchen aus Elektrodenmaterial zum Einlegieren von p-n-UEbergaengen in Halbleiteranordnungen | |
DE2450817A1 (de) | Temperaturgradienten-zonenschmelzverfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen | |
DE2517252A1 (de) | Halbleiterelement | |
DE975756C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit mindestens einer p-n-p- bzw. n-p-n-Schicht | |
DE2659303A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiterelementen | |
DE19880108C2 (de) | Blockplatte aus einem thermoelektrischen Material, daraus geschnittene rechteckige Stange sowie Verfahren zur Herstellung einer derartigen Blockplatte | |
DE955624C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen | |
DE2604351A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen, bei dem eine halbleitermaterialschicht auf einem substrat angebracht wird, vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnungen | |
DE2408402A1 (de) | Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen bzw. nach einem solchen verfahren hergestellte integrierte halbleiterschaltungseinheit | |
DES0034671MA (de) | ||
DE2607911A1 (de) | Verfahren zur reinigung eines germaniumkoerpers | |
DE1961230C3 (de) | Verfahren zum Passivieren eines PN-Übergänge aufweisenden Halbleiterkörpers und Anwendung des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE1137078B (de) | Halbleitervorrichtung mit mehreren stabilen Halbleiterelementen | |
DE2855972C2 (de) | Halbleiteranordnung mit zwei integrierten und antiparallel geschalteten Dioden sowie Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2709628A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleitern | |
DE1277446B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit vollstaendig gekapseltem Halbleiterelement | |
AT212374B (de) | Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems, z. B. eines Transistors | |
DE1414620B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer thermoelektrischen vorrichtung und halbleitende staebe zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE1097571B (de) | Flaechentransistor mit drei Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps | |
DE1256801B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, z. B. eines Transistors |