DE8006555U1

DE8006555U1 - Halbleiteranordnung

Info

Publication number: DE8006555U1
Application number: DE8006555U
Authority: DE
Original assignee: Semikron GmbH and Co KG
Current assignee: Semikron GmbH and Co KG
Publication date: 1981-02-05

Description

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Gesellschaft für Gleiclifichterbati unS* Elektronik m.b.H. 8 500 Nürnberg, Sigmundstr. 200 Telefon 0911 / 65591 - Telex 06 - 22155

157911/022 7.03.1980 PA- Bu/ga

HALBLEITERANORDNUNG

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit wennigstens einem Halbleiterbauelement und mit einem dessen Funktion überwachenden Kontrollelement.

Um eine unzulässige Überlastung von Halbleiterbauelementen hoher Strombelastbarkeit im Betrieb zu vermeiden, · müssen die Betriebskenngrößen, insbesondere der Laststrom und die Temperatur, überwacht werden. Beispielsweise werden als thermische Sensoren Bimetallschalter oder PPC-Widerstände oder NTC-Widerstände verwendet, die am Halbleiterbauelement befestigt sind und bei Erreichen einer maximal zulässigen Betriebstemperatur des letzteren dessen Abschaltung bewirkt. Derartige Kontrollelemente können jedoch nicht unmittelbar am Halbleiterkörper der Bauelemente angebracht werden. Infolge der zwischen dem Halbleiterkörper und dem Kontrollelement vorhandenen Wärmewiderstände entsteht eine Ansprechverzögerung, welche häufig einen wirksamen Schutz der Halbleiterbauelemente durch solche thermischen Sensoren verhindert.

Bekannt ist weiterhin auch die Verwendung von speziellen Halbleitersensoren. Ihr Einsatz bringt jedoch zusätzliche Spannungs- und Wärmeverluste mit sich und erfordert einen teilweise bedeutenden zusätzlichen Platzbedarf.

Be-i entsprechenden Uberlastfallen werden die relativ teueren Sicherungselemente dennoch zerstört, und schließlich sind dieselben nicht in allen Fällen zuverlässig. Der Erfindung lag daher die Aufgabe zugrunde, eine Überwachungseinrichtung für Halbleiterbauelemente anzugeben, welche eine in jedem Falle sichere und möglichst schnell ansprechende Kontrolle des elektrischen bzw. thermischen Betriebsverhaltens von Halbleiterbauelementen ermöglicht. Die Erfindung 7 eht von der Erkenntnis aus, daß beim Stromfluß durch einen Halbleiterkörper in diesem eine sogenannte Rekoinbinationsstrahlurg entsteht, daß es sich bei dieser Strahlung um eine Infrarotstrahlung handelt, und daß diese Infrarotstrahlung dem Stromfluß proportional ist.

Die Lösung dieser Aufgabe besteht bei einer Halbleiteranordnung der eingangs erwähnten Art darin, daß sie als Kontrol i.element ein Bauelement mit innerem photoelektrischen Effekt zur Aufnahme der beim Stromdurchgang durch das Halbleiterbauelement in dessen Halbleitermaterial entstehenden Rekombinationsstrahlung aufweist. Das Kontrollelement ist gleichzeitig zur überwachung des Laststroms und der Temperatur des Halbleiterbauelements vorgesehen.

Es können Kontrollelemente auf Halbleiterbasis sowohl mit wenigstens einem pn-übergang und zur Temperaturüberwachung mit Hilfe ihres Durchlaßverhaltens oder mit Hilfe ihres DunkelStromverhaltens, oder aber Kontrollelemente auf Halbleiterbasis ohne pn-übergang und zur Temperaturüberwachung mit Hilfe ihrer Dunkelwiderstandsänderung, jeweils in der Sperrphase des Halbleiterbauelements, vorgesehen sein. Anhand der in den Figuren 1-4 dargestellten Ausführungsbeispiele wird der Gegenstand der Erfindung aufgezeigt und erläutert.

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Fi'gur 1 zeigt im Querschnitt den Halbleiterkörper eines zu überwachenden Thyristors mit einem unmittelbar daran befestigten Kontrollelement. In Figur 2 ist schematisch die Halbleiteranordnung nach der Erfindung und eine zur Auswertung der Funktion des Kontrollelements geeignete Schaltungsanordnung dargestellt. Figur 3 zeigt teilweise im Querschnitt und teilweise in Seitenansicht den Aufbau eines Halbleiterbauelements mit Teilen seines Gehäuses und mit einem thermisch am Gehäuse befestigten Kontrollelement. In Figur 4 ist schematisch ein mit einer Überwachungsschaltung verbundener Photowiderstand gezeigt, der in entsprechender Weise an einem Halbleiterbauelement zu befertigen ist.

Gleiche Teile sind in allen Figuren mit gleichen Bezeichnungen versehen.

Der einf Thyristorstruktur bildende Halbleiterkörper 10 nach Fi?ur 1 besteht aus einer hochohmigen, n-leitendett Mittelzone 1, aus je einer an jeder Seite derselben angrenzenden, höherdotierten p-leitenden Zone 2 bzw. 3, aus einer in die obere Zone eingebrachten, hochdotierten, η-leitenden' Zone 5, sowie aus auf die äußeren Zonen 2 bzw. 5 aufgebrachten Kontaktelektroden 4 bzw. 7 für den Laststromanschluß und aus einer auf die p-leitende Zone 3 aufgebrachten Steuerelektrode 6 für den Steueranschluß. Dieser Schichtenaufbau ist zwischen Leiterteilen 15 bzw. 17

fest angeordnet. -··

Erfindungsgemäß weist der Halbleiterkörper 10 eine von einer Oberfläche, beispielsweise von der Kontaktelektrode 7, sich bis in die p-leitende Zone 3 erstreckende öffnung auf, die als Strahlungsfenster für die im Halbleiterkörper bei Stromfluß entstehende Rekombinationsstrahlung dient. Wegen der Neigung von hochdotiertem Halbleitermaterial zur Absorption der Rekombinationsstrahlung genügt es nicht,

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lediglich die Halbleiteroberfläche zur Herstellung einer Strahlungsfläche freizulegen, sondern es ist eine öffnung mit einer Tiefe bis in eine der höherohmigen Zonen erforderlich. Der Querschnitt der öffnung 8 ist der Belichtungsfläche des vorgesehenen Kontrollelements angepaßt. Die Lage der öffnung 8 ist im wesentlichen beliebig. Aus technologischen Gründen befindet sie sich jedoch vorzugsweise am Rande der durch die Kontaktelektrode 7 bestimmten Fläche, beispielsweise in einer Aussparung des Stromleiters 17. Grundsätzlich muß die Rekombinationsstrahlung aus dem Halbleitermaterial austreten und auf die zu belichtende Fläche des Kontrollelements auftreffen. Demzufolge ist auch das Kontrollelement mit dem für die Belichtung vorgesehenen Flächenabschnitt in entsprechender Weise auf dem Halbleiterkörper angebracht.

Gemäß d'-.r Darstellung in Figur 1 ist das Kontrollelement über eine elektrisch isolierende Schicht 20 auf dem entsprechend vorbereiteten Oberflächenabschnitt des Halbleiterkörpers 10 befestigt. Die Befestigung sowohl des Isolierstoffkörpers 20 als auch des Kontrollelements 30 kann beispielsweise durch Kleben oder auch durch Löten erfolgen. Als Isolierstoffkörper kann z.B. eine angepaßt ringförmige Scheibe aus Oxidkeramik dienen, die an ihren Flächen mit den angrenzenden Bauteilen verbunden ist und in ihrem zentralen Bereich eine Aussparung aufweist zum Durchtritt der Strahlung auf die zu belichtende Fläche des überwachungs- ' elements.

Als Isolierstoffkörper 20 kann jedoch auch eine Scheibe aus Quarz vorgesehen sein, da Quarz für die Rekombinationsstrahlung uneingeschränkt durchlässig ist.

Eine andere Möglichkeit besteht darin, für die Anordnung des Kontrollelements 30 eine entsprechende Fassung vorzusehen,.

•die auf dem Isolierstoffkörper 20 in gewünschter Weise befestigt werden kann, und in welcher das Kontrollelement gehaltert ist.

Die gesamte freiliegende Fläche der Öffnung 8 kann mit einer Schicht aus dem Oxid des Halbleitermaterials als schützendem Überzug versehen sein.

Die Herstellung der öffnung 8 kann durch Ätzen oder durch andere bekannte abtragende Verfahren erfolgen. Das Kontrollelement 30 ist wie beschrieben thermisch mit dem Halbleiterkörper 10 gekoppelt. Das gestattet optimal sowohl die Stromüberwachung im Halbleiterbauelement als auch die überwachung der Betriebstemperatur desselben, die beispielsweise durch Ausfall der Kühlung des Halbleiterbauelements oder aber durch Verschlechterung eines Wärmeübergangs im Aufbau desselben in unerwünschter Weise zunehmen kann.

Es sind Kontrollelemente auf Halbleiterbasis ohne pn-"übergang, d.h. sogenannte Photowiderstände, und solche auf Halbleiterbasis mit wenigstens einem pn-übergang, d.h. Photodioden und Phototransistoren vorgesehen. Wie bereits oben ausgeführt, ist die Rekombinationsstrahlung im Halbleiterkörper dem Stromfluß durch denselben in weiten Bereichen proportional. Von dieser Tatsache, sowie davon, daß bei Kontrollelementen mit pn-übergang das Durchlaßverhalten derselben sowie ihr Dunkelstrom und bei Photowiderständen deren Dunkelwiderstand jev?eils zur Betriebstemperatur des Kontrollelements und damit auch des zu überwachenden Halbleiterbauelements in Beziehung gesetzt werden kann, macht die Erfindung in vorteilhafterweise Gebrauch. Dadurch ist überraschend einfach eine im wesentlichen leistungs- und trägheitslose sowie phasentreue Überwachung von Kenngrößen bei Halbleiterbauelementen erzielbar.

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Aus Figur 2 ist zu erkennen, daß beispielsweise eine Photodiode 30 über einen Schalter 3 1 einerseits mit einem Meßkreis 32 zur Feststellung des Durchlaßspannungsabfalls der Photodiode und andererseits mit einem Meßkreis 33 zur Messung des Photostromes verbunden ist. Dabei ist der Schalter vorzugsweise mit Hilfe eines netzsynchronen Taktgenerators im Takt der Netzfrequenzhalbwellen umschaltbar. Einmal wird durch einen Stromgenerator im Meßkreis 32 der Photodiode 30 ein konstanter Durchlaßstrom der letzteren eingeprägt, und in Abhängigkeit von der thermischen Kopplung der Photodiode an das zu schützende Bauelement wird der Durchlaßspannungsabfall der Photodiode festgestellt. Dieser verändert sich umgekehrt proportional zur Umgebungstemperatur, so daß ein direkter Vergleich der gemessenen Werte mit der zu überwachenden Betriebstemperatur möglich ist.

Zum anderen wird die Photodiode 30 mit Hilfe einer Spannungsquelle im Meßkreis 33 in Sperrichtung beaufschlagt, und der Photostrom stellt sich als Funktion der Beleuchtungsstärke auf der belichteten Fläche des Kontrollelementes dar. Die Schaltkreise als solche sowie die Maßnahmen zur Messung von elektrischen Größen des Kontrollelementes 30 und bedarfsweise zur Verstärkung derselben sind hinlänglich bekannt und nicht Gegenstand der Erfindung.

Nachdem der Dunkelstrom ebenfalls als Funktion der Umgebungstemperatur darstellbar ist, ist es möglich, im Hinblick auf die Verwendbarkeit der vorgesehenen Kontrollelemente auch bei hohen Frequenzen die Temperaturüberwachung mit Hilfe des Dunkelstromes vorzunehmen. Im Zusammenhang mit der Ermittlung von Meßwerten kann beispielsweise auch eine geeignete Fehlermeldung mit verbunden sein, ferner kann für den Zündkreis des zu überwachenden Bauelements, wenn es sich um einen Thyristor handelt auch ein Signal für eine Zündsperre erfolgen.

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Die Auswertung der Meßergebnisse ist somit in an sich bekannter und aus der Elektronik bekannter Weise durchführbar.

Die in Figur 2 dargestellte Blockschaltung ist nicht auf die Verbindung mit nur einem Kontrollelement beschränkt. Vielmehr lassen sich beispielsweise für eine Halbleitergleichrichterschaltung mit sechs Gleichrichterbauelementen sämtliche sechs Kontrollelemente mit der einen dargestellten überwachungsschaltung verbinden. In Figur 3 ist eine andere Möglichkeit für die Anbringung eines Kontrollelements dargestellt. Ein vorzugsweise aus Kupfer bestehender Trägerkörper 24, der gleichzeitig als Stromleiter und als Gehäuseunterteil mit einem Schraubstutzen 24 b dient, weist an seiner oberen Fläche einen Ansatz 24 a zur Anbringung des Halbleiterkörpers auf. rer letztere ist mit einer Öffnung 8 versehen. ,An der Innenfläche des nur teilweise dargestellten Gehäuseoberteiles 15 ist das Kontrollelement 30 über einen Isolierstoffkörper 20 an einer Haltevorrichtung 15 a so angebracht,, daß die aus der Öffnung 8 des Halbleiterkörpers 10 austretende Rekombinationsstrahlung die zu belichtende Fläche jedes Kontrollelements trifft. Es versteht sich, daß der Zusammenbau einer solchen Anordnung besondere Kennzeichnungen der Gehäuseteile zu deren Lage bestimmter gegenseitiger räumlicher Zuordnung zur Sicher- ' Stellung der Euhktionsfähigkeit des Kontrollelements erfordert.

Die Halterung 15 a besteht vorzugsweise aus einem gut wärmeleitenden Metall zur optimalen thermischen Ankopplung des Kontrollelements an das Gehäuse 15 und ist so angebracht, daß ein möglichst geringer Abstand des Kontrollelementf; zum Halbleiterkörper 10 besteht.

Eine solche thermische Kopplung bringt wohl gegenüber der unmittelbaren Verbindung mit dem Halbleiterkörper wegen des längeren Weges der Verlustwärme zum Kontrollelement eine gewisse Trägheit der Überwachungsfunktion mit sich, erscheint jedoch besonders vorteilhaft zur überwachung der Wärmewiderstände im Aufbau des zu überwachenden Bauelements bzw. der Funktion der Kühleinrichtung. Selbstverständlich kann die Befestigung des Kontrollelementes 30 auch an geeigneter Stelle des Grundkörpers 24 erfolgen.

Die Anschlußleitungen des Kontrollelements können beispielsweise mit Hilfe eines Keramikrohres durch das Gehäuse oben eingeführt sein.

Nach der Darstellung in Figur 4 ist ein Photowiderstand 30 einer lediglich durch Pfeile symbolisiert angedeuteten Strahlung des Halbleiterkörpers ausgesetzt. Entsprechend dem Zusammenhang zwischen Photostrom und Beleuchtungsstärke z. B. bei einer Photodiode ist der sogenannte helle Widerstand des Kontrollelements 30 eine Funktion der Beleuchtungsstärke.

In dem Basiskreis ist dem Photowiderstand 30 aus einer Batterie 35 eine Basisspannung eingeprägt. Der durch Bestrahlung erzeugte Photostrom im Photowiderstand erzeugt eine Widerstandsänderung, die mit Hilfe des Spannungsabfalls an den Meßwiderstand 36 und der zu diesem parallel geschalteten nicht erfindungswesentlichen Schaltung 37 ausgewertet wird. Im wesentlichen mit derselben Grundschaltung kann auch der Dunkelwiderstanct des Kontrollelements 30 als Funktion der Betriebstemperatur des letzteren und des zum Halbleiterbauelementes zu dessen Überwachung dienen.

Bei der Herstellung eines Aufbaus gemäß Figur 3 werden in an sich bekannter Weise zunächst auf dem vorbehandelten Trägerkörper 24 der Halbleiterkörper 10 und auf diesem der obere Anschlußleiter angebracht, wovon mit dem Bauteil 17 nur ein Teil desselben angedeutet ist.

Die das Kontroilelement 30 tragende Haltevorrichtung 15 a kann mit dem Gehäuseoberteil 15 beispielsweise durch Löten oder Schweißen oder mit Hilfe eines Metallklebers fest verbunden sein. Mit Hilfe einer geeigneten Markierung wird anschließend das Gehäuseoberteil 15 auf dem Trägerkörper 24 befestigt.

Der Vorteil des Gegenstandes der Erfindung besteht in einer im wesentlichen leistungs- und trägheitslosen sowie phasentreuen und frequenzunabhängigen überwachung von Kenngrößen bei Halbleiterbauelementen durch Anwendung bekannter Bauelemente mit photoelektrischem Effekt.

Claims

schutzansprUche

1. Halbleiteranordnung mit wenigstens einem Halbleiterbauelement und mit einem dessen Funktion überwachenden KontrollelBment, dadurch gekennzeichnet,

daß im Bereich des Halbleiterkörpers des Halbleiterbauelements als Kontrollelement ein Bauelement mit innerem photoelektrischem Effekt zur Aufnahme der beim Stromdurchgang durch das Halbleiterbauelement in dessen Halbleitermaterial entstehenden Rekombinationsstrahlung angebracht ist.

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kontrollelement auf Halbleiterbasis mit wenigstens einem pn-übergang angebracht ist, das zur Temperaturüberwachung mit Hilfe seines Durchlaßverhaltens in der Sperrphase des Halbleiterbauelements vorgesehen ist.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kontrollelement auf Halbleiterbasis mit wenigstens einem pn-übergang angebracht ist, das zur Temperaturüberwachung mit Hilfe seines Dunkelstromverhaltens in der Sperrphase des Halbleiterbauelements vorgesehen ist.

4„ Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kontrollelement auf Halbleiterbasis ohne pn-übergang angebracht ist, das zur Temperaturüberwachung mit Hilfe seiner Dunkelwiderstandsänderung in der Sperrphase des Halbleiterbauelements vorgesehen ist.