DE829020C - Verfahren zum Herstellen von Traegerelektroden fuer Trockengleichrichter - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Traegerelektroden fuer Trockengleichrichter

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DE829020C
DE829020C DEP13512A DEP0013512A DE829020C DE 829020 C DE829020 C DE 829020C DE P13512 A DEP13512 A DE P13512A DE P0013512 A DEP0013512 A DE P0013512A DE 829020 C DE829020 C DE 829020C
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Germany
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dry rectifiers
carrier electrodes
carrier
rectifiers
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Expired
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DEP13512A
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English (en)
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Dr Phil Werner Koch
Dr Rer Nat Siegfried Poganski
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08Preparation of the foundation plate

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Description

  • Verfahren zum Herstellen von Trägerelektroden für Trockengleichrichter Zur Erhöhung der Haftfestigkeit werden die Trägerelektroden für Trockengleichrichter, insbesondere für Selentrockengleichrichter, vor dem Aufbringen der Halbleiterschicht, beispielsweise des Selens, aufgerauht. Meist wird durch Abstrahlen mit Sand eine rauhe Oberfläche hergestellt. Bei diesem Verfahren entstehen, .ebenso wie bei manchen cliemisclieii Beizverfahren, jedoch vereinzelte hohe Spitzen, die es notwendig machen, die Dicke der Halbleiterschicht groß zu wählen, damit sie nicht etwa an den Stellen, an denen sich die erwähntenSpitzen befinden, zu dünn ist. Man braucht daher verhältnismäßig viel Halbleitersubstanz. Die große Dicke der Schicht ist auch wegen des Widerstandes dieser Schicht für den Vorwärtsstrom ungünstig.
  • Diese Nachteile werden bei der Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens dadurch vermieden, daß die vorzugsweise aus Aluminium oder Eisen bestehende Trägerelektrode zunächst nach einem der üblichen Verfahren stark aufgerauht wird und anschließend die hohen Spitzen elektrolytisch wegpoliert werden. Man erhält auf diese Weise eine ausreichend rauhe Oberflächenschicht, die sich jedoch von den beispielsweise mit Sand abgestrahlten Schichten vorteilhaft dadurch unterscheidet, daß die ihre Umgebung weit überragenden Spitzen entfernt wurden. Man braucht also bei in dieser Weise vorbehandelten Trägerelektroden nur eine Halbleiterschicht von weit geringerer Dicke als bisher üblich aufzutragen.

Claims (1)

  1. PATE NTANSPRtiC11E: 1. Verfahren zum Herstellen von Trägerelektroden für Trockengleichrichter, insbesondere für Selentrockengleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß sie zunächst, beispielsweise durch Abstrahlen, aufgerauht und anschließend die höchsten Spitzen elektrolytisch wegpoliert werden. z. Trägerelektrode, hergestellt nach Anspruch r, bestehend aus Aluminium oder Eisen.
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