DE879867C - Verfahren zum Anbringen von Kontakten an elektrischen Widerstandskoerpern aus gesinterten Halbleiterstoffen - Google Patents

Description

• Verfahren zum .Anbringen von Kontakten an elektrischen Widerstandskörpern aus gesinterten Halbleiterstoffen Zum Anbringen von Kontakten an elektrischen Widerstandskörpern aus gesinterten Halbleiterstoffen bedient man sich einer Aufschlämmung von Metallen, z. B. aus Wolfram, M.olybdän, Nickel oder Eisen. Diese Aufschlämmung wird auf den noch nicht oder nur schwach vorgesinterten Halbleiterkörper aufgetragen und darauf erst der Halbleiterkörper hei entsprechend hoher Temperatur gesintert. Nach einem älteren Vorschlag wird in die auf diese Weise erhalten,-, mehr oder weniger poröse Kontaktmetallschicht zur Herabsetzung des Ouerwiderstandes .ein Metall eingeseigert, das mit dem Kontaktmetall nicht legiert. Vorzugsweise wird das zum Einsei gern dienende Metall, etwa Kupfer, Silber oder deren Legierungen, gleichzeitig zum Anlöten, der beispielsweise aus Eisen, Nickel, Wolfram oder Molybdän bestehenden drahtförmigen oder bandförmigen Stromzuführungen verwendet. Letztere wurden hierbei auf die Kontaktmetallschicht des Halbleiterkörpers aufgelegt, mit einer Aufschlämmung des zum Einseigern und,' Löten dienenden '-Metalls überdeckt und durch Erhitzen auf eine Temperatur, die oberhalb des Schmelzpunktes des Lötmetalls liegt, mit der Kontaktmetallschic'ht fest verlötet.
• Die Erfindung bezweckt, bei der Fertigung von Widerstandskörpern. dien, Arbeitsgang für die Herstellung und Aufbringung der Lötmetallaufschlämmung zu ersparen und- somit das Anlöten der Stromzuführungen zu vereinfachen und, zu beschleunigen. Dies wird erreicht, wenn erfindungsgemäß als Stromzuführungen Manteldrähte oder Mantelbänder verwendet werden, deren Mantel aus; einem mit dem Kontaktmetall nicht legierenden Lötmetall besteht, so daß dieses beim Lötvorgang in das Kontaktmetall des Widerstandskörpers einseigert :und nur der Kerndraht oder das: Kernband als Stromzuführung stehentleibt. Ein weiterer Vorteil bei der Verwendung derartiger Manteldrähte oder Mantelbänder liegt noch darin, daß man durch Wahl. der Manteldicke die Menge des Lötmetalls genau bemessen kann.
• Als, besonders geeignet haben sich Kupfermanteldrähte erwiesen-, dlie als Kern z. B. einem Eisen-oder I\T-ickeldraht und, darüber einen Mantel aus Kupfer tragen. Aus diesen Kupfermanteldrähten werden Stromzuführungen in geeigneter Form hergestellt, auf die Kontaktmetallschicht des Halbleiterkörpers gelegt und bei Temperaturen von etwa zroo° C erhitzt. Hierbei schmilzt der Kupfermantel, und das Kupfermetall dringt in die poröse Kontaktmetallschicht .des Halbleiterkörpers ein, wobei der Kern des Drahtes oder des Bandes mit der Kontaktschicht hart verlötet -und als Stromzuführung stehentleibt.
• Kupfermanteldrähte werden zwar in der Glühlampen,- und Verstärkerröhrentechnik bei der Herstellung von Stromzuführungsdrähten schon in, allergrößtem Umfange benutzt. Hierbei besteht jedoch nur das in der Ouetschstelle dies Fußrohres vakuumdicht eingeschmolzene kurze Dichtungsdrahtstück aus einem Kupfermanteldraht, an den sich einerseits ein längerer, mit der Sockelkontaktstelle verlöteter Kupferdraht und andererseits ein mit dem Glühkörper oder der Elektrode verschweißter oder verquetschter längerer Draht aus Nickel oder Molybdän anschließt. Der Kupfermanteldrabt dient dabei also nicht zur Verlötung mit einem Kontaktkörper,

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zum Anbringen von Kontakten an elektrischen Widerstandskörpern aus gesinterten, Halbleiterstoffen. durch Aufsintern des Kontaktmetalls -und nachfolgendes Anlöten der Stromzuführungen mit Hilfe .eines in das Kontaktmetall einseigernden. Metalls, dadurch gekennzeichnet,daß alsStromzuführungenManteldrähte oder Mantelbänder verwendet werden, deren, Mantel aus einem mit dem Kontaktmetall nicht legierenden Lötmetall besteht, so daß dieses beim Lötvorgang in das Kontaktmetall des Widerstandskörpers einseigert und. nur der Kerndraht oder das Kernband als Stromzuführung stehentleibt.