CH426740A - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements, nach diesem Verfahren hergestelltes Element, und Verwendung desselben - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements, nach diesem Verfahren hergestelltes Element, und Verwendung desselben

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CH426740A
CH426740A CH1635464A CH1635464A CH426740A CH 426740 A CH426740 A CH 426740A CH 1635464 A CH1635464 A CH 1635464A CH 1635464 A CH1635464 A CH 1635464A CH 426740 A CH426740 A CH 426740A
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3462323A (en) * 1966-12-05 1969-08-19 Monsanto Co Process for the preparation of compound semiconductors
US4115163A (en) * 1976-01-08 1978-09-19 Yulia Ivanovna Gorina Method of growing epitaxial semiconductor films utilizing radiant heating
US4421576A (en) * 1981-09-14 1983-12-20 Rca Corporation Method for forming an epitaxial compound semiconductor layer on a semi-insulating substrate
CN114990358B (zh) * 2022-04-12 2023-02-03 中南大学 一种掺杂砷烯纳米片、及其制备方法和应用

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL252729A (de) * 1959-06-18
NL275516A (de) * 1961-03-02
US3148094A (en) * 1961-03-13 1964-09-08 Texas Instruments Inc Method of producing junctions by a relocation process
US3218205A (en) * 1962-07-13 1965-11-16 Monsanto Co Use of hydrogen halide and hydrogen in separate streams as carrier gases in vapor deposition of iii-v compounds

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DE1544200C3 (de) 1975-11-27
NL6414015A (de) 1965-06-24

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