DE1242972B - Verfahren zum AEtzen von SiC - Google Patents

Verfahren zum AEtzen von SiC

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DE1242972B
DE1242972B DEJ25392A DEJ0025392A DE1242972B DE 1242972 B DE1242972 B DE 1242972B DE J25392 A DEJ25392 A DE J25392A DE J0025392 A DEJ0025392 A DE J0025392A DE 1242972 B DE1242972 B DE 1242972B
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etching
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sic
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nano
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Ekkehard Ebert
Werner Spielmann
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
    • C04B41/5338—Etching
    • C04B41/5361—Etching with molten material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
    • H01L21/0475—Changing the shape of the semiconductor body, e.g. forming recesses

Description

709 607/522 6.67 © Bundesdruckerei Berlin

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Ätzen von Silizium-Karbid, dadurchgekennzeichnet, daß das Ätzen in einer Schmelze aus NaNO2 und Na2O2, vorzugsweise in einem Verhältnis von 1:1, vorgenommen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzen in einem Temperaturbereich zwischen 400 und 600° C vorgenommen wird.
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GB1023749A (en) 1966-03-23
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