CH444826A - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiteranordnung

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CH444826A
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CH
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manufacturing
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semiconductor
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CH1293263A
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Erhard Dr Sirtl
Julius Dr Nickl
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Siemens Ag
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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CH1293263A 1962-11-15 1963-10-22 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiteranordnung CH444826A (de)

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