DE706841C - Elektrischer Widerstand - Google Patents

Elektrischer Widerstand

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Publication number
DE706841C
DE706841C DEI59946D DEI0059946D DE706841C DE 706841 C DE706841 C DE 706841C DE I59946 D DEI59946 D DE I59946D DE I0059946 D DEI0059946 D DE I0059946D DE 706841 C DE706841 C DE 706841C
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DE
Germany
Prior art keywords
boron
platinum
crystal
electrical resistance
boride
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Expired
Application number
DEI59946D
Other languages
English (en)
Inventor
Gerald Leondus Pearson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by International Standard Electric Corp filed Critical International Standard Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE706841C publication Critical patent/DE706841C/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors

Landscapes

  • Resistance Heating (AREA)

Description

  • Elektrischer Widerstand Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrischen Widerstand, bei dem Bar verwendet wird, welches einen sehr großen Widerstandstemperaturkoeffizienten besitzt. Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, ein Widerstandselement zu schaffen, welches gegenüber den bisherigen größere Genauigkeit, Zuverlässigkeit und Wirkungsfähigkeit besitzt. Dabei soll die Herstellung des Widerstandes möglichst einfach und zuverlässig sein.
  • Es ist schon ein Borwide#tand bekanntgeworden, bei dem das Bor vermittels Schmelzens im Lichtbogen mit Molybdän- oder Wolframelektroden verbunden -wurde. Wolfram hat einen Schmelzpunkt von 3¢00° C, während Bor schon bei 25oo° C schmilzt. Auch ist es bekannt, daß Bor bei Temperaturen, die unter dem Schmelzpunkt des Bors liegen, mit verschiedenen Metallen, wie Eisen, Platin, Palladium, chemische Verbindungen eingeht.
  • Die Erfindung betrifft nun @ebenfalls ,ein Verfahren zur Herstellung elektrischer Widerstände mit hohem negativem Temperaturkoeffizienten unter Verwendung von Bor; bei denen ein oder mehrere Borkristalle mit metallischen Zuleitungen aus Platin, Palladium, Eisen oder anderen einen niedrigeren Schmelzpunkt als Bor besitzenden Werkstoffen verbunden werden, und besteht darin, daß ein bestimmter Widerstandswert durch Änderung des als Bindemittel wirkenden, elektrisch gut leitenden Boridanteils, der sich bei der Erhitzung der Verbindungsstelle bildet, und damit der Fläche zwischen diesem und dem Borkristall erzeugt wird. -Die Herstellung der Widerstände erfolgt in der Weise, daß zunächst die ZufÜhrungsleitung mit dem Borkristall in Kontakt gebracht wird und anschließend an diesen Kontaktpunkt zwischen Leitung und Kristall eine kleine Flamme herangebracht wird. Bei der Verwendung von Platin für die Zuleitungen hat sich gezeigt, daß, obwohl der Schmelzpunkt des Borkristalles bei 25oo' und der Schmelzpunkt des Platindrahtes bei i8oo-' C liegt, durch die kleine Flamme, deren Temperatur nicht über ; 5ö' C zu liegen braucht, eine kleine Menge von Platinborid gebildet wird, das den Zuführungsdraht mit dem Kristall fest verbindet.
  • Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert.
  • In Fig. i ist ein Widerstand gezeigt, der aus einem einzigen Borkristall i mit den Zuführungsleitungen und @ besteht. Die Leitungen 2 und 3 sind an entgegengesetzten Enden des Kristalles i mit Hilfe kleiner Boridteil.e q. und 5 befstigt. Wird Platin für die Leitungen 2 und 3 benutzt, so bestehen die Verbindungsstellen :l und 5 aus Platinborid. Es ist jedoch auch möglich, andere Metalle, wie beispielsweise Palladium oder Eisen, als Zuführungsleitung zu verwenden, und- dementsprechend werden dann die Verbindungsstellen aus Palladiumborid oder Eisenborid gebildet.
  • Der in Fig.2 gezeigte Widerstand entspricht dem Widerstand der Fig. 1 und unterscheidet sich von diesem lediglich dadurch, daß das Borpartikelchen 6 aus einer Anhäufung zusammenhängender Borkristalle besteht. Die Zuführungsleitungen 7 und 8 sind an entgegengesetzten Enden über die Verbindungsstellen g und i o mit dem Widerstand verbunden.
  • Diese Borwiderstände sind im allgemeinen sehr klein und haben zweckmäßig einen Durchmesser in der Größenordnung von o,5 mm. Dementsprechend müssen auch die Zuführungsleitungen 2, 3 und 7, 8 mit sehr kleinem Durchmesser, und zwar o,o25 bis o,o5mm ausgebildet werden. Da der Widerstand und seine Zuführungsleitungen infolge ihrer kleinen Abmessungen sehr leicht beschädigt «erden können, ist es in vielen Fällen wünschenswert, sie in bekannter Weise in einer Schutzhülle anzuordnen. Eine solche Anordnung zeigt die Fig.3. Der Borwiderstand 11 ist mittels seiner Zuführungsleitungen 12 und 13 mit den Anschlußdrähten 1 4. und 15 verschweißt oder in anderer Weise fest verbunden, und die Drähte 14 und 15 sind ihrerseits in einer Glasröhre 16 eingeschmolzen. Die Röhre 16 dient als Schutzgeh:icisc für den Widerstand. Sie kann jedoch nicht nur als Schutz für den Widerstand von mechanischen Beschädigungen dienen, sondern kann, wie an sich ebenfalls schon bekannt, auch dafür benutzt werden, größere Temperaturschwankungen der umgebenden Atmosphäre vom Widerstand fernzuhalten. Die Glasröhre 16 kann evakuiert oder mit einem geeigneten Gas von gewünschtem Druck gefüllt sein.
  • Das neue Verfahren zur Änderung des Boridanteils ist in Fig. 4. gezeigt. Der Zuführungsdraht 17, der aus Platin bestehen kann, wird zunächst mit der Oberfläche des Borkristalles 18 in Berührung gebracht. Eine Stichflamme, die durch ein geeignetes brennbares Gas erzeugt wird, wird dann mit Hilfe des Brenners i g auf die Berührungsfläche zwischen dem Draht 17 und dem Kristall 18 gerichtet. Durch diese Flamme wird die Bildung von Platinborid an der Berührungsstelle hervorgerufen und dadurch eine feste mechanische Verbindung zwischen dem Draht 17 und dem Kristall 18 erzielt. Da das Platinborid eine gute elektrische Leitfähigkeit hat, wird gleichzeitig auch ein guter elektrischer Kontakt zwischen Zuführungsleitung und Kristall, erzeugt. Die Größe des elektrischen Widerstandes selbst wird durch Bestimmung der Größe des Boridanteils an der zwischen dem Zuführungsdraht und dem Kristall durch die Stichflamme gebildeten Verbindung und damit der Fläche zwischen dem Boridanteil und dem Kristall beliebig geändert.
  • Derartige Widerstände können in den verschiedensten elektrischen Kreisen Anwendung finden. Sie haben bekanntlich einen sehr großen negativen Temperaturwiderstandskoeffizienten. Ihr Widerstand bei normaler Temperatur ist hoch. Fließt jedoch Strom hindurch, so erhöht sich ihre Temperatur infolge der Heizwirkung des Stromes, und ihr Widerstand fällt sehr stark in Abhängigkeit von der ansteigenden Temperatur ab. Durch die Verwendung kleiner PartikAchen gemäß den vorstehenden Ausführungen wird ein sicheres Einhalten der Beziehungen zwischen Strom und Widerstand, wie es häufig zur Steuerung elektrischer Kreise notwendig ist, erreicht. Auch die Verwendung sehr dünner Zuführungsdrähte steigert die Wirtschaftlichkeit und Präzision der Widerstandsanordnung, da dadurch Wärmeverluste des Borkristalles, die durch Wärmeableitung der Zuführungsdrähte auftreten könnten, weitgehend vermieden werden.

Claims (3)

  1. PATENT ANSPIZÜCIIE: i. Verfahren zur Herstellung elektrischer Widerstände mit hohem negativem Temperaturkoeffizienten unter Verwendung von Bor, bei denen ein oder mehrere Borkristalle mit metallischen Zuleitungen aus Platin, Palladium, Eisen oder anderen einen niedrigeren Schmelzpunkt als Bor-. besitzenden Werkstoffen verbunden werden, dadurch gekennzeichnet, daß ein bestimmter elektrischer Widerstandswert durch Änderung des als Bindemittel wirkenden, elektrisch gut leitenden Boridanteils, der sich bei der Erhitzung der Verbindungsstelle bildet, und damit der Fläche zwischen diesem und dem Borkristall erzeugt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Platin für die Zuleitungen die Verbindungsstellen nur auf eine Temperatur von ungefähr 750' erhitzt werden.
  3. 3. Nach dem Verfahren des Anspruchs i hergestellter elektrischer Widerstand, dadurch gekennzeichnet, daß die Borkristalle ungefähr o, 5 mm und die Zuleitungen ungefähr o,o25 bis o,o5 mm Durchmesser aufweisen.
DEI59946D 1936-12-24 1937-12-16 Elektrischer Widerstand Expired DE706841C (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US706841XA 1936-12-24 1936-12-24

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DE706841C true DE706841C (de) 1941-06-06

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ID=22096770

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DEI59946D Expired DE706841C (de) 1936-12-24 1937-12-16 Elektrischer Widerstand

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DE (1) DE706841C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2521704A1 (de) * 1974-05-17 1975-11-27 Magneti Marelli Spa Herstellungsverfahren fuer thermistoren

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2521704A1 (de) * 1974-05-17 1975-11-27 Magneti Marelli Spa Herstellungsverfahren fuer thermistoren

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