DE968580C - Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern

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DE968580C
DE968580C DEP4871D DEP0004871D DE968580C DE 968580 C DE968580 C DE 968580C DE P4871 D DEP4871 D DE P4871D DE P0004871 D DEP0004871 D DE P0004871D DE 968580 C DE968580 C DE 968580C
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DE
Germany
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selenide
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metal
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DEP4871D
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Manfred Wagner
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Standard Elektrik AG
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Standard Elektrik AG
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/105Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive

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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern Bei den bekannten Trockengleichrichtern ist zwischen meistens plattenförmig- ausgebildeten Elektroden eine feste Ventilschicht angeordnet. Diese Schicht besteht beispielsweise aus Selen, Selenverbindungen usw. Bei diesen Gleichrichtern wird auf eine aufgerauhte Trägerplatte unter Vermeidung von Übergangswiderständen die Ventilschicht in kristalliner Form aufgebracht. Auf die Oberfläche der Ventilschicht wird gewöhnlich nach einem Spritzverfahren eine niedrigschmelzende Gegenelektrode aus Metall so aufgebracht, daß sich zwischen der Ventilschicht und dieser Gegenelektrode die sogenannte Sperrschicht ausbildet.
  • Es ist bekannt, daß Reaktionen zwischen der Ventilschicht, beispielsweise dem Selen, und dem Metall der Gegenelektrode, beispielsweise aus Magnesium, vielfach die Ausbildung der Sperrschicht begünstigen, so daß sich sehr hohe Sperrwiderstände ergeben. Bei der Verwendung von Magnesium ist jedoch die Tatsache nachteilig, daß die Reaktion fortschreitet, bis praktisch das ganze Magnesium mit dem Selen zur Reaktion gekommen ist. Durch diesen Vorgang wird auch der Flußwiderstand des Gleichrichters in der Durchgangsrichtung in unerwünschtem Maße erhöht. Ferner ist das sich bildende Magnesiumselenid in feuchter Luft unbeständig.
  • Zur Vermeidung dieser Nachteile wird bei der Herstellung von Trockengleichrichtern erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß ein Selenid der Metalle Kadmium, Zink, Mangan, Molybdän oder Arsen mt einem Widerstand von mehr als rooo Ohm - ctn durch Umwandlung einer auf die Halbleiterschicht aufgebrachten Metallschicht durch Reaktion mit dieser erzeugt wird und anschließend das Aufbringen der Deckelektrode aus einem anderen, gegenüber der Ventilschicht praktisch beständigen Material auf die fertige Selenidschicht erfolgt.
  • Die Metalle werden also auf die Selenoberfläche aufgebracht und durch Reaktion mit dem Selen in Selenide übergeführt. Die Umwandlung der aufgebrachten Metalle in Selenide wird am einfachsten durch Erhitzen bewirkt.
  • Nach dieser Oberflächenbehandlung des Selens wird die Gleichrichterscheibe in üblicher Weise mit der Gegenelektrode versehen und elektrisch formiert.
  • So hergestellte Gleichrichterscheiben zeigen einen erhöhten Sperrwiderstand und haben eine sehr hohe Durchschlagsfestigkeit. Die gleichzeitige Erhöhung des Flußwiderstandes in der Durchgangsrichtung ist nur unwesentlich.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, bei welchen sich zwischen der Halbleiterschicht und der Deckelektrode eine Schicht aus Metallselenid befindet, dadurch gekennzeichnet, daß ein Selenid der Metalle Kadmium, Zink, Mangan, Molybdän oder Arsen mit einem Widerstand von mehr als Iooo Ohm # cm durch Umwandlung einer auf die Halbleiterschicht aufgebrachten Metallschicht durch Reaktion mit dieser erzeugt wird und anschließend das Aufbringen der Deckelektrode aus einem anderen, gegenüber der Ventilschicht praktisch beständigen Material auf die fertige Selenidschicht erfolgt. In Betracht gezogene Druckschriften: Schweizerische Patentschriften Nr. 24o 674, 248 334; österreichische Patentschrift Nr. 153 I34; britische Patentschrift Nr. 522 o92; Zeitschrift für Physik, Bd. II8, 1944 S. I99 bis 2o9; Zeitschrift für Elektrochemie, Bd. 50, I944, Nr. II/I2, S. 28I; ASEA-Journal, August I939, S. II7; »Prager Berichte«, I944 (Dr. W. Koch und Dr. S. Poganski); »Fiat-Final-Report«, Nr. 7o6, S. I4/I5; »Bios-Final-Report«, Nr: 1751, S. 20; Nr. 725, S.34.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT153134B (de) * 1936-06-13 1938-04-11 Aeg Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern.
GB522092A (en) * 1938-08-10 1940-06-07 British Thomson Houston Co Ltd Improvements relating to electric dry rectifiers
CH240674A (de) * 1941-06-26 1946-01-15 Philips Nv Sperrschichtzelle und Verfahren zu deren Herstellung.
CH248334A (de) * 1943-12-15 1947-04-30 Westinghouse Electric Corp Elektrisches Organ mit einer Selenschicht und Verfahren zur Herstellung desselben.

Patent Citations (4)

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