DE923655C - Verfahren zum Verkleiden kohlenstoffhaltiger Gegenstaende mit Siliciumkarbid - Google Patents

Verfahren zum Verkleiden kohlenstoffhaltiger Gegenstaende mit Siliciumkarbid

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DE923655C
DE923655C DED12845A DED0012845A DE923655C DE 923655 C DE923655 C DE 923655C DE D12845 A DED12845 A DE D12845A DE D0012845 A DED0012845 A DE D0012845A DE 923655 C DE923655 C DE 923655C
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DE
Germany
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silicon carbide
silicon
graphite
crucible
cladding
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DED12845A
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English (en)
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Harold R Montgomery
Jan Walter Szymaszek
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DEUTSCHE NORTON GmbH
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DEUTSCHE NORTON GmbH
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/573Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation

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Description

  • Verfahren zum Verkleiden kohlenstoffhaltiger Gegenstände mit Siliciumkarbid Es ist bekannt, hoch hitzebeständige Gegenstände dadurch herzustellen, daß man sie aus Kohlenstoff, z. B. Graphit, oder aus einem kohlenstoffhaltigen Werkstoff formt bzw. herausarbeitet und durch Einwirkenlassen von Siliciumdampf bei einer dem Siedepunkt von Silicium (etwa 26oo°) entsprechenden Temperatur mit einem Silciumkarbidüberzug versieht.
  • Zu diesem Zweck hat man den zu überziehenden Gegenstand in Siäciumkarbidpulver oder in ein pulverförmiges Gemisch von Siliciumoxyd und Kohlenstoff @eingebettet und einem Glühprozeß unterworfen. Hierbei entwickelte sich Silicium, durch dessen Reaktion mit dem Kohlenstoff des Gegenstandes auf diesem eine Siliciumkarbidschicht entstand. Dieses Verfahren ist unvorteilhaft aus folgenden Gründen: Da die Zersetzungstemperatur von Siliciumkarbid bei etwa 25oo° liegt, ruß die Behandlumgstempieratur möglichst niedriger gehalten werden. Dabei kann sich aber, da Silicium erst bei 26oo° siedet, nur wenig Siliciumdampf entwickeln, so daß die Reaktion nur sehr langsam fortschreiten kann..
  • Ferner bringt -die Bildung von Siliciumkarbid durch Reaktion des SiEciumdampfes mit dem Kohlenstoff des Gegenstandes einen erheblichen Abmessungszuwachs mit sich.
  • Diesen Mängeln wird durch das den Gegenstand der Erfindung bildende Verfahren dadurch, abgeholfen, daß man auf den zu behandelnden Gegenstand nicht Siliciummetalldämpfe, sondern Siliciumoxyddämpfe einwirken läßt. Hierfür- genügt - eine dem Siedepunkt des Sihcirumoxyds (2230°) entsprechende oder ihn wenig übersteigende Temperatur, die weit unterhalb der Verdampfungsternperatwr von Siliciummetall und der Zersetzungsbemperaturr von Silieumkarbid liegt, so daß die Karbidbildumg schneller fortschreiten. kann.
  • Da ferner bei dieser Reaktion der Körper nicht nur Silicium aufnimmt, sondern gleichzeitig einen Teil seines Kohlenstoffes unter Bildung von Kohlenoxyd mit dem Sauerstoff des 'Silvciiumoxyds abgibt, Endet nur ein -erheblich geringerer Abmessungszuwachs statt, dem leicht durch -die Bemessung des rohen Kohlekörpers Rechniwng getragen werden kann. ' .
  • Die praktische Durchführung des neuen Verfahrens erfolgt vorzugsweise so, da.ß der zu be- handelnde Gegenstand und das Siliciumoxyd, aus dem der auf den Gegenstand wirkende Dumpf entwickelt wird, im Behandlungsraum getrennt untergebracht werden. Der Gegenstand ist ;also allseitig von Süiclumoxyddampf umgeben, der auf Grund der Reaktion letwas Kohlenoxyd tenthält und auf die ganze Oberfläche des Gegenstandes gleichmäßig einwirkt. ZR Erhöhung dieser Gle@chmäNgkeit wird zweckmäßig zwischen. dem Gegenstand rund dem das Silciumoxyd -enthaltendem Gefäß ein Ablenkschirm angeordnet, uni den dem Gefäß -entsteigenden Dampfstrom zu zerteilen. Dadurch wird auch verhütet"daß der Siliciumoxyddampfdurch Einwirkung in starker Strömung den Gegenstand an einzelnen Stellen anfrißt.
  • Die Zeichnung stellt -eignen zur Ausführung des Verfahrens zu verwendenden Ofen mit einer das Ganze umgebenden Induktionsspule und in ihm untergebrachten, z. B. aus Graphit hergestellten Werkstücken i in einem senkrechten Mittelschnitt dar.
  • Die Werkstücke i sind Venturidüsen, die für gelenkte Geschossre, Raketen, u. dgl. benötigt werden und dabei große Hitze aushalten müssten, aber kedne lange Lebensdauer zu haben brauchen. Die durch mechanische Maßbearheitung ,aus Graphit hergestellten.Werkstücke sind aurf Graphitstäble 2 in dreieckigem Querschnitt gesetzt, die mit einer Seitenfläche auf ,eigner kreisförmigen Graphltplatte 3 ruhen. Diese wird von rechteckigen Graphitstangen 4 getragen, die quer über einen oben offenen inneren Graphittiegel5 gelegt sind.
  • Der zum größten Teil mixt Kiesie1s.äumesand 6 gefüllte Graphittiegel 5 ruht auf Graphitblöckela 7, die auf dem Boden eines äußeren (3raphittiegel:s 8 liegen. Der Tiegel 8 ist durch tednen Graphitdeckel 9 abgeschlossen, der -einte mittlere Bohrung io aufweist. An -diese ist lein als Schornstein wirkendes Graphitnohr i i angeschlossen. In Beine tote :schräge Bohrung des Deckels 9 ist ein aus Graphit bestehendes Pyrometerrohr 12 mit zwei Bohrungen 13 und 14 und einem diese verbindenden AusschmItt 15 am inneren Ende -eingesetzt. In -eine der Bohrungen 13, 14 wird von außen her ein Gas, z.. B. Stickstoff, eingeblasen, um durch die andere Bohrung Dämpfe auszutreiben, die das tote Ende der Bohrung im Deckel 9 verdunkeln würden, dessen Farbe mit dem heißen Draht des Pyrometers zusammenwirken ruß, um die Temperatur des Apparates festzustellen.
  • Außerhalb des Tiegels 8 ist auf leimten aus deiner Asbestplatte gebildeten Mantel 17 eine von Wasser durchflossene Kupfierrohrschlange 16 angebracht, die die Primärwicklung eines Hochfrequenzinduktors bildet, dessen sekundärer Teil durch dem Tllege18 und den Deckelg gebildet wird. Innerhalb des Asbestmantels 17 und unterhalb dies Tiegels sowie oberhalb :des Deckels 9 befindet sich zerkleinertes Zirkonoxyd 18, das sehr schwer und ein guter Wärmeisolator ist und in kühlem Zustand, wie per außen: herrscht, Elektrizität nicht leitet. Das Ganze r u Jht auf Steinen ig aus Feuerton.
  • Das Verfahren wird nachstehend an Hand einiger Beispiele beschrieben. Beispiel I Zur Verkleidung von Düsen mit Siliciumkarbid wunde der beschriebene Apparat verwendet. Dabei hatte der Tiegel 8 einen Durchmesser von 76 cm, und die anderen Abmessungen -des Tiegels 8 und der anderen Teile des Apparates .standen dazu in demselben Verhältnis wie in der Zeichnung. Die Düsen i waren dagegen im Verhältnis zum Apparat kleiner, äls der Darstellung entspricht. Sie hatten -eine Länge von 8,25 cm und einen Durchmesser von 5,7 cm und wiesen Venturibohrungen lauf, die ungefähr die in der Zeichnung dargestellte Form hatten. Es wurden dreizehn Düsen gleichzeitig behandelt. Nachdem der Apparat mit den Düsen auf den Stangen 2 zus,ammenges etzt war, wurde die Induktionsmaschine angelassen, die elektrischen Strom bei einer Frequenz von i ooo Pierioden/S,ek. mit -einer Spannung von: 365 Volt und reiner Leistung von 25okW an die Wicklung 16 lieferte. Nach 2 Stunden und 2o Minuten wurden während einer weiteren Stunde .die SpaM;aulf 285 Volt und .die Leistung auf 17okW gesenkt, worauf der Strom vollständig abgeschaltet und der Apparat abkühlen gelassen wurde. Die Düsen waren innen und außen in .einer Stärke von 'etwa o, 5 bis 0,7 5 mm mit 'Silciumkarbid überzogen. Die Temperatur im Tiege18 war während der letzten Stunde annähernd 235o°.
  • Es wird rangenommen, da.( ,der Prozeß sich -etwa wie folgt abwickelt: Der Kvesiels:äunesand 6 schmilzt bei -etwa 1700° und siedet bei 2230°. Wenn :daher die Te@mperatuz des Tiegels 5 -etwa 2240° -erreicht, siedet die -geschmolzene Küeselsäure lebhaft. Anfänglich ziehen die Gase durch den Schornstein i i ab. Dieser wird aber unter Umständen später durch kondensierte Kiesiellsäure verstopft, und dann entsteht im Tiege18 ein gewisser Druck. Wird durch diesen: der Deckel g mit dem daraud lagernden Zirkonoxyd 18 angehoben, so wird -die Stromzufuhr für leine Weilte herabgesetzt. In dem im Beispiel I beschriebenen Arbeitsgang fand jedoch ein Anheben .des Deckels g nicht statt.
  • Beim Auftreffen des im Tiege18 !entwickelten Siliciumoxyddampies ,auf die Teile i vollzieht sich eine Reaktion zwischen dem Graphit der Teile und dem Kies@elsäuredampf nach :der Gleichung Si 02 + 3 C -'Si C + 2 C O. Dias Siliciumkarbid setzt sich auwf den Teilen i fest, während das Kohlenoxyd durch den Schornstein i i entweicht. Selbstverständlich werden auch die Innenseite des Tiegels 8 und die Unterseite des Deckels 9 mit Si#liciuimkarbid verkleidet. Bei der iersten Benutzung ,des Apparates wird hierfür eine große Menge Kies:elsäuDesiand verbraucht; nachher läßt dieser Verbrauch nach, weil der Kieselsäuredampf nur noch durch die Poren der ;etwas durchlässigen Siliciumkarbidschicht ,an den Graphit herankommt. Ist der Apparat einige Male benutzt worden, so sind die Innenseite des Tiegels 8 und die Unterseite des Deckels 9 vollständig mit Siliciumkarbid verkleidet, so daß das Verkleiden der Werkstücke i weniger Zeit als biet der Bersten Benutzung beansprucht. Das im Beispiel I beschriebene Verfahren wurde mit einem vorher bereits benutzten Apparat durchgeführt. Beiläufig werden auch der Tiegel s, die Stangen 2 und q. und die Blöcke 7 mit 'Siliciumkarbid verkleidet.
  • Durch die in. kleinem Abstand über dem Teegel 5 angeordnete Deckplatte 3 wird der vom Tiegel ausgehende Strom von @SiHciumoxyddampfabgelenkt, durcheinande'rgewirbelt und verteilt, so daß er nicht an, einzelnen Stehren die Werkstücke scharf angreifen und anfressen kann, wie ges bei fehlender Ablenkplatte beolbachtet worden. ist. Beispiel II Unter Verwendung eines Graphittiegels 8 und anderer Teile von gleicher Gröle wie im Beispiel I wurden zwölf Graphitdüsen verkleidet. Diese waren 8,25,cm lang bei einem Durchmesser von 5,7 cm, und die Bohrungen hatten ungefähr dieselbe Venturiform wie die Düsen i gemäß der Zeichnung. Während 11/2 Stunden wurde die Wicklung 16 mit elektrischem Strom von 315 Volt, 23o kW und seiner Frequenz von i ooo Berioden/Siek., dann i 'Stunde lang mit 315 Volt, 35o kW rund danach während i Stunde mit 285 Volt, 17o kW biet derselben Frequenz ,gespeist. Dien Apparat war vorher benutzt worden, so daß, die Innenseite :des Tiegels 8 und die Unterseite des Deckels 9 sowie der Tiegel 5 und die Platte 3 mit Siliciunlkarbid verkleidet waren. Die Temperatur von 2350' wurde erreicht und wähnend der letzten Stunde gehalten. Die Teile wurden gut verkleidet. Die Verkleidung war etwa o, 5 his 0,75 mm stark und vollkommen fest mit dem darunterliegenden Graphit verbunden. Der Außendurchmessier hatte jedoch nur um o,i bis o,i 5 mm (0,05 bis 0,075 im Radius) zugenommen, 'und der Durchmesser der Venturibohrung hatte sich durchweg nur -um @ebiens@oviel verkleinert. Beispiel III Unter Benutzung desselben Apparates wie in den BeispielenI und TI mit einem gebrauchten, innen graut mit Sihciumkarbd verkleideten Tiege18, seinem gebrauchten, ,auf der Unterseite gut mit Sihciumkarbid verkleideten Deckel 9, aber einer neuen Platte 3 'und einem neuen Tiegel 5 (die Blöcke 7 wurden in diesem Falle fortgelassen, um genügend Raum für die Werkstücke frei zu lassen) wurde die Wicklung 16 mit einem Strom von 320 Volt, 22o kW und i ooo Perioden beschickt, um vier Graphitventuridüsen vom 2o,3. cm Durchmesser und 3o,5 cm Länge sowie vier Hohlzylinder zur Herstellung von Verbrennungskammern mit seinemAußendurchmesser von 2o,3cnn,einem Innendurchmesser von igcm und einer Länge von 25,¢cm zu verkleiden. Die ,obige Leistung wurde i Stunde langaufrechterhalten und dann. bei gleicher Spannung und Frequenz auf 2q.okW erhöht. Nach einer weiteren Stunde wurde bei unveränderter Spannung die Stromzufuhr auf 250 kW erhöht. In diesem Zeitpunkt, d. h. nach 2 Stunden, erwies sich der 'Schornstein i i als verstopft. Nach einer weiteren halben Stunde wurden die Spannung ,auf 26o Volt und die 'Stromzufuhr auf ,7o kW herabgesetzt. Die Temperatur hatte jetzt 2350° erreicht. Die letztere Stromzufuhr wurde noch eine weitere Stunde aufrechterhalten, wobei die Temperatur im Tiege18 bei etwa 235o° verblieb. Sodann wurde der Strom abgeschaltet und der Apparat iabkühlen gelassen. Es zeigte sich, daß die behandelten Teile durchweg mit einer Verkleidung in Stärke von o,5 bis o,75 mm versehen waren, aber in -der Stärke außen und innen nur 0,05 bis 0,075 mm im Radius zugenommen hatten.
  • Der Schornstein i i, der 6 i cm hoch war, bezog sich in der Nähe seines unteren Endes mit Siliciaunkia,rbid, setzte sich aber häufig biss zu seiner halben Höhe mit Kieselsäure zu. Einte gewisse Verstopfung dies Schornsteinfis mit Ydeselsäure trat immer ein, jedoch setzte per sich nur in einzelnen Arbeitsgängen vollständig zu, was aber den Fortgang des Prozessies inicht störte und nur zum Entstehen eines Überdruickes führte, der aber alte über 70 cm Wassersäule ;stieg. Möglicherweise könnte :die Atmosphäre im Tiegel iaußer dem Kiesels.äuroedampf und etwas Kohlenoxyd auch etwas Siliciummonoxyd Si O enthalten haben. Natürlich ist alle ursprünglich im Tiegel 8 ienthaltene Luft langte vor Eintritt einer Verstopfung durch deal Schornstein i i entwichen. Dasselbe Schornsteinmohr i i war übrigens immer wieder verwendet worden, weil der Kvesieisäumeansiatz ohne große Schwierigkeit mit Hüfe seiner Eisenstange ientfernt werden konnte.
  • Ein großer Vorteil des neuen Verfahrens liegt darin, daß sein so geringer Abmessungszuwachs stattfindet 'und daß der tatsächlich reintretende Zuwachs sich gleichmäßig verteilt, sio daß Düsen innerhalb von Toleranzen von ± 1/4o mm hergestellt werden; können. Natürlich wird bei der Herstellung der Rohstücke der Zuwachs berücksichtigt-Bei :der Herstellung besonders großer Düsen kann das Verfahren gemäß der Erfindung auch angewendet werden zur Verkleidung von Abschnitten zylindrischer Stücke mit Venturibohrungen, aus denen durch nachheriges Zusammensetzen die Düse gebildet wird. In. ;einem Falle bestand der herzustellende Gegenstand aus zwanzig Abschnitten, die mit Sficiumkarbid verkleidet und (eventuell in einer Stahlhülle) mit Hilfe Beines feuerfesten Kittes vereinigt wurden. Der Temperaturbereich für -die Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahriens jerstreckt sich vom Siedepunkt der Kieselsäure, der nahe bei 223o° liegt, bis zur Zersietzungstemperatur von Siliciumkarbid, dessen Zersetzung biet ietwa 245o° beginnt. Die Temperatur sülllbe mindestens x/2 Stunde lang zwischen diesen Grenzen gehalten werden, um eine einwandfreie Verkleidung zu erzielen. Bis zu 25oo° verläuft die Zersetzung von S licilumkarbid zwar nur langsam, :doch ist oberhalb 245o° das Sieden von Kleselsäuaie zu he-füg für die Erzielung bester Ergebnissie.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zum Verkleiden koblenstoffhaltiger Gegenstände mit SAciumkarbid -durch Einwirkenlassen von siliciumhaltügem Dampf auf den Kohlenstoff des Gegenstandes, dadurch gekennzeichnet, -d@aß man auf den Gegenstand biet ,einer Temperatur, die zwischen dem Siedepunkt vom. Siliciumoxyd und dem Zers,etzüngspunkt von Siliciumkarbid Biegt, S-Zlcnumoxyddämpfie einwirken läßt. z. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekeÜn:zei:chnvet, daß der zu verkleidende Gegenstand und das Siliciumoxyd, aus. dem !der auf ,dien Gege!nstan@d wirkende Dampf entwickelt wird, im Behandlungsraum getrennt untergebriacht werden. 3. Einrichtung zur Ausführung -des Vierfahrens mia@h Anspruch I,dadurch gekexmzeichnet, daß zwischen deinem dkus S:Lläciumiaxyd enthaltenden Gefäß und .dem zu -verkleidenden Gegenstand sein das dimekfie Auftreffen des Slici=oxyddIampfstnomes auf diesen verhindernder Ablenkschirm angeordnet ist. 4. Einrichtung nach Anspxmch 3, dadurch gekennzeichnet, dafi der - zur Durchführung des Verfiahmens dienende Behälter aus Graphit besteht. Angezogene Druckschriften: Deutsche Paüentschrifben Nr. 575 847, 173 o66; französische Pabentsehnärft Nr. 51438o; N i e d e r l te u t h n e r, Urbildsame Rohstoffe kernmischer Maaisien, 1928, S.242/243.
DED12845A 1951-10-26 1952-07-29 Verfahren zum Verkleiden kohlenstoffhaltiger Gegenstaende mit Siliciumkarbid Expired DE923655C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1205950B (de) * 1961-06-16 1965-12-02 Siemens Ag Halterung in einer Vorrichtung zur Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Gasphase auf stabfoermigen Traegern aus Halbleitermaterial gleicher Gitterstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE173066C (de) *
FR514380A (fr) * 1919-06-24 1921-03-09 Azote Francais L Procédé de transformation de pièces en charbon en une substance inoxydable, résistant aux hautes températures
DE575847C (de) * 1929-11-17 1933-05-04 Siemens Planiawerke Akt Ges Fu Verfahren zur Herstellung von Koerpern, die als Hauptbestandteil Siliziumkarbid oderBorkarbid enthalten

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