DE736411C - Verfahren zur AEnderung des Reflexionsvermoegens optischer Glaeser - Google Patents

Verfahren zur AEnderung des Reflexionsvermoegens optischer Glaeser

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DE736411C
DE736411C DEJ64759D DEJ0064759D DE736411C DE 736411 C DE736411 C DE 736411C DE J64759 D DEJ64759 D DE J64759D DE J0064759 D DEJ0064759 D DE J0064759D DE 736411 C DE736411 C DE 736411C
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Dr Edwin Berger
Dr Walter Geffcken
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Schott AG
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Jenaer Glaswerk Schott and Gen
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    • G02B5/02Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • G02B1/113Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
    • G02B1/115Multilayers

Description

  • Verfahren zur Änderung des Reflexionsvermögens optischer Gläser optischer Gläser Wie bekannt, läßt sich die Reflexion, die leim Übertreten von Lichtstrahlen aus Luft in einen durchsichtigen Gegenstand. insbesondere in dem Glasteil eines glitschen Geräte: an der Außenfläche dieses Gegenstandes stattfindet, und ebenso die Reflexion. die leim Übertreten von Lichtstrahlen aus einen durchsichtigen Gegenstand in Luft stattfindet, dadurch vermindern, daß man auf den Gegenstand eine dünne Schicht eine. Stoffes aufbringt, dessen Brechungszahl kleiner als die de:. Gegenstandes ist. Bei geeigneter Wahl ihr Brechungszahl dieses Stoffes und der Dicke :einer Schicht läßt sich die Reflexinn sogar praktisch vollständig beseitigen. Auch 11 es bekannt zur Verminderung der Reflexion mehrere dünne Schichten anfzubrin_ gen. die dann zweckmäßig nicht alle eine kleinere Drehungszahl als der Gegenstand erhalten. Die. bisher bekanntgewordenen Verfahren zur Erzeugung solcher Schichten sind jedoch z. L, deshalb unbefriedigend, weil die mit ihnen erzielten . Schichten chemischen oder mechanischen Angriffen gegenüber wenig widerstandsfähig sind.
  • Nach der Erfindung lassen sich Schichtei von starker Wirkung und dabei von hoher Widerstandsfähigkeit gegen chemische und mechanische Angriffe erzielen, wenn man zu ihrer Erzeugung ein wasserarmes, gelartiges Oxydhydrat (allein oder mit sonstigen Zusätzen) eines Elementes. das in Wasser schwer lösliche. kolloidale Oxydhydrate zu bilden vermag, hei einer gleichzeitigen oder anschließenden Erhitzung des betreffenden Gegenstandes auf eine Temperatur: die mindestens 503 unterhalb seiner Erweichungstemperatur liegt, auf ihm niederschlägt, Statt eines einzigen solchen Oxydhydrats kann man auch eine Mischung mehrerer solcher verwenden-. das Niederschlagen kann dabei in der versChiedensten Weise erfolgen. So kann man r. 11. (las betrettende Oxydhydrat aus Dämpfen niederschlagen oder mechanisch durch Zerstäuben von Lösungen der Oxydhydrate aufbringen: auch kann man auf dein zu überzichenden Gegenstand eine Haut der Lösung erzeugen indem plan ihn in die Lösung eintaucht.
  • Die Herstellung der Oxydhydrate kann in bekannter «'eise durch chemische Zersetzung von falzen geschehen, in denen die betreffen-Ilcii Elemente als Säurebildner auftreten, mit I H-lonen allspaltenden Stoffen, z. B. durch füllen von Natriumsilicatlösungen mit Salz-.MIT oder durch Einwirkung voll Wasser oder anderen Hydroxylgruppen abspaltenden Stoffen auf Halogenide oder andere auf diese Weise zersetzliche Verbindungen (z.13. Ester) der in Frage kommenden Elemente. ' Löst man die gewonnenen Oxydhydrate in Wasser oder organischen Flüssigkeiten kolloidal auf, so lassen sich die zu behandelnden Gegenstände durch Eintauchen, Aufgießen. Aufspritzen usw. finit einer hei Verdunstung des Lösungsmittels gallertartig erstarrenden Schicht von mehr oder weniger großer Dicke Oder mit mehreren solchen Schichten überziehen. Durch. vorsichtiges Erwärmen verlieren die Gallerten mehr oder weniger das von ihnen noch festgehaltene Lösungsmittel und Hydratwasser und schrumpfen dabei in einer durch. Torversuche zahlenmäßig erfaßbaren Weise zu mechanisch und chemisch gut haltbaren, sehr dünnen Schichten zusammen. Gleichzeitig ändert sieh ihre Brechungszahl, so daß für die genauere Herstellung rcflexionsvermindernder Schichten ihre schließlich wirksame Brechungszahl bestimmt werden muß. ' Die Verfestigung der Gallerten erreicht im allgemeinen praktisch ihren Endzustand heitre Erhitzen auf nicht über 25o°. Es liegen dann wasserarme Oxydhydratschichten der betreffenden Elemente vor. -Man kann diese Verfestigung auch während der Erzeugung der Schichten dadurch erreichen, daß die Oxydhydrate oder eine Mischung von ihnen :uff den mehr oder weniger erhitzten Gegenständen z. B. durch. Zerstäuben ihrer kolloidalen Löstungen niedergeschlagen werden.
  • Das wohl einfachste Verfahren zur Hergleichmäßiger Schichten ist das Ein- I bringen des Gegenstandes in einen -Nebel der niederzuschlagenden Substanz. solche Nebel erhält man in besonders feiner Verteilung, wennn man einen Dampfstrom .eitler finit Wasser zersetzlichen Verbindung, sich finit Wasserdampf mischen läßt. etwa indem man das Halogenid aus eitler Düse auf Gleit in Zimmerluft befindlichen Gegenstand aufbläst. 1)a man z. B. finit wasserhaltigen SiliciumoxN-dsclliclltcn schon eine recht niedrige Brechungszahl erreicht, genügt oft die Aufbrinrung einer einzigen Schicht zur ausreichenden Verminderung der Oberflächenreflexion. Ihre Wirkung läßt sich dadurch weiter verbessern. daß während oder nach, dein --Niederschlagen verdampfbare, zersetzliche oder durch chemische Mittel herauslösbare Stoffe, wie z.13. Paraffine, organische Säuren oder deren Salze u. a., zur Einwirkung gebracht und durch Erwärmen eingebaut werden. Durch stärkeres Erhitzen, durch chemische Zersetzung oder sonstige Einwirkung können dann diese Stoffe oder Teile von ihnen wieder entfernt werden, wodurch eine poröse Struktur der verfestigten Oxydhydratschicht und damit eine verminderte Brechungszahl ohne Verminderung der mechanischen Widerstandsfähigkeit entstellt.
  • Besonders widerstandsfähige Schichten finit einer Brechungszahl, die ungefähr bis zu I4 hinunterreichen und -2,o noch übersteigen kann, lassen sich ei-zielen, wenn man von den Oxydhydraten von Wolfram, Molybdän, Elementen der dritten Gruppe des periodischen Systems, der vierten Gruppe außer Kohlen-Stoff oder der fünften Gruppe außer Stickstoff ausgeht und dafür sorgt, dar) jede der schließlich erzeugten Schichten mindestens zur Hälfte aus einen. Oxydhydrat eines dieser Elemente oder aus einer Mischung solcher. besteht. Zur Erzeugung hochbrechender chichten gellt man dabei zweckmäßig von den Oxydhydraten von Titan, Zirkon, Zinn ()der Blei und zur Erzeugung niedrigbrechende r Schichten von den Oxydhydraten von Aluminium oder Silicium aus. Lanthan. Tantal und Thorium sind ebenfalls zur Erzeugung hochbrechender Schichten gut geeignet, kommen jedoch wegen ihres hohen Preises weniger in Betracht. Beispielsweise sei erwähnt, daß eine wasserarme Siliciumhydroxydschicht eine Brechungszahl von ungefähr I.45 und eine wasserarme Titanhydroxydschicht eine Brechungszahl von ungefähr 2,5o hat.
  • Anstatt zur Vermnderung des Reflexionsvermögens können der Erfindung entsprechende Schichtet. auch zu Blessen Erhöhung dienen. So kann man z. B. einet. halbdurchlässigen Spiegel herstellen, indem man auf eine Glasplatte eine Schicht von einer größeren Brechungszahl als chic des Glases aufbringt.
  • Iss ist bekannt. auf Glasgegenständen, die bis zur Erweichungstemperatur erhitzt worden sind zu Zierzwecken Schichten. durch die Interfernzfarben hervorgerufen werden (#w@u#il;tiititc iri:ieretl<lc I.ü@tcrf.trl>en). (111r(11 ZU ZU el'Il'ti''l#il, (.lall 111:111 diese t Ila@egl'll- s t, illik - Dämpfen voll Metallsalzen :aussetzt oder auf sie l..hsungen von :Metallsalzen aua`-spritzt. Von diesen' bekannten Verfahren t,iiter,clieiclet .ich das der l:riitl<lttth entslirec@endc dadurch, daß es. Nv(e erwähnt. mindestens um 5o° unterhalb) der 1?r--Wcichungsteniperatur des Glases durchgeführt wird. da andernfalls die zti behandelndennberilüchcn kür cl)tisch'e Zwecke unhrauch-1rtr würden: ini allgemeinen kann inan das der 1?hndung entsprechende Verfahren sogar durchführen, ohne auf Tclnperaturen von mehr als 25o° zu gehen.
  • Iki der Durchführung des neuen Verfahrens können sich gewisse Schwierigkeiten ergeben. 5o entstehen leicht statt der gewünschten klaren Schichten solche finit mehr oder weniger ausgeprägtem difuseni Streucermiigen, d. h. die Flächen erscheinen rauchig bis milchig getrübt. Dieser Fehler kalin sowohl beitü@ _-üfcl>i"itzcn voll vernebelteil Kolloidlö sungen (besonders bei Titan und Kieselsäure) stark auftreten als auch 1)2i der Zersetzung all feuchter Luft von solchen Halogeniden, die sehr heftig mit ZVasserdampt reagieren, ivie z: B. Titantetrachlorid (TiCla) oder Altuni ililnitricliloritl (AICb,). \Velin "ich dieser Fehler auch vermutlich durch genaue Kontrolle des Feuclitigkeitsgehaks dr Luft und starke Verdünnung des Gas-.trc)Ilies vermeiden hißt, so sind doch weit einfachere und zuverlässigere: Maßnahmen vorzuziehen. So hat ein Zusatz eines reaktionsfähigen Ilalogenträgers zti TI Cl,-Datupf; z.11, Siliciumtetraclilorid (SiClj, eine günstige \firl;ttng. Gasförmige :Sidzsäure wirkt ihulich. Die Verwendung von Si Cl, hat den Vorteil, Ball es in flüssigem Zustand in be-Iizhigein Verlialtnis mit TiCt, miselibar ist. \\'citer hat es sich als günstig erwiesen, die allzu große Flüchtigkeit der IIalogenide oder ihrer Mischung dadurch zu verringern, dal.i man sie in einem indi'Cerenten Lösungsmittel auflöst. Brauchbar sind z.B. organische indifferenne lladgeni(1e, insbesondere Tetrachlorh-uitlenstnfi (CCII Eine geeignete --Mischunb 1)esmht z. B. aus 3 Voluinteilen Ti Cl" i Volitlilteil .Sicht und iöVolumteileliCCl,. Bläst tnan die,e Mischung aus einer IYise in Zinitnerluft auf eine über ioo` crt@-ürmtc Platte, 1)ihh#t sich eine völlig' (bare Gelschichr deren @lrcchung:iudc@ scl hoch liegt, (bah sie ))Ittl;tiscli keil Si enthalten kann, o daß es hol Bi ;e reine 1i C)MCschicht fit. Bei _\l 0, lic#"ett die \'erhiltnisse ähnlich wie 1)c1 IM, Eine andere Schwierigkeit besteht darin, cla!@ gewisse 1-lalogeliide, i. (l, Siliciullitetrachl')ricl (Si (1,) undil-iciuintetraln-<)nlicl 1)c1 niedriger Temperatur (unter I(11) ) nur langsam in der gewltnselncn \\#eise. i11'1ilStt@il'llilf,,`I:.III \Va.sse1` 1-eagll.'1'C'll,. rasch da- gegen illit flihs-lgeln. l';Telingt infolgedessen nicht leicht. eine Schicht auf einer Platte zu eizctigetl, falls diese auf über loo", aber nicht über 400' erw:innt ist. Bei Z.iinmnicntl)cratur dagegen bilden sich feilte Saizsüttrcntl)rl, di::: als K#ludensationskertte für die Attsschciduug flüssigen \\'asser; zu dienen scheinen, da sich klare 1,:,ie>elgclscliicliten auf Platten niederschlagen, wenn null sie in diesen _\721)e1 bringt. Da .es sich liicrlxi jedoch uni Kondensation feiner Triipfchen handelt, so spielt die gleichmäßige Denetzharkcit der Unterlage eine große Rolle, und es werden an, die Sauberkeit der Unterlage grolle Allforderungen gestellt, da andernfalls flcel;gc, ungleichmäßige Überzüge entstehen. Durch Beimischung von Phosphoroxychlorid, das vielleicht eine kondensierende \Virkung 1)esitzt, liißt sich die Gleichmäßigkeit des ,\iederschlags wesentlich verbessern. 2\uch eine Mischung N'011 erhitztem Sica,,-Danipf_ Illit iiberhitzteni \\`asserdanipf war günstig. Bei all diesen Stoffen ist jedoch ihre Ausnützung schlecht, weil der größte Teil der Halogeilidv in Dampfform. enttvcicht; ri.ulenl sind diese dämpfe allgreifend und gesundheitsschädlich. Weiterhin ist: es dabei nicht niöglicli, den iederschlag auf einer Platte zu erhaben, deren Temperatur über- loo" ist. Letzteres statier erwünscht, wenirman TiÜ.=und SiU._ AI einen. Arbeitsgang aufbringen und wo- möglich. eine Mischung beider Substanzen ,rreichen will. Eine weit bessere Lösung hesteht darin, daß Iran statt cncs Luftsinmw:" einen Strom bl"e1121va1#Cr Gase benutzt und diesen heim Austritt aus der Düse entziind-t. Dadurch wird die Reaktion auHerordendich beschleunigt, und es treten dickt, wcilk Mauchwolken aua. Das verwendete Gas darf nicht rußen, deshalb ist z. B. \\'asser>tolt zweckmäßig. Dabei kann' allerdings der oben behandelte Fehler wieder auftreten, cl. h. die Bildung eines wolligen Beschlages. Durch Zuführen eines itidiftercnten Gases, i. L. \-,11i Stickstoff=, wodurch sich die h@an@m@ntcnilleratur his auf Soo@ senken läßt, kann nian jedoch einen klaren l.Tl)er-r_ttg erhalten. Aul.icrdeni ist eine Zufuhr g2riligel- Mengen Saliclstof zweckmäßig, da Ulan dann die Flanitnenteinper<ttur, auch welle sie 11111 weitere IM=' gesenkt wird, verhältnistnüllig gleichhalten und ein I?rlöschell verhüteli kann. E5 gelingt x), einen SiOrN1e11er.Cchlag auf Platten 71,1 t2rzi(!len-. die übel" tc)o . waren sind, also die gleichen hcdüigutlgen wie 1)2i "1'1U_ einzuhalten. is fit dann auch weiterhin möglich, die unanet;elnn Zu behandelnden Ilalotrrllide zu vernlciclcn ttll,i als flüchtige Verbindungen orgtulisclic#.zu wählen, da dercil 1 orWuliscltei- Anteil 1)z#1 den ci-@@:ilnitcti I#laiitntclitcml)eraturen v@illi@# v:rl)r@#ntlt. @\Il;ylestc #r, z. B. 1Lcthvl- und .#*#@tlivlcstel- des Sili-@ltiiliz. -\cet\`lac.eto11-ate, -r.. B. Aluminium-.\cetyl;tcetalt<it, sind gut geeignet.
  • l:in besonderer Vorteil des soeben geschildertcn Verfahrens liegt darin, daß mal. mit ihn imstande ist. Schichten zu erzeugen. deren Brechungszahl beliebig zwischen detl Brechungszahlen zweier Stoffe lieft. Dies kann man nämlich dadurch erreichen, da13 lnan <elir dünne Schichten zweier Stoffe voll #;erschiedelier Brechungszahl abwechseln.(( aufbringt. Legt man z. B. den zu behandelnden Gegenstand auf eine sich drehende Scheibe und läl3t ihn hintereinander unter einer Düse für die Si O,haltigen und einer Düse für (li(f TiO,halti-en Schichten hindurchlaufen. so entstellt eine vielfache Aufeinan(erfolge (li:innster S.10=- u11(1 TiO_haltiger Schichten. Da die Gesamtdicke der Schichten z. B. nach Zoo Ihn(Irehungen nur :t«-a (1,t (( ist, so ist die Dicke einer Pinzel-;cllicht slttr etwa ;_1°, d. h. von der Grüßenor(1nnnf einer ., olel:elschicht. Es ist nun anzunAmen. (1a13 in Wahrheit nicht gleichntäl3ige Matten solcher Dicke entstehest. sondern da13 an einzelnen Stellen gar keine, an andern mehrere 'Molekelschichten niedergeschlagen werden. Es wird also eine Struktur entstehen, (sie jedenfalls einer wahren Mischung sehr nahe kommt. Selbst wollt nian aber eine scharfe Schichtung annehmen müßte, so würde (sie Wirkung einer solchen :Aufeinanderfolge optisch ähnlich der einer Mischung sein: sie Nilfit sich angenähert nach (leg Mischungsregel als die einer mittleren Brechungszahl jf berechnen, (sie sich aus der Gleichung- ergibt. Hierin bedeutet p (gen Prozentgehalt der ,CSanlten Schichten a11 dellt Stoa' -Oll den' Brechungszahl n, un(l ff, (sie Brechungszahl (ges andern Stoffes. Man kann auf diese Weise auch Schichten erzeugen, die dieselbe Brechungszahl wie der zu iiberziehende Gegen stan(I haben, also völlig unsichtbare Churzüge sind.
  • Als Beispiel Für (sie Reßexionsvermindertlit##, die "ich 1111t (1e111 ertlll(Itlllfs#''elllaßen Verfahren erzielen. lüUt, seien bilfmr(le an-@(-@el>rtt.
  • (',ringt man atit eine Glasplatte von (leg Ilrechungszahl t,sq eine Schicht S111.,, so läl.lt >ich durch @ecign etc Beniessunf (leg Dicke @lie.(r Schicht für (sie hetlexion, (sie bei unnl@@#ri@@genei- Glaspla te fast toi;" betragen murde. .leg \\'(#1't o,3 °." f111- eilte @or@@e@c@t'icl-(-tte \\'ellenliinfe, z. 1i. für 48; In r( (grünt Clr(ichen. Für die ihrifen ist lab;i (sie kellexiom etwas höher und 1),#triigt z..B. für 3<,o in ,(( (gelb) t °/". Trat (sie Glaplatte eilte Brechungszahl von 1,50, so liilit ,sich bei derselben Behandlung (sie Reflexion gün.tifstetlf;tlls auf 2,()°/n herabsetzen. Bringt man jedoch auf eilte Glasplatte von der Bre-Aungszahl I .,;o zuwhhst eine Schicht "fi 0, und auf diese Schicht Si 0.,,. ;o läflt sich (sie l.eflexion für eine v(» -feschriehene Wellenlänge praktisch vollkommen zum \`erschwinden bringen.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Änderung (ges Retjexinllsverlll()gens durchsichtiger Gegenstände, insbesondere nptlscher Glaser, durch eitle oller mehrere übereinanderliegende dünne, durchsichtige, wider- standsfähige Schichten, dadurch gekennzechnct. (1a13 ztu- Bildung jeder der Schichtelf ein wasserarmes, gelartiges Oxv@ihv(lrat oller eilte Mischung solcher, unter Umständen noch mit Zusätzen, der-jenigen. Elemente. die in \\'asser schwer lösliche. kolloidale Oxydhydrate zu bilden verm;igen. auf ihili niedergeschlagen wirft. lyci einet- gleichzeitigen oder'ansaließenden Erhitzung (ges betrettenden tda,gegenstandes auf eile Temperatur, die mindestens @(a : unterhalb ,einer I#.rweichungstemperatur lieft. 2. \"erfahren nach Anspruch ., dadurch gekennzeichnet, dal.i zunächst vediälmisi *il.Iig lii# -eiche, lockere Kol.-m sungsmittch loidschichten niedergeschlagen - werden und (Ruin durch Vertreibendes iiherschii#-.sife11 Lösungsmittels (Wassers) wahrend .des anschliel.lenden .lrhitzens die wasserarme lviderstandfähife Oxydhydrat; Schicht gelrildet wird. - -3. Verfahret. nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, (1a13 (las betrettende Oxydhydrat als kolloidale AuflWung durch Zerstäuben auf dein betreffenden Gegenstande niedergeschlagen wird. -,,... Verfahren nach Anspruch g, dadurch gekennzeichnet, (1a13 Halogenid. oller andere durch Waser zersetzliche Verbindungen der genannten lletnente verwendet werden. 3. Verfahren nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, dall (sie Oxydhydrate (furch chemische L'lnsetzung eine: Dampf-Arom es von Halogeniden oller anderen zersetzlichen Verbindungen mit Wasserclanipf het;gestellt werden. f1. Verfahren nach Anspruch ;. dadurch fehennzeichtet. (1a13 der zti behandc#Inde Agettstand ili den lief (leg Umsetmmg sich bildenden -Nebel oder (tauch gebracht m i rd. ;. Verfahren nach Anspruch i, dadurch ge1;01111zeic1111et, dalsolche Stoffe niedcrgeschlagen werden, daß jede der srliliel.ileli erzeugten Schichten mindestens zur Hälfte entweder aus einem %vassei-arnieli Ovdltvdrat des \Volfrani;, des \tolv1T-(t:ü@s, der Elemente der dritten Grupp, de; periodischen Systems, der vierten Gruppe außer Kohlenstoff oder der fünften Gruppe außer Stickstoff oder au: \lischungen dieser C)xvdhvdrate besteht. S. Verfahren nach Anspruch j, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung hochbrechender Schichten Otvcle voll Titan. Zirhon, Zinn, oder Blei tuid 7111- rrze-ugun g niedrigbrechender Schichten Oxyde soll Aluminium oder Silicium verwendet werden. 9. Verfahren nach Anspruch ä, dadurch gekennzeichnet: daß hei Verwendung von Halogeniden. die sich an feuchter Luft leicht zersetzen. dem .ITalo@cnirl zur Verhütting voll Schleierbildung ein reaktionsfähiger Halogenträger beigemischt lvird. To. Verfahren nach Anspruch (9, dadurch gel<ennzeiclniet, daß als 1 Ialogent ri äg -er Silictuntetrachlorid (Sitaaj verwendet wird. i i. Verfahren nach Anspruch cj. chtdurch gekennzeichnet, daß das Halogenid in dein Halogentriger gelöst wird. 12. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, (1a1:1) das TTalogenicl in einem indifferenten N-crdülniungsmittel gelöst M-ird. r,;. "erfahren nach Anspruch 12. dadurch gekennzeichnet, (1a1.1) als Vcr(lünnungnnittcl T'etrachl@rk<Ihlenstoff (CCI.,) verwendet wird. 1d.. Verfahren nach Anspruch ;, dadurch gekennzeichnet, dali insbeson,dem 1nh \irwenAng UM Stoffe deren gasi()T'i1111e ljalngenl(le mit - ga;törinigeln Wa- ;er hei tiefen Temperaturen schwer reagieren, ein brennbares Gas mit Dämpfen flüchtiger Verbindungen dieser Stoffe gemischt und. das Gemisch vor dem Aufströmen auf den zu überzichentlen Gegenstand verbrannt mird. . 15. Verfahren nach Anspruch 14., dadurch gekennzeichnet, daß durch Zusetzen von indifferenten Gasen die hlaninieilt, niperatur erniedrigt wird. 11i. Verfahren nach Anspruch r5. dadurch gekennzeichnet, daß Sauerstoff ztigesetzt wird, uni trotz starker Erniedrigung der F laninienteniperatur diese verhältniciTiäßig gleichmäßig -r.11 halten und ein l7rlöscheni zu verhüten. t;, Verfahren nach Anspruch 14., dadurch gekennzeichnet, daß als flüchtige Verbindung eine organische, z. B. ein Alkldester oder ein %cep-lacetmiat benutzt w i 1-d. 18. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sehr dünne Schichtern zweier Stoffe von verschiedener lirecllun,;zahl abwechselnd aufgebracht werden. -i(--). Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß (101) einzelnen Schichten eine Dicke gegeben wird, die in der Grö l.lenordnung@ der Dicke eher \tolekelschicht liegt.
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