DE970153C - Kristalldiode mit einem in einem zylindrischen Gehaeuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossenen Spitzenkontakt - Google Patents

Kristalldiode mit einem in einem zylindrischen Gehaeuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossenen Spitzenkontakt

Info

Publication number
DE970153C
DE970153C DEB19806A DEB0019806A DE970153C DE 970153 C DE970153 C DE 970153C DE B19806 A DEB19806 A DE B19806A DE B0019806 A DEB0019806 A DE B0019806A DE 970153 C DE970153 C DE 970153C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
glass
crystal
crystal diode
hermetically sealed
cylindrical housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEB19806A
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas Hilary Kinman
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
British Thomson Houston Co Ltd
Original Assignee
British Thomson Houston Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by British Thomson Houston Co Ltd filed Critical British Thomson Houston Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE970153C publication Critical patent/DE970153C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J5/00Details relating to vessels or to leading-in conductors common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J5/32Seals for leading-in conductors
    • H01J5/44Annular seals disposed between the ends of the vessel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C03C27/04Joining glass to metal by means of an interlayer
    • C03C27/042Joining glass to metal by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, glass-ceramic or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • C03C27/044Joining glass to metal by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, glass-ceramic or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts of glass, glass-ceramic or ceramic material only
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10Containers or parts thereof
    • H10W76/12Containers or parts thereof characterised by their shape
    • H10W76/15Containers comprising an insulating or insulated base

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Kristalldiode mit Spitzenkontakt, der in einem zylindrischen Gehäuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossen ist.
Bei der vorliegenden Kristalldiode sind zwei in Berührung miteinander kommende Teile in einem Gehäuse untergebracht und an einander gegenüberliegenden Enden dieses Gehäuses angeordnet. Einer dieser Teile wird dabei durch einen Halbleiterkristall dargestellt und besteht z. B. aus Germanium. Der andere Teil, der sich von dem anderen Ende des Gehäuses so erstreckt, daß er in Berührung mit dem Kristall kommt, ist in Form eines Metalldrahtes ausgebildet und wird im allgemeinen als Spitzenelektrode bezeichnet.
Die vorliegende Kristalldiode stellt eine Verbesserung der bisher bekannten Kristalldioden dar, die höhere Betriebstemperaturen aushält und hermetisch abgeschlossen ist, wodurch verhindert wird, daß die Kristalldiode von Witterungseinflüssen betroffen wird. Ferner ist es möglich, sie mit kleineren Abmessungen sowie billiger herzustellen als bisher üblich.
Man hat bereits eine Form einer Kristalldiode in Vorschlag gebracht, deren Gehäuse aus einer glokkenförmigen Glashülle besteht, deren nach Art einer üblichen Lampenfassung mit Gewinde versehener Sockel die Drahtzuführungen sowie einen Kristallträger und einen Metalldraht aufweist.
Man hat auch bereits eine Kristalldiode in Vorschlag gebracht, deren Gehäuse aus keramischem Material besteht, wobei die Zuleitungsenden durch verlötete Metallkappen geschlossen werden, was die
809' 595/73
Komplikation zur Folge hat, daß die Röhrenenden durch Einbrennen eines Metalltiberzugs metallisiert werden, so daß der Metallüberzug durch eine zusätzliche elektrolyte Schicht verstärkt werden muß.
Man hat auch bereits bei der Herstellung von aus Glas verfertigten Radioröhren Kolben und Bodenplatte mittels einer Glasur verbunden, deren Erweichungspunkt beträchtlich niedriger liegt als der
ίο Erweichungspunkt des Glases, so daß die Glasur als eine Art »Klebemittel« dient. Ein solches »Glaslot« wurde indes noch nicht als Glaspfropfen bei der Herstellung von Kristalldioden mit Spitzenkontakt angewandt.
Bei einer Kristalldiode mit Spitzenkontakt, der in einem zylindrischen Gehäuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossen ist, sind gemäß der Erfindung in die Glasrohrenden Glaspfropfen aus einem niedriger als das Glas des Rohres schmelzenden Glas bzw. aus
ao »Glaslot« mit je einer Elektrodendurchführung eingeschmolzen, wobei die Glaspfropfen einen flanschartigen Rand, der über den Rohrrand reicht, und ein Kernstück, das in das Rohr hineinragt, aufweisen.
Zweckmäßig benutzt man dabei Glaspfropfen, deren Schmelzpunkt höher ist als die zur Verlötung der Zuführungsleitung mit dem Kristall erforderliche Temperatur.
Bei der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsform der Erfindung wird ein kurzes Stück eines Glasrohres 1 als Umhüllung verwendet. Es werden dann zwei Glaspfropfen 2 aus Glas mit niedrigem Schmelzpunkt, z. B. aus »Glaslot«, gebildet, die dicht an das Innere der Röhre passende Vorsprünge und auf den Enden der Röhre attfliegende Flansche 4 besitzen. Der Kristall 5 ist in eine dieser Dichtungen eingeschmolzen, wobei ein Zuführungsdraht 6 vorher an dem Kristall angelötet und durch eine Öffnung in der Dichtung geführt wird.
In einer anderen Ausführungsform kann der Draht, an dem der Kristall befestigt ist, zunächst in den weichen Glaspfropfen eingeschmolzen und der Flansch des letzteren dann mit der Röhre verschmolzen sein. Beide Arbeitsgänge können auch gleichzeitig vorgenommen werden. Der Kristall 5 wird zuletzt mit dem Draht, der sich an dem einen Ende der Glasrohre nach innen erstreckt, bei einer Temperatur verlötet, die etwas niedriger als diejenige ist, die für das Schmelzen des weichen Glases erforderlich ist. Beide Temperaturen liegen im allgemeinen höher als jede Temperatur, der der Körper der Kristallanordnung beim praktischen Gebrauch ausgesetzt ist.
Die Spitzenelektrode 7 geht durch eine öffnung des anderen Glaspfropfens und berührt den Kristall 5. Die Teile werden dann in einer geeigneten Form angeordnet, wobei die Spitzenelektrode mit dem Kristall in Berührung steht. Heizelemente, wie z. B. elektrisch beheizte Spulen od. dgl. Vorrichtungen, werden so angeordnet, daß die Hitze an den Enden der Umhüllung örtlich zur Wirkung kommt. Die Spulen können dann unter Strom gesetzt werden, und durch Einstellung des Berührungsdrucks in der Form werden die Glaspfropfen 2 veranlaßt, die Glasrohre und die Drähte miteinander zu verschmelzen, so daß ein guter, hermetischer Verschluß erzielt wird. Infolge der örtlichen Anwendung der Hitze wird der Kristall nicht so stark erwärmt, daß er irgendwelchen Schaden erleidet, ehe der Verschluß gebildet ist. Auf diese Weise werden die Spitzenelektrode und der Kristall hermetisch in der Umhüllung eingeschlossen und vor Witterungseinflüssen geschützt.
Die vorstehend beschriebene Kristalldiode kann mit geringen Unkosten hergestellt werden, wozu beiträgt, daß die Glaspfropfen an beiden Enden dieselbe Form und Größe haben. Die Kristalldiode kann in Massenproduktion gefertigt und alle Teile können leicht zusammengebaut und miteinander verbunden werden.

Claims (2)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Kristalldiode mit Spitzenkontakt, der in einem zylindrischen Gehäuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß in die Glasrohrenden Glaspfropfen aus einem niedriger als das Glas des Rohres schmelzenden Glas bzw. aus »Glaslot« mit je einer Elektrodendurchführung eingeschmolzen sind und daß die Glaspfropfen einen flanschartigen Rand, der über den Rohrrand reicht, und ein Kernstück, das in das Rohr hineinragt, aufweisen.
2. Kristalldiode nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelzpunkt der Glaspfropfen höher ist als die zur Verlötung der Zuführungsleitung mit dem Kristall erforderliche Temperatur.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 320 435;
schweizerische Patentschrift Nr. 240 679;
USA.-Patentschriften Nr. 756 676, 2 419 561;
»Funkschau« (1950), H. 14, S. 210, H. 12, S. 185; »Philips Technische Rundschau«, Bd. S (1946), S. 290, 291.
Hierzu r Blatt Zeichnungen
© «09 595/73 ».
DEB19806A 1951-04-03 1952-04-02 Kristalldiode mit einem in einem zylindrischen Gehaeuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossenen Spitzenkontakt Expired DE970153C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB7706/51A GB691708A (en) 1951-04-03 1951-04-03 Improvements in and relating to crystal valves or rectifiers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE970153C true DE970153C (de) 1958-08-21

Family

ID=31198361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEB19806A Expired DE970153C (de) 1951-04-03 1952-04-02 Kristalldiode mit einem in einem zylindrischen Gehaeuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossenen Spitzenkontakt

Country Status (5)

Country Link
US (1) US2633489A (de)
DE (1) DE970153C (de)
FR (1) FR1058997A (de)
GB (1) GB691708A (de)
NL (1) NL83002C (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2790941A (en) * 1952-03-27 1957-04-30 Sylvania Electric Prod Terminal lead construction and method, and semiconductor unit
USRE25161E (en) * 1953-03-24 1962-04-17 Filament bar casing and method
BE527571A (de) * 1953-05-26
US2825856A (en) * 1953-05-29 1958-03-04 Sylvania Electric Prod Sealed semiconductor devices
US2863106A (en) * 1953-07-09 1958-12-02 Itt Crystal rectifier and manufacture thereof
DE976378C (de) * 1953-12-24 1963-08-14 Siemens Ag Verfahren zum Verschliessen von Gehaeusen fuer elektrische Halbleiteranordnungen mittels Erwaermung
DE1041181B (de) * 1954-01-08 1958-10-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer vakuumdicht verschlossenen Fototransistoranordnung
USRE25875E (en) * 1954-11-22 1965-10-12 Crystal diode
US2937439A (en) * 1956-11-21 1960-05-24 Texas Instruments Inc Method of making ohmic connections to semiconductor devices
US3064341A (en) * 1956-12-26 1962-11-20 Ibm Semiconductor devices
US2929137A (en) * 1957-01-04 1960-03-22 Texas Instruments Inc Method of making ohmic connections to silicon semiconductor devices
US2882466A (en) * 1957-03-05 1959-04-14 Gahagan Inc Broadband microwave point contact rectifier
NL251301A (de) * 1959-05-06 1900-01-01
NL6512980A (de) * 1965-10-07 1967-04-10

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US756676A (en) * 1902-11-10 1904-04-05 Internat Wireless Telegraph Company Wave-responsive device.
DE320435C (de) * 1918-08-24 1920-04-22 Johannes Nienhold Beruehrungsdetektor
CH240679A (de) * 1944-05-11 1946-01-15 Bank Fuer Elektrische Unterneh Trockengleichrichter.
US2419561A (en) * 1941-08-20 1947-04-29 Gen Electric Co Ltd Crystal contact of which one element is mainly silicon

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1633059A (en) * 1923-03-12 1927-06-21 Harry C Adam Crystal detector
US1792781A (en) * 1925-02-19 1931-02-17 Erich F Huth G M B H Method of generating oscillations

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US756676A (en) * 1902-11-10 1904-04-05 Internat Wireless Telegraph Company Wave-responsive device.
DE320435C (de) * 1918-08-24 1920-04-22 Johannes Nienhold Beruehrungsdetektor
US2419561A (en) * 1941-08-20 1947-04-29 Gen Electric Co Ltd Crystal contact of which one element is mainly silicon
CH240679A (de) * 1944-05-11 1946-01-15 Bank Fuer Elektrische Unterneh Trockengleichrichter.

Also Published As

Publication number Publication date
FR1058997A (fr) 1954-03-22
GB691708A (en) 1953-05-20
US2633489A (en) 1953-03-31
NL83002C (de) 1956-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE970153C (de) Kristalldiode mit einem in einem zylindrischen Gehaeuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossenen Spitzenkontakt
DE3051177C2 (de)
DE2808531A1 (de) Lichtgetriggertes hochleistungs-halbleiterbauelement
DE1039645B (de) In ein Metallgehaeuse mit isolierten Leitungsdurchfuehrungen eingeschlossene Halbleiter-Kristallode
DE1133833B (de) Hermetisch dicht schliessend gekapselte Halbleiteranordnung
DE3615944A1 (de) Elektrische lampe
DE663337C (de) Verfahren zum Einschmelzen von Wolframdraht in Quarz mittels Zwischenglaeser
DE2207009C3 (de) Überspannungsableiter
DE3234381A1 (de) Flachgehaeuse fuer mikroschaltungen
EP0003034B1 (de) Gehäuse für eine Leistungshalbleiterbauelement
DE1188730B (de) Anordnung zur Herstellung von Halbleiterdioden mit hermetisch abgeschlossener Glasumhuellung
DE2920042C2 (de)
DE1933130C3 (de) Stromdurchführung für einen Kolben einer mit hoher Stromstärke betriebenen elektrischen Einrichtung, insbesondere einer elektrischen Lampe
DE907808C (de) Stromdurchfuehrung durch Waende aus Glas oder Quarz
DE810533C (de) Elektrische Entladungsroehre
DE2915556A1 (de) Elektrische lampe
DE2915631A1 (de) In glas eingekapselte halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE1900425B2 (de) Präzisionsschichtwiderstand in einem dampfundurchlässigen Gehäuse
DE936999C (de) Elektrische Entladungsroehre
DE3032172A1 (de) Lichtaktivierbare halbleitervorrichtung.
DE2744991A1 (de) Gluehlampe mit sockel ohne zementierung
DE712733C (de) Entladungsroehre mit Metallkolben
DE734256C (de) Verbindung der Mittelelektrode von Zuendkerzen mit dem keramischen Isolator
DE916276C (de) Verfahren zur Herstellung von Verschmelzungen zwischen einem Keramikkoerper und Metallteilen
DE2604740A1 (de) Plasmaroehre und verfahren zu ihrer herstellung