DE7326229U - Halbleitergleichnchteranordnung - Google Patents
HalbleitergleichnchteranordnungInfo
- Publication number
- DE7326229U DE7326229U DE7326229U DE7326229DU DE7326229U DE 7326229 U DE7326229 U DE 7326229U DE 7326229 U DE7326229 U DE 7326229U DE 7326229D U DE7326229D U DE 7326229DU DE 7326229 U DE7326229 U DE 7326229U
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rectifier
- semiconductor
- carrier plate
- carrier
- clamping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 16
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims description 6
- 210000001847 Jaw Anatomy 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 235000014277 Clidemia hirta Nutrition 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Description
■: ■' ■ ■■'■■
SEMlKRON Ges. fUr Gleichrichterbau u. Elektronik m.b.H.
8500 Nürnberg, Wiesentalstraße 40
Tel. 0911 / 37781, Telex 06 / 22155
13. Juli 1773 Pm - du / wi
K 17301 G
sssssssssssssssssssssssbssisbbb:
Die Neuerung betrifft eine Halbleitergleichrichteranordnung bei der zwei
Gleichrichterelemente, davon wenigstens ein steuerbares, Mit Kühlbauteilen,
die einen Kanal zum Durchfluß einer Kühlflüssigkeit aufweisen und
gleichzeitig zur Stromleitung dienen, fest verbunden sowie räumlich und elektrisch antiparallel zwischen gleichzeitig als An?chlu31eiter dienenden
Trägerplatten angeordnet sind.
Bei steuerbaren Halbleitergleichrichtern oder Thyristoren wird bekanntlich
das Durchschalten vom nichtleitenden in den leitenden Zustand und damit die gleichrichtende Funktion durch Beaufschlagen der Steuerelektrode mit einem
Leistungsimpuls bestimmter Höhe bei in Durchlaßrichtung angelegter Spannung zwischen den Lastelektroden erzielt. Es sind auch Maßnahmen bekannt, den
auf diese Weise geschalteten Durchlaßstrom wieder abzuschalten.
Thyristoren stellen demnach hinsichtlich ihrer Funktion kontaktlose Schalter
dar und werden dieserhalb sowie aufgrund weiterer Vorteile wie Wartungsfreiheit,
sofortige Betriebsbereitschaft, geringe Baugröße und hohe Lebensdauer in zunehmendem Maße zum Schalten und Steuern hoher Ströme verwendet.
7l2tttf.in.7t
In der Schweißtechnik werden Thyristoren z.B. in Antiparallelschaltung
als Wechselstronschalter zur Steuern des Schweißstromes eingesetzt. Von
Seiten der Anwender wird hierfür ein raumsparender, kompakter Aufbau gefordert,
der jedoch dem Bedürfnis nach möglichst hoher Strombelastbarkeit der Gleichrichtereleaente gerecht werden soll. Diesen Forderungen entsprechen
weitgehend AusfUhrungsfor»en mit Flüssigkeitskühlung.
Aus der DT-AS 1 589 847 sind Anordnungen bekannt, bei denen scheibenförmige
Thyristoren räumlich und elektrisch antiparallel zwischen Bauteilen fest angebracht sind, dio als Spannplatten zur Befestigung sowie zur Stromleitung
und als Kuhlelemente dienen.Die elektrische und thermische Verbindung zwischen
Kuhlelement und Thyristor wird durch zylindrische Kupferkörper erzielt, die
mit ihrer vorbereiteten Stirnfläche unter Druck auf einer Kontaktfluche
des Thyristors und mit ihrem anderen Ende fest im Kühlelement angeordnet sind, Die Kühlelemente weisen Kanäle für die Kühlflüssigkeit auf.
Bei diesen bekannten Anordnungen sind die Gleichrichterelemente Ober besondere,
vergleichsweise dicke Kontaktkörper mit den Kühlelementen verbunden. Dadurch ist der Abstand der Gleichrichtertablette vom kühlenden
Medium und damit auch der Weg der in der Tablette entstehenden Verlustleistungswärme
relativ groß. Weiterhin sind zusätzliche WärmeObergangswiderstände
vorhanden, so daß keine optimale Kühlung der Thyristoren und damit auch keine optimale Strombelastbarkeit derselben möglich ist. Außerdem
erfordert die Druckkontaktierung der scheibenförmigen Gleichrichterelemente eine besondere Behandlung der Kontaktflächen und einen Nebraufwand
an Bauteilen.
Der Neuerung liegt die Aufgabe zugrunde, Haibleitergleichrichteronordnurgen
mit elektrisch antiparallel geschalteten Gleichrichterelementen, davon wenigstens
einem steuerbaren, sogenannte Wechselstromsteller zu schaffen, die bestmögliche Kühlung der Gleicbrichterelemente sowie einfachen und
raumsparenden Aufbau aufweisen.
li*J «,**,
Die Aufgabe wird neuerungsgemäß dadurch gelöst, daß das die HalbleitertabJette
tragende und gleichzeitig zur Stromleitung vorgesehene Gehäuseuntjrteil
jedes Gleichrichterelement» quaderförmig ausgebildet ist und in seinen Innerer« einen in geringen Abstand zu der mit der Halbleitertablette
versehenen Fläche sowie im wesentlichen parallel zu dieser Fläche vorlaufenden Kühlkanal mit Anschlufimittein für Schlauchleitungen aufweist,
daß jede Trägerplatte an ihrer einen Hälfte mit der freien Unterseite des
Gehäuseunterteils des einen Gleichrichterelemente und an ihrer anderen Ktilfte der gleichen Seite mit dem oberen, isoliert durch das Gehuuseoberteil
geführten Anschlußltiter des anderen Gleichrichtereiements fest verbunden
ist, und daß zwischen beiden Trägerplatten ein an beiden befestigtes
Abstandsstück aus einem Ise'ierstoff vorgesehen ist, das mit den Trägerplatton
einen mechanisch festen Aufbau für die Gleichrichterelemente bildet.
fl Anhand der in den Figuren 1 bis 4 dargestellten Austührungsbeispiele wird
der Aufbau des Gegenstandes der Neuerung r<*<
> gezeigt und erläutert.
Figur 1 zeigt in einer Seitenansicht und Figur 2 in Draufsicht eine erste
und Figur 3 in einer anderen Seitenansicht eine weitere AusfUhrungsform
der räumlich und elektrisch parallelen Anordnung von Thyristoren gemäß der Neuerung. In Figur 4 ist eine Vorrichtung zur Befestigung des oberen
Anschlußleiters der vorgesehenen Thyristoren gezeigt. FUr gleiche Teile sind in allen Figuren gleiche Bezeichnungen gewählt.
In Figur 1 ist eine aus zwei Obereinstimmend aufgebauten, räumlich und
elektrisch antiparallel angeordneten Thyrietors/stemen A,B gebildete Baueinheit
dargestellt. Jedes System besteht aus einem plattenförmigen, metallischen Gehäuseunterteil 1, das als Grundkörper die nicht dargestellte
Halbleitertablette trägt und zum Zweck der optimalen FlussigkeitkBhlung
des Systems im Innern, möglichst naWe an der mit der Halbleitertablette
versehenes Fläche und parallel zu dieser Fläche, einen zur Anbringung
7321329-6.11.73
von SchlauchanschltJssen la geeigneten Kühlkanal aufweist, ferner aus
einem kappenfiJrmigen, beispielsweise aus Keramik bestehenden Gehäuseoberte.il
2, das auf dem Gruddkörper 1 fest aufgebracht ist und die Halbleitertablett«
vollständig einschließt, weiterhin aus einem oberen, litzenförmigen
Anschlußleiter 5 der Halbleitertablette, der in der metallischen Durchführung 2z, des Gshüyssebsrieiis 2 sitteis Quetschung bsfsstigt ist,
sowie aus einer metallischen Trägerplatte 6, die mit einem Teil ihrer Fläche ΟΪ3 zugeordnete Fläche des Grundkäroers bedeckt und mit diesem mittels
Schrauben fest verbunden ist.
Ge>.iäß Figur 2 verläuft die Trägerplatte 6 an der dem anderen Thyristorsystem
zugewandten Seite des Grundkörpers 1 Über diesen hinaus und ist anschließend
mit einem zwischen den beiden Thyristorsystemen vorgesehenen, die mechanische Stabilität der Gleichrichteranordnung gewährleistenden Isolierstoff-AbstanditstUck,
dos den dargestellten Aufbau gemäß der Neuerung in zwei Hälften unterteilt, mittels Schrauben 12 fest verbunden. Die weitere
Hälfte der Trägerplatte 6 endet in einem Abschnitt 6a mit geringerer Breite.
Zur Erzielung der Antiparallelschaltung der beiden Systeme A,6 ist der Anschlußleiter
5 jedes Systems am Abschnitt 6a der Trägerplatte des anderen Systems mittels einer Klemmlasche 8 befestigt, die in Materialstörke und
Länflsausdehnung dem Abschnitt 6a angepaßt und an diesem mittels Schrauben
angebracht ist ( Figur 2 ). Zu diesen Zweck sind die Teile 6a und 8 an ihrer
gegenseitig zugewandten Fläche und in entsprechender räumlicher Zuordnung
zu dem jeweiligen Gleichrichterelement mit je einer zur Aufnahme des Anschlußleitere
angepaßten Einbuchtung 6b bzw· 8a versehen, in denen dieser zwischen den Teilen 6a und 8 mithälfe von Schrauben zu« Zweck seines flächenhaften
thermischen und elektrischen Kontakts durch Klenabefestigung fest eingespannt ist«
Der Leitungsanschluß der Hilfskathode 3 und der Steuerelektrode 4 jedes
Thyristorsystems sind an Steckanschlüssen 11 « Isolieretoff-Abstandsstück
befestigt.
Der Grundkörper 1 besteht aus einem elektrisch und thermisch gut leitendan
Material, vorzugsweise aus Kupfer, ebenso die Trägerplatte 6. Beide
Bauteile sind an ihrer zur gegenseitigen Befestigung vorgesehenen Fläche
plan ausgebildet. Dadurch wird die Ableitung des Über den Anschlußleiter
geführten Anteils der Verlusxleistungswärme des anderen Gleichrichtersystems
begünstigt.
Des Gehäuseoberteil des Thyristoraufbaus kann zum Beispiel aus Keramik
mit einer die Durchfuhrung 2a tragenden metallischen Deckplatte oder aus
Stahl mit einer sogenannten Druckglasdurchführung bestehen.
In Figur 3 ist ein anderes Ausfuhrungsbeispiel des Gegenstandes der Neuerung
in der Ansicht einer Schmalseite dargestellt. Der Aufbau der Thyristoren entspricht demjenigen gemäß Figur 1. Die jeweilige Verbindung von
Grundkörper 1 und Anschlußleiter 5 wird durch eine metallische Trägerplatte 16 erzielt, die in ihrem zur Befestigung der beiden Thyristorsysteme vorgesehenen
Flächenbereich die in Figur 2 dargestellte Ausbildung aufweist. Zusätzlich ist die Trägerplatte 16 an ihrer einen Längsseite mit einem
parallel zur Thyristorachse verlaufenden, als Flansch vorgesehenen, plattenförmigen
Ansatz 16b versehen, der oine etwa derjenigen des Grundkörpers entsprechende Breite sowie eine Länge aufweist, welche die Befestigung
eines Stromanschlußbolzens 16c etwa in halber Bcuho'he der Anordnung auf
der freien äußeren Fläche des Flansches 16b und senkrecht auf dieser ermöglicht.
Gemäß dem in Betracht gezogenen Aufbau der neuerungsgemäßen Anordnung verlaufen
die beiden Flansche 16b der Trägerplatten in einer Ebene parallel und an ihrem freien Ende entgegengesetzt nebeneinander. Jeder Flansch trägt
den vorzugsweise als Gewindebolzen ausg-Sudeten Stromanschluß 16c. Zur Ge*
währleistung der mechanischen Stabilität der Anordnung ist auf beide Stromanschlüsse
16c eine gemeinsame, entsprechende Durchbohrungen aufweisende
Isolierstoffplatte 20 aufgesteckt und mithilfe von je einer Mutttr 21
befestigt. Die Platte 20 weist annähernd dieselbe Länge auf wie die Trägerplatte 16 und eine maximale Breite gleich der Bauhöhe der Anordnung.
Bei der in Abbildung 4 gezeigten AusfUhrungsform zur Befestigung des Anschlußleiters
5 endet die Trägerplatte 26 in der zur Befestigung des Anschlußleiters 5 vorgesehenen Hälfte in einem an ihren beiden Längsseiten
.gesetzten Abschnitt geringerer Breitef dessen Länge wenigstens gleich
^er Breite des Grundkörpers 1 ist, und der aus zwei, durch eine von seinem
freien Ende in der Längsachse verlaufende, schlitzförmige Aussparung 27 getrennten, als Klemmbacken dienenden Teilen 26a besteht. Die Klemmwirkung
auf einon Ansch.lußieiter 5, der in der aus den Einbuchtungen gebildeten
öffnung angeordnet ist, ergibt sich durch zangenartiges Zusammenfuhren
der Klemmbacken 26a mittels der Spannschraube 9. Da beide Klemmbacken Teil der Trägerplatte 26 sind, wird mit einer solchen Vorrichtung
ρ Ine verbesserte Ableitung der Verlustwärme am oberen Anschlußleiter erzielt«
Eine andere AusfUhrungsform des Gegenstandes der Neuerung besteht darin, daß
die Durchfuhrung 2a in entsprechender Länge direkt als äußerer Abschnitt
des oberen Anschlußleiiers der Halbleitertablette in die Klemmvorrichtung
eingeführt ist. In diesem Fall ist die Durchfuhrung vorzugsweise mit einem
Lotmetall ausgefüllt, um die Wärmekapazität zu erhöhen. Untersuchungen haben
gezeigt, daß dadurch die Ableitung der Verlustwärme von der Halbleitertablette in die obere Trägerplatte noch weiter verbessert wird. Um mechanische
Spännungen bei der Befestigung der beiden starrer Systeme A,B gemäß dieser
Au&fUhrungsform in den Trägerplatten zu vermeiden, können die Grundkörper
zur veränderlichen Anbringung auf der jeweiligen Trägerplatte entsprechende ausgebildete und gerichtet verlaufende Langlöcher fUr die Schrauben 7 aufweisen.
I I I · · t · ·
Der Gegenstand dor Neuerung kann auch in der Weise aufgebaut sein,
daß anstelle eines besonderen Grurdkörpers die Trägerplatte als solcher
ausgebildet ist und aus einem orsten Abschnitt zum Aufbau eines Thyristorsystems besteht, der im Innern einen Kühlkanal aufweist, sowie
aus einem zweiten Abschnitt, der, bedarfsweise mit geringerer Materialstärke,
zur Befestigung des oberen Anschluß]liters des anderen Thyristorsystems gemäß einer der vorbeschriebenen AusfUhrungsformen
ausgebildet ist.
732S22l-i.ii.7l
Claims (4)
1. Halbleitergleichrichteranordnung bei der zwei Gleichrichterelemente,
davon wenigstens ein steuerbares, mit Kühlbauteilen, die einen Kcnal
zum Durchfluß einer Kühlflüssigkeit aufweisen und gleichzeitig zur
Stromleitung dienen, fest verbunden sowie räumlich und elektrisch antiparallel
zwischen gleichzeitig als Arschlußleiter dienenden Trägerplatten angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet,
daß das die Halbleitertablette tragende und gleichzeitig zur Stromleitung
vorgesehene Gehäuseunterteil (1) jedes Gieichrichterelements (A,B)
quaderförmig ausgebildet und in seinen Inneren einen in geringem Abstand
zu der mit der Halbleitertablette versehenen Fläche sowie im wesentlichen parallel zu dieser Fläche verlaufenden Kühlkanal mit Anschlußmitteln (la)
fUr Schlauchleitungen aufweist,
daß jede Trägerplatte (ό) an ihrer einen Hälfte mit der freien Unterseite
des Gehäuseunterteils (1) des einen Gleichrichterelements und an ihrer anderen Hälfte der gleichen Seite mit dem obeien, isoliert durch
das Gehöueeoberteil (2) geführten Anschlußleiter (5) des anderen Gleichrichterelements
fest verbunden ist, und
daß zwischen beiden Trägerplatten (6) ein an beiden befestigtes Abstandsstück ( IC, 20 ) uus einem Isolierstoff vorgesehen ist, das mit den Trägerplatten
einen mechanisch festen Autbau fUr die Gleichrichterelemente bildet*
2. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet,
daß in der zur Befestigung eines Anschlußleiters (5) vorgesehenen Hälfte
der Trügerplatten (6) eine mittels Schrauben zu befestigende Kleamlasche (8)
angebracht ist, und
7328221-1.11.73
daß die Klemmlasche (8) und der zugeordnete Abschnitt ( 6ar 16a )
der Trägerplatte zur Aufnahme und zun Festklemmen des Anschlußleiters
je eine angepaßte Einbuchtung ( 6b, 16b und 8a ) in entsprechender räumlicher
Zuordnung zu dem jeweiligen Gleichrichterelement aufweisen.
3. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet,
daß die zur Befestigung eines Anschlußleiters (5) vorgesehene Hälfte
der Trägerplatten { 26 ) aus zwei durch eine schlitzförmige, längs .*»·..-laufende
Aussparung ( 27 ) getrennten, als Klemmbacken vorgesehenen Teilen ( 26a ) beeteiht. und
daß die Klemmbacken ( 26a ) zur Aufnahme und zum Festklemmen des Anschlußl&iters
je eine angepaßte Einbuchtung ( 26b ) in entsprechender räumlicher Zuordnung zu dem jeweiligen Gleichrichterelement aufweisen.
4. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1 und / oder eine« der
folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Trägerpletten ( 16 ) an einer Längsseite einen rechtwinklig
angeordneten, plattenförmigen, als Flansch vorgesehenen, jeweils in Richtung
d">r anderen Trägerplatte verlaufenden Ansatz ( 16b ) aufweisen, dessen
Breite kleiner als die halbe Länge der Trägerplatte ist, und dessen Länge einerseits, üurch die Anordnung eines Stromanschlußleiter?· ( 16c )
auf soiner äußeren Fläche und andererseits durch einen ausreichenden Isolationsabstand
zur gegenüberliegenden Trägerplatte bestimmt ist, und
daß das Itolierstoff-AbstandsstUck ( 20 ) mithilfe der Stromanschlußleiter
an den Flanschen ( 16b ) der Trägerplatten ( 16 ) befestigt ist.
7328229-MU3
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE7326229U true DE7326229U (de) | 1973-11-08 |
Family
ID=1295127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE7326229U Expired DE7326229U (de) | Halbleitergleichnchteranordnung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE7326229U (de) |
-
0
- DE DE7326229U patent/DE7326229U/de not_active Expired
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4110339C3 (de) | Wechselrichter mit plattenförmigen Gleichspannungszuleitungen | |
DE2337694C2 (de) | Halbleitergleichrichteranordnung hoher Strombelastbarkeit | |
DE2109063C3 (de) | Piezoelektrischer Antrieb | |
DE102015101086A1 (de) | Leistungshalbleitermodulanordnung | |
DE2617335A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2232953A1 (de) | Einrichtung zur verklammerung von thyristoren | |
DE2003134A1 (de) | Klemmenband bei einem elektrischen Geraet | |
DE4023687A1 (de) | Stromrichteranordnung | |
DE2638909A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
EP0710983A2 (de) | Brücken-Modul | |
EP0086483B1 (de) | Leistungsgleichrichteranordnung | |
DE7326229U (de) | Halbleitergleichnchteranordnung | |
EP0079978A1 (de) | Kontaktstück für ein elektrisches Schaltgerät, insbesondere für ein Schütz | |
DE2636631A1 (de) | Thyristor | |
DE3152040C2 (de) | Gleichrichteranordnung | |
DE3617611C2 (de) | ||
WO1979000817A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur comprenant au moins deux elements semi-conducteurs | |
EP3718672A2 (de) | Gleichrichter für einen schweisstransformator einer schweissvorrichtung und verfahren zum herstellen eines solchen gleichrichters | |
DE102020216305B4 (de) | Elektrische Schaltvorrichtung | |
DE1514450A1 (de) | Gleichrichteranordnung | |
DE1067904B (de) | Anschlussklemme fuer elektrische Schaltgeraete | |
DE1639402B2 (de) | Steuerbares halbleiterbauelement | |
DE102022212953A1 (de) | EMV-optimiertes Leistungsmodul und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE3426291A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE1440397B2 (de) | Vielpunktschweißmaschirie |