CH447388A - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, nach diesem Verfahren hergestellter Transistor sowie Verwendung des Transistors - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, nach diesem Verfahren hergestellter Transistor sowie Verwendung des TransistorsInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0095365 | 1965-02-09 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH447388A true CH447388A (de) | 1967-11-30 |
Family
ID=7519320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH167766A CH447388A (de) | 1965-02-09 | 1966-02-07 | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, nach diesem Verfahren hergestellter Transistor sowie Verwendung des Transistors |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3400310A (de) |
CH (1) | CH447388A (de) |
DE (1) | DE1514398A1 (de) |
GB (1) | GB1135555A (de) |
NL (1) | NL6600223A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3506887A (en) * | 1966-02-23 | 1970-04-14 | Motorola Inc | Semiconductor device and method of making same |
US3518498A (en) * | 1967-12-27 | 1970-06-30 | Gen Electric | High-q,high-frequency silicon/silicon-dioxide capacitor |
SE337430B (de) * | 1969-11-17 | 1971-08-09 | Inst Halvledarforskning Ab | |
US4296336A (en) * | 1979-01-22 | 1981-10-20 | General Semiconductor Co., Inc. | Switching circuit and method for avoiding secondary breakdown |
US4660069A (en) * | 1983-12-08 | 1987-04-21 | Motorola, Inc. | Device with captivate chip capacitor devices and method of making the same |
DE3586268T2 (de) * | 1984-05-03 | 1993-02-25 | Digital Equipment Corp | Eingangs-schutzanordnung fuer vlsi-schaltungsanordnungen. |
JPS6272144A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2761961B2 (ja) * | 1990-04-06 | 1998-06-04 | 健一 上山 | 半導体可変容量素子 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3202891A (en) * | 1960-11-30 | 1965-08-24 | Gen Telephone & Elect | Voltage variable capacitor with strontium titanate dielectric |
NL274830A (de) * | 1961-04-12 |
-
1965
- 1965-02-09 DE DE19651514398 patent/DE1514398A1/de active Pending
-
1966
- 1966-01-07 NL NL6600223A patent/NL6600223A/xx unknown
- 1966-02-03 US US524886A patent/US3400310A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-02-07 CH CH167766A patent/CH447388A/de unknown
- 1966-02-08 GB GB5386/66A patent/GB1135555A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1135555A (en) | 1968-12-04 |
US3400310A (en) | 1968-09-03 |
NL6600223A (de) | 1966-08-10 |
DE1514398A1 (de) | 1969-09-11 |
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