DE948998C - Ferromagnetischer Kern fuer ein zweidimensionales Gitter statischer, magnetischer Kippschaltelemente - Google Patents

Ferromagnetischer Kern fuer ein zweidimensionales Gitter statischer, magnetischer Kippschaltelemente

Info

Publication number
DE948998C
DE948998C DEN9433A DEN0009433A DE948998C DE 948998 C DE948998 C DE 948998C DE N9433 A DEN9433 A DE N9433A DE N0009433 A DEN0009433 A DE N0009433A DE 948998 C DE948998 C DE 948998C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ferromagnetic core
rectangular
magnetic
magnetization curve
core according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEN9433A
Other languages
English (en)
Inventor
Simon Duinker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Application granted granted Critical
Publication of DE948998C publication Critical patent/DE948998C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F7/00Magnets
    • H01F7/02Permanent magnets [PM]
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06085Multi-aperture structures or multi-magnetic closed circuits, each aperture storing a "bit", realised by rods, plates, grids, waffle-irons,(i.e. grooved plates) or similar devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/45Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of non-linear magnetic or dielectric devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/4902Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49069Data storage inductor or core

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Burglar Alarm Systems (AREA)

Description

AUSGEGEBEN AM 13. SEPTEMBER 1956
N 9433 VIIIc/2ig
Die Erfindung bezieht sich auf ein zweidimensionales Gitter statischer, magnetischer Kippschaltungen, die z. B. bei einer sogenannten Speichermatrix zur Verwendung kommen, bei dem die statischen, magnetischen Kippschaltelemente in Zeilen und Spalten angeordnet sind.
Die statischen, magnetischen Kippschaltelemente bestehen bei bekannten Ausführungen aus einem ringförmigen Kern aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz, mitsamt den erforderlichen Speicherund Ablesewickliungen·. Der Magnetisierungszustand des remanenten Flusses ist maßgebend für ein der Kippschaltung zugeführtes Signal. Dieses Signal wird dem magnetischen Kreis in Form von Stromimpulsen zugeführt, die mindestens einen mit dem Kreis gekoppelten Stromleiter durchfließen, der entweder als Wicklung oder als ein einziger Draht ausgebildet sein kann.
Solchen ringförmigen· Kernen (haften aber Nachteile an; die den mit dem Kern gekoppelten Leitern zugeführten Stromimpulse erfordern ziemlich große Leistungen, und die maximale Wiederholungsfrequenz dieser Stromimpulee ist beschränkt.
Die Erfindung betrifft für den Fall, bei dem mehrere statische, magnetische Kippschaltelemente in einem zweidimensionalen Gitter vereinigt sind und die Kippschaltelemente in Zeilen und Spalten angeordnet sind, eine Bauart für einen ferromagnetiischen Kern, bei der diese Nachteile behoben sind und welche die im folgenden genannten zusätzlichen Vorteile bietet. Die Bauart gemäß der Erfindung weist das Merkmal auf, daß der ferromagnetische Kern aus einer Platte aus einem Material mit geringem magnetischem Widerstand aufgebaut ist, die mit einer Anzahl von Aussparungen, versehen ist. Die Aussparungen sind in Form eines zweidimensionalen Musters angebracht und von einer Platte oder mehreren Streifen aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz überbrückt, wodurch ein zweidimensionales Gitter magnetischer Kreise für statische, magnetische Kippschaltungen ao entsteht.
Die Erfindung wird an Hand einer Zeichnung· beispielsweise näher erläutert.
Fig. ι zeigt eine Speichermatrix, die in bekannter Weise aus einem zweidimensionalen Gitter ringförmiger Kerne aufgebaut ist;
Fig. 2 zeigt die bei einem Kern für eine solche Anwendung erforderliche Hysteresissohleife;
Fig. 3, 4, 5, 6, 7 und 8 zeigen ferromagnetische Kerne gemäß der Erfindung, und FLg. 9 und io zeigen Einzelheiten der Bauart nach der Erfindung.
Fig. ι zeigt eine Speichfermatrix, bei der die verschiedenen magnetisdhen Kreise in bekannter Weise aus einem Satz von Ringkernen aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz aufgebaut sind-; diese Kerne sind in Form eines zweidimensionalen Gitters angeordnet, und jeder Kern mit den ihm zugeordneten Stromleitern bildet ein statisches, magnetisches Kippsohaltelement.
Fig. 2 zeigt die Hysteresisschleife eines solchen Kernes, bei der der Fluß Φ als Funktion des durch einen mit dem Kern gekoppelten Leiter fließenden Stromeis i aufgetragen ist. Unter einer möglichst rechteckigen Magnetisierungskurve ist eine' SO1ICiIe zu verstehen, bei der das Verhältnis zwischen dem bei i = 1^i1 (Fig. 2) auftretenden Fluß Φί und dem remanenten Fluß Φχ möglichst gleich 1 ist. In der Praxis liegt dieses Verhältnis zwischen. 0,7 und 1. Bei i = ο gibt es zwei Remanenzzustände, d. h. den Magnetisierungszustand Φ± und den Magnetisierungszustand.<P2. Der Zustand Φχ entspricht z. B. einer »o« des kodierten Signals, Φ2 entspricht einer »1«. Angenommen, daß sich der Kreis im Zustand Φχ befindet, so wird ein dem mit dem Kern, verbundenen Stromleiter zugeführter positiver Stromimpuls von einem Wert i± Fluß änderungen Φ3 Φχ und Φί Φ3 im Kern hervorrufen, die in einem anderen mit dem Kern verbundenen Leiter Spannungen erzeugen. Befindet sich der Kreis im Zustand φ2, so wird ein dem erstgenannten Stromleiter zugeführter positiver Stromimpuls bei ansteigender Flanke ,dieses Stromimpulses eine Flußänderung ΦΆ —Φ2 und bei absteigender Flanke eine Flußänderung Φ± ΦΆ !herbeiführen. Diese 3"lußänderungen erzeugen in dem anderen Leiter ebenfalls Spannungen, von denen die bei der ansteigenden Flanke des Stromimpulses auftretende erste Spannungsspitze beträchtlich größer ist als die Spannungsspitze, die auftritt, wenn ein positiver Stromimpuls von der Größe ix dem Kreis im Zustand Φ± zugeführt wird. Hierbei sei bemerkt, daß bei der erwähnten Impulsgröße, d. h. iv der Kreis stets, nachdem dem erstgenannten Leiter ein Stromimpuls zugeführt worden ist, in den Zustand (P1 gelangt, der mithin einer »o« des kodierten Signals entspricht. Die Erzielung einer »1«, was bedeutet, daß der Kreis in den Zustand Φ2 gefät, erfolgt dadurch, daß dem erstgenannten Leiter ein negativer Stromimpuls zugeführt wird, dessen Absolutwert wenigstens gleich I1 ist.
Der Unterschied zwischen einer »o« undeiner »1« beim Ablesen beruht also auf dem Unterschied zwischen den SpannungSispitzen über der Wicklung g und ist dem Unterschied· der Flußänderungen Φ3Φχ und ΦΆ Φ2 zu verdanken.
Die Kerne 1 bis 9 sind durch die Eingangswicklungen α bis / und die Auisgangswicklung g miteinander gekoppelt; diese Wicklungen sind als einfache Leiter ausgebildet.
Gesetzt den Fall, daß sämtliche Kerne 1 bis 9 sich im Zustand Φ± befinden, so erfolgt das Einr schreiben einer »1«, durch den Zustand Φ2 gekennzeichnet, in einem bestimmten Kern dadurch, daß den mit diesem Kern gekoppelten Stromleitern je ein negativer Stromimpuls von der Größe 1ZsI1 (Fig. 2) zugeführt wird. So wird z. B. in 8 eine »1« dadurch gespeichert, daß durch die Stromleiter e und c je ein Impuls —1Ai1 geschickt wird. Die Kerne 2, 5, 7 und 9 werden dann von einem Stromimpuls —1^i1 erregt. Dieser ist aber gerade zu klein (bei richtiger WaH der Hysteresisschleife), * um einen Übergang von Φχ auf Φ2 zu bewirken. Die Ablesung erfolgt dann dadurch, daß der Ableseitnpuls i± durch zwei in zwei Leitern zugleich auftretende Stromimpulse von der Größe 1^i1 gebildet wird.
Die Bauanordnung nach Fig. 1 weist die bereits erwähnten Nachteile auf; die den mit den Kernen gekoppelten Leitern zugeführten Stromimpulse erfordern ziemlich große Leistungen, und die maximale Wiederholungsfrequenz dieser Stromimpulse ist beschränkt.' Außerdem haftet der Konstruktion nach Fig. 1 der Nachteil an, daß die Herstellung aus den Einzelteilen zum fertigen Produkt zeitraubend ist und mit großer Vorsicht erfolgen muß. Die ringförmigen Kernchen müssen je einzeln in dem dargestellten Gitter zusammengefügt werden. Bruch von einem der Kerndhen sowohl bei der Herstellung als auch beim fertigen Produkt macht unvermeidlich einen wenigstens teilweisen Abbau des Gitters und ein erneutes Zusammenfügen der Kernchen erforderlich.
Fig. 3 zeigt einen ferromagnetischen Kern gemäß der Erfindung, bei dem diese Nachteile behoben sind: r stellt eine Platte aus einem Material von
geringem magnetischem Widerstand, s stellen die Auespaarungen in diesem Material und t dünne Platten aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz dar. In den Nuten s können Leiter wie a, b, c usw. nach Fig. ι untergebracht werden. Beispielsweise sind im Kern nach Fig. 3 drei Leiter a, f und g untergebracht, die im gleichen Sinne mit den magnetischen Kreisen dieses Kernes wie die entsprechenden Leiter der Konstruktion nach Fig. 1 mit den entsprechenden magnetischen Kreisen der Kerne 1 bis 9 gekoppelt sind. Die Platte t bildet mit dem angrenzenden Material der Platte r einen magnetischen Kreis für eine statische, magnetische Kippschaltung. Bei A ist ein Schnitt eines solchen Kreises dargestellt. Bei C und D sind die Platten t nicht dargestellt. Der gestrichelte Kreis bei A deutet schematisch den -Magnetkreis der Kippschaltung an. Der wirksame Toil des Kreises wird nahezu ausschließlich durch den Teil des in der Platte t liegenden Kreises gebildet. Da in dieser Weise die wirksame Länge des Teiles mit der möglichst rechteckigen Magnetisierungskurve und hoher Remanenz gegenüber der eiinies Ringkernes, der immer derart sein muß, daß die erforderlichen Leiter durch den Ring hindurch angebracht werden können, beträchtlich verkleinert worden ist, sind die Verluste in diesem Teil vied geringer als bei einem Ringkern. Die Verluste im anderen Teil des Magnetkreises sind infolge des geringen magnetischen Widerstandes vernachlässigbar. Da die Berührungsflächen zwischen den Platten t und r verhältnismäßig groß sind, ist der magnetische Widerstand der Luftspalte in bezug auf den Widerstand der Platte t ebenfalls vernachlässigbar. Insbesondere werden diese Verluste beträchtlich herabgesetzt, wenn zweckmäßig sowohl die Plattet als auch die Platter aus elektrisch im wesentlichen nichtleitenden Materialien bestehen. Durch die Verringerung der Verluste bei einem Kreis nach Fig. 3 gegenüber einem Kreis nach Fig. 1, die in dem Maße verkleinert werden, wie die Platte t dünner wird, sind die benötigten Leistungen der den Leitern zugefübrten Stromimpulse ebenfalls beträchtlich geringer, und außer dem kann die maximale Wiederhalungsfrequenz dieser Stromimpulse höher gewählt werden.
Es leuchtet ein, daß der Zusammenbau der Teile, d. h. der Platte r mit den Aussparungen s, der Leiter a, b, c usw. und der Platten t, sehr einfach und schnell erfolgen, kann. Nachdem die erforderlichen Leiter in diie Aussparungen gelegt worden sind, brauchen nur die Platten t über den Aussparungen an der Platte r befestigt zu werden. Falls eine dieser Platten zu Bruch geht, braucht nur der betreffende Teil durch einen anderen ersetzt zu werden, ohne daß dabei andere Platten t oder Leiter, wie es bei der Bauart nach Fig. 1 der Fall ist, entfernt zu werden brauchen.
Fig. 4 zeigt eine andere Bauart nach der Erfindung. Die Aussparungen bestehen hier aus drei sich schneidenden Nuten k, m und n, in welche z. B. die drei Leiter a, d und. g (Fig. 1) gelegt werden und oberhalb deren Kreuzpunkt das Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz angeordnet ist. Bei der dargestellten Konstruktion !ist außerdem das Material der Platte r, das die Aussparungen s nicht umfaßt, größtenteils entfernt. Bei B und E sind die Platten t nicht dargestellt; bei B ist die Umgebung der Nuten im Schnitt dargestellt.
Das Anordnen der Leiter wird beträchtlich vereinfacht, wenn die Nuten k, m und η der verschiedenen magnetischen Kreise miteinander in Flucht liegen. Fig. 5 zeigt eine äußerst robuste Konstruktion, bei der dies der Fall ist. Die Nuten, in denen die Leiter angeordnet werden können, setzen sich in diesem Beispiel außerdem durch das ganze Material der Platte r fort und gehen ineinander über. Bei F ist die Platte t weggelassen. In Fig. 9 ist ein solcher Nutenkreuzpunkt ■ einzeln dargestellt; die Platte t ist gestrichelt angedeutet. Gesetzt, daß die Platten t alle vollkommen gleich sind, sowohl in bezug auf ihre Bemessung als auch betreffs ihrer Eigenschaften, so besteht trotzdem die Möglichkeit, daß die verschiedenen Magnetkreiise nicht gleichwertig sind, da eine oder die beiden Ec'ken h bei der Herstellung der Nuten etwas abgebröckelt oder ungleichmäßig geschliffen sind, am einen Schnittpunkt etwas mehr, am anderen etwas weniger, so daß die verschiedenen wirksamen Längen der Platten t go nicht gleich sind. Es empfiehlt sich daher, diese Ecken bei der Herstellung der Platte r zu entfernen^ wenigstens in der unmittelbaren Nähe der Stelle, an der r und f sich berühren. Dies wird z. B. mehr oder weniger selbständig erreicht, wenn die Nut p breit in bezug auf die beiden anderen Nuten (Fig. 10) gewählt wird oder mit einem Bohrer, der in der" Mitte des Kreuzpunktes zentriert ist, das Material an den Ecken h entfernt wird. Die Berührungsflächen zwischen r und t sind dann, im letzt- ioogenannten Fall annäherungsweise, durch zwei Geraden begrenzt, die beide annähernd senkrecht zur Richtung w des Feldverlaufs in den Platten t stehen. Bei den so entstandenen Abflachungen sind diese Bedenken beträchtlich herabgesetzt. Bei der Konstruktion nach Fig. 5 liegen die Platten aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz ebenfalls miteinander in Flucht, was im übrigen nicht immer der Fall zu sein braucht, wie z. B-. bei der Konstruktion no nach Fig. 6, die bei einer Speichermatrix mit etwas anderem Wählsystem als bei der nach den' Fig. 1 und 3 Anwendung finden kann. Falls mehrere Teile t miteinander in Flucht liegen, können diese ohne weiteres durch einen gemeinsamen Streifen aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz ersetzt werden, wodurch die Festigkeit vergrößert wird. Fig. 7 zeigt eine solche Bauanordnung, in der t' die erwähnten Streifen darstellen. Es ist sogar möglich, die Streifen t' in einem solchen Fall durchweine die ganze Platte r bedeckende Platte t" aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz zu ersetzen, sofern diese Platte für diese Eigenschaften, ihre Vorzugsrichtung in Richtung der ursprünglichen Streifen t' hat.
Fig. 8 zeigt eine solche Konstruktion. Bei H ist
ein Teil der Platte t" weggebrochen. Für eine solche Platte t" eignen sich insbesondere Einkristalle mit den genannten Eigenschaften, vorzugsweise Einkristalle mit Spinellstruktur.
Die Kernkonstruktion gemäß der Erfindung ist im vorliegenden Fall zur Anwendung bei einer Speichermatrix beschrieben. Natürlich ist eine solche Konstruktion überall dort verwendbar, wo ίο ein zweidimenisionales Gitter statischer, magnetischer Kippschaltelemente benutzt wird.
Die meist verletzbaren Teile der Konstruktion nach der Erfindung sind die Platten t oder die Streifen t' oder die Platten t", die ja vorzugsweise möglichst dünn sind. Um diese Teile robuster auszubilden, kann man: sie an ihrer einen Seite an einem nicht ferromagnetisdhen Material beliebiger Dicke befestigen. An ihrer anderen Seite werden die Platten t bzw. die Streifen t' und die Platten t" dann naturgemäß an der Platte r befestigt.
Um die Festigkeit der Anordnung zu steigern, kann das Ganze in bekannter Weise in eine Schutzschicht, z. B. aus Glas oder Kunstharz, eingebettet werden.

Claims (7)

PATENTANSPKÜCHE:
1. Ferromagnetischer Kern für ein zweidimensionales Gitter statischer, magnetischer Kippschaltelemente, dadurch gekennzeichnet, daß der Kern aus einer Platte aus einem Material mit geringem magnetischem Widerstand aufgebaut ist, die mit einer Anzahl in Form eines zweidimensionalen Mustere angebrachter Aussparungen versehen ist, die von einer Platte oder mehreren Streifen aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz überbrückt sind.
2. Ferromagnetischer Kern nach Anspruch τ, dadurch gekennzeichnet, daß die genannten Aussparungen· je aus wenigstens zwei sich schneidenden Nuten bestehen und die Kreuzpunkte der Nuten von Platten aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz überbrückt sind.
3. Ferromagnetischer Kern nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Platten oder Streifen aus dem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und höher Remanenz angrenzenden Kanten der am Kreuzpunkt befindlichen aufrechten Wände der Nuten annähernd Geraden darstellen, die annähernd senkrecht zur Richtung des Feldverlaufs in den Platten oder Streifen aus diesem Material an dieser Stelle stehen.
4. Ferromagnetischer Kern nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Nuten der verschiedenen magnetischen Kreise miteinander in Flucht liegen.
5. Ferromagnetischer Kern nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere auf einer Geraden liegende magnetische Kreise mit einem gemeinsamen Streifen aus einem Material von möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz versehen sind.
6. Ferromagnetischer Kern nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem sämtliche Kreise gleich orientiert sind, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche magnetischen Kreise mit einer gemeinsamen Platte aus einem Material mit möglichst rechteckiger Magnetisierungskurve und hoher Remanenz versehen sind, welche Eigenschaften dem Material in einer Vorzugsrichtung innewohnen.
7. Ferromagnetischer Kern nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gemeinsame Platte aus einem Einkristall, zweckmäßig aus einem Einkristall mit Spinellstruktur besteht.
In Betracht gezogene Druckschriften: »Electronics«, April 1953, S. 146 bis 149.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 509 659/211 2.56 (609 609 9.56)
DEN9433A 1953-09-09 1954-09-05 Ferromagnetischer Kern fuer ein zweidimensionales Gitter statischer, magnetischer Kippschaltelemente Expired DE948998C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL325157X 1953-09-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE948998C true DE948998C (de) 1956-09-13

Family

ID=19784142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN9433A Expired DE948998C (de) 1953-09-09 1954-09-05 Ferromagnetischer Kern fuer ein zweidimensionales Gitter statischer, magnetischer Kippschaltelemente

Country Status (7)

Country Link
US (1) US2825891A (de)
BE (1) BE531691A (de)
CH (1) CH325157A (de)
DE (1) DE948998C (de)
FR (1) FR1112814A (de)
GB (1) GB763038A (de)
NL (2) NL181228B (de)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1016304B (de) * 1954-03-16 1957-09-26 Int Standard Electric Corp Magnetischer Speicher zur Speicherung einer Mehrzahl von Informationseinheiten
DE1034689B (de) * 1953-12-31 1958-07-24 Western Electric Co Magnetische Speicherschaltung mit einer Platte aus magnetischem Material
DE1045007B (de) * 1956-03-09 1958-11-27 Ibm Deutschland Lamellierter Magnetkern
DE1141105B (de) * 1967-06-20 1962-12-13 Siemens S. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München Magnetkernspeichermatrix, bei der die Magnetkerne zwischen Platten aus Isolierstoff angeordnet sind
DE1198415B (de) * 1955-06-25 1965-08-12 Siemens Ag Magnetischer Speicher fuer eine Mehrzahl von Informationseinheiten
DE1228666B (de) * 1959-04-20 1966-11-17 Raytheon Co Speichervorrichtung
DE1236575B (de) * 1963-09-27 1967-03-16 Ibm Magnetschichtspeicher
DE1281601B (de) * 1963-10-23 1968-10-31 Rca Corp Verfahren zum Herstellen einer Magnetelementmatrix
DE1282087B (de) * 1964-06-29 1968-11-07 Rca Corp Magnetspeicher
DE1290592B (de) * 1964-09-16 1969-03-13 Philips Patentverwaltung Netzartig verdrahteter Magnetspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1300973B (de) * 1965-03-19 1969-08-14 Philips Patentverwaltung Verfahren zur Herstellung von Speicher-Matrixanordnungen

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE540911A (de) * 1954-08-31
NL207986A (de) * 1955-06-13
US3030612A (en) * 1956-12-07 1962-04-17 Sperry Rand Corp Magnetic apparatus and methods
US3027548A (en) * 1956-12-17 1962-03-27 Bell Telephone Labor Inc Electromagnetic coupling arrangements
US2934748A (en) * 1957-01-31 1960-04-26 United Shoe Machinery Corp Core mounting means
CH357090A (de) * 1957-03-18 1961-09-30 Olympia Werke Ag Magnetkernspeicher
US3125743A (en) * 1958-03-19 1964-03-17 Nondestructive readout of magnetic cores
US3154765A (en) * 1958-03-31 1964-10-27 Burroughs Corp Thin film magnetic storage
US3514767A (en) * 1958-04-14 1970-05-26 Burroughs Corp Thin film magnetic data store
US2910673A (en) * 1958-05-27 1959-10-27 Ibm Core assembly
US3052873A (en) * 1958-09-18 1962-09-04 Bell Telephone Labor Inc Magnetic memory circuits
US3184719A (en) * 1958-12-24 1965-05-18 Ibm Molded core plane
US3214740A (en) * 1959-01-16 1965-10-26 Rese Engineering Inc Memory device and method of making same
NL250321A (de) * 1959-04-10
NL132254C (de) * 1959-05-15
US3171102A (en) * 1960-01-07 1965-02-23 Rca Corp Memory assembly employing apertured plates
GB919764A (en) * 1960-01-21 1963-02-27 Gen Electric Co Ltd Electric signal translating device
US3142048A (en) * 1960-12-16 1964-07-21 Bell Telephone Labor Inc Magnetic memory circuit
DE1249342B (de) * 1961-06-12
US3150356A (en) * 1961-12-22 1964-09-22 Ibm Magnetic patterns
US3235853A (en) * 1962-04-12 1966-02-15 Honeywell Inc Control apparatus
NL295715A (de) * 1962-07-25
US3295113A (en) * 1962-08-07 1966-12-27 Bell Telephone Labor Inc Memory circuits including a magnetic overlay
US3290662A (en) * 1962-08-07 1966-12-06 Bell Telephone Labor Inc Nondestructive read magnetic film memory
US3293623A (en) * 1963-06-06 1966-12-20 Bell Telephone Labor Inc Magnetic memory matrix assembly
US3444084A (en) * 1964-09-30 1969-05-13 Bell Telephone Labor Inc Garnet compositions
US3422407A (en) * 1964-10-20 1969-01-14 Bell Telephone Labor Inc Devices utilizing a cobalt-vanadium-iron magnetic material which exhibits a composite hysteresis loop

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2430457A (en) * 1945-09-20 1947-11-11 Bell Telephone Labor Inc Key control sender
US2781503A (en) * 1953-04-29 1957-02-12 American Mach & Foundry Magnetic memory circuits employing biased magnetic binary cores
US2700150A (en) * 1953-10-05 1955-01-18 Ind Patent Corp Means for manufacturing magnetic memory arrays

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1034689B (de) * 1953-12-31 1958-07-24 Western Electric Co Magnetische Speicherschaltung mit einer Platte aus magnetischem Material
DE1016304B (de) * 1954-03-16 1957-09-26 Int Standard Electric Corp Magnetischer Speicher zur Speicherung einer Mehrzahl von Informationseinheiten
DE1198415B (de) * 1955-06-25 1965-08-12 Siemens Ag Magnetischer Speicher fuer eine Mehrzahl von Informationseinheiten
DE1045007B (de) * 1956-03-09 1958-11-27 Ibm Deutschland Lamellierter Magnetkern
DE1228666B (de) * 1959-04-20 1966-11-17 Raytheon Co Speichervorrichtung
DE1236575B (de) * 1963-09-27 1967-03-16 Ibm Magnetschichtspeicher
DE1281601B (de) * 1963-10-23 1968-10-31 Rca Corp Verfahren zum Herstellen einer Magnetelementmatrix
DE1282087B (de) * 1964-06-29 1968-11-07 Rca Corp Magnetspeicher
DE1290592B (de) * 1964-09-16 1969-03-13 Philips Patentverwaltung Netzartig verdrahteter Magnetspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1300973B (de) * 1965-03-19 1969-08-14 Philips Patentverwaltung Verfahren zur Herstellung von Speicher-Matrixanordnungen
DE1141105B (de) * 1967-06-20 1962-12-13 Siemens S. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München Magnetkernspeichermatrix, bei der die Magnetkerne zwischen Platten aus Isolierstoff angeordnet sind

Also Published As

Publication number Publication date
GB763038A (en) 1956-12-05
US2825891A (en) 1958-03-04
NL84030C (de)
NL181228B (nl)
FR1112814A (fr) 1956-03-19
BE531691A (de)
CH325157A (de) 1957-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE948998C (de) Ferromagnetischer Kern fuer ein zweidimensionales Gitter statischer, magnetischer Kippschaltelemente
DE949076C (de) Ferromagnetischer Kern fuer mehrere magnetische, statische Kippschaltelemente
DE1135037B (de) Magnetisches Speicherelement
DE1174544B (de) Elektrischer logischer Kreis
DE1035810B (de) Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speichervorrichtung
DE1034689B (de) Magnetische Speicherschaltung mit einer Platte aus magnetischem Material
DE1013803B (de) Ferromagnetischer Kern fuer ein zweidimensionales Gitter fuer statische, magnetischeKippschaltelemente
DE1424575B2 (de) Magnetischer festwertspeicher
DE2223836C2 (de) Statische Lesevorrichtung
DE1186509B (de) Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern
DE1014166B (de) Magnetische Schaltvorrichtung
DEN0009433MA (de)
DE3021502C2 (de) Anzeigevorrichtung
DE1098536B (de) Speicher- oder Schaltanordnung
DE1282087B (de) Magnetspeicher
AT246464B (de) Schaltkreissystem für taktgesteuerte elektronische Anlagen mit magnetischen Logikelementen
DE1258895B (de) Anordnung zur UEbertragung von durch magnetische Remanenzzustaende charakterisiertenInformationsdaten
DE1499847B2 (de) Festwertspeicher
DE1222978B (de) Magnetische Einrichtung zum Speichern oder Schalten
DE1186107B (de) Magnetspeicher mit mindestens einer Platte aus einem magnetisierbaren Material
DE1449362C (de) Festwert-Speichermatrix mit auswechselbarer Informationsmusterkarte
DE1213482B (de) Auf einen hohen oder niedrigen Wert umschaltbarer induktiver Blindwiderstand
DE1499672C (de) Magnetische Speicheranordnung mit einem oder mehreren Speicher elementen in Form dunner magnetischer Schichtelemente
DE1057169B (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen
DE1920925C3 (de) Halbfestwertspeicher