DE1514398A1

DE1514398A1 - Halbleiteranordnung

Info

Publication number: DE1514398A1
Application number: DE19651514398
Authority: DE
Inventors: Rebstock Dipl-Phys Dr Hans; Dorendorf Dipl-Phys Dr Heinz; Ruechardt Dipl-Phys Dr Hugo
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1965-02-09
Filing date: 1965-02-09
Publication date: 1969-09-11
Also published as: GB1135555A; NL6600223A; CH447388A; US3400310A

Description

BIEMEHB AXTIBSOESBLLSCIU?* Üünohon2_t - & FEB. 196

Wittelsbaoherplata

ΪΑ 65/2072 Lb/I3

Halbleiteranordnung

Dio Erfindung betrifft ein· Halbleiteranordnung» boi dor unerwünflohte Kapaaitäton «wischen einen Halbleiterkörper tind einer auf einer isolierenden Schioht aufgebrachten leitenden Schioht auftreten.

Ba ist bekannt geworden« bei Halbleiteranordnungen buv/. Ik'.lbloltorbauolementen Elektroflon auf öiner auf dor Oborfläoke dos nalbloltcrhörpers boflndliohcn Isolierschicht aufcuootzon. Dorartiße Anordnungen sind bisher unter dom Oeeichtepunkt oinor Stouorung der nalbleitoronordnung bzw« deο Hclbleitoroloraentea duroh ein elektrisches Void betrachtet «orden» \7Oboi das Void duroh die Isolierschicht greift und die Stroaverhältnisse in Halbleiterkörper uoüfieiort.

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BAD ORIQrtl'^'-

Derartige auf einer Isolierschicht aufgebrachte Elektroden besltsen jedoch lanaer Kapazitäten, weXohe für dls funktion der Anordnung bor« das Bauelement störend ο Ind.

Insbesondere bei der Herstellung von Planartransistoren» Dioden und festkOrpereohaltkreleen troten lamer wieder SeIl* strukturen auf» «de sie In der Yig· 1 dargestellt sind» Sine solohe Seilstruktur besteht aus einem Halbleiterkörper 1» StB* n-leitendea Silioiua, einer Isolierschicht 2, s,B. Siliciumdioxidt und einer «eiteren niohtieolierenden, also den elektrischen Stron leitenden ßchlcht, die mit 3 beeeiehnet 1st und beispielsweise aus einen Halblelteri einer fidoretandsschicht oder einen aufgedampften llotallfila bestehen kann· Bei einer derartigen Anordnung besteht eine vielfach unerwünschte kapazitive Kopplung der strel duroh das Oxid getrennten Bereiche A und B.

Xn der Pig. 2 ist das elektrische Analogem einer Anordnung gemäß yig· I dargestellt· BIe swleohen A und B liegenden Kapasitat C, die gemäß der Erfindung vermieden werden eoll, let e.B. bei TerstfirkungsanordnungeA In der Regel die Kapazität «wischen Eingang und Ausgang» da diese beettglioh Ihres Einflueses auf die elektrleohe funktion der Anordnung aa bedeutsamsten 1st·

Aufgabe der vorliegenden Erfindung 1st es« eins Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art ansugoben» bei der solohe Kapazitäten weiteetgehend ausgesohalttt sind»

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Zur Utauig dioeer Aufgabe ist Wl einer Halbleiteranordnung vorgeeeheft, d*0 sua Terrineorn dor unerwüneohten Kapoeitateii der foil i·· Hftlbleittrkörper· «In·· Leituneetyp»_f dor an dl« leolier»«hioht unterhalb der leitenden Bohioht «ngrenit_f olo So·· do· o&tcegengeaetsten leitimeetype euacebildet iet·

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Zur Veranschaulichung dient die Figur 3. Gemäß der Erfindung enthält diese Halbleiteranordnung zwischen dem Halbleiterkörper 1, der z.B. aus η-leitendem Silicium besteht, und der isolierenden, z.B, aus Siliciumdioxid, bestehenden Schicht 2 eine "* Zone 6 des entgegengesetzten Leitungstyps, also z.B. aus _: p-leitendem Silicium. Das elektrische Analogon einer solchen Anordnung ist in der Pig. 4 dargestellt. Die Kapazität zwischen der leitenden Schicht 3 und dem Halbleiterkörper 1 v/ird durch die Zwischenschicht, die bei dieser Ausführungsform der Erfindung auf schwebendem Potential liegt, in zwei Teilkapazitäten C₁ und Cp aufgeteilt, nämlich in die zwischen der leitenden Schicht 3 und der Zone 6 vorhandenen Kapazität, und die zwischen der Zone. 6 und dem Halbleiterköper vorhandene Kapa-J«*^ zität des in Sperrichtung liegenden pn-Überganges 5. Diese ^5lV" -_w -j Kapazitäten sind in Reihe geschaltet. Da bekanntlich die Gesamtkapazität einer Reihenschaltung kleiner als die kleinste der in Reihe geschalteten Kapazitäten ist, wird bei dieser Ausführungsform der Erfindung die Verkleinerung der Kapazität dadurch erzielt,'daß zu der zwischen der leitenden Schicht 3 und der Zone 6 vorhandenen Kapazität die relativ kleine Kapazität des in Sperrichtung liegenden pn-Überganges 5 geschaltet v/ird. Diese Ausführungsform der Erfindung hat allerdings den . Nachteil* der Spannungsabhängigkeit der Kapazität am pn-übergang.

Um dies zu vermeiden, wird gemäß der Erfindung weiter vorgeschlagen, daß die Zone des entgegengesetzten Leitungstyps . .

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auf einen festen Bezugspotential liegt. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung kann als Bezugspotential Erde dienen. Eine solche Anordnung ist in der Fig. 5 dargestellt. Sie besteht wieder au3 den Halbleiterkörper 1 de3 einen Leitungstyps, der Zone 6 des entgegengesetzten Leitungstyps, einer isolierenden Schicht 2 und einer für den Strom leitenden Schicht 3. Bei dieser Ausführungsform der Erfindung ist jedoch die Zone 6 kontaktiert und über eine Zuleitung 8 mit Erde verbunden. In der Figur 6 ist wieder das elektrische Analogon einer solchen Schaltung dargestellt. Durch das Anlegen eines festen Bezugspotentials am Punkt D wird eine Kapazität der beiden ursprünglichen nichtisolierenden Bereiche A und B gegeneinander,vermieden. Heu auftretende Kapazitäten zwischen A und D sowie B und D können in vielen Anwendungen ohne weiteres toleriert v/erden. !Dies kann z.B. durch äußere Schal tmittel' geschehen. Häufig sind diese Kapazitäten auch gering im Verhältnis zur Zuleitungskapazität. ,

Um die Kapazitäten, die nach Herstellung der Zone entgegengesetzten Leitungstyps, die als Schirm wirkt, noch bleiben, ebenfalls klein zu halten, ist es vor allem günstig, die Dicke der Abschirmschicht also der Zone entgegengesetzten Leitungötyps nicht zu gering zu wählen, da sonst die Kapazität des pn-Übergangs 5 nicht klein genug gemacht werden kann, da sich die Raunladungszone innerhalb der Zone entgegengesetzten Leitungstyps nicht genug ausbreiten kann. Daß die. Dicke der Schicht nicht zu gering, d.h. größer als 1 /um, ist,

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ist auch bei einer Anordnung, bei der die Schicht auf einem schwebenden Potential liegt, wesentlich, da bei einer solchen Anordnung die Verkleinerung der Kapazität durch den. Kapazitätsv/ert des pn-Übergangs weitgehend bestimmt ist.

Wio bereits ausgeführt wurde, können jedoch die nach dem Anbringen der Zwischenschicht, also der Zone entgegengesetzten Leitungstyps, noch verbleibenden Kapazitäten je nach Schaltungsanwendung häuf ig auch auf andere Weise kompensiert werden. Für derartige Anwendungen ergibt sich für die Schichtdicke der Zone entgegengesetzten Leitungstyps.ein Wert von 0,2 /um. 10 /um. Dabei tendieren bei Hochfrequenztransistoren die Schichtdicken zur unteren Grenze, während bei Leistungstransistoren Schichtdicken, die an der oberen Grenze liegen, möglich sind, da bei Transistoren die mögliche Schichtdicke selbstverständlich von der Basisdicke abhängig ist.

Weiter soll die Zone entgegengesetzten Leitungstyps zur Erzielung eines möglichst kleinen Kapazitätswertes des pn-Übergangs hinreichend hochohmig sein. Andererseits muß aber besonders dann, wenn diese Zone entgegengesetzten Leitungstyps an einem festen Bezugspotential liegt, ein Stroinfluß zur Elektrode möglich sein; der Widerstand in der Zone entgegengesetzten Leitungstyps soll dabei sehr klein gegenüber dem kapazitiven Widerstand der angrenzenden Sperrschicht sein. Als besonders günstig hat 3ich ein Flächenwiderstand der Zone entgegengesetzten

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Leitungstypo von 10 - 500 Ohm/Fläche erwiesen.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung soll die Flächenausdehnung der Zone des entgegengesetzten leitungstyps größer sein al3 die der leitenden Schicht und zwar so groß, daß die am Rand der leitenden Schicht entstehenden Streukapazitüten möglichst vermindert bzw. ebenfalls noch abgeschirmt werden. Gemäß der Erfindung soll also die- Fläche, die in der Figur 5 mit 4 bezeichnet ist, die gleich der Fläche der Zone des entgegengesetzten Leitungstyps an der Halbleiteroberfläche istι größer sein alo die Fläche 3'» die der von der leitenden Schicht 3 bedeckten Fläche der Isolierschicht entspricht.

Dabei ist es besonders günstig, wenn die Fläche der Zone des entgegengesetzten leitungstyps die von der leitenden Schicht bedeckte Fläche um das Dreifache der Dicke der Isolierschicht überragt. Diese Bedingung soll auch dann eingehalten werden, wenn die leitende Schicht nicht konzentrisch zur Zone des entgegengesetzten Leitungstyps liegt. Die Fläche der Zone entgegengesetzten leitungstyps 'soll dann an keiner Stelle des Umfangs der leitenden Schicht weniger als das Dreifache der Dicke der isolierenden Schicht, also z.B. der Oxidschicht, überstehen. Bei Hochfrequenzanordnungen, insbesondere bei Hochfrequenztransistoren, beträgt die Dicke der Isolierschicht 2/ura, so daß, um auch noch Streukapazitätan abzuschirmen, die'Fläche der Zone des entgegengesetzten Leitungstyps um mindestens 6 Ai über die von der leiten-

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den Schicht bedeckte Fläche überotehen soll.

Bei den meisten, Anwendungsfällen besteht die leitende Schicht 3 aus einem Metall und stellt eine Anschlußelektrode für eine Halbleiteranordnung, z.B. für einen Transistor, dar. Die leitende Schicht ist dann entweder aufgedampft oder es kann auch ein Leitlack aufgebracht werden. Im Folgenden wird daher als Ausführungsbeispiel der Aufbau eines kapazitätsarmen Planartransistors gemäß -der Erfindung beschrieben, wie er z.B. mit Vorteil in niöhtneutralisierten ^;Verstärkerstufen, vorwiegend in Breitband- und ZF-Verstärkungen, Anwendung finden kann.

In der Fig. 7 ist ein Planartransistor dargestellt. Er besteht aus einem Halbleiterkörper 9, der z.B. aus η-leitendem Silicium gebildet wird. In diesem Halbleiterkörper ist durch Diffuöion nach der bekannten Planartechnik eine Basiszone 17 von p-Ieitung und eine Emitterzone 18 von η-Leitung erzeugt. Die au3 Siliciumdioxid bestehende Oxidschicht 10 ist mit Öffnungen zur Kontaktierung der einzelnen Schichten versehen. Die Kontaktflächen für die Emitter- und Basisanschlüsse sind als Aufdampfschichten 13 und 12 aufgebracht, die durch die öffnungen in der Oxidschicht auf die Oberfläche der einzelnen Zonen reichen und hier eine,hinreichende Fläche aufweisen, um elektrische Anschlüsse sicher anzubringen. Wie bereits ausgeführt, ist bei einer Verstärkeranordnung in der Regel die Kapazität zwischen Ausgang und Eingang am bedeutendsten bezüglich ihres Einflusses auf die elektrische funktion der Anordnung. Gerade ein solcher Kapazitäts-

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■ anteil wird bei Emitterschaltung durch den Basiskontaktfleck verursacht und kann durch die gemäß der Erfindung angegebene Maßnahme vermieden werden. So bringt z.B. ein Basiskontakt-• flecken von 60 /um χ 60 /um Augdehnung, wie ihn Hochfrequenztransistoren aufweisen, bei einer Dicke der Siliciumoxidschicht von 0,5 /um eine zusätzliche Kapazität zwischen Kollektor und Basis, die 0,25 pl? beträgt. Durch Anbringen einer Zwischenschicht, die beim vorliegenden Ausführungsbeispiel

* I

p-Leitfähigkeit aufweist und mit 19 bezeichnet ist, im Grundmaterial 9 unterhalb des Basiskontaktflecks 12 wird dieser Kapazitätsanteil verhindert und statt dessen entstehen viel unschädlichere zusätzliche Kapazitätsanteile zwischen den Eingangselektroden, also zwischen dem Kontaktfleck und dem mit dem Emitter verbundenen p-Halbleiter 19» und zwischen den Halbleiterkörper 9 und der mit dem Emitter verbundenen Zone des entgegengesetzten Leitungstyps 19· Das feste Bezugspotential ist bei dieser Anordnung also das Emitterpotential und es ist eine leitbahn 11 vorgesehen, die zur Kontaktierung der Zone entgegengesetzten Leitung3typs 19 durch eine Öffnung in der Oxidschicht dient und mit dem Emitterkontaktfleck 13 verbunden ist, wie dies auf der Aufsicht, wie sie in. der Fig. 8' dargestellt ist, sichtbar wird. Die in dieser Fig. 8 gestri-

^ chelt gezeichneten Begrenzungen stellen die Begrenzungsflächen

to für die p.uf ge dampfte Metallschicht, die die einzelnen Kontakt-

^ω flecken für die Halbleiteranordnung bilden, dar.

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In,der Pig. 9 ist das elektri3che Analogon eines Transistors, wie er in der Pig. 7 in Querschnitt und in der Pig. 8 in der

Draufsicht dargestellt ist, gezeichnet. Durch den Schirm S, d. h. durch die Zone 19 des entgegengesetzten Leitungstyps, die auf Emitterpotential liegt, verschwendet die zwischen Basiskontaktfleck und Kollektor liegende Kapazität Cg. Die zwischen den Schirm und der Basie Bq liegende kapazität wird der zv/ischen der Basis Bq und dem Emitter vorhandenen Kapa- : zität Qj- paralleigeschaltet, während die zv/ischen dem Schirm und dem Kollektor liegende Kapazität der zv/ischen dem Kollektor und den Emitter liegenden Kapazität C. parallelgeschaltet wird. Die zwischen Kollektor und Emitter bzw. Basis und Emitter vorhandenen Kapazitäten werden also durch Zwischenschaltung de3 Schirmes vergrößert; dafür werden aber Eingangs- und.Ausgangsbereiche, vollkommen gegeneinander abgeschirmt.

Bei dem in den Figuren 7 und 8 dargestellten Ausführungsbeispiel eines Planartransistors kann natürlich auch, je nach Schaltungsanwendung, die zwischen dem'Emitterkontakt 13 und den Halbleiterkörper 9 vorhandene Kapazität etörend wirken. Die3 wird z.B. der Pail sein, wenn der Transistor in Basisschaltung betrieben wird. Dieser Kapazitätsanteil kann dann in analoger

Weise durch eine Schicht 20, die in die Pig. 7 strichpunktiert eingezeichnet ist, vermieden werden, die ebenfalls den entgegengesetzten Leitungstyp wie der Halbleiterkörper 9 aufweist.

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Es ist-weiter auch möglich, einen Transistor so aufzubauen, daß er sowohl die in der Fig. 7 mit 19 bezeichnete Zone als auch die in der Pig. 7 mit 20 bezeichnete Zone des entgegengesetzten Leitungstyps enthält. Soll auch die Zone 20 auf ein festes .Bezugspotential geführt werden können, so geschieht die Kontaktierung dieser Zone, wie dies in Zusammenhang mit der Zone 19 in Pig. 7 dargestellt ist, d.h. in die Oxidschicht 10 wird eine Öffnung eingebracht und die Zone 20 .mittels einer Metallschicht kontaktiert. Enthält eine Halbleiteranordnung zwei derartige Zonen entgegengesetzten leitungstyps unter dem Basiskontaktfleck und unter dem Emitterkontaktfleck, die beide kontaktiert sind, so kann je nach Anwendung die eine oder die andere Zone mit einem festen Bezugspotential verbunden werden.

Bei dem gemäß der Erfindung aufgebauten Planartransistor ist die Zone entgegengesetzten Leitungstyps exzentrisch zum Basis- und/oder Emitterkontaktfleck angeordnet. Außerdem ragt die Zone entgegengesetzten Leitungstyps innerhalb des Halbleiterkörpers an drei Seiten des Basis- bzw. Emitterkontaktfleclceo über diesen hinaus, während unter der vierten Seite ein Teil der Basiszone liegt. Pur die Gebiete, in denen die Zone entgegengesetzten Leitungstyps, also die Zone 19 und/oder 20, den entsprechenden Kontaktfleck, also z.B. den Basiskontaktfleck 12 bzw. den Emitterkontaktfleck 13 überragen, sollen sie mindestens un das Dreifache der Dicke der Oxidschicht 10, 16 bzw. 14 und 15 überstehen. Ebenfalls sollen sie immer so weit überstehen, daß auch die am Rand des Kontaktfleckens auftreten-

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PA 9/493/71'9 -+T- 1<& ':. den Streukapazitäten noch abgeschirmt werden.

Zur Herstellung eines derartigen Transistors wird die an sich , , bekannte Planartechnik angewendet. Ed ist besonders zweckmäßig, wenn man die Herstellung der Zone entgegengesetzten Leitungstyps, also der unter den Emitterkontaktfleck liegenden Zone und/oder der unter dem Basiskontaktfleck liegenden Zone, gleichzeitig mit der Herstellung der Basiszone vornimmt. Ba beide die gleiche Leitfähigkeit besitzen, können 8ie in einem Diffusionsvo-rgang hergestellt v/erden.

Zwischen der Basiszone und der Zone entgegengesetzten Leitungstyps, also der unter dem Basiskontaktfleck liegenden Zone bzw; ' der unter dem Emitterkontaktfleck liegenden Zone, ist in Richtung parallel zur Halbleiteroberfläche ein zur Vermeidung eines Kurzschlusses zwischen diesen Zonen notwendiger Abstand vorgesehen, der in der Fig. 7 mit 23 bzw. mit 22 bezeichnet ist. Um eine möglichst gute Abschirmung der Kapazität zwischen dem Halbleiterkörper und den entsprechenden Kontaktflecken, also den Emitter- oder dem Basiskontaktflecken, zu erzielen, wird man diesen Abstand selbstverständlich möglichst gering machen.

Wenn die Ausführungsbeispiele auch im Zusammenhang mit Silicium beschrieben wurden, so ist es selbstverständlich, daß auch andere Halbleitermaterialien wie Geimanium oder A^II:rB^V-Verbindungen oder andere halbleitende Verbindungen ohne weiteres Anwendung finden können. Die Erfindung kann auch dann mit Vorteil Anwendung finden, wenn andere Isolierschichten außer dü3

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genannteij;7| Siliciumdioxido· auf einer Halbleiteroberfläche auf-

gebracht sind und mit einer Schicht aus einem leitenden Material überzogen sind. ■ , ·

22 Patentansprüche
9 Figuren ₄

• - . - 13 -

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Claims

1. } Halbleiteranordnung, toi der unerwünscht« fcapaeitftten «wischen einen Halbleiterkörper und einer auf «Ina* isolierenden Sohioht aufgebrachten leitenden 8ohieht auftreten« daduroh gekenn*eiohn»tt *»ß *»» Verrineern der unorwüneohten Xapasitäten der Cell dos Halbleiterkörpere eines Loitungetypa_t der an dl· Ieoliereohiont unterhalb der leitenden Schicht angrenstt al· lon» dee entgeeengeeeteten Leitungetyp· auageeildet iat·

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zone des entgegengesetzten ieitungstyps auf einem festen Bezugspotential liegt. . ' .

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zone geerdet ist.

4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1-3» dadurch gekennzeichnt, daß die Zone des entgegengesetzten Leitungstyps niederohmig in Bezug auf den angrenzenden Halbleiterkörper ist.

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5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Flächenwiderstand der Zone entgegengesetzten Lei- . tungstyps 10 - 500 Ohm/Fläche beträgt.

6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1-5» dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Zone entgegengesetzten Leitungstyps zwischen 0,2 und 10 Atm liegt.

7. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche. 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß durch Wahl der Dicke der Zone entgegengesetzten -Le itungstyps die zwischen dieser Zone und der leitenden Schicht und der Zone und dem Halbleiterkörper vorhandenen Restkapazitäten gering gehalten sind.

8. Halbleiteranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Zone größer als 1 /um und kleiner als 10 /um ist.

9. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 - 8, dadurch

gekennzeichnet, daß die Flächenausdehnung der Zone entgegen-

• ·

gesetzten Leitungstyps größer ist ^;äls die der leitenden Schicht.

10.Halbleiteranordnung nach Anspruch 9t dadurch gekennzeichnet, daß die Flüche der Zone am Rand der leitenden^-Schicht um mindestens das Dreifache der Dicke der isolierenden Schicht

übersteht. „ . .

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11. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 - 10, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Schicht ein Metall ist. . ■·' '

12. Halbleiteranordnung nach Anspruch .11, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Schicht als Anschlußelektrode für eine Halbleiteranordnung, insbesondere für einen !transistor,

dient. · - ^;

, \ - ■ ■ ■·

13. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 - 12, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Schicht aufgedampft ist.

H. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1—12,

I ·

dadurch gekennzeichet, daß als leitende Schicht ein leit-· lack aufgebracht ist.

15· Transistor, insbesondere Planartransistor, mit Emitter-, Basis- und Kollektorzone, bei dem. Emitter- und Kollektorpn-übergang an eine von einer isolierenden Schicht bedeckte Oberfläche treten und die in einem Halbleiterkörper, insbesondere durch Diffusion, erzeugte Emitter- und Basiszone mittels einer auf die Isolierschicht aufgebrachten Metallschicht kontaktiert sind mit einer Zone des entgegengesetzten Leitungstyps nach einem der Ansprib he 1-14, dadurch gekennzeichnet, daß die Zone im Halbleiterkörper an die Isolierschicht angrenzt und unterhalb des Basis- und/oder Emitterkontaktfleckens angebracht ist.

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16. Transistor nach Anspruch 15» dadurch gekennzeichnet, daß ■ zwischen der Basiszone und der Zone entgegengesetzten Lei-"tungstyps in Richtung parallel zur Halbleiteroberfläche ein zur Vermeidung eines Kurzschlusses zwischen diesen Zonen notwendiger Abstand vorgesehen ist.* "■ '

17. Transistor' nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Zone exzentrisch zum Basis- und/oder Emitterkontaktfleck angeordnet ist und die Zone des entgegengesetzten leitungstyps innerhalb des Halbleiterkorper3 an drei Seiten des Basis- bzw. Emitterkontaktfleckens über diesen hinausragt, während unter der vierten Seite ein Teil der Basiszone liegt.

18. Transistor nach einem der Ansprüche 15-17» dadurch gekennzeichnet, daß er in Emitterschaltung betrieben wird und die Zone entgegengesetzten Leitungstyps unter dem Basiskontaktfleck auf Emitterpotential liegt.

19. Transistor nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß

. eine weitere Zone entgegengesetzten leitungstypo unter dem Emitterkontaktfleck vorgesehen ist, die auf schwebenden Potential liegt. -

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20. Translator nach einem der Ansprüche 1 - 17, dadurch gekennzeichnet, daß er in Basisschaltung betrieben wird und die Zone entgegengesetzten Leitungstypo unterhalb des Emitterkontaktflecks angeordnet ist und auf Basispotential liegt.

21. Transistor nach Anspruch 20, dadurch geken-nzeichnet, daß eine weitere Zone entgegengesetzten Leitungstyps unter dem Basiskontaktfleck vorgesehen ist, die -auf schwebenden

Potential liegt.

22. Transistor nach einem der Ansprüche 15-19» dadurch gekennzeichnet, daß die unterhalb des Basiskontaktflecks und/oder des Emitterkontaktflecks liegende Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps durch JDiffusion, insbesondere gleichzeitig mit der Basiszone des Transistors, hergestellt ist.

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