DE970153C - Kristalldiode mit einem in einem zylindrischen Gehaeuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossenen Spitzenkontakt - Google Patents
Kristalldiode mit einem in einem zylindrischen Gehaeuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossenen SpitzenkontaktInfo
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Kristalldiode mit Spitzenkontakt, der in einem zylindrischen Gehäuse
mit Glasrohr hermetisch abgeschlossen ist.
Bei der vorliegenden Kristalldiode sind zwei in Berührung miteinander kommende Teile in einem
Gehäuse untergebracht und an einander gegenüberliegenden Enden dieses Gehäuses angeordnet. Einer
dieser Teile wird dabei durch einen Halbleiterkristall dargestellt und besteht z. B. aus Germanium.
Der andere Teil, der sich von dem anderen Ende des Gehäuses so erstreckt, daß er in Berührung mit dem
Kristall kommt, ist in Form eines Metalldrahtes ausgebildet und wird im allgemeinen als Spitzenelektrode
bezeichnet.
Die vorliegende Kristalldiode stellt eine Verbesserung der bisher bekannten Kristalldioden dar, die
höhere Betriebstemperaturen aushält und hermetisch abgeschlossen ist, wodurch verhindert wird,
daß die Kristalldiode von Witterungseinflüssen betroffen wird. Ferner ist es möglich, sie mit kleineren
Abmessungen sowie billiger herzustellen als bisher üblich.
Man hat bereits eine Form einer Kristalldiode in Vorschlag gebracht, deren Gehäuse aus einer glokkenförmigen
Glashülle besteht, deren nach Art einer üblichen Lampenfassung mit Gewinde versehener
Sockel die Drahtzuführungen sowie einen Kristallträger und einen Metalldraht aufweist.
Man hat auch bereits eine Kristalldiode in Vorschlag gebracht, deren Gehäuse aus keramischem
Material besteht, wobei die Zuleitungsenden durch verlötete Metallkappen geschlossen werden, was die
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Komplikation zur Folge hat, daß die Röhrenenden durch Einbrennen eines Metalltiberzugs metallisiert
werden, so daß der Metallüberzug durch eine zusätzliche elektrolyte Schicht verstärkt werden
muß.
Man hat auch bereits bei der Herstellung von aus Glas verfertigten Radioröhren Kolben und Bodenplatte
mittels einer Glasur verbunden, deren Erweichungspunkt beträchtlich niedriger liegt als der
ίο Erweichungspunkt des Glases, so daß die Glasur als
eine Art »Klebemittel« dient. Ein solches »Glaslot« wurde indes noch nicht als Glaspfropfen bei der Herstellung
von Kristalldioden mit Spitzenkontakt angewandt.
Bei einer Kristalldiode mit Spitzenkontakt, der in einem zylindrischen Gehäuse mit Glasrohr hermetisch
abgeschlossen ist, sind gemäß der Erfindung in die Glasrohrenden Glaspfropfen aus einem niedriger
als das Glas des Rohres schmelzenden Glas bzw. aus
ao »Glaslot« mit je einer Elektrodendurchführung eingeschmolzen, wobei die Glaspfropfen einen flanschartigen
Rand, der über den Rohrrand reicht, und ein Kernstück, das in das Rohr hineinragt, aufweisen.
Zweckmäßig benutzt man dabei Glaspfropfen, deren Schmelzpunkt höher ist als die zur Verlötung der Zuführungsleitung mit dem Kristall erforderliche Temperatur.
Zweckmäßig benutzt man dabei Glaspfropfen, deren Schmelzpunkt höher ist als die zur Verlötung der Zuführungsleitung mit dem Kristall erforderliche Temperatur.
Bei der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsform der Erfindung wird ein kurzes Stück
eines Glasrohres 1 als Umhüllung verwendet. Es werden dann zwei Glaspfropfen 2 aus Glas mit
niedrigem Schmelzpunkt, z. B. aus »Glaslot«, gebildet, die dicht an das Innere der Röhre passende
Vorsprünge und auf den Enden der Röhre attfliegende Flansche 4 besitzen. Der Kristall 5 ist in
eine dieser Dichtungen eingeschmolzen, wobei ein Zuführungsdraht 6 vorher an dem Kristall angelötet
und durch eine Öffnung in der Dichtung geführt wird.
In einer anderen Ausführungsform kann der Draht, an dem der Kristall befestigt ist, zunächst
in den weichen Glaspfropfen eingeschmolzen und der Flansch des letzteren dann mit der Röhre verschmolzen
sein. Beide Arbeitsgänge können auch gleichzeitig vorgenommen werden. Der Kristall 5
wird zuletzt mit dem Draht, der sich an dem einen Ende der Glasrohre nach innen erstreckt, bei einer
Temperatur verlötet, die etwas niedriger als diejenige ist, die für das Schmelzen des weichen Glases
erforderlich ist. Beide Temperaturen liegen im allgemeinen höher als jede Temperatur, der der Körper
der Kristallanordnung beim praktischen Gebrauch ausgesetzt ist.
Die Spitzenelektrode 7 geht durch eine öffnung des anderen Glaspfropfens und berührt den Kristall
5. Die Teile werden dann in einer geeigneten Form angeordnet, wobei die Spitzenelektrode mit
dem Kristall in Berührung steht. Heizelemente, wie z. B. elektrisch beheizte Spulen od. dgl. Vorrichtungen,
werden so angeordnet, daß die Hitze an den Enden der Umhüllung örtlich zur Wirkung kommt.
Die Spulen können dann unter Strom gesetzt werden, und durch Einstellung des Berührungsdrucks in
der Form werden die Glaspfropfen 2 veranlaßt, die Glasrohre und die Drähte miteinander zu verschmelzen,
so daß ein guter, hermetischer Verschluß erzielt wird. Infolge der örtlichen Anwendung der Hitze
wird der Kristall nicht so stark erwärmt, daß er irgendwelchen Schaden erleidet, ehe der Verschluß
gebildet ist. Auf diese Weise werden die Spitzenelektrode und der Kristall hermetisch in der Umhüllung
eingeschlossen und vor Witterungseinflüssen geschützt.
Die vorstehend beschriebene Kristalldiode kann mit geringen Unkosten hergestellt werden, wozu
beiträgt, daß die Glaspfropfen an beiden Enden dieselbe Form und Größe haben. Die Kristalldiode
kann in Massenproduktion gefertigt und alle Teile können leicht zusammengebaut und miteinander verbunden
werden.
Claims (2)
1. Kristalldiode mit Spitzenkontakt, der in einem zylindrischen Gehäuse mit Glasrohr hermetisch
abgeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß in die Glasrohrenden Glaspfropfen aus
einem niedriger als das Glas des Rohres schmelzenden Glas bzw. aus »Glaslot« mit je einer
Elektrodendurchführung eingeschmolzen sind und daß die Glaspfropfen einen flanschartigen
Rand, der über den Rohrrand reicht, und ein Kernstück, das in das Rohr hineinragt, aufweisen.
2. Kristalldiode nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelzpunkt der
Glaspfropfen höher ist als die zur Verlötung der Zuführungsleitung mit dem Kristall erforderliche
Temperatur.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 320 435;
schweizerische Patentschrift Nr. 240 679;
USA.-Patentschriften Nr. 756 676, 2 419 561;
»Funkschau« (1950), H. 14, S. 210, H. 12, S. 185; »Philips Technische Rundschau«, Bd. S (1946), S. 290, 291.
schweizerische Patentschrift Nr. 240 679;
USA.-Patentschriften Nr. 756 676, 2 419 561;
»Funkschau« (1950), H. 14, S. 210, H. 12, S. 185; »Philips Technische Rundschau«, Bd. S (1946), S. 290, 291.
Hierzu r Blatt Zeichnungen
© «09 595/73 ».
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB7706/51A GB691708A (en) | 1951-04-03 | 1951-04-03 | Improvements in and relating to crystal valves or rectifiers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE970153C true DE970153C (de) | 1958-08-21 |
Family
ID=31198361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEB19806A Expired DE970153C (de) | 1951-04-03 | 1952-04-02 | Kristalldiode mit einem in einem zylindrischen Gehaeuse mit Glasrohr hermetisch abgeschlossenen Spitzenkontakt |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US2633489A (de) |
| DE (1) | DE970153C (de) |
| FR (1) | FR1058997A (de) |
| GB (1) | GB691708A (de) |
| NL (1) | NL83002C (de) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2790941A (en) * | 1952-03-27 | 1957-04-30 | Sylvania Electric Prod | Terminal lead construction and method, and semiconductor unit |
| USRE25161E (en) * | 1953-03-24 | 1962-04-17 | Filament bar casing and method | |
| BE527571A (de) * | 1953-05-26 | |||
| US2825856A (en) * | 1953-05-29 | 1958-03-04 | Sylvania Electric Prod | Sealed semiconductor devices |
| US2863106A (en) * | 1953-07-09 | 1958-12-02 | Itt | Crystal rectifier and manufacture thereof |
| DE976378C (de) * | 1953-12-24 | 1963-08-14 | Siemens Ag | Verfahren zum Verschliessen von Gehaeusen fuer elektrische Halbleiteranordnungen mittels Erwaermung |
| DE1041181B (de) * | 1954-01-08 | 1958-10-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer vakuumdicht verschlossenen Fototransistoranordnung |
| USRE25875E (en) * | 1954-11-22 | 1965-10-12 | Crystal diode | |
| US2937439A (en) * | 1956-11-21 | 1960-05-24 | Texas Instruments Inc | Method of making ohmic connections to semiconductor devices |
| US3064341A (en) * | 1956-12-26 | 1962-11-20 | Ibm | Semiconductor devices |
| US2929137A (en) * | 1957-01-04 | 1960-03-22 | Texas Instruments Inc | Method of making ohmic connections to silicon semiconductor devices |
| US2882466A (en) * | 1957-03-05 | 1959-04-14 | Gahagan Inc | Broadband microwave point contact rectifier |
| NL251301A (de) * | 1959-05-06 | 1900-01-01 | ||
| NL6512980A (de) * | 1965-10-07 | 1967-04-10 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US756676A (en) * | 1902-11-10 | 1904-04-05 | Internat Wireless Telegraph Company | Wave-responsive device. |
| DE320435C (de) * | 1918-08-24 | 1920-04-22 | Johannes Nienhold | Beruehrungsdetektor |
| CH240679A (de) * | 1944-05-11 | 1946-01-15 | Bank Fuer Elektrische Unterneh | Trockengleichrichter. |
| US2419561A (en) * | 1941-08-20 | 1947-04-29 | Gen Electric Co Ltd | Crystal contact of which one element is mainly silicon |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1633059A (en) * | 1923-03-12 | 1927-06-21 | Harry C Adam | Crystal detector |
| US1792781A (en) * | 1925-02-19 | 1931-02-17 | Erich F Huth G M B H | Method of generating oscillations |
-
1951
- 1951-04-03 GB GB7706/51A patent/GB691708A/en not_active Expired
-
1952
- 1952-03-25 US US278367A patent/US2633489A/en not_active Expired - Lifetime
- 1952-03-28 NL NL168469A patent/NL83002C/xx active
- 1952-04-02 DE DEB19806A patent/DE970153C/de not_active Expired
- 1952-04-02 FR FR1058997D patent/FR1058997A/fr not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US756676A (en) * | 1902-11-10 | 1904-04-05 | Internat Wireless Telegraph Company | Wave-responsive device. |
| DE320435C (de) * | 1918-08-24 | 1920-04-22 | Johannes Nienhold | Beruehrungsdetektor |
| US2419561A (en) * | 1941-08-20 | 1947-04-29 | Gen Electric Co Ltd | Crystal contact of which one element is mainly silicon |
| CH240679A (de) * | 1944-05-11 | 1946-01-15 | Bank Fuer Elektrische Unterneh | Trockengleichrichter. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1058997A (fr) | 1954-03-22 |
| GB691708A (en) | 1953-05-20 |
| US2633489A (en) | 1953-03-31 |
| NL83002C (de) | 1956-10-15 |
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