CH409150A - Verfahren zur Herstellung einer pin-Halbleitervorrichtung, nach diesem Verfahren hergestellte pin-Halbleitervorrichtung und Verwendung derselben - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer pin-Halbleitervorrichtung, nach diesem Verfahren hergestellte pin-Halbleitervorrichtung und Verwendung derselben

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CH409150A
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CH118563A 1962-02-02 1963-01-31 Verfahren zur Herstellung einer pin-Halbleitervorrichtung, nach diesem Verfahren hergestellte pin-Halbleitervorrichtung und Verwendung derselben CH409150A (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3501678A (en) * 1967-06-28 1970-03-17 Ortec Tapered-shelf semiconductor
US3598997A (en) * 1968-07-05 1971-08-10 Gen Electric Schottky barrier atomic particle and x-ray detector
US3806305A (en) * 1972-11-16 1974-04-23 Johnson Service Co Solid state spark ignition circuit with automatic shut-off

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE524233A (de) * 1952-11-14
US2908871A (en) * 1954-10-26 1959-10-13 Bell Telephone Labor Inc Negative resistance semiconductive apparatus
DE1014670B (de) * 1955-03-18 1957-08-29 Siemens Ag Geraet zur Erfassung von Neutronen mit einem Halbleiter
US2857527A (en) * 1955-04-28 1958-10-21 Rca Corp Semiconductor devices including biased p+p or n+n rectifying barriers
US2988639A (en) * 1956-03-09 1961-06-13 Siemens Ag Method and device for sensing neutrons
US2819990A (en) * 1956-04-26 1958-01-14 Bell Telephone Labor Inc Treatment of semiconductive bodies
DE1744070U (de) * 1956-05-09 1957-05-02 Siemens Ag Einrichtung zur messung der intensitaet von elektronenstrahlen.
US3102201A (en) * 1958-12-15 1963-08-27 Rca Corp Semiconductor device for generating modulated radiation
US3110806A (en) * 1959-05-29 1963-11-12 Hughes Aircraft Co Solid state radiation detector with wide depletion region
US3225198A (en) * 1961-05-16 1965-12-21 Hughes Aircraft Co Method of measuring nuclear radiation utilizing a semiconductor crystal having a lithium compensated intrinsic region

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