DE69935179T2 - Strukturierungstechnik unter Verwendung eines Templates und Tintenstrahlsystems - Google Patents

Strukturierungstechnik unter Verwendung eines Templates und Tintenstrahlsystems Download PDF

Info

Publication number
DE69935179T2
DE69935179T2 DE69935179T DE69935179T DE69935179T2 DE 69935179 T2 DE69935179 T2 DE 69935179T2 DE 69935179 T DE69935179 T DE 69935179T DE 69935179 T DE69935179 T DE 69935179T DE 69935179 T2 DE69935179 T2 DE 69935179T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
template
liquid
structuring
stencil
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69935179T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69935179D1 (de
Inventor
Satoshi Suwa-shi Nebashi
Takao Suwa-shi Nishikawa
Tatsuya Suwa-shi Shimoda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69935179D1 publication Critical patent/DE69935179D1/de
Publication of DE69935179T2 publication Critical patent/DE69935179T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B44—DECORATIVE ARTS
    • B44C—PRODUCING DECORATIVE EFFECTS; MOSAICS; TARSIA WORK; PAPERHANGING
    • B44C1/00—Processes, not specifically provided for elsewhere, for producing decorative surface effects
    • B44C1/22—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
    • H05K3/1233—Methods or means for supplying the conductive material and for forcing it through the screen or stencil
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/0134—Drum, e.g. rotary drum or dispenser with a plurality of openings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Printing Methods (AREA)
  • Ink Jet (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Decoration By Transfer Pictures (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Strukturierungstechnik für integrierte Halbleiterschaltkreise oder dergleichen und stellt eine Strukturierungsschablone zum Aufbringen einer Flüssigkeit auf eine Oberfläche bereit.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Photolithographie ist ein allgemeines Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen oder dergleichen auf Siliziumsubstraten oder Glassubstraten. Um Strukturen unter Verwendung von Photolithographie auszubilden, wird ein dünner Überzug aus lichtempfindlichem Material, als Resist bezeichnet, auf einen Siliziumwafer aufgebracht, und dann wird die integrierte Schaltkreisstruktur, die mit Photogravüre auf einer Glas-Trockenschablone hergestellt wurde, mit Licht gedruckt (übertragen). Mit der übertragenen Resiststruktur als Maske wird das Material unter dem Resist zu Verdrahtungsstrukturen und Elementen geätzt. Dieses photolithographische Verfahren erfordert Prozesse wie zum Beispiel Resistauftrag, -belichtung und -entwicklung, was es unmöglich macht, feine Strukturen außerhalb eines Halbleiterwerkes oder dergleichen herzustellen, wo es Einrichtungen wie zum Beispiel Serienproduktionsmaschinerie, Stromverteilungseinrichtungen und Abzugseinrichtungen gibt. Aus diesem Grund ist nach Verfahren in einem kleineren Maßstab zum Ausbilden feiner Strukturen geforscht worden.
  • Zum Beispiel wurde das Verfahren mit der Bezeichnung MIMIC (Micromolding in Capillaries) zum Ausbilden von Strukturen unter Verwendung einer Form im Journal of the American Chemical Society 1996, Nr. 118, Seiten 5722-5731, offenbart. In diesem Verfahren wird eine Schablone, auf der mit Vertiefungen versehene Strukturen im Mikrometermaßstab aus Polymer ausgebildet sind, auf das Substrat gelegt, woraufhin man Flüssigkeit mittels Kapillarwirkung von den mit Vertiefungen versehenes Seiten her eindringen lässt. Die Schablone besteht aus Polydimethylsiloxan, und die Flüssigkeit ist ein Polymer, eine Polymerlösung, eine kolloidale Lösung oder dergleichen. Nachdem die Reaktion zwischen der Flüssigkeit und dem Substrat abgeschlossen ist, wird die Schablone abgenommen, um die auf dem Substrat ausgebildeten Strukturen freizulegen.
  • In dem oben angesprochenen MIMIC-Verfahren ist jedoch die Distanz, über die die Flüssigkeit von den Seiten der Schablone aus zugeführt werden kann, begrenzt, weil die Flüssigkeit durch Kapillarwirkung verteilt wird. Ein daraus resultierendes Problem ist, dass keine großen Strukturen unter Verwendung breiter Schablonen ausgebildet werden können.
  • WO 97/33737, veröffentlicht am 18. September 1997, offenbart ein Verfahren zum Herstellen von Gegenständen und Strukturierungsoberflächen, bei dem ein Formstück auf einem Substrat angeordnet wird. Die Oberfläche des Formstücks neben dem Substrat enthält wenigstens eine Vertiefung, die eine Struktur definiert. Die Vertiefungsstruktur ist auf wenigstens einer Seite des Formstücks offen, wodurch ein Kanal gebildet wird. Ein Fluidvorläufer wird in den Kanal injiziert, um die Vertiefungsstruktur aufzufüllen. Nachdem der Fluidvorläufer ausgehärtet ist, wird das Formstück entfernt, wodurch ein resultierender Gegenstand entsteht, der als eine Strukturierungsschablone benutzt werden kann. Jeder Kanal ist an seinen beiden langen Seiten durch eine Fluidmaskierungsregion begrenzt und agiert als eine Fluidauftragsregion.
  • In US 2,777,411 , ausgegeben am 15. Januar 1957, wird ein Verfahren zum Herstellen ausgekleideter Flaschenverschlüsse beschrieben, wobei ein Blech zwischen einen oberen und einen unteren Teil einer Form gelegt wird. Dann kommt ein Druckelement zum Einsatz, um das Material, das zum Auskleiden des Flaschenverschlusses verwendet wird, durch Löcher in der Form auf das Blech zu drängen. Auf diese Weise werden Scheiben des Materials auf dem Blech ausgebildet. Anschließend wird das Blech von der Form genommen und zu Flaschenverschlüssen gestanzt, wobei sich in jedem Flaschenverschluss eine Scheibe des Formmaterials befindet. Der obere Formteil weist mit Aussparungen versehene Regionen auf, die als Materialauftragsregionen fungieren und in die hinein jeweils ein Durchgangsloch öffnet. Zwischen den mit Aussparungen versehenen Regionen befinden sich Regionen ohne Aussparungen, die als Materialmaskierungsregionen dienen.
  • EP 0732209 , veröffentlicht am 18. September 1996, offenbart eine piezoelektrische Anordnung, die eine Reihe piezoelektrischer Aktuatoren umfasst, die jeweiligen Tintenkanälen zugeordnet sind. Eine Reihe von Öffnungen ermöglicht es, dass Tinte in den Tintenkanälen aus den Öffnungen ausgespritzt wird, wenn eine Spannung an Elektroden angelegt wird, die zu den Aktuatoren gehören. Ein Verfahren zum Herstellen des piezoelektrischen Elements umfasst die Schritte des Siebdruckens einer Schlämme aus pulverisiertem piezoelektrischem Material zu einer piezoelektrischen keramischen Schicht; das Siebdrucken einer leitfähigen Paste zu einer inneren Elektrodenschicht auf der piezoelektrischen keramischen Schicht; und Wiederholen dieser Schritte im Wechsel, so dass ein Schichtkörper mit piezoelektrischen keramischen Schichten und inneren Elektrodenschichten entsteht, die wechselweise geschichtet sind.
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung basiert auf dem oben geschilderten Problem und stellt zu diesem Zweck eine Strukturierungsschablone bereit, die für eine solche Strukturierung verwendet wird.
  • Gemäß der Erfindung wird eine Strukturierungsschablone zum Auftragen einer Flüssigkeit auf eine zu strukturierende Oberfläche und zum Ausbilden von Strukturen bereitgestellt, wobei die Schablone mehrere Flüssigkeitsmaskierungsregionen und zwischen jedem benachbarten Paar dieser Flüssigkeitsmaskierungsregionen eine Flüssigkeitsauftragsregion, die mehrere Durchgangslöcher enthält, umfasst, wobei: die mehreren Flüssigkeitsmaskierungsregionen relativ zu einer Fläche der Flüssigkeitsauftragsregion, die nahe an die zu strukturierende Oberfläche herangebracht werden soll, mit Ausnehmungen versehen sind, oder die Flüssigkeitsauftragsregion relativ zu einer Fläche der Flüssigkeitsmaskierungsregionen, die nahe an die zu strukturierende Oberfläche herangebracht werden sollen, mit Ausnehmungen versehen ist.
  • Die Flüssigkeitsauftragsregion kann hydrophob sein, während die Flüssigkeitsmaskierungsregion hydrophil ist, oder umgekehrt.
  • Die Flüssigkeitsauftragsregion kann die Form einer regelmäßigen Struktur aufweisen, die überall gleichmäßig angeordnet ist.
  • Die Schablone kann aus einem porösen Material bestehen.
  • Die Innenwände der in der Schablone ausgebildeten Durchgangslöcher können hydrophil sein, wenn die Flüssigkeitsauftragsregion hydrophob ist, und umgekehrt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Draufsicht auf den Aufbau der Schablone gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A in 1, die den Aufbau der Schablone der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 3 ist ein Schaubild des gesamten Aufbaus einer Strukturierungsvorrichtung.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht, die den kombinierten Aufbau des Druckkammerpaneels und einer Schablone gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht, die das Strukturierungsverfahren mittels der Schablone der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 6 ist eine Draufsicht auf eine Strukturierung, die durch die Schablone gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung übertragen wurde.
  • 7A-F sind Querschnittsansichten, welche die Schritte in dem Verfahren zur Herstellung der Schablone der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • 8 ist eine Draufsicht auf den Aufbau der Schablone gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A in 8, die den Aufbau der Schablone der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht zum Erläutern des Strukturierungsverfahrens, bei dem die Schablone der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 11 ist ein Schaubild des gesamten Aufbaus einer Strukturierungsvorrichtung.
  • 12 ist eine teilweise Querschnittsansicht, die den Aufbau der Hauptelemente der Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe zeigt.
  • 13 ist ein Schaubild zum Erläutern des Transportpfades der Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe.
  • 14 ist ein Draufsichtschaubild, das die Strukturierung auf dem Substrat zeigt, das mit dem Strukturierungsverfahren ausgebildet wurde.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Im Folgenden werden die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung anhand der Figuren erklärt.
  • Erste Ausführungsform
  • Es wird das Verfahren zum Ausbilden einer schwarzen Matrix (schattierten Struktur), wie sie zum Beispiel in einem Farbfilter oder dergleichen für ein Flüssigkristallfeld verwendet wird, unter Verwendung einer konkaven Schablone gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
  • 1 ist eine Draufsicht auf die Strukturübertragungsfläche der Schablone der vorliegenden Ausführungsform. 2 ist eine Querschnittsansicht des Aufbaus dieser Schablone entlang der Linie A-A (Schnittfläche) in 1.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, hat die Schablone 1 der vorliegenden Ausführungsform einen Aufbau, bei dem die Strukturübertragungsregion 10 als konkave Abschnitte in der Strukturübertragungsfläche (unten in 2) der Originalschablone 100 ausgebildet ist. Mehrere Durchgangslöcher 12, die bis zur Rückseite (oben in 2) der Originalschablone 100 reichen, sind in der Strukturübertragungsregion 10 ausgebildet. Die Innenwände der Durchgangslöcher 12 sind vorzugsweise so oberflächenbearbeitet oder behandelt, dass sie keine Affinität für die Flüssigkeit aufweisen. Wenn sie auf Nichtaffinität behandelt sind, so wird Flüssigkeit aus den Durchgangslöchern 12 beseitigt, wenn keine Flüssigkeit zugeführt wird, und die Flüssigkeitstropfen werden sicher abgetrennt. Die Region, wo keine konkaven Bereiche ausgebildet sind, insbesondere die konvexen Bereiche, umfasst die Nicht-Strukturübertragungsregion 11. Die Strukturübertragungsregion 10 ist entsprechend der Struktur einer schwarzen Matrix ausgebildet, die in dem Farbfilter eines Flüssigkristallfeldes ausgebildet ist.
  • Als das Material, das die Schablone 1 bildet, wird vorzugsweise ein poröses Material verwendet. Wenn Flüssigkeit von den Durchgangslöchern zugeführt wird, während sich die Schablone 1 im Wesentlichen in Kontakt mit der Oberfläche, zu der die Struktur übertragen wird, befindet, entweicht Luft aus den mit Ausnehmungen versehenen Abschnitten, die der Strukturübertragungsregion 10 entsprechen, in das poröse Material hinein, was bewirkt, dass die Flüssigkeit jeden Abschnitt der Strukturübertragungsregion 10 ausfüllt. Die Verwendung eines porösen Materials verhindert darum, dass Hohlräume in den konkaven Abschnitten zurückbleiben. Zum Beispiel wird Polydimethylsiloxan als das poröse Material verwendet.
  • Die Dicke der Strukturübertragungsregion 10 der Schablone 1 wird so eingestellt, dass das Volumen der mit Ausnehmungen versehenen Abschnitte, das durch den Höhenunterschied zu der Nicht-Strukturübertragungsregion 11 gebildet wird, für die Menge an Flüssigkeit ausreicht, die für die Strukturierung benötigt wird. Die Flüssigkeit, die in den Durchgangslöchern 12 mit kleinem Durchmesser zugeführt wird, erfährt aufgrund des Verdunstens eines Großteils der Lösemittelkomponente eine extreme Volumenverringerung. Folglich muss die Dicke der Strukturübertragungsregion 10 ausreichend sein, um die Menge an Flüssigkeit unter Berücksichtigung dieser Volumenverringerung aufzunehmen. Die Nicht-Strukturübertragungsregion 11 der Schablone 1 hat nun eine solche Dicke, dass die Schablone genügend physische Festigkeit hat. Diese Dicke wird so eingestellt, dass die Zunahme des Durchflusswiderstandes, die durch die zunehmenden Längen der Durchgangslöcher 12 hervorgerufen wird, vermieden wird.
  • 3 zeigt den Gesamtaufbau der Strukturierungsvorrichtung. Wie in 3 gezeigt, umfasst die Strukturierungsvorrichtung 200 eine Schablone 1 mit dem in den 1 und 2 gezeigten Aufbau, ein Druckkammerpaneel 2, ein piezoelektrisches Element 3, einen Schablonentransportmechanismus 4, eine Steuervorrichtung 5 und einen Flüssigkeitsspeichermechanismus 6.
  • Das Druckkammerpaneel 2 steht mit der Schablone 1 in Kontakt und hat einen Aufbau, der es ihm ermöglicht, Flüssigkeit zur Rückseite der Schablone 1 zuzuführen. Genauer gesagt, ist der tatsächliche Aufbau wie in der Querschnittsansicht von 4 gezeigt. Das Druckkammerpaneel 2 enthält Seitenwände 22 in Kontakt mit den Randabschnitten der Rückseite der Schablone 1, und ein Oszillationspaneel 23 ist auf einer seiner Oberflächen angeordnet. Die Druckkammer 21 wird durch die Rückseite der Schablone 1, die Seitenwände 22 und das Oszillationspaneel 23 gebildet, und die Flüssigkeit 62 wird darin über eine Tintentanköffnung 24, die in dem Oszillationspaneel 23 ausgebildet ist, gespeichert. Das Druckkammerpaneel 2 hat eine feine Struk tur, die zum Beispiel durch Ätzen von Silizium, Glas oder Quarz hergestellt wird. Das Oszillationspaneel 23 besteht zum Beispiel aus Wärmeoxidfilm. Das piezoelektrische Element 3 ist auf dem Oszillationspaneel 23 an einer Position ausgebildet, die der Druckkammer 21 entspricht. Die oben besprochene Tintentanköffnung 24 ist in dem Oszillationspaneel 23 ausgebildet. Die Flüssigkeit zum Ausbilden der gewünschten Struktur wird der Druckkammer 21 aus dem Tank 60 über ein Rohr 61 durch den weiter unten besprochenen Flüssigkeitsspeichermechanismus 6 zugeleitet. Des Weiteren wird zum Beispiel eine kolloidale Lösung aus in Lösemittel gelöstem Kohlepulver als die Flüssigkeit verwendet.
  • Das piezoelektrische Element 3 umfasst eine piezoelektrische Dünnschicht 31, die zwischen einer unteren Elektrode 30 und einer oberen Elektrode 32 gehalten wird, wie in 4 gezeigt. Die untere Elektrode 30 und die obere Elektrode 32 bestehen aus einem stabilen, leitfähigen Material, wie zum Beispiel Platin. Die piezoelektrische Dünnschicht 31 besteht aus einem Material mit einer elektromechanischen Wandlungswirkung und ist mit einer kristallinen Struktur eines ferroelektrischen Materials, wie zum Beispiel PZT (Blei-Zirkonat-Titanat), ausgebildet. Das piezoelektrische Element 3 ist so aufgebaut, dass es Veränderungen des Volumens entsprechend dem Abgabesignal Sp von der Steuervorrichtung 5 bewirkt.
  • Des Weiteren ist das oben angesprochene Druckkammerpaneel so aufgebaut, dass Volumenänderungen mit dem piezoelektrischen Element bewirkt werden, das Volumen in der Druckkammer verändert wird und Flüssigkeit ausgestoßen wird. Das Druckkammerpaneel kann auch einen Aufbau haben, bei dem die Flüssigkeit mit einem Heizelement erwärmt wird und Tropfen dieser Flüssigkeit aufgrund ihrer Ausdehnung ausgestoßen werden. Des Weiteren kann, wie oben besprochen, die Flüssigkeit 62 in der Druckkammer 21 durch Kapillarwirkung infolge des Materials, aus dem das Druckkammerpaneel 2 und die Schablone 1 bestehen, und der Form und der Abmessungen der Durchgangslöcher 12 auf natürliche Weise in die Strukturübertragungsregion 10 geführt werden.
  • Des Weiteren ist jeweils eine Druckkammer 21 und ein piezoelektrisches Element 3 in jeder Figur gezeigt, um diese Erklärung zu vereinfachen, aber es können auch mehrere Druckkammern in vorgeschriebenen Regionen angeordnet sein, und mehrere piezoelektrische Elemente 3 können entsprechend dazu angeordnet sein.
  • Der Schablonentransportmechanismus 4 umfasst einen mechanischen Aufbau mit einem Motor 40 und weiteren (nicht gezeigten) Elementen. Der Motor 40 ist so aufgebaut, dass er entsprechend einem Ansteuerungssignal Sm von der Steuervorrichtung 5 angetrieben wird. Die Leistung des Motors 40 ist so gewählt, dass die Schablone 1 und das Druckkammerpaneel 2 nach oben und unten in der Figur transportiert werden können. Des Weiteren genügt es, dass der Schablonentransportmechanismus 4 so aufgebaut ist, dass die Positionen der Schablone 1 und des Druckkammerpaneels 2 relativ zum Substrat 110 verändert werden können. Aus diesem Grund können auch andere Aufbauten als der oben angesprochene Aufbau verwendet werden, dergestalt, dass das Substrat 110 sich relativ zu der Schablone 1 bewegt und so weiter, oder dass sich die Schablone 1 und so weiter und das Substrat 110 bewegen.
  • Der Steuervorrichtung 5 sind die Funktionen einer Computervorrichtung oder eines Sequenzierers gegeben, und sie ist so aufgebaut, dass das Strukturierungsverfahren durch die Strukturierungsvorrichtung ausgeführt wird. Die Vorrichtung gibt das Ansteuerungssignal Sm an den Motor 40 des Schablonentransportmechanismus' 4 aus und ist in der Lage, die Distanz zwischen der Schablone und der Strukturoberfläche 111 mit dem gewünschten Timing zu ändern. Diese Vorrichtung ist so konfiguriert, dass sie ein Abgabesignal Sp an das piezoelektrische Element 3 sendet, so dass die Flüssigkeit 62 mit dem gewünschten Timing von dem Druckkammerpaneel 2 zu der Schablone 1 geleitet wird.
  • Der Flüssigkeitsspeichermechanismus 6 umfasst einen Tank 60 und ein Rohr 61. Der Tank 60 fasst die Flüssigkeit zum Ausbilden von Strukturen, und das Rohr 61 ist so geformt, dass die in dem Tank 60 gespeicherte Flüssigkeit zu der Tintentanköffnung 24 in dem Druckkammerpaneel 2 geleitet wird.
  • Strukturierungsverfahren
  • Als nächstes wird das Strukturierungsverfahren unter Verwendung der oben angesprochenen Strukturierungsvorrichtung 200 anhand der 4 und 5 erläutert.
  • In dem in 4 gezeigten Zustand, wo das Abgabesignal Sp dem piezoelektrischen Element 3 nicht zugeführt wird, füllt die Flüssigkeit 62 die Druckkammer 21 des Druckkammerpaneels 2. Aufgrund der hohen Oberflächenspannung der Flüssigkeit fließt die Flüssigkeit in diesem Zustand nicht in die Durchgangslöcher 12. Das zu strukturierende Substrat 110 wird innerhalb eines Bereichs positioniert, in dem die Schablone 1 durch den Schablonentransportmechanismus 4 transportiert werden kann.
  • Als nächstes transportiert die Steuervorrichtung 5 die Schablone 1 und das Druckkammerpaneel 2 in Richtung des Substrats 110 und bringt die Strukturübertragungsfläche der Schablone 1 in Kontakt mit der Strukturoberfläche 111 des Substrats 110, wie in 5 gezeigt.
  • Dann speist die Steuervorrichtung 5 das Abgabesignal Sp in das piezoelektrische Element 3 ein. Das Anlegen von Spannung bewirkt eine Veränderung des Volumens des piezoelektrischen Elements 3, wodurch sich das Oszillationspaneel 23 verformt. Infolge dessen verformt sich das Oszillationspaneel 23 aus der Position P1, die mit Strichlinie gezeigt ist, in die gebogene Position P2, wie in 5 gezeigt. Wenn sich das Oszillationspaneel 23 verformt, nimmt der Druck auf die Flüssigkeit in der Druckkammer 21 zu, und die Flüssigkeit bewegt sich von den Durchgangslöchern 12 in die mit Ausnehmungen versehenen Abschnitte der Strukturübertragungsregion 10. Wenn die Flüssigkeit in die mit Ausnehmungen versehenen Abschnitte eintritt, so muss ein entsprechendes Luftvolumen entweichen. Obgleich die mit Ausnehmungen versehenen Abschnitte auf vier Seiten von der Schablone 1 und dem Substrat 110 umgeben sind, besteht die Schablone 1 aus porösem Material, wie oben besprochen. Somit wird ein Luftvolumen entsprechend der Flüssigkeit, die in die mit Ausnehmungen versehenen Abschnitte eintritt, über die Wandabschnitte der Schablone 1 ausgestoßen. Aus diesem Grund kann die Flüssigkeit jeden Teil der mit Ausnehmungen versehenen Abschnitte der Strukturübertragungsregion 10 ausfüllen, ohne dass Luft in den mit Ausnehmungen versehenen Abschnitten zurückbleibt.
  • Wenn die Flüssigkeit das Substrat 110 berührt, speist die Steuervorrichtung 5 das Ansteuerungssignal Sm in den Schablonentransportmechanismus 4 ein, während die das Abgabesignal Sp in das piezoelektrische Element 3 einspeist. Die Schablone 1 wird zusammen mit dem Druckkammerpaneel 2 angehoben, und eine entsprechende Menge an Flüssigkeit wird entsprechend der Form der Strukturübertragungsregion der Schablone 1 übertragen. Wenn das Substrat 110 einer Wärmebehandlung, chemischen Behandlung oder dergleichen unterzogen wird und die Lösemittelkomponente der Flüssigkeit, die zu dem Substrat 110 übertragen wird, verdunstet ist, dann werden die Kohlekörner in der Flüssigkeit auf dem Substrat 110 fixiert. Mit diesen Prozessen wird eine schwarze Matrix 112 ausgebildet, wie in 6 gezeigt, und sie hat die in 1 gezeigte Form der Strukturübertragungsregion 10, die ohne Änderungen zu der Strukturoberfläche 111 des Substrats 110 übertragen wurde.
  • Im Fall eines Aufbaus, wo die Flüssigkeit 62 in der Druckkammer 21 auf natürliche Weise durch Kapillarwirkung in die mit Ausnehmungen versehenen Abschnitte der Strukturübertragungsregion 10 geführt wird, braucht die Steuervorrichtung lediglich die Aufwärts- und Abwärtsbewegung der Schablone 1 zu steuern. Bei diesem Aufbau befinden sich die mit Ausnehmungen versehenen Abschnitte in einem Zustand, in dem sie kontinuierlich mit der Flüssigkeit 62 gefüllt sind. Infolge dessen bleibt eine Struktur aus Flüssigkeit auf der Strukturoberfläche 111 zurück, wenn die Schablone 1 mit dem Substrat 110 in Kontakt gebracht und dann weggenommen wird.
  • Verfahren zur Herstellung der Schablone
  • Als nächstes wird das Verfahren zur Herstellung der Schablone 1 anhand von 7 erläutert. Die 7A-F sind Querschnittsansichten, die jeden Herstellungsprozess zeigen.
  • Ausbilden der Resistschicht (7B)
  • Der Prozess des Aufbeschichtens der Resistschicht ist ein Prozess zum Ausbilden einer Resistschicht auf der Strukturübertragungsfläche der Basisschablone 100. Zuerst wird das oben angesprochene poröse Material geformt und zu der Basisschablone ausgebildet (7A). Als nächstes wird eine Resistschicht 101 auf einer Oberfläche der Basisschablone 100 ausgebildet. Das Resistmaterial kann positiv oder negativ sein. Mit einem negativen Resist werden die belichteten Abschnitte in der Entwicklungslösung unlöslich und bleiben. Mit einem positiven Resist werden die unbelichteten Abschnitte in der Entwicklungslösung unlöslich und bleiben. Der Resist wird auf eine gleichmäßige Dicke unter Verwendung von Verfahren wie zum Beispiel dem Schleuderver fahren, dem Sprühverfahren oder dergleichen aufgebracht und bildet die Resistschicht 101.
  • Belichtung (7C)
  • Der Belichtungsprozess belichtet die Resistschicht 101 entsprechend dem Typ des Resists in der vorgeschriebenen Struktur. Oder anders ausgedrückt: Bei Verwendung eines positiven Resists als das Material für die Resistschicht 101 wird die Nicht-Strukturübertragungsregion 11 mit Licht 102 bestrahlt. Bei Verwendung eines negativen Resists wird die Strukturübertragungsregion 10 mit Licht 102 bestrahlt. Ein übliches Resistmaterial, wie zum Beispiel vom Novolak-Typ oder vom Typ des chemischen Verstärkers, wird als das Resistmaterial verwendet. Ein Energiestrahl von einer bekannten Lichtquelle, wie zum Beispiel einer UV-Lampe oder eines Excimer-Lasers, wird als das Licht 102 verwendet.
  • Entwickeln (7D)
  • Der Entwicklungsprozess entwickelt die belichtete Resistschicht und lässt nur jene Abschnitte der Resistschicht zurück, die der Nicht-Strukturübertragungsregion (Region 11 in 2) entsprechen. Eine bekannte Entwicklungslösung, wie zum Beispiel die folgende, wird in dem Entwicklungsprozess verwendet: Alkalilösungen wie zum Beispiel Tetramethylammoniumhydroxid, Kaliumhydroxid, Natriumhydroxid oder Kalziumhydroxid oder organische Lösemittel wie zum Beispiel Xylen.
  • Ätzen (7E)
  • In dem Ätzprozess wird die Seite des Basisschablonenmaterials 100, auf der sich die entwickelte Resistschicht 101 befindet, geätzt, wobei die Resistschicht als eine Maske dient, um die konkaven Abschnitte entsprechend der Strukturübertragungsregion 10 auszubilden. Das Ätzverfahren kann anisotropes Nassätzen oder anisotropes Ätzen unter Verwendung eines Aktivgases sein, wie zum Beispiel planparalleles reaktives Ionenätzen. Diese Ätzen zeichnet sich vorzugsweise durch hohe Selektivität aus und ätzt selektiv nur das poröse Material. Die Ätztiefe wird zweckmäßig entsprechend der Menge an Flüssigkeit eingestellt, die für die Struktur benötigt wird, wie oben besprochen. Nach dem Ätzen wird die verbliebene Resistschicht 101, die als eine ätzresistente Maske verwendet wurde, mit Lösemittel oder dergleichen entfernt.
  • Ausbilden der Durchgangslöcher (7F)
  • Der Prozess zum Ausbilden von Durchgangslöchern öffnet mehrere Durchgangslöcher 12 in der geätzten Basisschablone 100. Verfahren wie zum Beispiel Oberflächenbearbeitung mittels Laser oder Stanzen werden zum Ausbilden der Durchgangslöcher 12 verwendet. Die Anzahl der Durchgangslöcher 12 ist die Anzahl, die genügend Flüssigkeit zu den mit Ausnehmungen versehenen Abschnitten leiten kann. In dem Fall, wo das poröse Material der Schablone ein Material ist, das keine Nichtaffinität für die Flüssigkeit aufweist, ist es bevorzugt, dass die Innenwände der Durchgangslöcher 12 so oberflächenbearbeitet oder behandelt werden, dass sie eine Nichtaffinität für die Flüssigkeit aufweisen. Verfahren zur Oberflächenbehandlung zum Herstellen einer Nichtaffinität für die Flüssigkeit werden weiter unten in dem Abschnitt der weiteren Variationen besprochenen.
  • Eine Schablone kann in der folgenden Weise durch Anordnen des Verfahrens, wie es in 7 gezeigt ist, hergestellt werden. Zuerst wird unter Verwendung einer flachen Platte, die aus einem porösen Material oder anderen Materialien besteht, als die Basisplatte 100 eine Struktur mit einer konkaven und konvexen Oberfläche auf der Basisplatte 100 durch die Schritte A bis E ausgebildet. Anschließend wird ein poröses Material auf diese geätzte Basisplatte aufge bracht, um eine Schicht auszubilden, die aus einem porösen Material besteht, und die Struktur dieser Basisplatte wird zu dieser Schicht aus porösem Material übertragen. Danach wird die Schicht aus porösem Material, auf die die oben angesprochene Struktur übertragen wurde, von der Basisplatte 100 entfernt, und es werden Durchgangslöcher auf der Schicht aus porösem Material in einer in 7F erklärten Weise ausgebildet, wodurch eine Strukturierungsschablone (die abgetragene Schicht aus porösem Material) entsteht.
  • Gemäß der ersten Ausführungsform hat die Schablone einen Aufbau mit einer konkaven Form und hat Durchgangslöcher, die durch die konkaven Abschnitte hindurch verlaufen. Dies ist eine Schablone, bei der eine große Struktur als eine Einheit ausgebildet ist. Darum kann eine Strukturierung auf preiswerte Art und ohne Einsatz von Großmaschinerie ausgeführt werden. Mit dieser Schablone kann Flüssigkeit direkt von Durchgangslöchern auf der Rückseite der Schablone aus zu der Strukturübertragungsregion geleitet werden. Strukturen können daher über einen breiteren Bereich ausgebildet werden, als es mit dem oben angesprochenen MIMIC-Verfahren möglich ist. Folglich ist dies ein geeignetes Verfahren zum Herstellen von Strukturen, wie zum Beispiel schwarzen Matrizes, transparenten Elektroden, normalen Elektroden und so weiter, für große Flüssigkristallfelder.
  • Zweite Ausführungsform
  • Als nächstes wird ein Verfahren zum Verwenden einer konvexen Schablone gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zum Herstellen einer schwarzen Matrix (schattierten Struktur) beschrieben, wie sie in einem Farbfilter oder dergleichen eines Flüssigkristallfeldes verwendet wird.
  • 8 zeigt eine Draufsicht auf die Strukturübertragungsfläche der Schablone, die in der vorliegenden Ausführungs form verwendet wird. 9 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau der Schablone entlang der Linie A-A (Schnittfläche) in 8 zeigt.
  • Wie in den 8 und 9 gezeigt, hat die Schablone 1b in der vorliegenden Ausführungsform die Strukturübertragungsregion 10b in einer konvexen Form auf der Strukturübertragungsfläche der Basisschablone 100. Oder anders ausgedrückt: Der planare Aufbau der Strukturübertragungsfläche in 8 ist der gleiche wie in 1, aber die Strukturübertragungsregion 10b entspricht dem konvexen Abschnitt der Schablone.
  • Mehrere Durchgangslöcher 12b, die zu der Rückseite der Basisschablone 100 verlaufen, sind in der Strukturübertragungsregion 10b ausgebildet. Die Durchgangslöcher 12b sind vorzugsweise so oberflächenbearbeitet, dass sie eine Nichtaffinität für die Flüssigkeit aufweisen, wie in der ersten Ausführungsform oben. Die Regionen auf der Basisschablone 100, wo keine Vorsprünge ausgebildet sind, bilden die Nicht-Strukturübertragungsregion 11b. Das Material und die Dicke der Schablone 1b können die gleichen sein wie jene in der oben besprochenen ersten Ausführungsform. Die Schablone 1b in der vorliegenden Ausführungsform wird in eine Strukturierungsvorrichtung 200 eingespannt, die den Aufbau hat, der in 3 gezeigt ist und in der oben angesprochenen ersten Ausführungsform erläutert wurde, und wird in Verbindung mit dem Druckkammerpaneel verwendet, das in den 3 und 4 gezeigt ist.
  • Strukturierungsverfahren
  • Das Strukturierungsverfahren ist im Wesentlichen das gleiche wie das in der oben angesprochenen ersten Ausführungsform. Wie in 10 gezeigt, wird die Schablone 1b, die mit dem Druckkammerpaneel verbunden ist, während die Flüssigkeit 62 die Druckkammer füllt (nicht gezeigt), in der Richtung des Substrats 110 bewegt, bis ein kleiner Spalt zwischen der Strukturübertragungsregion 10b und der Strukturoberfläche 111 entsteht. In diesem Spalt entsteht eine Kapillarwirkung und bewirkt, dass die Flüssigkeit 62, die über die Durchgangslöcher 12b herangeführt wird, die Strukturübertragungsregion 10b vollständig ausfüllt. Beim Bewegen der Schablone 1 leitet die Steuervorrichtung 5 die Flüssigkeit 62 über die Druckkammer zu. Die Flüssigkeit 62 wird von den Durchgangslöchern 12b auf das Substrat 110 geleitet und bildet Tropfen 63. Nachdem die Tropfen 63 der Flüssigkeit genügend an der Oberfläche des Substrats 110 anhaften und chemisch mit der Oberfläche reagieren, wird die Schablone 1b von dem Substrat 110 getrennt. Durch dieses Verfahren entsteht eine Struktur auf dem Substrat 110. Wenn in Lösemittel gelöstes Kohlepulver als die Flüssigkeit verwendet wird und die Strukturübertragungsregion 10b eine Gitterform wie in 8 hat, so wird mit dem oben angesprochenen Verfahren eine schwarze Matrix für ein Farbfilter, das in einem Flüssigkristallfeld verwendet wird, auf dem Substrat 110 ausgebildet.
  • Des Weiteren kann das Verfahren zur Herstellung der Schablone 1b der vorliegenden Ausführungsform auf dem Verfahren zur Herstellung der Schablone in der oben angesprochenen ersten Ausführungsform basieren. Es ist erforderlich, entsprechende Einstellungen vorzunehmen, wie zum Beispiel Umkehren des Resistmaterials zu positiv oder negativ oder Umkehren der belichteten Region und unbelichteten Region.
  • Mit der oben besprochenen zweiten Ausführungsform lassen sich die gleichen Effekte wie mit der ersten Ausführungsform sogar mit dem konvexen Typ der Strukturierungsschablone erreichen.
  • Als nächstes wird eine Strukturierungsvorrichtung erläutert, mit der die gewünschten Strukturen unter Verwendung von Tintenstrahlaufzeichnungsköpfen erzeugt werden können.
  • 11 zeigt den Aufbau der Strukturierungsvorrichtung. Wie in 11 gezeigt, umfasst die Strukturierungsvorrichtung 200b eine Schablone 1, Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b, einen Schablonentransportmechanismus 4b, eine Steuervorrichtung 5b, einen Flüssigkeitsspeichermechanismus 6b und einen Kopftransportmechanismus 7.
  • Die Schablone 1 (siehe 1 und 2), die in der ersten Ausführungsform verwendet wird, kann ohne jegliche Änderungen als die Schablone 1 in dieser Vorrichtung verwendet werden. Es ist auch möglich, die Schablone 1b der zweiten Ausführungsform zu verwenden. Da die gewünschte Struktur durch Transportieren der Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe ausgebildet werden kann, kann die Schablone eine Gitterstruktur oder gleichmäßige Struktur von Punkten in gleichmäßigen Abständen aufweisen. Die Strukturübertragungsregion 10 und die Nicht-Strukturübertragungsregion 11 (siehe 2) im Fall der Schablone 1 und die Strukturübertragungsregion 10b und die Nicht-Strukturübertragungsregion 11b (siehe 10) im Fall der Schablone 1b werden entsprechend einer bestimmten Konvention kombiniert. Die Flüssigkeit kann zu der gewünschten Strukturübertragungsregion 10 oder 10b geleitet werden, indem man auswählt, ob Flüssigkeit von den Durchgangslöchern 12 oder 12b herangeführt werden soll.
  • Die Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b haben den Aufbau, wie er in 12 gezeigt ist. Ein Oszillationspaneel 23 mit einem darauf befindlichen piezoelektrischen Element 3 wird auf einer Oberfläche des Druckkammerpaneels 20 angeordnet. Ein Düsenpaneel 29 mit darauf befindlichen Düsen 28 wird auf die andere Oberfläche des Druckkammerpaneels 20 laminiert. Eine Druckkammer (Hohlraum) 21, ein Reservoir 25, eine Zufuhröffnung 26 und so weiter werden auf dem Druckkammerpaneel 20 durch Ätzen von zum Beispiel Silizium, Glas oder Quarz ausgebildet. Die Druckkammer 21 ist durch Sei tenwände 22 geteilt. Das Oszillationspaneel 23 und das piezoelektrische Element 3 haben den gleichen Aufbau, wie er in dem Druckkammerpaneel 2 in der oben angesprochenen ersten Ausführungsform verwendet wird. Die in dem Düsenpaneel 29 angeordneten Düsen 28 sind an Positionen ausgebildet, die der Druckkammer 21 entsprechen. Mit dem oben angesprochenen Aufbau sind die Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b so konfiguriert, dass jede Druckkammer 21 über Zufuhröffnungen 26 mit Flüssigkeit 62 befüllt wird, die über den Flüssigkeitsspeichermechanismus 6 herangeführt wird und über die Tintentanköffnung 24 in das Reservoir 25 geleitet wird. Wenn Spannung an das piezoelektrische Element 3 angelegt wird, so ändert sich das Volumen der entsprechenden Druckkammer 21, und Tropfen 63 der Flüssigkeit werden von der Düse 28, die jener Druckkammer entspricht, abgegeben.
  • Des Weiteren ist das oben angesprochene Druckkammerpaneel so aufgebaut, dass sein Volumen durch das piezoelektrische Element 3 verändert wird und Flüssigkeit abgegeben wird. Es kann auch so aufgebaut sein, dass die Flüssigkeit durch ein Heizelement erwärmt wird und Tropfen aufgrund ihrer Wärmeausdehnung ausgestoßen werden.
  • Der Schablonentransportmechanismus 4b ist genauso aufgebaut wie der Schablonentransportmechanismus 4 (siehe 3), der in der oben angesprochenen ersten Ausführungsform verwendet wird. Jedoch ist der Schablonentransportmechanismus so aufgebaut, dass nur die Schablone 1 bewegt werden kann. Das liegt daran, dass die Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b unabhängig von der Schablone 1 durch den Kopftransportmechanismus 7 transportiert werden.
  • Der Flüssigkeitsspeichermechanismus 6b umfasst einen Tank 60 und ein Rohr 61. Der Tank 60 fasst die Flüssigkeit, die zu der vorliegenden Erfindung gehört, und das Rohr 61 führt die in dem Tank 60 gespeicherte Flüssigkeit zu der Tintentanköffnung 24 der Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b.
  • Der Kopftransportmechanismus 7 umfasst Motoren 71 und 72 und weitere mechanischen Strukturen, die nicht gezeigt sind. Der Motor 71 ist so konfiguriert, dass er die Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b entsprechend dem Signal Sx von der Steuervorrichtung 5b, das eine Bewegung in der Richtung der X-Achse anweist, in der Richtung der X-Achse bewegt. Der Motor 72 ist so konfiguriert, dass er die Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b entsprechend dem Signal Sy von der Steuervorrichtung 5b, das eine Bewegung in der Richtung der Y-Achse anweist, in der Richtung der Y-Achse bewegt. Des Weiteren kann der Schablonentransportmechanismus 7 einen solchen Aufbau haben, dass er die Position der Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b relativ zu der Schablone 1 verändert. Aus diesem Grund gehören zu weiteren brauchbaren Aufbauten, dass sich die Schablone 1 und das Substrat 110 relativ zu den Tintenstrahlaufzeichnungsköpfen 2b bewegen oder dass sich die Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b, die Schablone 1 und das Substrat 110 allesamt bewegen.
  • Die Steuervorrichtung 5b erhält die Funktionen einer Computervorrichtung oder eines Sequenzierers und ist so aufgebaut, dass das Strukturierungsverfahren durch die Strukturierungsvorrichtung ausgeführt wird. Die Vorrichtung gibt das Ansteuerungssignal Sm an den Schablonentransportmechanismus 4b aus und ist in der Lage, die Distanz zwischen der Schablone und der Strukturoberfläche 111 mit dem gewünschten Timing zu verändern. Diese Vorrichtung ist so konfiguriert, dass sie ein Abgabesignal Sp in das piezoelektrische Element 3 einspeist, so dass Tropfen 63 der Flüssigkeit von den Tintenstrahlaufzeichnungsköpfen 2b mit dem gewünschten Timing zu der Schablone 1 geleitet werden. Des Weiteren ist der Kopftransportmechanismus 7 so aufgebaut, dass er in der Lage ist, die Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b zu einer gewünschten Position relativ zu der Schablone 1 zu trans portieren, wenn er das X-Achsen-Ansteuersignal Sx und das Y-Achsen-Ansteuersignal Sy erhält.
  • Strukturierungsverfahren
  • Als nächstes wird das Strukturierungsverfahren erläutert, bei dem die oben angesprochene Strukturierungsvorrichtung 200b und die Schablone 1 mit dem in den 1 und 2 gezeigten Aufbau oder die Schablone 1b mit dem in den 8 und 9 gezeigten Aufbau als die Schablone verwendet wird. Die Steuervorrichtung 5b transportiert die Schablone 1 (1b) in Richtung des Substrats 110 und bringt die Strukturübertragungsfläche der Schablone 1 (1b) in Kontakt mit der Strukturoberfläche 111 des Substrats 110. Wenn des Weiteren die Reliefschablone 1b von der zweiten Ausführungsform verwendet wird, so werden diese nahe zueinander gebracht, so dass ein kleiner Spalt dazwischen bleibt.
  • Die Steuervorrichtung 5b speist dann das X-Achsen-Ansteuersignal Sx und das Y-Achsen-Ansteuersignal Sy in den Kopftransportmechanismus 7 ein. Die Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b werden entsprechend den Ansteuersignalen auf der im Voraus festgelegten Strukturierungsbahn, wie mit dem Pfeil in 13 gezeigt, über die Schablone bewegt. Während des Transports der Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b gibt die Steuervorrichtung 5b das Abgabesignal Sp an die Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b an den Positionen aus, wo die Durchgangslöcher 12 (12b) auf der Strukturübertragungsregion 10 (10b) ausgebildet sind. Tropfen 63 der Flüssigkeit werden von den Tintenstrahlaufzeichnungsköpfen 2b in die Durchgangslöcher 12 (12b) auf der Strukturierungsbahn der Schablone 1 (1b) abgegeben. Aufgrund der Kapillarwirkung in den Durchgangslöchern 12 (12b), in die die Tropfen 63 der Flüssigkeit fallen, bewegt sich die Flüssigkeit 62 durch die Durchgangslöcher 12 (12b) und erreicht die Strukturübertragungsfläche der Schablone 1 (1b). Bei Verwendung der Schablone 1 von der ersten Ausführungsform hat die Strukturübertragungsfläche der Schablone 1 eine Tiefdruckform, und die Übertragungsoberfläche wird im Wesentlichen mit der Strukturoberfläche des Substrats 110 in Kontakt gebracht. Bei Verwendung der Schablone 1b von der zweiten Ausführungsform hat die Strukturübertragungsfläche der Schablone 1b eine Reliefform, und die Übertragungsoberfläche wird nahe der Strukturoberfläche 111 des Substrats 110 mit einem kleinen Spalt dazwischen angeordnet. Die Flüssigkeit 62 haftet auf dem Substrat 110 in der Struktur entsprechend der Transportbahn der Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe 2b. Wenn dieses Substrat 110 weiterbearbeitet wird, wie zum Beispiel mit einer Wärmebehandlung, so kann die Struktur 112 aus Flüssigkeit auf der Strukturoberfläche 111 des Substrats 110 ausgebildet sein, wie in 14 gezeigt.
  • Wie oben besprochen, können die Schablone und die Tintenstrahlaufzeichnungsköpfe relativ zueinander bewegt werden. Darum kann jede beliebige Struktur ausgebildet werden, ohne dass die Schablone entsprechend einer bestimmten Struktur ausgebildet ist. Insbesondere kann die Anwendung dieser Technologie eine Fertigungsvorrichtung mit moderatem Preis und in der Größe eines Haushaltsdruckers bereitstellen, mit der sich jede beliebige Struktur herstellen lässt, was der Massenproduktion von Tintenstrahlaufzeichnungsköpfen zu verdanken ist, die klein und preisgünstig sind.
  • Weitere Variationen
  • Die vorliegende Erfindung kann auch auf Variationen angewendet werden, die sich von den oben angesprochenen Ausführungsformen unterscheiden. Zum Beispiel ist die Form der Strukturübertragungsregion, die auf der Schablone ausgebildet ist, die in den oben angesprochenen Ausführungsformen offenbart ist, lediglich ein Beispiel. Es können verschiedene Änderungen vorgenommen werden, die nicht in den Ausführungsformen angesprochen wurden. Identische Strukturen, wie in 1 und so weiter, können gleichmäßig und regelmäßig hergestellt werden. Es ist jedoch auch akzeptabel, die Strukturübertragungsregion auf der Schablone entsprechend einer Struktur auszubilden, die auf dem Substrat auszubilden ist. Dieser Strukturtyp ermöglicht es, komplexe Strukturen als eine Einheit auszubilden.
  • In einer weiteren Schablone, die nicht in den Geltungsbereich der vorliegenden Erfindung fällt, und zwar einer flachen Schablone, wird die Strukturübertragungsregion der Schablone einer Oberflächenbehandlung unterzogen, damit sie zu einer Affinitätsregion mit Affinität für die Flüssigkeit wird, und die Nicht-Strukturübertragungsregion wird einer Oberflächenbehandlung unterzogen, damit sie eine Nichtaffinitätsregion ohne Affinität für die Flüssigkeit wird. Das Erzeugen einer Affinität oder Nichtaffinität der Oberfläche der Schablone kann durch Auswählen eines Verfahrens realisiert werden, das für das Material, das für die Schablone verwendet wird, geeignet ist.
  • Zum Beispiel ist es möglich, ein Verfahren zum Ausbilden selbstorganisierender monomolekularer Schichten aus Schwefelverbindungen zu verwenden. In diesem Verfahren wird eine Metallschicht aus Gold oder dergleichen auf der Oberfläche der Schablone ausgebildet. Die Schablone wird in einer Lösung, die Schwefelverbindungen enthält, durchtränkt, und es entstehen selbstorganisierende monomolekulare Schichten. Es ist möglich, Affinität oder Nichtaffinität für die Flüssigkeit in Abhängigkeit von der Zusammensetzung der Schwefelverbindungen zu erzeugen. Nehmen wir die Schablone 1 mit dem Schnittaufbau, wie er in 2 gezeigt ist, als ein Beispiel. Wenn die Schablone 1 selbst aus einem porösen Material besteht, das eine Nichtaffinität für die Flüssigkeit aufweist, so wird eine Goldschicht darauf ausgebildet, und das Gold in der Region, die der Nicht-Strukturübertragungsregion 11 entspricht, wird verdampft und mit einem Laserstrahl oder dergleichen entfernt. Das Tränken der Schablone in Schwefelverbindungen führt anschließend dazu, dass sich Schwefelverbindungen, die eine Affinität für die Flüssigkeit aufweisen, auf ihr selbstorganisieren. Die Region, wo sich die selbstorganisierte Schicht aus Schwefelverbindungen bildet, wird zur Strukturübertragungsregion 10. Die Region, wo sich die selbstorganisierte Schicht nicht bildet, wird zur Nicht-Strukturübertragungsregion 11.
  • Der gleiche Typ einer flachen Schablone kann hergestellt werden, indem man selektiv organisches Material, wie zum Beispiel Paraffin, auf der Schablone anhaftet. Nehmen wir die Schablone 1 mit dem in 2 gezeigten Schnittaufbau als ein Beispiel. Zuerst wird die Schablone aus porösem Material hergestellt, das eine Affinität für die Flüssigkeit aufweist. Die Schablone wird dann mit Paraffin beschichtet, und das Paraffin wird in der Form der Strukturübertragungsregion 10 maskiert. Das Paraffin wird mit der Energie von einem Laserstrahl verdampft. Die Region, von der das Paraffin entfernt wurde, wird zur Strukturübertragungsregion 10, und die Region, wo das Paraffin bleibt, wird zur Nicht-Strukturübertragungsregion 11.
  • Der gleiche Typ einer flachen Schablone kann mit selektiver Plasmabehandlung hergestellt werden. Die Region, die mit Plasma bestrahlt wird, hat eine große Anzahl nicht-reagierter Radikale und eine vernetzte Schicht in der Oberflächenschicht des Schablonenmaterials. Diese wird der Luft oder einer Sauerstoffatmosphäre ausgesetzt, und die nicht-reagierten Radikale werden oxidiert, so dass Carbonylradikale und Hydroxylradikale entstehen. Weil sie polarisiert werden, haben diese Radikale eine Affinität. Nun haben die meisten Glas- oder Kunststoffsorten eine Nichtaffinität. Folglich können Regionen mit Affinität und Regionen mit Nichtaffinität mit teilweiser Plasmabehandlung hergestellt werden. Weil die Flüssigkeit danach eingestuft wird, ob sie eine Affinität für Wasser (Hydrophilie) aufweist, ist es möglich, eine flache Schablone mit dem oben angesprochenen Verfahren herzustellen, indem man des Weiteren das Material auswählt, aus dem die Flüssigkeit besteht. Des Weiteren ist es möglich, eine flache Schablone herzustellen, bei der Regionen, die eine Affinität für die Flüssigkeit aufweisen, mit den Regionen, die eine Nichtaffinität aufweisen, vermischt sind, indem man ein Verfahren verwendet, mit dem die Schablonenoberfläche elektrisch aufgeladen wird.
  • Es ist des Weiteren möglich, eine Schablone herzustellen, indem Schichten, die eine Nichtaffinität (Affinität) aufweisen, auf einer Schablone ausgebildet werden, die eine Affinität (Nichtaffinität) aufweist. Dies kann mittels verschiedener Arten von Druckverfahren erreicht werden.
  • Die Strukturierung kann preisgünstig und ohne Großmaschinerie ausgeführt werden, indem man sich eines Strukturierungsverfahrens bedient, das einen Prozess zum Ausbilden von Strukturen unter Verwendung einer Schablone beinhaltet, in der Durchgangslöcher ausgebildet sind. Insbesondere kann die erforderlich Menge an Flüssigkeit unabhängig von der Größe der Schablone zugeführt werden, weil es möglich ist, Flüssigkeit direkt von Durchgangslöchern zu der Strukturübertragungsregion zu leiten. Weil die Schablone beliebig oft als ein Master verwendet werden kann, können die geringen Abschreibungskosten die Herstellungskosten der Strukturierung senken.
  • Die Strukturierung kann preisgünstig und ohne Großmaschinerie ausgeführt werden, indem man eine Strukturierungsvorrichtung verwendet, die so aufgebaut ist, dass eine Strukturierung unter Verwendung einer Schablone möglich ist, in der Durchgangslöcher ausgebildet sind. Insbesondere kann die erforderlich Menge an Flüssigkeit unabhängig von der Größe der Schablone zugeführt werden, weil es möglich ist, Flüssigkeit direkt von Durchgangslöchern zu der Strukturübertragungsregion zu leiten.
  • Die Strukturierung kann preisgünstig und ohne Großmaschinerie ausgeführt werden, indem man eine Strukturierungsschablone verwendet, in der Durchgangslöcher ausgebildet sind. Insbesondere kann die erforderlich Menge an Flüssigkeit unabhängig von der Größe der Schablone zugeführt werden, weil es möglich ist, Flüssigkeit direkt von Durchgangslöchern zu der Strukturübertragungsregion zu leiten.
  • Die Strukturierung kann preisgünstig und ohne Großmaschinerie mit dem Verfahren zur Herstellung einer Schablone ausgeführt werden, in der Durchgangslöcher ausgebildet sind. Insbesondere kann die erforderlich Menge an Flüssigkeit unabhängig von der Größe der Schablone zugeführt werden, weil es möglich ist, Flüssigkeit direkt von Durchgangslöchern zu der Strukturübertragungsregion zu leiten.
  • Durch Verwendung einer kolloidalen Lösung, in der Kohlepulver dispergiert ist, als die Flüssigkeit kann zum Beispiel eine schwarze Matrix für ein Farbfilter auf dem Substrat ausgebildet werden, indem man den Lösemittelanteil der Lösung verdunsten lässt. Durch Verwendung einer Lösung aus gelöstem transparentem Elektrodenmaterial als die Flüssigkeit kann eine transparente Elektrodenschicht durch Wärmebehandlung nach der Strukturierung ausgebildet werden. Durch Verwendung einer kolloidalen Lösung, in der Metallpartikel dispergiert sind, als die Flüssigkeit kann eine leitfähige, strukturierte Metallschicht durch Wärmebehandlung nach der Strukturierung ausgebildet werden.
  • Im vorliegenden Text wird auf die gesamte Offenbarung der japanischen Patentanmeldung Nr. 11334048, eingereicht am 26. Mai 1998 – einschließlich der Spezifikation, der Ansprüche, der Zeichnungen und der Kurzdarstellung –, in ihrer Gesamtheit verwiesen.

Claims (5)

  1. Strukturierungsschablone (1, 1b) zum Auftragen einer Flüssigkeit auf eine zu strukturierende Oberfläche, wobei die Schablone mehrere Flüssigkeitsmaskierungsregionen (11, 11b) und zwischen jedem benachbarten Paar der Flüssigkeitsmaskierungsregionen eine Flüssigkeitsauftragsregion (10, 10b), die mehrere Durchgangslöcher (12) enthält, umfasst, wobei: die mehreren Flüssigkeitsmaskierungsregionen (11b) relativ zu einer Fläche der Flüssigkeitsauftragsregion (10b), die nahe an die zu strukturierende Oberfläche herangebracht werden soll, mit Ausnehmungen versehen sind, oder die Flüssigkeitsauftragsregion (10) relativ zu einer Fläche der Flüssigkeitsmaskierungsregionen (11), die nahe an die zu strukturierende Oberfläche herangebracht werden sollen, mit Ausnehmungen versehen ist.
  2. Strukturierungsschablone nach Anspruch 1, wobei die Flüssigkeitsauftragsregion hydrophob ist und die Flüssigkeitsmaskierungsregion hydrophil ist, oder umgekehrt.
  3. Strukturierungsschablone nach Anspruch 2, wobei die Flüssigkeitsauftragsregion die Form einer regelmäßigen Struktur aufweist, die überall gleichmäßig angeordnet ist.
  4. Strukturierungsschablone nach Anspruch 1, wobei die Schablone aus einem porösen Material besteht.
  5. Strukturierungsschablone nach Anspruch 1, wobei die Innenwände der in der Schablone ausgebildeten Durchgangslöcher hydrophil sind, wenn die Flüssigkeitsauf tragsregion hydrophob ist, und hydrophob sind, wenn die Flüssigkeitsauftragsregion hydrophil ist.
DE69935179T 1998-05-26 1999-05-26 Strukturierungstechnik unter Verwendung eines Templates und Tintenstrahlsystems Expired - Lifetime DE69935179T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14489298 1998-05-26
JP14489298A JP3780700B2 (ja) 1998-05-26 1998-05-26 パターン形成方法、パターン形成装置、パターン形成用版、パターン形成用版の製造方法、カラーフィルタの製造方法、導電膜の製造方法及び液晶パネルの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69935179D1 DE69935179D1 (de) 2007-04-05
DE69935179T2 true DE69935179T2 (de) 2007-12-20

Family

ID=15372782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69935179T Expired - Lifetime DE69935179T2 (de) 1998-05-26 1999-05-26 Strukturierungstechnik unter Verwendung eines Templates und Tintenstrahlsystems

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6646662B1 (de)
EP (1) EP0962962B1 (de)
JP (1) JP3780700B2 (de)
KR (1) KR100586224B1 (de)
CN (1) CN1161242C (de)
DE (1) DE69935179T2 (de)
TW (1) TW404890B (de)

Families Citing this family (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7432634B2 (en) 2000-10-27 2008-10-07 Board Of Regents, University Of Texas System Remote center compliant flexure device
US6873087B1 (en) * 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
US6696220B2 (en) 2000-10-12 2004-02-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Template for room temperature, low pressure micro-and nano-imprint lithography
AU2001273491A1 (en) * 2000-07-16 2002-02-05 Board Of Regents, The University Of Texas System High-resolution overlay alignment methods and systems for imprint lithography
KR100827741B1 (ko) 2000-07-17 2008-05-07 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 임프린트 리소그래피 공정을 위한 자동 유체 분배 방법 및시스템
US20050160011A1 (en) * 2004-01-20 2005-07-21 Molecular Imprints, Inc. Method for concurrently employing differing materials to form a layer on a substrate
EP1390975A2 (de) 2000-08-21 2004-02-25 The Board Of Regents, The University Of Texas System Translationstufe auf basis von biegung
DE10061297C2 (de) * 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
JP2002224604A (ja) * 2001-01-31 2002-08-13 Hitachi Ltd パターン転写装置，パターン転写方法および転写用原版の製造方法
US6973710B2 (en) * 2001-08-03 2005-12-13 Seiko Epson Corporation Method and apparatus for making devices
US7179079B2 (en) 2002-07-08 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Conforming template for patterning liquids disposed on substrates
US6926929B2 (en) * 2002-07-09 2005-08-09 Molecular Imprints, Inc. System and method for dispensing liquids
US7019819B2 (en) * 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US6908861B2 (en) * 2002-07-11 2005-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for imprint lithography using an electric field
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US7442336B2 (en) * 2003-08-21 2008-10-28 Molecular Imprints, Inc. Capillary imprinting technique
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US6980282B2 (en) * 2002-12-11 2005-12-27 Molecular Imprints, Inc. Method for modulating shapes of substrates
US7641840B2 (en) 2002-11-13 2010-01-05 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
US7365103B2 (en) * 2002-12-12 2008-04-29 Board Of Regents, The University Of Texas System Compositions for dark-field polymerization and method of using the same for imprint lithography processes
US20040112862A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-17 Molecular Imprints, Inc. Planarization composition and method of patterning a substrate using the same
AU2003300865A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-09 Molecular Imprints, Inc. Magnification corrections employing out-of-plane distortions on a substrate
US7186656B2 (en) 2004-05-21 2007-03-06 Molecular Imprints, Inc. Method of forming a recessed structure employing a reverse tone process
US6951173B1 (en) 2003-05-14 2005-10-04 Molecular Imprints, Inc. Assembly and method for transferring imprint lithography templates
US7307118B2 (en) 2004-11-24 2007-12-11 Molecular Imprints, Inc. Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold
US7150622B2 (en) 2003-07-09 2006-12-19 Molecular Imprints, Inc. Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes
US7090716B2 (en) * 2003-10-02 2006-08-15 Molecular Imprints, Inc. Single phase fluid imprint lithography method
US8211214B2 (en) 2003-10-02 2012-07-03 Molecular Imprints, Inc. Single phase fluid imprint lithography method
US7261830B2 (en) * 2003-10-16 2007-08-28 Molecular Imprints, Inc. Applying imprinting material to substrates employing electromagnetic fields
US7122482B2 (en) 2003-10-27 2006-10-17 Molecular Imprints, Inc. Methods for fabricating patterned features utilizing imprint lithography
US20050098534A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Molecular Imprints, Inc. Formation of conductive templates employing indium tin oxide
EP1682340A2 (de) * 2003-11-12 2006-07-26 Molecular Imprints, Inc. Abgabegeometrie und leitfähige schablone zur erzielung von schneller füllung und schnellem durchsatz
US20050156353A1 (en) * 2004-01-15 2005-07-21 Watts Michael P. Method to improve the flow rate of imprinting material
US20050158419A1 (en) * 2004-01-15 2005-07-21 Watts Michael P. Thermal processing system for imprint lithography
US7019835B2 (en) 2004-02-19 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Method and system to measure characteristics of a film disposed on a substrate
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
US20050189676A1 (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Molecular Imprints, Inc. Full-wafer or large area imprinting with multiple separated sub-fields for high throughput lithography
US7906180B2 (en) 2004-02-27 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material
US7140861B2 (en) 2004-04-27 2006-11-28 Molecular Imprints, Inc. Compliant hard template for UV imprinting
US20050253307A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Molecualr Imprints, Inc. Method of patterning a conductive layer on a substrate
US7307697B2 (en) 2004-05-28 2007-12-11 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support system
US20050270516A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Molecular Imprints, Inc. System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing
US20070228593A1 (en) 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Residual Layer Thickness Measurement and Correction
JP4592521B2 (ja) * 2004-07-16 2010-12-01 大日精化工業株式会社 カラーフィルターの製造方法、画素形成用インク、カラーフィルターおよびそれを使用した画像表示装置
US7785526B2 (en) * 2004-07-20 2010-08-31 Molecular Imprints, Inc. Imprint alignment method, system, and template
US20060017876A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-26 Molecular Imprints, Inc. Displays and method for fabricating displays
US7105452B2 (en) * 2004-08-13 2006-09-12 Molecular Imprints, Inc. Method of planarizing a semiconductor substrate with an etching chemistry
US7309225B2 (en) 2004-08-13 2007-12-18 Molecular Imprints, Inc. Moat system for an imprint lithography template
US7282550B2 (en) * 2004-08-16 2007-10-16 Molecular Imprints, Inc. Composition to provide a layer with uniform etch characteristics
US7939131B2 (en) 2004-08-16 2011-05-10 Molecular Imprints, Inc. Method to provide a layer with uniform etch characteristics
JP4399337B2 (ja) * 2004-09-13 2010-01-13 株式会社フューチャービジョン 平面パターンを有する基板およびそれを用いた表示装置
US7241395B2 (en) * 2004-09-21 2007-07-10 Molecular Imprints, Inc. Reverse tone patterning on surfaces having planarity perturbations
US7041604B2 (en) * 2004-09-21 2006-05-09 Molecular Imprints, Inc. Method of patterning surfaces while providing greater control of recess anisotropy
US7205244B2 (en) 2004-09-21 2007-04-17 Molecular Imprints Patterning substrates employing multi-film layers defining etch-differential interfaces
US7547504B2 (en) 2004-09-21 2009-06-16 Molecular Imprints, Inc. Pattern reversal employing thick residual layers
US7252777B2 (en) * 2004-09-21 2007-08-07 Molecular Imprints, Inc. Method of forming an in-situ recessed structure
US20060062922A1 (en) 2004-09-23 2006-03-23 Molecular Imprints, Inc. Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor
US7244386B2 (en) 2004-09-27 2007-07-17 Molecular Imprints, Inc. Method of compensating for a volumetric shrinkage of a material disposed upon a substrate to form a substantially planar structure therefrom
US7292326B2 (en) 2004-11-30 2007-11-06 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices
US20070231421A1 (en) 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Enhanced Multi Channel Alignment
US7630067B2 (en) 2004-11-30 2009-12-08 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices
WO2006060758A2 (en) * 2004-12-01 2006-06-08 Molecular Imprints, Inc. Methods of exposure for the purpose of thermal management for imprint lithography processes
WO2006060757A2 (en) 2004-12-01 2006-06-08 Molecular Imprints, Inc. Eliminating printability of sub-resolution defects in imprint lithography
US7281919B2 (en) * 2004-12-07 2007-10-16 Molecular Imprints, Inc. System for controlling a volume of material on a mold
JP2006162538A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Seiko Instruments Inc 微量質量測定装置
JP4888991B2 (ja) * 2005-01-18 2012-02-29 新科實業有限公司 面形状形成方法及び装置、磁気ヘッドの浮上面形成方法及び装置
JP2006201212A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Shinka Jitsugyo Kk 面形状形成方法及び装置、磁気ヘッドの浮上面形成方法及び装置
US7636999B2 (en) 2005-01-31 2009-12-29 Molecular Imprints, Inc. Method of retaining a substrate to a wafer chuck
US7635263B2 (en) 2005-01-31 2009-12-22 Molecular Imprints, Inc. Chucking system comprising an array of fluid chambers
JP3958344B2 (ja) 2005-06-07 2007-08-15 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法
US7256131B2 (en) * 2005-07-19 2007-08-14 Molecular Imprints, Inc. Method of controlling the critical dimension of structures formed on a substrate
US7759407B2 (en) 2005-07-22 2010-07-20 Molecular Imprints, Inc. Composition for adhering materials together
US8808808B2 (en) 2005-07-22 2014-08-19 Molecular Imprints, Inc. Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer
US8557351B2 (en) 2005-07-22 2013-10-15 Molecular Imprints, Inc. Method for adhering materials together
US7665981B2 (en) 2005-08-25 2010-02-23 Molecular Imprints, Inc. System to transfer a template transfer body between a motion stage and a docking plate
US7670534B2 (en) 2005-09-21 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Method to control an atmosphere between a body and a substrate
US8142703B2 (en) * 2005-10-05 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography method
US7803308B2 (en) 2005-12-01 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Technique for separating a mold from solidified imprinting material
US7906058B2 (en) 2005-12-01 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Bifurcated contact printing technique
KR101324549B1 (ko) 2005-12-08 2013-11-01 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 기판의 양면 패턴화를 위한 방법 및 시스템
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
US8001924B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-23 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7802978B2 (en) 2006-04-03 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Imprinting of partial fields at the edge of the wafer
TW200801794A (en) 2006-04-03 2008-01-01 Molecular Imprints Inc Method of concurrently patterning a substrate having a plurality of fields and a plurality of alignment marks
US8142850B2 (en) 2006-04-03 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times
US20070231422A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. System to vary dimensions of a thin template
US8850980B2 (en) 2006-04-03 2014-10-07 Canon Nanotechnologies, Inc. Tessellated patterns in imprint lithography
US8012395B2 (en) 2006-04-18 2011-09-06 Molecular Imprints, Inc. Template having alignment marks formed of contrast material
US7854867B2 (en) * 2006-04-21 2010-12-21 Molecular Imprints, Inc. Method for detecting a particle in a nanoimprint lithography system
US8215946B2 (en) 2006-05-18 2012-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
US8015939B2 (en) 2006-06-30 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Imprintable medium dispenser
US7830498B2 (en) * 2006-10-10 2010-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hydraulic-facilitated contact lithography apparatus, system and method
US8142702B2 (en) * 2007-06-18 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Solvent-assisted layer formation for imprint lithography
FR2933492B1 (fr) * 2008-07-07 2015-02-06 Hemodia Appareil et procede de fonctionnalisation de micro-capteurs
CN103454855B (zh) * 2008-12-04 2015-08-19 Asml荷兰有限公司 压印光刻的压印模具、设备和图案化方法
JP5982386B2 (ja) * 2010-11-05 2016-08-31 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 非凸形ナノ構造のパターン形成
TW201244014A (en) * 2011-04-22 2012-11-01 Inotera Memories Inc Semiconductor method of making an array columnar hollow structure
US9630423B2 (en) * 2013-09-16 2017-04-25 Xerox Corporation Hydrophilic imaging member surface material for variable data ink-based digital printing systems and methods for manufacturing hydrophilic imaging member surface materials
BR112016022948B1 (pt) * 2014-04-04 2022-02-22 Bien Pltd. Sistema para executar um método para marcar referências em um artigo plano
JP6298690B2 (ja) * 2014-04-09 2018-03-20 株式会社ディスコ 保護膜形成方法
JP6005698B2 (ja) * 2014-08-29 2016-10-12 株式会社ミノグループ 微細凹凸パターン付き基板の製造方法
JP6584182B2 (ja) * 2015-07-16 2019-10-02 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
KR102430018B1 (ko) * 2017-12-20 2022-08-05 엘지디스플레이 주식회사 이송 헤드 어셈블리 및 발광소자 이송장치
CN111300370B (zh) * 2020-03-12 2023-04-14 南京尚科得科技发展有限公司 一种牛角梳制作的划线装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2777411A (en) * 1954-02-16 1957-01-15 Wilbro Corp Method of making lined bottle caps
US3958255A (en) * 1974-12-31 1976-05-18 International Business Machines Corporation Ink jet nozzle structure
US4021276A (en) * 1975-12-29 1977-05-03 Western Electric Company, Inc. Method of making rib-structure shadow mask for ion implantation
US4166277A (en) * 1977-10-25 1979-08-28 Northern Telecom Limited Electrostatic ink ejection printing head
US4164745A (en) * 1978-05-08 1979-08-14 Northern Telecom Limited Printing by modulation of ink viscosity
ATE147014T1 (de) * 1990-10-18 1997-01-15 Canon Kk Herstellungsverfahren eines tintenstrahldruckkopfes
DE69232347T2 (de) * 1991-09-27 2002-07-11 Canon Kk Verfahren zur Behandlung eines Substrats aus Silizium
US5481280A (en) * 1992-11-30 1996-01-02 Lam; Si-Ty Color ink transfer printing
US5381166A (en) * 1992-11-30 1995-01-10 Hewlett-Packard Company Ink dot size control for ink transfer printing
JPH07117144A (ja) 1993-10-22 1995-05-09 Dainippon Printing Co Ltd 面光源用導光板の製造方法
JPH08252920A (ja) * 1995-03-16 1996-10-01 Brother Ind Ltd 積層型圧電素子の製造方法
EP0894043B1 (de) 1996-03-15 2001-10-31 President And Fellows Of Harvard College Verfahren zum formen von gegenständen und zum mikrostrukturieren von oberflächen durch giessformen mit kapillarwirkung
JP3984689B2 (ja) * 1996-11-11 2007-10-03 キヤノン株式会社 インクジェットヘッドの製造方法
CA2572503A1 (en) * 1997-04-04 1998-10-15 University Of Southern California Method for electrochemical fabrication including enhanced data manipulation
US6008825A (en) * 1997-08-27 1999-12-28 Eastman Kodak Company Microfluidic printing independent of orientation
US6057865A (en) * 1997-09-23 2000-05-02 Eastman Kodak Company Transferring of color segments to a receiver
US6919009B2 (en) * 1999-10-01 2005-07-19 Nanoplex Technologies, Inc. Method of manufacture of colloidal rod particles as nanobarcodes
US6753036B2 (en) * 2001-07-16 2004-06-22 The Regents Of The University Of California Method for fabrication of electrodes
US20030106487A1 (en) * 2001-12-10 2003-06-12 Wen-Chiang Huang Photonic crystals and method for producing same

Also Published As

Publication number Publication date
CN1275484A (zh) 2000-12-06
US6646662B1 (en) 2003-11-11
EP0962962A2 (de) 1999-12-08
KR19990088567A (ko) 1999-12-27
DE69935179D1 (de) 2007-04-05
US20030198897A1 (en) 2003-10-23
KR100586224B1 (ko) 2006-06-07
TW404890B (en) 2000-09-11
US7306742B2 (en) 2007-12-11
EP0962962B1 (de) 2007-02-21
EP0962962A3 (de) 2002-01-02
JPH11334048A (ja) 1999-12-07
JP3780700B2 (ja) 2006-05-31
CN1161242C (zh) 2004-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69935179T2 (de) Strukturierungstechnik unter Verwendung eines Templates und Tintenstrahlsystems
DE602005000784T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer hydrophoben Schicht auf der Oberfläche einer Düsenplatte für Tintenstrahldrucker
EP0648607B1 (de) Tintenstrahldruckkopfmodul für einen Face-Shooter-Tintenstrahldruckkopf und Verfahren zu seiner Herstellung
DE60313230T2 (de) Tintenstrahldruckkopf
DE3150109C2 (de)
DE602005001097T2 (de) Trennwandstruktur zur Bildung von Leiterbahnen im Tintenstrahldruckverfahren
DE3222680C2 (de) Tintenstrahlkopf und Verfahren zu seiner Herstellung
DE60010638T2 (de) Kontinuierlich arbeitender tintenstrahldrucker mit mikroventil-umlenkmechanismus und verfahren zur herstellung desselben
DE69814503T2 (de) Tintenstrahldruckkopfdüse zur Sprühreduzierung
DE112008000635B4 (de) Verfahren zum Bilden eines Mikromusters, Form gebildet durch dieses Verfahren zum Bilden eines Mikromusters, Transferverfahren und Mikromuster-Bildungsverfahren unter Verwendung dieser Form
WO2007147376A1 (de) Verfahren zur oberflächenstrukturierung eines pressbleches oder eines endlosbandes
DE69636021T2 (de) Tintenstrahldruckkopf und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3321308A1 (de) Verfahren zur herstellung eines tintenstrahlaufzeichnungskopfes
DE19836357A1 (de) Einseitiges Herstellungsverfahren zum Bilden eines monolithischen Tintenstrahldruckelementarrays auf einem Substrat
EP3585599B1 (de) Verfahren zum herstellen eines optischen mikrolinsenarrays und optische mikrolinsenarray
DE60316486T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Tintenstrahldruckkopfs
WO2006048185A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten und düseneinheit hierfür
DE102011076994A1 (de) Tintenstrahldruckknopf mit Selbstreinigunsvermögen zum Tintenstrahldrucken
EP1646507B1 (de) Mehrschichtkörper, vorrichtung und verfahren zur erzeugung eines flächenmusters hoher auflösung
DE60126621T2 (de) Monolithischer druckkopf mit selbstjustierter nut und entsprechendes verfahren zur herstellung
DE60035618T2 (de) Herstellungsverfahren für einen tintenstrahldruckkopf mit bewegender düse und externem betätiger
EP0340448A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Grundplatte mit durch Ätzen hergestellte Einarbeitung für einen Tintendruckkopf
DE69732681T2 (de) Flüssigkeitsausstossvorrichtung und Verfahren zur Wiederherstellung derselben
EP0671270B1 (de) Tintenstrahldruckkopf
DE60319271T2 (de) Tintenstrahldruckkopf und verfahren zu seiner herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition