DE879270C - Verfahren zum Festlegen von Spitzenkontakten von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen - Google Patents

Verfahren zum Festlegen von Spitzenkontakten von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen

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DE879270C
DE879270C DEL10476A DEL0010476A DE879270C DE 879270 C DE879270 C DE 879270C DE L10476 A DEL10476 A DE L10476A DE L0010476 A DEL0010476 A DE L0010476A DE 879270 C DE879270 C DE 879270C
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DE
Germany
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tip contacts
determining
systems
conductive systems
electrically
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DEL10476A
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Hans-Ulrich Dr Rer Nat Harten
Hans-Ludwig Dipl-Ing Rath
Rainer Dipl-Phys Thedieck
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

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Description

  • Verfahren zum Festlegen von Spitzenkontakten von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen Die Herstellunawerfahren von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit Spitzenkontakten, wie Dioden oder steuerbare Gleichrichter, wiesen bislang die Schwierigkeit auf, daß das Festlegen der Kontaktstellen durch Ankleben oder Anlöten in sehr mühevoller Weise vorgenommen werden mußte.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft nun ein Verfahren zum Festlegen von Spitzenkontakten van elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, ins-]),-sondere von Systemen mit Germanium als Halbleiter, das sich von den bisher bekannten dadurch unterscheidet, daß den Spitzenkontakten '\7#'echselströme so hoher Frequenz zugeleitet «-erden, daß keine Gleichrichtung mehr stattfindet. Durch die dabei auftretenden Verluste wird die Kontaktstelle erwärmt und der Spitzenkontakt festgelegt.
  • Es hat sich als vorteilhaft herausgestellt, im gleichen Arbeitsgang den Spitzenkontakt mittels Wechselstrom einer niedrigeren Frequenz oder mittels Gleichstrom in Fluß- oder Sperrichtung zu formieren. Dabei ist es günstig, daß zum Formieren der Strom in kurzzeitigen Stößen in das System gegeben wird.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE' t. Verfahren zum Festlegen von Spitzenkontakten von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen, insbesondere von Systemen mit Germanium als Halbleiter, dadurch gekennzeichnet, daß den Spitzenkontakten Wechselströme so hoher Frequenz zu:geleitet werden, daß keine Gleichrichtung mehr stattfindet. z. Verfahren nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, daß im gleichen Arbeitsgang die Spitzenkontakte mittels Wiechse'lstrom einer niederen Frequenz als der zum Festlegen benutzten formiert werden. 3. Verfahren nach Anspruch a, dadurch gekennzeichnet, daß zum Formieren der Wechselstrom in kurzzeitigen Stromstäßen auf das System gegeben wird. q.. Verfahren nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, daß im gleichen Arbeitsgang die Spitzenkontakte mittels Gleichstrom ,in Durchlaß- oder Sperrichtung formiert werden. 5. Verfahren nach Anspruch q., dadurch gekennzeichnet, daß zum Formieren der Gleichstrom in kurzzeitigen Stromstößen auf das System gegeben wird.
DEL10476A 1951-10-28 1951-10-28 Verfahren zum Festlegen von Spitzenkontakten von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen Expired DE879270C (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1040131B (de) * 1953-10-02 1958-10-02 Int Standard Electric Corp Verfahren zum Formieren von elektrischen Halbleiteranordnungen mit einer mit Fremdstoff versehenen Nadelelektrode
DE976063C (de) * 1953-06-22 1963-02-07 Philips Nv Einrichtung zur Formierung von Halbleiteranordnungen, insbesondere von Kristalldioden oder Transistoren

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DE976063C (de) * 1953-06-22 1963-02-07 Philips Nv Einrichtung zur Formierung von Halbleiteranordnungen, insbesondere von Kristalldioden oder Transistoren
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