DE885034C

DE885034C - Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Metallen unter Einfluss hochfrequenter Felder

Info

Publication number: DE885034C
Application number: DENDAT885034D
Authority: DE
Inventors: Hans Hausner; Hugo Pfohe
Original assignee: HANS HAUSNER QUICKBORN (KR PINNEBERG); HUGO PFOHE HAMBURG
Current assignee: HANS HAUSNER QUICKBORN (KR PINNEBERG); HUGO PFOHE HAMBURG
Priority date: 1951-12-22
Publication date: 1953-06-18
Also published as: FR1068360A; CH318203A

Description

(WiGBL S. 175)

AUSGEGEBEN AM 30. JULI 1953

P 6813 VI a/48 a

Man hat bereits vorgeschlagen, beim Galvanisieren von Metallen den Gleichstrom mit hochfrequenten Wechselströmen mit Frequenzen bis 50 Millionen Hertz zu überlagern, um dadurch die Passivität der Anoden aufzuheben und die Streufähigkeit des Bades zu erhöhen. Eine solche Überlagerung des Gleichstromes mit hochfrequenten Feldern blieb jedoch zumeist erfolglos, da jene bloße Überlagerung nicht genügt, um den Abscheidungsprozeß günstig zu beeinflussen.

Das Verfahren gemäß der Erfindung zum galvanischen Abscheiden von Metallen unter Einfluß hochfrequenter Felder ist dadurch gekennzeichnet, daß das Gleichstromfeld mit mindestens zwei hochfrequenten Feldern mit voneinander so gering abweichenden Frequenzen überlagert wird, däß die Zwischenfrequenz etwa Molekülgröße aufweist, wodurch bewirkt wird, daß Resonanzerscheinungen auftreten, welche die Eigenladung der Ionen teilweise aufheben oder verstärken und dadurch die Metallabscheidung günstig beeinflussen,. Vorzugsweise wird die Elektrodenanordnung mit dem Hochfrequenzgenerator so abgestimmt, daß auf den Elektroden ein SkinefFekt auftritt, wodurch erreicht wird, daß zufolge der stark ionisierenden Wirkung der Skinhaut eine Überspannung' der zu entladenden Ionen entfällt und damit sehr hohe Streuungen, und Stromausbeutenerzielt werden. Zweckmäßig werden derart hohe Zwischenfrequenzen, beispielsweise zwischen 3,50 und 3,56 m Wellenlänge, abgestimmt, daß auf der Kathode die Kristallstruktur des abgeschiedenen. Materials SO' beeinflußt wird, daß der Niederschlag" dem jeweiligen Verwendungszweck des galvanisierten Materials angepaßt werden kann.

Durch Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung erzielt man eine besonders günstige, also äußerst dichte, mit dem Untergrund auf das festeste verwachsene, feinstkristalline MetallabscheMung.

Claims

PATENTANSPRÜCHE:

i. Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Metallen unter Einfluß hochfrequenter Felder, dadurch gekennzeichnet, daß das Gleichstromfeld mit mindestens zwei hochfrequenten Feldern mit voneinander so gering abweichenden Frequenzen überlagert wird, daß die Zwischenfrequenz etwa Molekülgröße aufweist, wodurch bewirkt wird, daß Resonanzerscheinungen auftreten, welche die Eigenladung der Ionen teilweise aufheben oder verstärken und dadurch die Metallabscheidung günstig beeinflussen.
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenanordnung mit dem Hochfrequenzgenerator so abgestimmt wird, daß auf den Elektroden ein Skmeffekt auftritt, wodurch erreicht wird, daß zufolge der stark ionisierenden Wirkung der Skinhaut eine Überspannung der zu entladenden. Ionen entfällt und damit sehr hohe Streuungen und Stromausbeuten erzielt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß so außerordentlich hohe Zwischenfrequenzen abgestimmt werden, daß auf der Kathode die Kristallstruktur des abgeschiedenen Materials so beeinflußt wird, daß der Niederschlag dem jeweiligen Verwendungszweck des galvanisierten Materials angepaßt werden kann, beispielsweise zwischen 3,50 und 3,56 m Wellenlänge.

I 5294 7.53