DE968580C - Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von TrockengleichrichternInfo
- Publication number
- DE968580C DE968580C DEP4871D DEP0004871D DE968580C DE 968580 C DE968580 C DE 968580C DE P4871 D DEP4871 D DE P4871D DE P0004871 D DEP0004871 D DE P0004871D DE 968580 C DE968580 C DE 968580C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- selenide
- vol
- metal
- cover electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 claims 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AZUPEYZKABXNLR-UHFFFAOYSA-N magnesium;selenium(2-) Chemical compound [Mg+2].[Se-2] AZUPEYZKABXNLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/105—Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern Bei den bekannten Trockengleichrichtern ist zwischen meistens plattenförmig- ausgebildeten Elektroden eine feste Ventilschicht angeordnet. Diese Schicht besteht beispielsweise aus Selen, Selenverbindungen usw. Bei diesen Gleichrichtern wird auf eine aufgerauhte Trägerplatte unter Vermeidung von Übergangswiderständen die Ventilschicht in kristalliner Form aufgebracht. Auf die Oberfläche der Ventilschicht wird gewöhnlich nach einem Spritzverfahren eine niedrigschmelzende Gegenelektrode aus Metall so aufgebracht, daß sich zwischen der Ventilschicht und dieser Gegenelektrode die sogenannte Sperrschicht ausbildet.
- Es ist bekannt, daß Reaktionen zwischen der Ventilschicht, beispielsweise dem Selen, und dem Metall der Gegenelektrode, beispielsweise aus Magnesium, vielfach die Ausbildung der Sperrschicht begünstigen, so daß sich sehr hohe Sperrwiderstände ergeben. Bei der Verwendung von Magnesium ist jedoch die Tatsache nachteilig, daß die Reaktion fortschreitet, bis praktisch das ganze Magnesium mit dem Selen zur Reaktion gekommen ist. Durch diesen Vorgang wird auch der Flußwiderstand des Gleichrichters in der Durchgangsrichtung in unerwünschtem Maße erhöht. Ferner ist das sich bildende Magnesiumselenid in feuchter Luft unbeständig.
- Zur Vermeidung dieser Nachteile wird bei der Herstellung von Trockengleichrichtern erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß ein Selenid der Metalle Kadmium, Zink, Mangan, Molybdän oder Arsen mt einem Widerstand von mehr als rooo Ohm - ctn durch Umwandlung einer auf die Halbleiterschicht aufgebrachten Metallschicht durch Reaktion mit dieser erzeugt wird und anschließend das Aufbringen der Deckelektrode aus einem anderen, gegenüber der Ventilschicht praktisch beständigen Material auf die fertige Selenidschicht erfolgt.
- Die Metalle werden also auf die Selenoberfläche aufgebracht und durch Reaktion mit dem Selen in Selenide übergeführt. Die Umwandlung der aufgebrachten Metalle in Selenide wird am einfachsten durch Erhitzen bewirkt.
- Nach dieser Oberflächenbehandlung des Selens wird die Gleichrichterscheibe in üblicher Weise mit der Gegenelektrode versehen und elektrisch formiert.
- So hergestellte Gleichrichterscheiben zeigen einen erhöhten Sperrwiderstand und haben eine sehr hohe Durchschlagsfestigkeit. Die gleichzeitige Erhöhung des Flußwiderstandes in der Durchgangsrichtung ist nur unwesentlich.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, bei welchen sich zwischen der Halbleiterschicht und der Deckelektrode eine Schicht aus Metallselenid befindet, dadurch gekennzeichnet, daß ein Selenid der Metalle Kadmium, Zink, Mangan, Molybdän oder Arsen mit einem Widerstand von mehr als Iooo Ohm # cm durch Umwandlung einer auf die Halbleiterschicht aufgebrachten Metallschicht durch Reaktion mit dieser erzeugt wird und anschließend das Aufbringen der Deckelektrode aus einem anderen, gegenüber der Ventilschicht praktisch beständigen Material auf die fertige Selenidschicht erfolgt. In Betracht gezogene Druckschriften: Schweizerische Patentschriften Nr. 24o 674, 248 334; österreichische Patentschrift Nr. 153 I34; britische Patentschrift Nr. 522 o92; Zeitschrift für Physik, Bd. II8, 1944 S. I99 bis 2o9; Zeitschrift für Elektrochemie, Bd. 50, I944, Nr. II/I2, S. 28I; ASEA-Journal, August I939, S. II7; »Prager Berichte«, I944 (Dr. W. Koch und Dr. S. Poganski); »Fiat-Final-Report«, Nr. 7o6, S. I4/I5; »Bios-Final-Report«, Nr: 1751, S. 20; Nr. 725, S.34.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP4871D DE968580C (de) | 1948-10-02 | 1948-10-02 | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP4871D DE968580C (de) | 1948-10-02 | 1948-10-02 | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE968580C true DE968580C (de) | 1958-03-06 |
Family
ID=7359665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEP4871D Expired DE968580C (de) | 1948-10-02 | 1948-10-02 | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE968580C (de) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT153134B (de) * | 1936-06-13 | 1938-04-11 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. |
| GB522092A (en) * | 1938-08-10 | 1940-06-07 | British Thomson Houston Co Ltd | Improvements relating to electric dry rectifiers |
| CH240674A (de) * | 1941-06-26 | 1946-01-15 | Philips Nv | Sperrschichtzelle und Verfahren zu deren Herstellung. |
| CH248334A (de) * | 1943-12-15 | 1947-04-30 | Westinghouse Electric Corp | Elektrisches Organ mit einer Selenschicht und Verfahren zur Herstellung desselben. |
-
1948
- 1948-10-02 DE DEP4871D patent/DE968580C/de not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT153134B (de) * | 1936-06-13 | 1938-04-11 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. |
| GB522092A (en) * | 1938-08-10 | 1940-06-07 | British Thomson Houston Co Ltd | Improvements relating to electric dry rectifiers |
| CH240674A (de) * | 1941-06-26 | 1946-01-15 | Philips Nv | Sperrschichtzelle und Verfahren zu deren Herstellung. |
| CH248334A (de) * | 1943-12-15 | 1947-04-30 | Westinghouse Electric Corp | Elektrisches Organ mit einer Selenschicht und Verfahren zur Herstellung desselben. |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE712674C (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektrodensystemen mit unsymmetrischer Leitfaehigkeit | |
| DE968580C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern | |
| DE2252832A1 (de) | Halbleiterelement mit elektroden sowie verfahren zu seiner herstellung | |
| DE919360C (de) | Selen-Gleichrichter mit Tellur und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1923279A1 (de) | Transistor mit isolierter Steuerelektrode | |
| DE519162C (de) | Elektrisches Ventil mit zwischen Elektroden angeordneter fester Ventilschicht | |
| DE898482C (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Kondensatoren mit hoher spezifischer Kapazitaet | |
| DE102005013575A1 (de) | Niedertemperatur-, Langzeitwärmebehandlung von Nickelkontakten, um einen Zwischenflächenwiderstand zu verringern | |
| DE971697C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
| EP0160290A2 (de) | Kontaktwerkstoff | |
| DE939943C (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Kondensatoren | |
| DE977341C (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
| DE1079744B (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern | |
| DE974580C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten | |
| DE859916C (de) | Aus Metalloxyd bestehender Halbleiter | |
| DE1101625B (de) | Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern | |
| AT229368B (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Kontaktes an einer oxydüberzogenen Halbleiterscheibe | |
| DE833228C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters | |
| DE1924620A1 (de) | Feldeffekttransistor | |
| DE2137519A1 (de) | ||
| DE893232C (de) | Selengleichrichterplatte | |
| DE898627C (de) | Verfahren zur Verringerung der Alterung von Selengleichrichtern | |
| AT155284B (de) | Verfahren zur Herstellung kleinflächiger Trockengleichrichter. | |
| DE3103509A1 (de) | Verfahren zum herstellen duenner schichten, target zum durchfuehren dieses verfahrens und verfahren zum erzeugen dieses targets | |
| DE664796C (de) | Verfahren zur Erhoehung des Isolationswiderstandes von Heizelementen |