DE825192C - Verfahren zur Kontaktierung von Halbleiter-Widerstaenden aus Metalloxyden - Google Patents

Verfahren zur Kontaktierung von Halbleiter-Widerstaenden aus Metalloxyden

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DE825192C
DE825192C DEB3191A DEB0003191A DE825192C DE 825192 C DE825192 C DE 825192C DE B3191 A DEB3191 A DE B3191A DE B0003191 A DEB0003191 A DE B0003191A DE 825192 C DE825192 C DE 825192C
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DE
Germany
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contact points
wire
brushing
conductive coating
oxide body
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Expired
Application number
DEB3191A
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English (en)
Inventor
Werner Fanselau
Dr Werner Flechsig
Gisela Simon
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BLAUPUNKT APPBAU GmbH
Original Assignee
BLAUPUNKT APPBAU GmbH
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

  • Verfahren zur Kontaktierung von Halbleiter-Widerständen aus Metalloxyden Halbleiter-«'iderstände, insbesondere solche mit negativem Temperaturkoeffizienten, bestehen im allgemeinen aus gesinterten Metalloxyden in Stab-oder Knüppelform etwa in der Größe von Schichtwiderständen bekannter Bauart von '/2 bis '/a Watt Belastbarkeit. 'lehr noch als, bei Schichtwiderständen ist bei solchen Halbleiter-Widerständen die Kontaktierung, d. 1i. die Anbringung der Stromzuführung ein bisher noch ungenügend gelöstes technisches Problem. Eiitw-eder sind die Kontakte unbeständig oder im Betrieb nicht zuverlässig oder die Kontaktierung ist im Vergleich zu den sonstigen Herstellungskosten in der Fertigung zu teuer. Es ist z. B. vorgesc1ilagen worden, wie bei üblichen Widerständen an den Enden der Oxy-dstäbe Metallkappen anzubringen, indem die Stabenden zuvor mit einer Leitfähigkeitslösung behandelt oder galvanisch mit einem leitenden Überzug versehen und nach Aufbringung der Kappen mit diesen durch eine weitere galvanische Behandlung oder in einem Schmelzbad möglichst innig verbunden werden. Diese innige elektrisdhe Verbindung läßt sich aber in der 'Mengenfertigung wegen der Kleinheit der Gegenstände und Hohlräume nicht genügend sicher und für die wechselnde Wärmebelastung der Heißleiter dauerhaft herstellen. Die Folge sind durch den Übergangswiderstand unbestimmte Widerstandswerte, Wackelkontakte und Störungen im Stromkreis, die zu Kratzgeräuschen Anlaß geben.
  • Es ist auch vorgeschlagen worden, die Enden der isolierten Stäbe mixt einer dünnen Metallschicht zu versehen und an den Stirnflächen Metallplättchen aufzuschweißen oder während. der Sinterung aufzubringen. die unmittelbar als Elektroden dienen können oder an die die Zuleitungen angelötet oder angeschweißt werden. Diese Ausführung der Kontaktierung ist verhältnismäßig teuer und verlangt in der Fertigung große Vorsicht, damit in dem Schweißvorgang die Stabenden nicht unzulässig hoch oder zu lang erwärmt werden, da sich sonst durch Zersetzung der Metalloxyde Sperrschichten bilden können, die die Leitfähigkeit des Widerstandes verändern. Auch das Schweißen in reduz;erender Atmosphäre beseitigt diese Gefahr nicht vollständig.
  • Die Erfindung behebt diese Schwierigkeiten in der Fertigung und im Gebrauch durch eine Kontaktanordnung, die nur ein einfaches Bauteil, nämlich den Zuführungsdraht, benötigt und deren Fertigung sich durch wenige übersichtliche Arbeitsgänge auszeichnet.
  • Erfindungsgemäß werden die Anschlußstellen des stabförmigen Oxydkörpers zunächst durch Markierungen, z. B. Kerben oder Rillen, und Aufbringen eines leitenden Überzuges mechanisch und elektrisch für die Aufnahme der Anschlußdrähte vorbereitet. Diese werden durch Umschlingen des Oxydkörpers und einfaches Verdrillen an ihm mechanisch festgelegt und durch Galvanisieren in innigen elektrischen Kontakt mit ihm gebracht. Der so mit Anschlüssen versehene Halbleiter-Widerstand wird schließlich in bekannter Weise in ein teilweise entleertes oder mit einem indifferenten Gas gefülltes Gefäß eingebaut oder mit einem Überzug gegen atmosphärische Einwirkung versehen.
  • Die folgende Beschreibung mit Verfahrensbeispiel wird durch eine Zeichnung erläutert, in der Fig. i einen Halbleiter-Widerstand mit drahtförmigen Stromzuführungen, Fig.2 dien haarnadelförmig gebogenen Zuführungsdraht darstellt, Der Stabrohling, wie er z. B. nach dem Strangpressenverfahren hergestellt wird, erhält zunächst in einem anschließenden Arbeitsgang an seinen Enden in Höhe der Stromzuführungen je eine Kerbe i (Fig. i links), die vorteilhaft als periphere Rille 2 (Fig. i rechts) ausgebildet ist. Wird der Stab aus Pulver unter hohem Druck gepreßt, so wird die Kerbe bzw. Rille durch die Form erzeugt und dieser Arbeitsgang kann eingespart werden.
  • Nach dem Sintern, das in diesem Zusammenhang nicht näher betrachtet wird, werden die Stabenden bis zur Höhe der Stromzuführungen mit einem metallischen Überzug versehen. Dies geschieht zweckmäßig durch Aufbringen einer Leitfähigkeitslösung, z. B. einer bekannten Versilberungslösung, die durch Pinseln, Spritzen oder Eintauchen in das Lösungsbad aufgebracht und durch Erhitzen auf 6o bis 400° C eingebrannt wird. Wie Versuche ergeben haben, ist dieser weite Spielraum möglich, und man bewegt sich zweckmäßig an seiner unteren Grenze, um die Leitfähigkeitslösung in normaler Atmosphäre, also ohne Anwendung einer Schutzatmpsphäre einbrennen zu können.
  • Als Zuleitungsdrähte 3 dienen dünne, verzinnte Kupferdrähte, die durch Biegen in Haarnadelform (Fig. 2) vorbereitet sind, wobei der Biegeradius etwa dem Radius der Rille 2 entsprechen soll. Der Draht wird in die Kerbe oder Rille eingelegt und die überstehenden Enden 4 werden verdrillt. Dies geschieht vorteilhaft mit einer einfachen, motorisch angetriebenen Vorrichtung; an dieser kann entsprechend der Drahtfestigkeit und dem gewünschten Kontaktdruck des Drahtes auf den Oxydkörper eine gleichbleibende Verdrillungsspannung eingestellt werden. Es liegt im Rahmen der Erfindung, wenn der Anschlußdraht nicht llaarnadelförmig vorgebogen, sondern zwei- oder mehrmals in der Rille um den Widerstandskörper geschlungen wird, jedoch haben Versuche ergeben, daß die im Verfahren vorgeschlagene einfachste Ausführung für die Kontaktgabe ausreichend ist, Die Anwendung verdrillter Zuleitungsdrähte ist bereits zur Kontaktierung von Drahtwiderständen aus 'keramischen Körpern vorgeschlagen. worden. Jedoch ist die technische Aufgabe bei Drahtwiderständen eine ganz andere als bei lialbleiter-Widerständen und dementsprechend auch das Vorgehen in dem erwähnten Vorschlag ein anderes und auf einen anderen Zweck gerichtet.
  • Nachdem die Zuleitungsdrähte mechanisch an dem Oxydkörper festgelegt sind, werden sie zur sicheren elektrischen Kontaktverbindung anschließend in die Kerben bzw. Rillen eingalvanisiert. Vorbereitend wird der Teil des Stabes zwischen den Kontaktenden zum Schutz gegen eine Einwirkung des Bades zweckmäßig mit einer Lackschicht abgedeckt, die z. B. durch Pinseln oder Spritzen aufgebracht wird. Hierfür hat sich Schellacklösung als geeignet erwiesen, die hinreichend abgedeckt und im letzten Arbeitsgang, beim Glasieren des Widerstandes, ohne schädliche Rückstände abbrennt. Für das Galvanisieren eignet sich, wie Versuche ergel>en haben, ein saures Kupferbad. Der Widerstand wird in einfacher Weise mit seinen beiden Zuleitungsdrähten, die die eine I3a@delektrodc darstellen, in das Bad eingehängt; als Gegenelektrode dient eine Kupferschiene im Bad. Die Zuleitungen werden zweckmäßig mit einer dicken Kupferschicht eingalvanisiert.
  • Der nach diesem Verfahren mit drahtförmigen Anschlüssen versehene Halbleiter-Widerstand kann nun in bekannter `leise in ein Glasgefäß eingebaut werden. Es ist jedoch wesentlich einfacher, billiger und für die meisten Zwecke ausreichend, ihn frei der Umgebung ausgesetzt wie einen üblichen Widerstand zu verwenden. In diesem Falle ist es nötig, ihn im Betrieb gegen die Aufnahme von Sauerstoff zu schützen, um seine elektrischen Eigenschaften auch sicher zu erhalten. Er wird deshalb in bekannter Weise mit einem organischen oder anorganischen Überzug oder einer Kombination aus beiden Arten versehen, der den gesamten Stab einschließlich der verkupferten Enden bedeckt. Als vorteilhaftes, weil dauerhaftes und billiges Verfahren hat sich erwiesen, eine pulverförmige, niedrig schmelzende Flußmasse, die zu einer dicken Paste angerührt ist, durch Tauchen oder Pinseln auf den Oxyd'körper aufzubringen und diesen anschließend selbsttätig durch einen Heizofen zu führen und i bis 2 Minuten einer Temperatur von etwa 6oo° C auszusetzen. Brenntemperatur und ,dauer müssen durch Versuche so aufeinander abgestimmt werden, daß ein glatter Fluß entsteht, ohne daß während des Schmelzvorganges bereits eine Veränderung der llalbleitereigehschaften auftreten kann.
  • Abschließend werden die Zuleitungsdrähte neu verzinnt. Wie sich gezeigt hat, wirkt die erste Verzinnung günstig einer Verzunderung der Drähte während des Brennvorganges entgegen, und der zweite Überzug haftet sofort, ohne daß Ätzvorgänge zur Entfernung der ohne diese Maßnahme auftretenden Ztin:derscliicht zwischengeschaltet werden müssen.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Kontaktierung von Wi:derstands'körpern von Halbleitern, vorzugsweise Heißleitern aus gesinterten Metalloxyden mit drahtförmigen Stromzuführungen, dadurch gekennzeichnet, daß der Rohling an den Enden mit einer Kerbe oder peripheren Rille versehen ist oder wird, der gesinterte Oxy:d!körper an den Kontaktstellen einen leitenden Überzug erhält, die drahtförmigen Stromzuführungen in: den Kerben bzw. Rillen durch Verdrillen festgelegt und durch Galvanisieren in innig leitenden Kontakt mit dem leitenden Überzug gebracht werden. z. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der leitende Überzug an den Kontaktstellen des Oxydkörpers durch Rufpinseln oder Aufspritzen einer oder Eintauchen in eine Versilberungsdösung und nachfolgendes Einbrennen bei 6o bis 40o° C erzeugt und der Einbrennvorgang so gesteuert wird, daß keine Veränderung der elektrischen Eigenschaften des Oxydkörpers eintritt. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das galvanische Bad ein Salz des für die Zuleitungsdrähte verwendeten Metalls, vorzugsweise Kupfer, enthält. .4. Verfahren nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, d'aß zwischen den Kontaktstellen ein nichtleibender Überzug, vorzugsweise ein Lack, auf den Oxydkörper durch Pinseln oder Spritzen aufgebracht wird. 5. Verfahren nach Anspruch i bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine niedrig schmelzende Flußmasse als dicke Paste durch Tauchen oder Pinseln auf den gesamten Oxydkörper einschließlich der galvanisierten Kontakte aufgebracht und unter einer i bis z Minuten einwirkenden Temperatur von etwa 6oo° C glattgeschmolzen wird, wobei der Brennvorgamg in normaler Atmosphäre abläuft und so gesteuert wird, daß eine Veränderung der elektrischen Eigenschaften des Halbleiters nicht eintritt. 6. Halbleiter-, vorzugsweise Heißleiter-Widerstand aus einem gesinterten Metalloxydkörper mit drahtförmigen Stromzuführungen gemäß Verfahren nach Anspruch i bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungsdrähte aus Kupfer bestehen, dien Widierstandskörper ein-oder mehrmals umschlingend in Kerben oder Peripherierillen desselben eingelegt und im übrigen verdrillt und galvanisch mit einem leitenden Überzug des Widerstandskörpers an den Kontaktstellen in innigen Kontakt gebracht sind und der gesamte Widerstandskörper einschließlich der Kontaktstellen mit einem anorganischen und/oder organischen Überzug gegen Einwirkung :der Atmosphäre geschützt ist.
DEB3191A 1950-04-23 1950-04-23 Verfahren zur Kontaktierung von Halbleiter-Widerstaenden aus Metalloxyden Expired DE825192C (de)

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