TW404890B - Patterning method, patterning apparatus, patterning template, and method for manufacturing the patterning template - Google Patents
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Description
修正 _4U^SQQ 索號.88108fifl4 五、發明說明(1) 發明背i 碧明之領域 別 4發明係關於半導體積體電路等的圖案形成技術,特 疋關於使用樣板與喷墨系統之新的圖案形成方法。 I關技術之描述 了般使用光刻法將積體電路等製造在矽基板 ΐ i :。為使用光刻來形成圖帛,將光敏材料(稱為光阻)的 '塗在矽晶片上,並接著以光將以照相製版製作於玻璃 2板上的積體電路圖案印刷(轉移)。以已轉移的光阻圖案 作為遮罩,蝕刻光阻下的材料,以形成配線圖案與元件。 此光刻方法需要的製程有例如光阻塗布、曝光與顯影,造 成無法在具有例如大型裝置、配電設備、排氣設備等設備 的半導體工廠等以外製備細微圖案。因此,一些·以較小規 模形成細微圖案的方法已被研究。例如,在Journal of
American Chemical Society 1996 , No. 118 ,第 5722-5731 頁中揭露一種稱為jjiMIC(micromolding in capi 1 laries)的方法,用於使用模子形成圖案。在此方法 中’樣板上方有聚合物形成之量級的溝槽構造,將該 樣板置於基板上而藉由毛細作用使流體從溝槽側面滲透進 去。樣板係以聚二甲基矽氧烷所製,而流體為一種聚合 物、聚合物的溶液、膠體溶液等。在完成流體與基板之間 的反應後’移去樣板以露出形成於基板的圖案。 在上述ΜIΜIC方法中,然而,因為流體係以毛細作用 擴散’故流體可以從樣板側面供應的距離受到限制。因此 產生大的圖案無法使用寬的樣板予以形成的問題》
第5頁 2000. 04. 25. 005 修正 _4U^SQQ 索號.88108fifl4 五、發明說明(1) 發明背i 碧明之領域 別 4發明係關於半導體積體電路等的圖案形成技術,特 疋關於使用樣板與喷墨系統之新的圖案形成方法。 I關技術之描述 了般使用光刻法將積體電路等製造在矽基板 ΐ i :。為使用光刻來形成圖帛,將光敏材料(稱為光阻)的 '塗在矽晶片上,並接著以光將以照相製版製作於玻璃 2板上的積體電路圖案印刷(轉移)。以已轉移的光阻圖案 作為遮罩,蝕刻光阻下的材料,以形成配線圖案與元件。 此光刻方法需要的製程有例如光阻塗布、曝光與顯影,造 成無法在具有例如大型裝置、配電設備、排氣設備等設備 的半導體工廠等以外製備細微圖案。因此,一些·以較小規 模形成細微圖案的方法已被研究。例如,在Journal of
American Chemical Society 1996 , No. 118 ,第 5722-5731 頁中揭露一種稱為jjiMIC(micromolding in capi 1 laries)的方法,用於使用模子形成圖案。在此方法 中’樣板上方有聚合物形成之量級的溝槽構造,將該 樣板置於基板上而藉由毛細作用使流體從溝槽側面滲透進 去。樣板係以聚二甲基矽氧烷所製,而流體為一種聚合 物、聚合物的溶液、膠體溶液等。在完成流體與基板之間 的反應後’移去樣板以露出形成於基板的圖案。 在上述ΜIΜIC方法中,然而,因為流體係以毛細作用 擴散’故流體可以從樣板側面供應的距離受到限制。因此 產生大的圖案無法使用寬的樣板予以形成的問題》
第5頁 2000. 04. 25. 005
ggg 案號 88108694 M年屮月彳曰 修正 明說明(2)
接近 該樣 該流 成圖 於或實 板的圖 體經由 案之表 在上述 樣板的 是曲面 材料所 流體可 許經由 例如, 板。 可以 硬的 度允 液0 基質用溶液’包含 基板’或彈性材料 水,或有機材料或 以供應。流體可以 用例如下述的許多 片夺㈣分散在溶劑
第6頁 2000. 04. 25.006 發明人發現可 寸’藉由使用具有 需之流體量以形成 本發明之圖案 步成圖案之表面上 成圖案之表面。此 質上接 案轉移 該通孔 至分離 圖案形 表面可 的或平 製例如 以是墨 通孔予 可以使 到上述問題,因此 以花費不多地與不 的圖案;可以進行 在此種圖案形成方 以形成細微圖案, 通孔的樣板與經由 圖案。 形成方法為用於以 ,藉由使樣板接近 圖案形成方法包含 觸欲形成圖案的表 區的複數個通孔, 黏附於圖案 該樣板。 成方法中,樣板可 以是平的或曲面的 的°換言之,欲形 ’提供一種圖案形成 使用大型設備便形成 上述圖案形成一種圖 法的一種圖案形成樣 而不限制樣板的尺 樣板中的通孔供應所 流體將圖案形成在莖 於或實質上接觸 下列步驟:使一樣板 面;供應流體至設於 以供應該流體;與在 <表面之後,從欲形 以是凹板、凸板或平 °毯形成 成圖案之表@可以是 所製例如膜。 無機材料,只要其黏 是包含微粒的膠體溶 膠體溶液:形成黑色 中;形成透明電極用
ggg 案號 88108694 M年屮月彳曰 修正 明說明(2)
接近 該樣 該流 成圖 於或實 板的圖 體經由 案之表 在上述 樣板的 是曲面 材料所 流體可 許經由 例如, 板。 可以 硬的 度允 液0 基質用溶液’包含 基板’或彈性材料 水,或有機材料或 以供應。流體可以 用例如下述的許多 片夺㈣分散在溶劑
第6頁 2000. 04. 25.006 發明人發現可 寸’藉由使用具有 需之流體量以形成 本發明之圖案 步成圖案之表面上 成圖案之表面。此 質上接 案轉移 該通孔 至分離 圖案形 表面可 的或平 製例如 以是墨 通孔予 可以使 到上述問題,因此 以花費不多地與不 的圖案;可以進行 在此種圖案形成方 以形成細微圖案, 通孔的樣板與經由 圖案。 形成方法為用於以 ,藉由使樣板接近 圖案形成方法包含 觸欲形成圖案的表 區的複數個通孔, 黏附於圖案 該樣板。 成方法中,樣板可 以是平的或曲面的 的°換言之,欲形 ’提供一種圖案形成 使用大型設備便形成 上述圖案形成一種圖 法的一種圖案形成樣 而不限制樣板的尺 樣板中的通孔供應所 流體將圖案形成在莖 於或實質上接觸 下列步驟:使一樣板 面;供應流體至設於 以供應該流體;與在 <表面之後,從欲形 以是凹板、凸板或平 °毯形成 成圖案之表@可以是 所製例如膜。 無機材料,只要其黏 是包含微粒的膠體溶 膠體溶液:形成黑色 中;形成透明電極用 404890, 案號 88108694 五、發明說明(3) 修正 溶液/含將電極材料溶在溶射;與形成電極圖案用溶 液,包含將金屬微粒分散在溶劑甲。 圖案轉移區可以具有肖-圖案形R或被製備成具有特 定圖案。當使用光刻來製備樣板時,可以藉由調整曝光的 區而形成任何圖案。 樣板中的各通孔功用為喷嘴,其將流體供應至欲形成 周f t表面。樣板中通孔的位置與數量並不受限,口 以將流體供應至樣板的圖案轉移區即可。可以提供ς意 孔直徑與通孔數量’只要藉其可以在短時間内供應足夠的 流體即可。將流體供應至通孔的方法最好為:#由施加μ 力至流體的方法,例如-m统,因為此種方法快速且 可被控制。又,可以使用自然的流體供應,藉由毛細作用 將流體供應至通孔。也可以併用毛細作用與強迫供應機構 例如喷墨系統。可以使用任何材料作為樣板材料,只要其 具有足夠形成圖案的物理強度與對流體具化學安.定性即、 可。特別《’樣板最好以多孔材料或可透性材料所 以在供應流體後自然地排除空氣。 以下為本發明之上述圖案形成方法的具體例子。在上 述樣板中,例如,通孔可以沿著圖案形成區配置。在此情 況下,供應流體的步驟為藉由對設在樣板中的所有通孔施 壓來供應流體的步驟。 又,通孔可以均一地設在上述樣板中。在此情況下, 供應流體的步驟為以噴墨系統將流體選擇性供應至設於樣 板之所有通孔中配置在圖案轉移區的通孔。'
2000. 04. 25. 007 此夕卜> i述樣板可以多&材^^成。在將樣板從毽 404890, 案號 88108694 五、發明說明(3) 修正 溶液/含將電極材料溶在溶射;與形成電極圖案用溶 液,包含將金屬微粒分散在溶劑甲。 圖案轉移區可以具有肖-圖案形R或被製備成具有特 定圖案。當使用光刻來製備樣板時,可以藉由調整曝光的 區而形成任何圖案。 樣板中的各通孔功用為喷嘴,其將流體供應至欲形成 周f t表面。樣板中通孔的位置與數量並不受限,口 以將流體供應至樣板的圖案轉移區即可。可以提供ς意 孔直徑與通孔數量’只要藉其可以在短時間内供應足夠的 流體即可。將流體供應至通孔的方法最好為:#由施加μ 力至流體的方法,例如-m统,因為此種方法快速且 可被控制。又,可以使用自然的流體供應,藉由毛細作用 將流體供應至通孔。也可以併用毛細作用與強迫供應機構 例如喷墨系統。可以使用任何材料作為樣板材料,只要其 具有足夠形成圖案的物理強度與對流體具化學安.定性即、 可。特別《’樣板最好以多孔材料或可透性材料所 以在供應流體後自然地排除空氣。 以下為本發明之上述圖案形成方法的具體例子。在上 述樣板中,例如,通孔可以沿著圖案形成區配置。在此情 況下,供應流體的步驟為藉由對設在樣板中的所有通孔施 壓來供應流體的步驟。 又,通孔可以均一地設在上述樣板中。在此情況下, 供應流體的步驟為以噴墨系統將流體選擇性供應至設於樣 板之所有通孔中配置在圖案轉移區的通孔。'
2000. 04. 25. 007 此夕卜> i述樣板可以多&材^^成。在將樣板從毽 修正 RStn»R91 五、發明說明(4) 分離的步驟中,在經由通孔供應的過量流 被多孔材料吸收之後,從將樣板分 本發月的圖案形成裝置為用來使樣板靠近或實質上接 觸f-形成复襄;與以流體將圖案形成在欲形成圖案 。圖案形成裝置設有一樣板移送機構,用於使樣板 接近於或實質上接觸ϋ成圖案之表面卜流體儲存機 構,用於儲存流體;一流體供應機構,用於將該流體從該 流體儲存機構供應至設在該樣板的圖案轉移區的複數個通 孔,與一控制裝置,用於控制以該樣板移送機構對該樣板 的移送與以該流體供應機構對該流體的供應。 在上述圖案形成裝置中,控制裝置促使樣板接近於或 實質上接觸圖案^_表两,藉由流體供應機構經由通 孔供應流體,與在流體黏附至欲形成圖銮之_而之後從毽 形成圖案之裊而移去樣板。 流體儲存機構只需藉由一些方法來儲存流體,且包含 例如容納流體用的槽與可使流體從槽流出的管等 樣板移送機構為一種可以改變樣板與欲形成圖案之表 ®之相對位置的機構;樣板移送機構可以移送樣板,移送 具有欲形成圖案之砉面的基板等,或移送兩者。 流體供應機構可以使用喷墨系統等強迫供應流體;且 也可以具有使用毛細作用將流體自然供應至流體儲存槽的 構造。在喷墨系統的情況下,流體供應機構可以具有可將 流體從喷墨記錄頭排出至樣板的任意位置上的構造。在此 情況下,流體供應機構也包含一記錄頭移送構造,以改變 wm
第8頁 2000.04. 25. 008 修正 RStn»R91 五、發明說明(4) 分離的步驟中,在經由通孔供應的過量流 被多孔材料吸收之後,從將樣板分 本發月的圖案形成裝置為用來使樣板靠近或實質上接 觸f-形成复襄;與以流體將圖案形成在欲形成圖案 。圖案形成裝置設有一樣板移送機構,用於使樣板 接近於或實質上接觸ϋ成圖案之表面卜流體儲存機 構,用於儲存流體;一流體供應機構,用於將該流體從該 流體儲存機構供應至設在該樣板的圖案轉移區的複數個通 孔,與一控制裝置,用於控制以該樣板移送機構對該樣板 的移送與以該流體供應機構對該流體的供應。 在上述圖案形成裝置中,控制裝置促使樣板接近於或 實質上接觸圖案^_表两,藉由流體供應機構經由通 孔供應流體,與在流體黏附至欲形成圖銮之_而之後從毽 形成圖案之裊而移去樣板。 流體儲存機構只需藉由一些方法來儲存流體,且包含 例如容納流體用的槽與可使流體從槽流出的管等 樣板移送機構為一種可以改變樣板與欲形成圖案之表 ®之相對位置的機構;樣板移送機構可以移送樣板,移送 具有欲形成圖案之砉面的基板等,或移送兩者。 流體供應機構可以使用喷墨系統等強迫供應流體;且 也可以具有使用毛細作用將流體自然供應至流體儲存槽的 構造。在喷墨系統的情況下,流體供應機構可以具有可將 流體從喷墨記錄頭排出至樣板的任意位置上的構造。在此 情況下,流體供應機構也包含一記錄頭移送構造,以改變 wm
第8頁 2000.04. 25. 008 404890案號 88108694 gl 车》f β i 曰 修正 404890案號 88108694 gl 车》f β i 曰 修正 對位置》 有沿著圖案轉移區而設的通孔,且 力腔室’用來將流體供應至樣板中 元件,其使壓力腔室的至少一壁表 的體積。 有均一地設於其中的通孔;流體供 以排出流體;與一記錄頭移送機 設在樣板中的某通孔。控制裝置使 應至位在圖案轉移區中的那些通 以多孔材料所構成,且控制裝置在 已由多孔材料所吸收後便從欲形成 五、發明說明(5) 樣板與噴墨記錄頭的相 例如,上述樣板具 流體供應機構設有一壓 的所有通孔;與一壓電 面變形與改變壓力腔室 例如,上述樣板具 應機構設有喷墨記錄頭 構,用於移送記錄頭至 記錄頭移動與將流體供 孔° 此外,上述樣板係 從通孔供應的過量流體 星复左表运移去樣板。 本發明之圖案形成 意以形成圖案的 為凹板狀’且將複數個 本發明之圖案形成 以形成圖案的 為凸板狀’且將複數個 此外’樣板的圖案 成;圖案轉移區以外的 親和性的組成;與將複 在此,親和性與非 質所決定。例如,若是 ^和性而疏水性成分產 樣板為藉由將流體黏附至 圖案形成樣板。樣板的圖 通孔設於圖案轉移區中。 樣板為藉由將流體黏附至 圖案形成樣板。樣板的圖 通孔設於圖案轉移區中。 轉移區為對流體具有親和 區(非圖案轉移區)為對流 數個通孔設在圖案轉移區 親和性係基於形成圖案用 流體為親水性,則親水性 生非親和性》相反的,若 欲形成圖 案轉移區 欲形成圖 案轉移區 性的組 體具有非 中 〇 流體的性 成分產生 是流體為
第9頁 2000.04.25. 〇〇9 404890案號 88108694 gl 车》f β i 曰 修正 404890案號 88108694 gl 车》f β i 曰 修正 對位置》 有沿著圖案轉移區而設的通孔,且 力腔室’用來將流體供應至樣板中 元件,其使壓力腔室的至少一壁表 的體積。 有均一地設於其中的通孔;流體供 以排出流體;與一記錄頭移送機 設在樣板中的某通孔。控制裝置使 應至位在圖案轉移區中的那些通 以多孔材料所構成,且控制裝置在 已由多孔材料所吸收後便從欲形成 五、發明說明(5) 樣板與噴墨記錄頭的相 例如,上述樣板具 流體供應機構設有一壓 的所有通孔;與一壓電 面變形與改變壓力腔室 例如,上述樣板具 應機構設有喷墨記錄頭 構,用於移送記錄頭至 記錄頭移動與將流體供 孔° 此外,上述樣板係 從通孔供應的過量流體 星复左表运移去樣板。 本發明之圖案形成 意以形成圖案的 為凹板狀’且將複數個 本發明之圖案形成 以形成圖案的 為凸板狀’且將複數個 此外’樣板的圖案 成;圖案轉移區以外的 親和性的組成;與將複 在此,親和性與非 質所決定。例如,若是 ^和性而疏水性成分產 樣板為藉由將流體黏附至 圖案形成樣板。樣板的圖 通孔設於圖案轉移區中。 樣板為藉由將流體黏附至 圖案形成樣板。樣板的圖 通孔設於圖案轉移區中。 轉移區為對流體具有親和 區(非圖案轉移區)為對流 數個通孔設在圖案轉移區 親和性係基於形成圖案用 流體為親水性,則親水性 生非親和性》相反的,若 欲形成圖 案轉移區 欲形成圖 案轉移區 性的組 體具有非 中 〇 流體的性 成分產生 是流體為
第9頁 2000.04.25. 〇〇9 Q 6 Ω 案號 8幻 f)SfiQ4 五、發明銳昍rc、
發明說明(6) — ^油性,則親水性成分產生非親和性而疏水性 和性。流體可以依照工業上的應用而有不同的變化。生親 例如,形成上述樣板使得圖案轉移區具有對象圖案。 述樣板可以形成為標準圖案,纟中圖案轉移區為均 上媒Ϊ:上述樣板可以多孔材料所形成。此夕卜,形成於 亡述樣板中之通孔的内壁可以形成為對流體具有非親和、 性0 本發明之圖案形成樣板的製造方法為藉由將流體黏附 至以形成圖案的圖案形成樣板的製造方 :丄包含以下步驟:在底板上形成一光阻層;&照圖案將 =阻層的-部分曝光;將該曝光的光阻層㈣;以顯影 的光阻作為抗蝕刻遮罩來蝕刻底板;將多孔材料塗佈在已 蝕刻的底板上;使塗佈的該多孔材料硬化;從該底板剝離 该硬化的多孔材料;與形成複數個通孔於該剝離的 料中而形成一樣板。 π 在上述圖案形成樣板的製造方法中,曝光可採形成一 遮罩於光阻層並對其照射光者,或使用具有位置選擇性之 雷射光束拾波器配合指定圖案而將光阻曝光者。光阻層可 以是正光阻類型或負光阻類型。光阻層的類型與曝光區係 依照樣板為凹或凸板來決定。 較佳實施例之詳細雜明 以下參考圖式說明本發明較佳實施例。 第1實施例
第 10 頁 2000.04.25.010 Q 6 Ω 案號 8幻 f)SfiQ4 五、發明銳昍rc、
發明說明(6) — ^油性,則親水性成分產生非親和性而疏水性 和性。流體可以依照工業上的應用而有不同的變化。生親 例如,形成上述樣板使得圖案轉移區具有對象圖案。 述樣板可以形成為標準圖案,纟中圖案轉移區為均 上媒Ϊ:上述樣板可以多孔材料所形成。此夕卜,形成於 亡述樣板中之通孔的内壁可以形成為對流體具有非親和、 性0 本發明之圖案形成樣板的製造方法為藉由將流體黏附 至以形成圖案的圖案形成樣板的製造方 :丄包含以下步驟:在底板上形成一光阻層;&照圖案將 =阻層的-部分曝光;將該曝光的光阻層㈣;以顯影 的光阻作為抗蝕刻遮罩來蝕刻底板;將多孔材料塗佈在已 蝕刻的底板上;使塗佈的該多孔材料硬化;從該底板剝離 该硬化的多孔材料;與形成複數個通孔於該剝離的 料中而形成一樣板。 π 在上述圖案形成樣板的製造方法中,曝光可採形成一 遮罩於光阻層並對其照射光者,或使用具有位置選擇性之 雷射光束拾波器配合指定圖案而將光阻曝光者。光阻層可 以是正光阻類型或負光阻類型。光阻層的類型與曝光區係 依照樣板為凹或凸板來決定。 較佳實施例之詳細雜明 以下參考圖式說明本發明較佳實施例。 第1實施例
第 10 頁 2000.04.25.010 404890 ' _案號 88108694 车 if 月 < 日 修π;___ 五、發明說明(7) 所使用的濾色器等所用的黑色基質(遮光性圖案)的形成方 法。 圖1為本實施例所使用樣板的圖案轉移表面的平面 圖。圖2顯示此樣板沿著圖1之Α-Α連線(切面)的構造的 橫剖面圖。 如圖1與2所示,本實施例的樣板丨具有下述構造:將 圖案轉移區10形成為原樣板1〇〇之圖案轉移表面(圖2底部) 的凹部。在圖案轉移區1〇形成複數個通孔12,通過原樣板 100的背面(圖2頂部)^最好將通孔12的内壁加工或處理 過,使其對於流體為非親和性。若進行過非親和性處理, 當流體不供應時便從通孔12内排除流體,且將流體液滴完 全切除。未形成凹部的區,即凸部,包含非圖案轉移區 11。圖案轉移區10係依照形成在液晶面板之濾色器中的黑 色基質的圖案所形成。 形成樣 質上與被轉 流體時,在 材料中且此 中。因此, 二甲基矽氧 調整樣 轉移區11不 案所需的流 多的溶劑成 此體積縮小 板1的材料最好是多孔材料 將樣板1放置於實
移圖案的表面相接觸,當以樣板1從通孔供應 對應於圖案轉移區10的凹部中的空氣流進多孔 致使流體可填充至圖案轉移區10的每一部分 使用多孔材料防止空隙留在凹 烷作為多孔材料β I .的匱況,移區10的厚度必需足夠包含流
第11頁 2000.04.25.011 板1之圖案轉移區Η)的厚度,使得以與非圖案 二面::成的凹部的體積能滿足用於形成圖 、二應於小直徑之通孔1 2中的流體由於許 ’刀:發之故,其體積大為縮小。因此,考慮到 ΛΑ in*- 、、口 · ι?ι 404890 ' _案號 88108694 车 if 月 < 日 修π;___ 五、發明說明(7) 所使用的濾色器等所用的黑色基質(遮光性圖案)的形成方 法。 圖1為本實施例所使用樣板的圖案轉移表面的平面 圖。圖2顯示此樣板沿著圖1之Α-Α連線(切面)的構造的 橫剖面圖。 如圖1與2所示,本實施例的樣板丨具有下述構造:將 圖案轉移區10形成為原樣板1〇〇之圖案轉移表面(圖2底部) 的凹部。在圖案轉移區1〇形成複數個通孔12,通過原樣板 100的背面(圖2頂部)^最好將通孔12的内壁加工或處理 過,使其對於流體為非親和性。若進行過非親和性處理, 當流體不供應時便從通孔12内排除流體,且將流體液滴完 全切除。未形成凹部的區,即凸部,包含非圖案轉移區 11。圖案轉移區10係依照形成在液晶面板之濾色器中的黑 色基質的圖案所形成。 形成樣 質上與被轉 流體時,在 材料中且此 中。因此, 二甲基矽氧 調整樣 轉移區11不 案所需的流 多的溶劑成 此體積縮小 板1的材料最好是多孔材料 將樣板1放置於實
移圖案的表面相接觸,當以樣板1從通孔供應 對應於圖案轉移區10的凹部中的空氣流進多孔 致使流體可填充至圖案轉移區10的每一部分 使用多孔材料防止空隙留在凹 烷作為多孔材料β I .的匱況,移區10的厚度必需足夠包含流
第11頁 2000.04.25.011 板1之圖案轉移區Η)的厚度,使得以與非圖案 二面::成的凹部的體積能滿足用於形成圖 、二應於小直徑之通孔1 2中的流體由於許 ’刀:發之故,其體積大為縮小。因此,考慮到 ΛΑ in*- 、、口 · ι?ι 夠】f板的非圖案轉移區11的厚度為俾樣板具 加所二志Θ 度;調整此厚度以防止由於通孔12長度增 加所ie成之通路電阻的增加。 圖3顯示本實施例中圖案形成裝置的整體構造。如圖3 ::、1ί ίΓ例中圈案形成裝置20 0包含具有圖1與2所示 麼力腔室面板2;愿電元件3;樣板移送 機構4,控制裝置5 ;與流體儲存機構6 ^ 壓力腔室面板2與樣板1接觸且具有允許流體供應至樣 板老面的構造。具體來說,其具體構造如圖4的橫剖面圖 所不。壓力腔室面板2包含側壁22與樣板j背面的邊緣部分 接觸,振動板23形成在其一面。以樣板1的背面、側壁22 與振動板23形錢力腔室21 ;將流體62經由振動板23具有 的墨水槽孔24儲存於其中。壓力腔室面板2具有藉由蝕刻 例如矽、玻璃或石英等而製成的細微構造。振動板23係以 例如熱氧化膜所形成。將壓電元件3形成在振動板2 3之對 應於壓力腔室21的位置上。上述墨水槽孔24係設於振動板 23中。藉由下述之流體儲存機構6將用來形成所需圖案的 流體從槽6 0經由管61供應至壓力腔室2 1 ^此外,將例如碳 粉溶解於溶劑中形成之膠體溶液用作本實施例的流體。 壓電元件3包含夾在下電極3〇與上電極32之間的壓電 薄膜31,如圖4所示。下電極30與上電極32以穩定 '導電 的材料例如鉑所形成。壓電薄膜31係以具有機電變換作用 的材料所形成以例如PZT(錯酸鈦酸鉛)等鐵電材料的結晶 構造所構成。壓電元件3係用作對應於從控制裝置5所供應 的排氣信號Sp而產生體積變化。
IMI
第12頁 2000.04.25.012 夠】f板的非圖案轉移區11的厚度為俾樣板具 加所二志Θ 度;調整此厚度以防止由於通孔12長度增 加所ie成之通路電阻的增加。 圖3顯示本實施例中圖案形成裝置的整體構造。如圖3 ::、1ί ίΓ例中圈案形成裝置20 0包含具有圖1與2所示 麼力腔室面板2;愿電元件3;樣板移送 機構4,控制裝置5 ;與流體儲存機構6 ^ 壓力腔室面板2與樣板1接觸且具有允許流體供應至樣 板老面的構造。具體來說,其具體構造如圖4的橫剖面圖 所不。壓力腔室面板2包含側壁22與樣板j背面的邊緣部分 接觸,振動板23形成在其一面。以樣板1的背面、側壁22 與振動板23形錢力腔室21 ;將流體62經由振動板23具有 的墨水槽孔24儲存於其中。壓力腔室面板2具有藉由蝕刻 例如矽、玻璃或石英等而製成的細微構造。振動板23係以 例如熱氧化膜所形成。將壓電元件3形成在振動板2 3之對 應於壓力腔室21的位置上。上述墨水槽孔24係設於振動板 23中。藉由下述之流體儲存機構6將用來形成所需圖案的 流體從槽6 0經由管61供應至壓力腔室2 1 ^此外,將例如碳 粉溶解於溶劑中形成之膠體溶液用作本實施例的流體。 壓電元件3包含夾在下電極3〇與上電極32之間的壓電 薄膜31,如圖4所示。下電極30與上電極32以穩定 '導電 的材料例如鉑所形成。壓電薄膜31係以具有機電變換作用 的材料所形成以例如PZT(錯酸鈦酸鉛)等鐵電材料的結晶 構造所構成。壓電元件3係用作對應於從控制裝置5所供應 的排氣信號Sp而產生體積變化。
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第12頁 2000.04.25.012 曰 修正 案號88丨nsfiw 五、發明說明(9) 件二匕:改ί述Ϊ ΐ腔室面板的構成為使得體積受壓電元 響而改變’壓力腔室内的體積改變,而體 堡力腔室面板也可以且有下诚媒· ’ $而其液滴由於膨脹而排出。又,如前所述,可以藉由由 二i = 板2及樣板1的材料與通孔12的形狀及尺 = 用來將…室21中的流侧然^ 壓雷此:卜’為簡化故在各圖中只各顯示-壓力腔室21與-2 70件3,但在指定區t可以有複數個愿力腔室且可以 有與之對應的複數個壓電元件3。 的機Ϊίί送機構4包含具有馬達4〇與其他未顯示之元件 機械構w。$達4〇的構成為被來自控制裝置5的驅動信 動。馬達40的功率的構成為使其可以將樣板!與 =腔至面板2向圓中的上方及下方移送。此外,將樣板 ^機構4構成為使得樣板丨與壓力腔室面板2的位置對於 =0而變化即足夠。因此’可以使用上述之構成以外 *其ϋ/ί使得基板ug對於樣板1等而移動或樣板1等 與基板110均移動。 ,制裝置5具備電腦裝置或程序裝置的功能,且其用 :4 t圖案形成裝置進行本發明的圖案形成方法。裝置將 驅動信號Sm輸出至樣板移送機構4的馬達4〇且可以在希望 ^時序下改變樣板與欲形成圖案之表面U1間的距離。此 置的構成為將排氣信號Sp供應至壓電元件3,以在希望 的時f下將流體62從壓力腔室面板2供應至樣板1 ^ 存機構6包含槽60與管61 〇槽60容納形成圖案 第13頁 2000. 04.25.013 曰 修正 案號88丨nsfiw 五、發明說明(9) 件二匕:改ί述Ϊ ΐ腔室面板的構成為使得體積受壓電元 響而改變’壓力腔室内的體積改變,而體 堡力腔室面板也可以且有下诚媒· ’ $而其液滴由於膨脹而排出。又,如前所述,可以藉由由 二i = 板2及樣板1的材料與通孔12的形狀及尺 = 用來將…室21中的流侧然^ 壓雷此:卜’為簡化故在各圖中只各顯示-壓力腔室21與-2 70件3,但在指定區t可以有複數個愿力腔室且可以 有與之對應的複數個壓電元件3。 的機Ϊίί送機構4包含具有馬達4〇與其他未顯示之元件 機械構w。$達4〇的構成為被來自控制裝置5的驅動信 動。馬達40的功率的構成為使其可以將樣板!與 =腔至面板2向圓中的上方及下方移送。此外,將樣板 ^機構4構成為使得樣板丨與壓力腔室面板2的位置對於 =0而變化即足夠。因此’可以使用上述之構成以外 *其ϋ/ί使得基板ug對於樣板1等而移動或樣板1等 與基板110均移動。 ,制裝置5具備電腦裝置或程序裝置的功能,且其用 :4 t圖案形成裝置進行本發明的圖案形成方法。裝置將 驅動信號Sm輸出至樣板移送機構4的馬達4〇且可以在希望 ^時序下改變樣板與欲形成圖案之表面U1間的距離。此 置的構成為將排氣信號Sp供應至壓電元件3,以在希望 的時f下將流體62從壓力腔室面板2供應至樣板1 ^ 存機構6包含槽60與管61 〇槽60容納形成圖案 第13頁 2000. 04.25.013 —Α(Η890案號_8694 年“八日 修正· 五、發明說明(10) 一·"" — 用的流體;管61用於將儲存在槽60中的流體供應至壓力腔 室面板2中的墨水槽孔24。 圖案形成方法 接著,參考圖4與5說明使用上述圖案形成裝置2〇〇的 圖案形成方法。 圖4顯示一狀態’其中尚未施加排氣信號Sp至壓電元 件3 ’流體62充滿壓力腔室面板2的壓力腔室21 ^由於流體 的高表面張力,在此狀態下的流體並不流入通孔12。將進 行圓案形成的基板110放置在樣板1可被樣板移送機構4所 移送的範圍内。 接著’控制裝置5將樣板1與壓力腔室面板2移送至基 板110與使樣板1的圖案轉移表面與基板11〇的欲形成圖案 左表面111接觸,如圖5所示。 接著’控制裝置5將排氣信號Sp供應至壓電元件3。施 加電壓使得壓電元件3的體積改變,使振動板23變形。因 此’振動板2 3從虛線所顯示之位置p 1變形至收縮位置p 2, 如圖5所示。當振動板2 3變形時,壓力腔室21中之流體上 的壓力增加且流體從通孔12向圖案轉移區1〇的凹部移動。 虽流體進入凹部時,對應的空氣體積必需排出。雖然凹部 被樣板1與基板11 0的四面所包圍,但樣板丨係以前述之多 孔材料形成。因此’進入凹部之對應於流體體積的空氣經 由樣板1的壁面部分排出。因此,流體可以充滿圖案轉移 區10之凹部的每一部分而不會殘留空氣於凹部内。 當流體接觸基板11 0時’控制裝置5將驅動信號sm供應
第14頁 2000.04.25.014 —Α(Η890案號_8694 年“八日 修正· 五、發明說明(10) 一·"" — 用的流體;管61用於將儲存在槽60中的流體供應至壓力腔 室面板2中的墨水槽孔24。 圖案形成方法 接著,參考圖4與5說明使用上述圖案形成裝置2〇〇的 圖案形成方法。 圖4顯示一狀態’其中尚未施加排氣信號Sp至壓電元 件3 ’流體62充滿壓力腔室面板2的壓力腔室21 ^由於流體 的高表面張力,在此狀態下的流體並不流入通孔12。將進 行圓案形成的基板110放置在樣板1可被樣板移送機構4所 移送的範圍内。 接著’控制裝置5將樣板1與壓力腔室面板2移送至基 板110與使樣板1的圖案轉移表面與基板11〇的欲形成圖案 左表面111接觸,如圖5所示。 接著’控制裝置5將排氣信號Sp供應至壓電元件3。施 加電壓使得壓電元件3的體積改變,使振動板23變形。因 此’振動板2 3從虛線所顯示之位置p 1變形至收縮位置p 2, 如圖5所示。當振動板2 3變形時,壓力腔室21中之流體上 的壓力增加且流體從通孔12向圖案轉移區1〇的凹部移動。 虽流體進入凹部時,對應的空氣體積必需排出。雖然凹部 被樣板1與基板11 0的四面所包圍,但樣板丨係以前述之多 孔材料形成。因此’進入凹部之對應於流體體積的空氣經 由樣板1的壁面部分排出。因此,流體可以充滿圖案轉移 區10之凹部的每一部分而不會殘留空氣於凹部内。 當流體接觸基板11 0時’控制裝置5將驅動信號sm供應
第14頁 2000.04.25.014 4fl4ftan案號88108694 年屮月/曰 修正_ 五、發明說明(U) 至樣板移送機構4,同時將排氣信號Sp供應至壓零元件3。 將樣板1與壓力腔室面板2升起且依照樣板1之圖案轉移區 10的形成而轉移適當量的流體。若在基板110上進行熱處 理、化學處理等而使轉移至基板1 1 0之流體的溶劑成分揮 發,接著流體中的碳固定至基板11 0上。以這些製程形成 如圖6所示的黑色基質112,其具有圖1所示之圖案轉移區 10的形狀在不改變基板110的欲形成圖案之表面111之下轉 移。 在將壓力腔室2 1中的流體62藉由毛細作用自然地引導 至圖案轉移區1 〇的凹部的情況下,控制裝置5只需控制樣 板1的向上與向下移動。在此構成中,凹部的狀態為連續 地被流體6 2所充滿;因此,當使樣板1與基板丨丨〇接觸並接 著移去時便將流體的圖案留在欲形成圖案之表面111上。 樣板的製造方法 一接著’以下參考圖7說明樣板1的製造方法。圖7A_F為 顯示各製程的横剖面圖。 形·成-光圖7B) AA加八嫩 h ^ ^ 川丄70「瓜 ,木曝 ----二不溶解在顯影液中而殘留。使用例如旋塗法 ,光阻層塗佈製程為用於在原樣板1〇〇的圖案轉移表面 i ί (光二層、的製程。首★,塑造上述多孔材料使之形成原 ,板(丄圖)。接著將光阻層101形成在原樣板100的一表面 ΐ二m可以是正光阻或負光阻。用負光阻,曝光的 :匕變卜解在顯影液中而殘留。用正光阻,則未曝光
him 第15頁 2000. 04. 25.015 4fl4ftan案號88108694 年屮月/曰 修正_ 五、發明說明(U) 至樣板移送機構4,同時將排氣信號Sp供應至壓零元件3。 將樣板1與壓力腔室面板2升起且依照樣板1之圖案轉移區 10的形成而轉移適當量的流體。若在基板110上進行熱處 理、化學處理等而使轉移至基板1 1 0之流體的溶劑成分揮 發,接著流體中的碳固定至基板11 0上。以這些製程形成 如圖6所示的黑色基質112,其具有圖1所示之圖案轉移區 10的形狀在不改變基板110的欲形成圖案之表面111之下轉 移。 在將壓力腔室2 1中的流體62藉由毛細作用自然地引導 至圖案轉移區1 〇的凹部的情況下,控制裝置5只需控制樣 板1的向上與向下移動。在此構成中,凹部的狀態為連續 地被流體6 2所充滿;因此,當使樣板1與基板丨丨〇接觸並接 著移去時便將流體的圖案留在欲形成圖案之表面111上。 樣板的製造方法 一接著’以下參考圖7說明樣板1的製造方法。圖7A_F為 顯示各製程的横剖面圖。 形·成-光圖7B) AA加八嫩 h ^ ^ 川丄70「瓜 ,木曝 ----二不溶解在顯影液中而殘留。使用例如旋塗法 ,光阻層塗佈製程為用於在原樣板1〇〇的圖案轉移表面 i ί (光二層、的製程。首★,塑造上述多孔材料使之形成原 ,板(丄圖)。接著將光阻層101形成在原樣板100的一表面 ΐ二m可以是正光阻或負光阻。用負光阻,曝光的 :匕變卜解在顯影液中而殘留。用正光阻,則未曝光
him 第15頁 2000. 04. 25.015 修正 a 五、發明說明(12) 喷塗法等方法將光阻塗成均句厚度而形成光阻層丨〇 ι。 曝光(圖7C) 曝光製程依照指定圖f中的光阻類型將《阻層! 〇 i曝 光。換言之,當使用正光阻作為光阻層丨〇1的材料時,則 以光1 02照射非圖案轉移區!丄。當使用負光阻時以光 102照射圖案轉移區10。使用常用光阻材料,例如酚醛樹 脂類型或化學強化類型’作為光阻材料。 如uv燈或準分子雷射的作為光102。 顯影(圖7D) 顯影製程將曝光的光阻層顯影與只留下光阻層上對應 至非圖案轉移區(圖2中的區⑴的部分。在顯影製程 用:知,液,:驗性溶液如四甲基氫 化釺、職錢或氫氧化Κ有機 虱乳 蝕刻(圖7Ε) 在蝕刻製程中,原樣板 的一面以光阻層作為遮罩而 區1 0的凹部。餘刻方法可以 性氣體的非專向性姓刻,例 刻。此蝕刻最好具有高選擇 依照用於形成圖案所需的流 前所述。在姓刻後,以溶劑 光阻層1 01除去。 材料100具有已顯影光阻層1〇1 触刻’以形成對應至圖案轉移 疋濕式非等向性触刻或使用活 如平行平樣板型活性離子蝕 性且只選擇性蝕刻多孔材料。 體量而適當調整蝕刻深度,如 等將殘留之用作抗蝕刻遮罩的
第16頁 2000.04.25.016 修正 a 五、發明說明(12) 喷塗法等方法將光阻塗成均句厚度而形成光阻層丨〇 ι。 曝光(圖7C) 曝光製程依照指定圖f中的光阻類型將《阻層! 〇 i曝 光。換言之,當使用正光阻作為光阻層丨〇1的材料時,則 以光1 02照射非圖案轉移區!丄。當使用負光阻時以光 102照射圖案轉移區10。使用常用光阻材料,例如酚醛樹 脂類型或化學強化類型’作為光阻材料。 如uv燈或準分子雷射的作為光102。 顯影(圖7D) 顯影製程將曝光的光阻層顯影與只留下光阻層上對應 至非圖案轉移區(圖2中的區⑴的部分。在顯影製程 用:知,液,:驗性溶液如四甲基氫 化釺、職錢或氫氧化Κ有機 虱乳 蝕刻(圖7Ε) 在蝕刻製程中,原樣板 的一面以光阻層作為遮罩而 區1 0的凹部。餘刻方法可以 性氣體的非專向性姓刻,例 刻。此蝕刻最好具有高選擇 依照用於形成圖案所需的流 前所述。在姓刻後,以溶劑 光阻層1 01除去。 材料100具有已顯影光阻層1〇1 触刻’以形成對應至圖案轉移 疋濕式非等向性触刻或使用活 如平行平樣板型活性離子蝕 性且只選擇性蝕刻多孔材料。 體量而適當調整蝕刻深度,如 等將殘留之用作抗蝕刻遮罩的
第16頁 2000.04.25.016 —多〇489〇^號7生彳月曰 修正 五、發明說明(13) 通孔形成Γ圖7 通孔形成製程在已蝕刻的原樣板1 〇 0中打開複數個通 孔1 2 °使用例如雷射加工或穿孔等方法來形成通孔丨2。通 孔12的數量為可以供應足夠流體至凹部的數量。在樣板的 多孔材料為對流體不具有非親和性的材料的情況·下,通孔 12的内壁最好加工過或處理過使其對流體有非親和性。以 下說明使表面對流體有非親和性的加工方法。 樣板可以圖7所述之方法製造。首先,藉由使用以多 孔材料或其他材料所構成之平樣板作為原樣板丨〇〇,藉由 ^驟A至E在原樣板100上形成具有凹面與凸面的圖案。接 著,將多孔材料塗在此已蝕刻的原樣板上以形成以多孔材 料所構成的層,與將此原樣板的圖案轉移至此多孔材料層 上。之後,從原樣板100將具有上述轉移至其上之圖案的 多孔材料層移去,與以圖”所述之方式將通孔形成在多孔 材料層中,從而得到圖案形成樣板(移去的多孔材料層)。 依照第1實施例’樣板具有凹面形的構造且具有穿透 凹部的通孔;藉此樣板而將大圖案一體形成。因此,可以 便宜地形成圖案且不必使用大型工廠。以此樣板,可以直 接將流體從樣板背面的通孔供應至轉移區;因此可以將圖 於比上述Mmc方法者更寬的部位。因此 用 色基質、冑明電極、一般電極等用於大液晶 面板之圖案的適當方法。 1·^實施例
2000. 04. 25.017 —多〇489〇^號7生彳月曰 修正 五、發明說明(13) 通孔形成Γ圖7 通孔形成製程在已蝕刻的原樣板1 〇 0中打開複數個通 孔1 2 °使用例如雷射加工或穿孔等方法來形成通孔丨2。通 孔12的數量為可以供應足夠流體至凹部的數量。在樣板的 多孔材料為對流體不具有非親和性的材料的情況·下,通孔 12的内壁最好加工過或處理過使其對流體有非親和性。以 下說明使表面對流體有非親和性的加工方法。 樣板可以圖7所述之方法製造。首先,藉由使用以多 孔材料或其他材料所構成之平樣板作為原樣板丨〇〇,藉由 ^驟A至E在原樣板100上形成具有凹面與凸面的圖案。接 著,將多孔材料塗在此已蝕刻的原樣板上以形成以多孔材 料所構成的層,與將此原樣板的圖案轉移至此多孔材料層 上。之後,從原樣板100將具有上述轉移至其上之圖案的 多孔材料層移去,與以圖”所述之方式將通孔形成在多孔 材料層中,從而得到圖案形成樣板(移去的多孔材料層)。 依照第1實施例’樣板具有凹面形的構造且具有穿透 凹部的通孔;藉此樣板而將大圖案一體形成。因此,可以 便宜地形成圖案且不必使用大型工廠。以此樣板,可以直 接將流體從樣板背面的通孔供應至轉移區;因此可以將圖 於比上述Mmc方法者更寬的部位。因此 用 色基質、冑明電極、一般電極等用於大液晶 面板之圖案的適當方法。 1·^實施例
2000. 04. 25.017 ,40489fte#. 88108RQ4_分ί 年砵月 _一 五 '發明說明(14) 接著,以下說明本發明的第2實施例,使用凸樣板來 形成液晶面板之濾色器等中所使用之黑色基質(遮光性圖 案)的方法。 圖8為顯示本實施例之樣板的圖案轉移表面的平面 圖。圖9為顯示沿著圖8之A-A連線(切面)的樣板構造的橫 剖面圖。 如圖8與9所示,本實施例中的樣板1 b在原樣板1 0 〇的 圖案轉移表面上具有凸狀的圖案轉移區10b。換言之,圖8 中圖案轉移表面的平面構造與圖1相同,但圖案轉移區l〇b 對應至樣板的凸部。 穿透至原樣板1〇〇背面的複數個通孔12b係形成在圖案 轉移區1 Ob。通孔1 2b最好加工過使之具有對流體的非親和 性’如上述之第1實施例。原樣板1 〇〇上未形成凸部的區構 成非圖案轉移區1113。樣板lb的材料與厚度可以與上述之 第1實施例相同。本實施例的樣板1 b以如圖3所示及如上述 第1實施例所說明的構造安裝在圖案形成裝置2〇〇上,且如 圖3與4所示與壓力腔室面板一起使用。 •S-A·形成方法 本實施例中圖案形成方法實質上與上述第1實施例者 相同。如圖10所示’樣板lb與壓力腔室面板結合而流體62 充滿壓力腔室(未顯示),樣板lb在基板11〇的方向移動, 直到在圖案轉移區1 Ob與欲形成圖案之砉面11 1之間形成間 f為止。此間隙中發生毛細作用,使得能從通孔1 2b供應 2以70全充滿圖案轉移區1 0 b。在移動樣板1時,控制
第18頁 2000.04.25.018 ,40489fte#. 88108RQ4_分ί 年砵月 _一 五 '發明說明(14) 接著,以下說明本發明的第2實施例,使用凸樣板來 形成液晶面板之濾色器等中所使用之黑色基質(遮光性圖 案)的方法。 圖8為顯示本實施例之樣板的圖案轉移表面的平面 圖。圖9為顯示沿著圖8之A-A連線(切面)的樣板構造的橫 剖面圖。 如圖8與9所示,本實施例中的樣板1 b在原樣板1 0 〇的 圖案轉移表面上具有凸狀的圖案轉移區10b。換言之,圖8 中圖案轉移表面的平面構造與圖1相同,但圖案轉移區l〇b 對應至樣板的凸部。 穿透至原樣板1〇〇背面的複數個通孔12b係形成在圖案 轉移區1 Ob。通孔1 2b最好加工過使之具有對流體的非親和 性’如上述之第1實施例。原樣板1 〇〇上未形成凸部的區構 成非圖案轉移區1113。樣板lb的材料與厚度可以與上述之 第1實施例相同。本實施例的樣板1 b以如圖3所示及如上述 第1實施例所說明的構造安裝在圖案形成裝置2〇〇上,且如 圖3與4所示與壓力腔室面板一起使用。 •S-A·形成方法 本實施例中圖案形成方法實質上與上述第1實施例者 相同。如圖10所示’樣板lb與壓力腔室面板結合而流體62 充滿壓力腔室(未顯示),樣板lb在基板11〇的方向移動, 直到在圖案轉移區1 Ob與欲形成圖案之砉面11 1之間形成間 f為止。此間隙中發生毛細作用,使得能從通孔1 2b供應 2以70全充滿圖案轉移區1 0 b。在移動樣板1時,控制
第18頁 2000.04.25.018 40489(k號 88108694 年屮月 >< 曰 倐屯___ 五、發明說明(15) 裝置5經由壓力腔室供應流體62。將流體62從通外12b供應 至基板110上與形成液滴63。在流體之液滴63充份附著在 基板11 0之表面並與表面產生化學反應之後,將樣板1 b從 基板110分離。以此程序將圖案形成在基板11〇上》當使用 溶在溶劑中的碳粉作為流體且圖案轉移區1 〇b具有如圖8之 格子形時’便以上述程序將液晶面板所使用之濾色器的黑 色基質形成在基板110上。 此外,本實施例中樣板1 b的製造方法可以基於上述第 1實施例中樣板的製造方法。需做適當調整例如將光阻材 料倒反成正或負或將曝光的區與未曝光的區倒反。 以上述之第2實施例,即使是以凸類型的圖案形成樣 板也可以達成與第1實施例相同的效果。 J 3實施例 接著’以下說明本發明的第3實施例的圖案形成裝置 其可以使用喷墨記錄頭產生任意圖案。 圖11顯示本實施例之圖案形成裝置的構造。如圖丨丨所 示’本實施例的圖案形成裝置200b包含樣板1、喷墨記錄 頭2b、樣板移送機構4b、控制裝置5b、流體儲存機構6b與 記錄頭移送機構7。 第1實施例中所使用的樣板1 (見圖1與2)可以不做任何 變更即用作此實施例中的樣板1。也可以使用第2實施例所 用的樣板lb。由於本實施例特別具有可以藉由移送喷墨記 錄頭形成任意圖案的構造,故樣板可以具有格子圖案或有 均一間隔的點的均一圖案。樣板1的圖案轉移區1 〇與非圖
第19頁 2000.04. 25.019 40489(k號 88108694 年屮月 >< 曰 倐屯___ 五、發明說明(15) 裝置5經由壓力腔室供應流體62。將流體62從通外12b供應 至基板110上與形成液滴63。在流體之液滴63充份附著在 基板11 0之表面並與表面產生化學反應之後,將樣板1 b從 基板110分離。以此程序將圖案形成在基板11〇上》當使用 溶在溶劑中的碳粉作為流體且圖案轉移區1 〇b具有如圖8之 格子形時’便以上述程序將液晶面板所使用之濾色器的黑 色基質形成在基板110上。 此外,本實施例中樣板1 b的製造方法可以基於上述第 1實施例中樣板的製造方法。需做適當調整例如將光阻材 料倒反成正或負或將曝光的區與未曝光的區倒反。 以上述之第2實施例,即使是以凸類型的圖案形成樣 板也可以達成與第1實施例相同的效果。 J 3實施例 接著’以下說明本發明的第3實施例的圖案形成裝置 其可以使用喷墨記錄頭產生任意圖案。 圖11顯示本實施例之圖案形成裝置的構造。如圖丨丨所 示’本實施例的圖案形成裝置200b包含樣板1、喷墨記錄 頭2b、樣板移送機構4b、控制裝置5b、流體儲存機構6b與 記錄頭移送機構7。 第1實施例中所使用的樣板1 (見圖1與2)可以不做任何 變更即用作此實施例中的樣板1。也可以使用第2實施例所 用的樣板lb。由於本實施例特別具有可以藉由移送喷墨記 錄頭形成任意圖案的構造,故樣板可以具有格子圖案或有 均一間隔的點的均一圖案。樣板1的圖案轉移區1 〇與非圖
第19頁 2000.04. 25.019 五、發明說明(16) 案轉移區11 (見圖2),與樣板lb的圖案轉移區10b與非圖索 轉移區11 b(見圖1 〇),係依照一定的規則所結合。藉由選 擇從通孔1 2或1 2b來供應流體而可以將流體供應至任意圖 案轉移區10或l〇b。 噴墨記錄頭2b具有圖1 2所示之構造。將振動板23,其 上具有壓電元件3,設在壓力腔室面板2〇的一表面上。將、 噴嘴面板29,其上具有喷嘴28,層疊在壓力腔室面板2〇的 其他表面上。藉由蝕刻例如矽、玻璃或石英將壓力腔室 (腔)21、儲存槽25、供應口26等形成在壓力腔室面板2〇 上。以侧壁22劃分壓力腔室21。振動板23與壓電元件3具 有與上述第1實施例中所使用之壓力腔室面板2所使用者相 同的構造。設在喷嘴面板29中的噴嘴28係設在對應至壓 ,室21的位置。以上述構造’喷墨記錄頭❿係構成為使得 &體62可經由供應口26而充滿各壓力腔室21,其中流 係從流體儲存機構6供應並經由墨水槽孔2 4引進儲存槽 25。當電壓施加到壓電元件3時,對應的壓力腔室2 積改變且對應至壓力腔室之流體的液細從喷嘴28體 此外’上述壓力腔室面板係構成為使得其體 元件3來改變而排出流體。其也可構成為使得流體由加執電 元件來加熱而由於熱膨脹而將液滴排出。 *、、、 提供樣板移送機構4b為具有與上述以實 用之樣板移送機構4(見圖3)相同類型的構造。缺 實施例中’將樣板移送機構構成為使得只有樣^在本 動》此乃由於喷墨記錄頭2b係藉由記# 移 樣板1獨立移送。 自。己錄頭移送機構7而從
五、發明說明(16) 案轉移區11 (見圖2),與樣板lb的圖案轉移區10b與非圖索 轉移區11 b(見圖1 〇),係依照一定的規則所結合。藉由選 擇從通孔1 2或1 2b來供應流體而可以將流體供應至任意圖 案轉移區10或l〇b。 噴墨記錄頭2b具有圖1 2所示之構造。將振動板23,其 上具有壓電元件3,設在壓力腔室面板2〇的一表面上。將、 噴嘴面板29,其上具有喷嘴28,層疊在壓力腔室面板2〇的 其他表面上。藉由蝕刻例如矽、玻璃或石英將壓力腔室 (腔)21、儲存槽25、供應口26等形成在壓力腔室面板2〇 上。以侧壁22劃分壓力腔室21。振動板23與壓電元件3具 有與上述第1實施例中所使用之壓力腔室面板2所使用者相 同的構造。設在喷嘴面板29中的噴嘴28係設在對應至壓 ,室21的位置。以上述構造’喷墨記錄頭❿係構成為使得 &體62可經由供應口26而充滿各壓力腔室21,其中流 係從流體儲存機構6供應並經由墨水槽孔2 4引進儲存槽 25。當電壓施加到壓電元件3時,對應的壓力腔室2 積改變且對應至壓力腔室之流體的液細從喷嘴28體 此外’上述壓力腔室面板係構成為使得其體 元件3來改變而排出流體。其也可構成為使得流體由加執電 元件來加熱而由於熱膨脹而將液滴排出。 *、、、 提供樣板移送機構4b為具有與上述以實 用之樣板移送機構4(見圖3)相同類型的構造。缺 實施例中’將樣板移送機構構成為使得只有樣^在本 動》此乃由於喷墨記錄頭2b係藉由記# 移 樣板1獨立移送。 自。己錄頭移送機構7而從
9 f)案號 88108694 没?年士月 曰 條|T___ 五 '發明說明(17) ~ ' 流體儲存機構6b包含槽60與管61。以槽60容納本發明 的流體;以管61將儲存在槽60中的流體供應至喷墨記錄 2b的墨水槽孔24。 記錄頭移送機構7包含馬達71與72與其他未顯示的機 械構造。構成馬達71以依照來自控制裝置5b的信號Sx而在 x轴方向上移送X軸方向上的喷墨記錄頭2。構成馬達?2以 依照來自控制裝置5b的信號Sy而在Y軸方向上移送γ軸方向 =^喷墨記錄頭2b。此外,樣板移送機構7可以提供一構 造’以相對樣板1而改變喷墨記錄頭2b的位置。因此,其 他合適構造包含:樣板1與基板11〇相對喷墨記錄頭礼而移 動’或喷墨記錄頭2 b、樣板1與基板11 〇均移動。 控制裝置5b設有電腦設備或程序裝置的功能,且係構 f為使得本發明的圖案形成方法係藉由圖案形成裝置來實 行。裝置將驅動信號Sm輸出至樣板移送機構4b,其可以在 任意時序下改變樣板與欲形成圖案之表面111之間的距 2。構成此装置以將排氣信號Sp供應至壓電元件3,使得 流體的液滴63在任意時序下從噴墨記錄頭2b供應至樣板 &此/卜„,記錄頭移送機構7設有一構造,使其當接收X軸 腌2號Sx與γ軸驅動信號Sy時,可以將噴墨記錄頭2b相 應於樣板1移送至任意位置。 I圖案形成方法使用上述圖案形成裝置2〇〇1?與具有圖1 之構造的樣板1,或具有圖8與9所示之構造的樣板 〜--1-1褒置5b向著基板11 〇移送樣板1 ( 1 b)並將樣板 II ϋ·ηηβ^Μ··_··‘ -一 ---- ^
第21頁 2000. 04. 25. 021 9 f)案號 88108694 没?年士月 曰 條|T___ 五 '發明說明(17) ~ ' 流體儲存機構6b包含槽60與管61。以槽60容納本發明 的流體;以管61將儲存在槽60中的流體供應至喷墨記錄 2b的墨水槽孔24。 記錄頭移送機構7包含馬達71與72與其他未顯示的機 械構造。構成馬達71以依照來自控制裝置5b的信號Sx而在 x轴方向上移送X軸方向上的喷墨記錄頭2。構成馬達?2以 依照來自控制裝置5b的信號Sy而在Y軸方向上移送γ軸方向 =^喷墨記錄頭2b。此外,樣板移送機構7可以提供一構 造’以相對樣板1而改變喷墨記錄頭2b的位置。因此,其 他合適構造包含:樣板1與基板11〇相對喷墨記錄頭礼而移 動’或喷墨記錄頭2 b、樣板1與基板11 〇均移動。 控制裝置5b設有電腦設備或程序裝置的功能,且係構 f為使得本發明的圖案形成方法係藉由圖案形成裝置來實 行。裝置將驅動信號Sm輸出至樣板移送機構4b,其可以在 任意時序下改變樣板與欲形成圖案之表面111之間的距 2。構成此装置以將排氣信號Sp供應至壓電元件3,使得 流體的液滴63在任意時序下從噴墨記錄頭2b供應至樣板 &此/卜„,記錄頭移送機構7設有一構造,使其當接收X軸 腌2號Sx與γ軸驅動信號Sy時,可以將噴墨記錄頭2b相 應於樣板1移送至任意位置。 I圖案形成方法使用上述圖案形成裝置2〇〇1?與具有圖1 之構造的樣板1,或具有圖8與9所示之構造的樣板 〜--1-1褒置5b向著基板11 〇移送樣板1 ( 1 b)並將樣板 II ϋ·ηηβ^Μ··_··‘ -一 ---- ^
第21頁 2000. 04. 25. 021 五、發明說明(18) l(lb)的圖案轉移表面放置成與基板11〇的欲形成圖塞^^ ® 111接觸。此外,當使用第2實施例的凸樣板11}時該二 表面接合在一起而在其間留下一間隙。 控制裝置5b接著將X軸驅動信號sx與γ軸驅動信號巧供 應至記錄頭移送機構7。噴墨記錄頭2b係依照驅動信號而、 在樣板上依圖案形成路線移動,該路線係預先建立好的, 如圖1 3的箭頭所示。移送喷墨記錄頭2b的同時,控制裝置 ^ f f孔12(12b)開設於圖案轉移區10(10b)上的位置將排 軋仏號Sp供應至喷墨記錄頭。流體的液滴63從喷墨記錄頭 2b排出至樣板1(lb)的位於圖案形成路線上之通孔 12(12b:^由於與流體的液滴63壓擠之通孔12(12b)中的毛 細作用效應,流體62經由通孔12(121})移動並到達樣板 i(ib)的圖案轉移表面。當使用第i實施例的樣板i時,樣 板1的圖案轉移表面具有凹刻形,並將轉移表面放置為實 質上與基板110的篮接觸。當使用第2實施 例的樣板lb時,樣板ib的圖案轉移表面具有凸形,且將轉 移表面放置於接近基板110的莖^成圖案之矣面1n,其間 具有小的間隙。流體62以依照喷墨記錄頭2b的移送路線的 圖案黏附於基板11 〇上。若對此基板〗丨〇進行後製程例如熱 處理,則可以如圖14所示將流體的圖案112形成在基板11〇 ^敏形成圖案之砉面1 1 1上。 ^如前所述,藉由本實施例所具有的構造使樣板與喷墨 記錄頭可以相互移動。因此,沒有依照特定圖案所形成的 樣板也可以形成任何圖案。特別是,由於小且不貴的喷墨 I己錄頭可量產’故此技術的應用可以提供一種中等價位、
第22頁 麵 2000.04.25.022 五、發明說明(18) l(lb)的圖案轉移表面放置成與基板11〇的欲形成圖塞^^ ® 111接觸。此外,當使用第2實施例的凸樣板11}時該二 表面接合在一起而在其間留下一間隙。 控制裝置5b接著將X軸驅動信號sx與γ軸驅動信號巧供 應至記錄頭移送機構7。噴墨記錄頭2b係依照驅動信號而、 在樣板上依圖案形成路線移動,該路線係預先建立好的, 如圖1 3的箭頭所示。移送喷墨記錄頭2b的同時,控制裝置 ^ f f孔12(12b)開設於圖案轉移區10(10b)上的位置將排 軋仏號Sp供應至喷墨記錄頭。流體的液滴63從喷墨記錄頭 2b排出至樣板1(lb)的位於圖案形成路線上之通孔 12(12b:^由於與流體的液滴63壓擠之通孔12(12b)中的毛 細作用效應,流體62經由通孔12(121})移動並到達樣板 i(ib)的圖案轉移表面。當使用第i實施例的樣板i時,樣 板1的圖案轉移表面具有凹刻形,並將轉移表面放置為實 質上與基板110的篮接觸。當使用第2實施 例的樣板lb時,樣板ib的圖案轉移表面具有凸形,且將轉 移表面放置於接近基板110的莖^成圖案之矣面1n,其間 具有小的間隙。流體62以依照喷墨記錄頭2b的移送路線的 圖案黏附於基板11 〇上。若對此基板〗丨〇進行後製程例如熱 處理,則可以如圖14所示將流體的圖案112形成在基板11〇 ^敏形成圖案之砉面1 1 1上。 ^如前所述,藉由本實施例所具有的構造使樣板與喷墨 記錄頭可以相互移動。因此,沒有依照特定圖案所形成的 樣板也可以形成任何圖案。特別是,由於小且不貴的喷墨 I己錄頭可量產’故此技術的應用可以提供一種中等價位、
第22頁 麵 2000.04.25.022 -M年4曰條正 五、發明說明(19) 家用印表機尺寸的製造裝置,其可以形成任何圖案。 其他變形例 本發明也可以應用至與上述實施例不同的其他變形 ,。例如’,立在上述實施例所揭露之樣板中的圖案轉移 區的形狀只是用作舉例;可以有許多未於實施例提到的變 化。與圖1等所不之相同圖案可以均一地並規則地形成。 然而’也可以依照建立在基板上的圖案將圖案轉移區形成 在樣板上。此類型的構造使得將複雜圖案一體形成變成可 樣板除圖案形狀以外的實施態樣也可變形為上述實施 =未巧的方式。在上述實施例中,例如,@案形成樣 板為凹板或凸板,但其也可以平板。 表面具:的圖案轉移區進行 非査綠欲πΐ為對",L體具親和性的親和性區,與對 的非π表面處理’使其成為對流體不具親和性 Γ由==樣板的表面提供親和性或非親和性可以 藉由J擇適:樣板所使用之材料的方法來完成。 成方:在:::;硫聚集的單分子膜的形
第23頁 2000. 04. 25. 023 ' 面;將樣板浸泡在包含妒化人金屬層設在樣板的表 集的單分子膜…依中’而形成自身聚 的親和性或非親和性。物的成分而提供對於流體 作為例子。當樣板丨太、、有圖2所不之斷面構造的樣板1 料所製時,將金層設在装、以對流體具非親和性的多孔材 應至非圖案轉移區η -M年4曰條正 五、發明說明(19) 家用印表機尺寸的製造裝置,其可以形成任何圖案。 其他變形例 本發明也可以應用至與上述實施例不同的其他變形 ,。例如’,立在上述實施例所揭露之樣板中的圖案轉移 區的形狀只是用作舉例;可以有許多未於實施例提到的變 化。與圖1等所不之相同圖案可以均一地並規則地形成。 然而’也可以依照建立在基板上的圖案將圖案轉移區形成 在樣板上。此類型的構造使得將複雜圖案一體形成變成可 樣板除圖案形狀以外的實施態樣也可變形為上述實施 =未巧的方式。在上述實施例中,例如,@案形成樣 板為凹板或凸板,但其也可以平板。 表面具:的圖案轉移區進行 非査綠欲πΐ為對",L體具親和性的親和性區,與對 的非π表面處理’使其成為對流體不具親和性 Γ由==樣板的表面提供親和性或非親和性可以 藉由J擇適:樣板所使用之材料的方法來完成。 成方:在:::;硫聚集的單分子膜的形
第23頁 2000. 04. 25. 023 ' 面;將樣板浸泡在包含妒化人金屬層設在樣板的表 集的單分子膜…依中’而形成自身聚 的親和性或非親和性。物的成分而提供對於流體 作為例子。當樣板丨太、、有圖2所不之斷面構造的樣板1 料所製時,將金層設在装、以對流體具非親和性的多孔材 應至非圖案轉移區η 40489(^號88108β94 年屮月 ><曰 修正 五、發明說明(20) 之區中的金以雷射光等揮發並移去。將樣板浸泡在硫化合, 物中之後’使硫化合物產生對流體的親和性而自身聚集於 其上。形成硫化合物之自身聚集膜的區變成圖案轉移區 10 ;未形成自身聚集膜的區變成非圖案轉移區U.。 可以藉由選擇性將有機材料例如石臘黏附至樣板上來 製造同樣類型的平樣板。以具有圖2所示之刮面構造的樣 板1作為例子。首先’以對流體具有親和性的多孔材料來 製造樣板。接著以石臘塗佈於樣板且以圖案轉移區1〇的形 狀對該石臘形成遮罩。以來自雷射光的能量使石臘揮發; 石臘被移去的區變成圖案轉移區10,而石臘保留的區變成 非圖案轉移區11。 可以 以電漿照 自由基與 中,而未 由基。由 部分玻璃 非親和性 類成是否 體材料以 使用提供 流體具有 又, 具有非親 此可以藉 藉由選擇性電 射的區在樣板 交又結合的層 反應的自由基 於其為極性, 或塑膠具有非 區可以藉由部 對水具有親和 上述方法來製 電荷至樣板表 親和性的區與 可以藉由在具 和性(親和性) 由許多類型的 m 漿處理來製造同樣類型 材料的表面層中具有大 。將其露出於空氣中或 被氧化而形成羰基自由 故該等自由基具有親和 親和性。因此,具親和 分電漿處理來產生。由 性(親水性),故可以再 造本發明平樣板。此外 面的方法來製造一平樣 具有非親和性區混合。 有親和性(非親和性)的 的膜來獲得本發明所使 印刷方法予以實現。
2000. 04. 25. 024 的平樣板。 量未反應的 氧氣環境 基與羥基自 性。同時大 性的區與具 於流體可分 藉由選擇流 ,可以藉由 板,其中對 樣板上形成 用的樣板。 第24頁 40489(^號88108β94 年屮月 ><曰 修正 五、發明說明(20) 之區中的金以雷射光等揮發並移去。將樣板浸泡在硫化合, 物中之後’使硫化合物產生對流體的親和性而自身聚集於 其上。形成硫化合物之自身聚集膜的區變成圖案轉移區 10 ;未形成自身聚集膜的區變成非圖案轉移區U.。 可以藉由選擇性將有機材料例如石臘黏附至樣板上來 製造同樣類型的平樣板。以具有圖2所示之刮面構造的樣 板1作為例子。首先’以對流體具有親和性的多孔材料來 製造樣板。接著以石臘塗佈於樣板且以圖案轉移區1〇的形 狀對該石臘形成遮罩。以來自雷射光的能量使石臘揮發; 石臘被移去的區變成圖案轉移區10,而石臘保留的區變成 非圖案轉移區11。 可以 以電漿照 自由基與 中,而未 由基。由 部分玻璃 非親和性 類成是否 體材料以 使用提供 流體具有 又, 具有非親 此可以藉 藉由選擇性電 射的區在樣板 交又結合的層 反應的自由基 於其為極性, 或塑膠具有非 區可以藉由部 對水具有親和 上述方法來製 電荷至樣板表 親和性的區與 可以藉由在具 和性(親和性) 由許多類型的 m 漿處理來製造同樣類型 材料的表面層中具有大 。將其露出於空氣中或 被氧化而形成羰基自由 故該等自由基具有親和 親和性。因此,具親和 分電漿處理來產生。由 性(親水性),故可以再 造本發明平樣板。此外 面的方法來製造一平樣 具有非親和性區混合。 有親和性(非親和性)的 的膜來獲得本發明所使 印刷方法予以實現。
2000. 04. 25. 024 的平樣板。 量未反應的 氧氣環境 基與羥基自 性。同時大 性的區與具 於流體可分 藉由選擇流 ,可以藉由 板,其中對 樣板上形成 用的樣板。 第24頁 4048^ 88108694 年1f 月 < 曰 修正 五、發明說明(21) 依照本發明’藉由使用圖案形成方法,其中提供一種 使用設有通孔的樣板來形成圖案的製程,可以花費不多地 與不使用大型設備便將圖案形成。特別是,不論樣板尺寸 為何均可供應所需的流體量,因為可以直接從通孔將流體 =應至圖案轉移區。此外,由於樣板可以用作原板達任意 二人數,故折舊費低而可以降低形成圖索的製造成本。 依照本發明,藉由使用圖案形成裴置,其中提供一種 可以使用設有通孔的樣板來形成圖案的構造,可以花費不 =與不使用大型設備便將圖案形成。特別是,不論樣板 ^為何均可供麟需的流體量,目&可以直接從通孔將 流體供應至圖案轉移區。 ”明,ϋ由使用設有通孔的圖案形成樣板,可 = 不多地與不使用大型設備便將圖案形成。特別是, ::樣板尺寸為何均可供應所需的流體#,因⑨可 從通孔將流體供應至圖案轉移區。 費不發明,以設有通孔之樣板的製造方法,可以花 =η不使用大型設備便將圖案形成。特別是,不論 樣板尺寸為何均可供應所需的流體量 ^ 孔將流體供應至圖案轉移區。 巧τ义直接從通 溶液月,例如,藉由使用碳粉分散於其中的膠體 器用的ί r a龄可以藉由揮發溶液中的溶劑部分而將濾色 料的溶液作為流體,可以藉由在極材 :i ΐ:.電極膜。#由使用金屬粒子分散於其中的膠:: -—二机體,可以藉由在形成圖案後進行熱處理而‘成;
第25頁 2000. 04. 25, 4048^ 88108694 年1f 月 < 曰 修正 五、發明說明(21) 依照本發明’藉由使用圖案形成方法,其中提供一種 使用設有通孔的樣板來形成圖案的製程,可以花費不多地 與不使用大型設備便將圖案形成。特別是,不論樣板尺寸 為何均可供應所需的流體量,因為可以直接從通孔將流體 =應至圖案轉移區。此外,由於樣板可以用作原板達任意 二人數,故折舊費低而可以降低形成圖索的製造成本。 依照本發明,藉由使用圖案形成裴置,其中提供一種 可以使用設有通孔的樣板來形成圖案的構造,可以花費不 =與不使用大型設備便將圖案形成。特別是,不論樣板 ^為何均可供麟需的流體量,目&可以直接從通孔將 流體供應至圖案轉移區。 ”明,ϋ由使用設有通孔的圖案形成樣板,可 = 不多地與不使用大型設備便將圖案形成。特別是, ::樣板尺寸為何均可供應所需的流體#,因⑨可 從通孔將流體供應至圖案轉移區。 費不發明,以設有通孔之樣板的製造方法,可以花 =η不使用大型設備便將圖案形成。特別是,不論 樣板尺寸為何均可供應所需的流體量 ^ 孔將流體供應至圖案轉移區。 巧τ义直接從通 溶液月,例如,藉由使用碳粉分散於其中的膠體 器用的ί r a龄可以藉由揮發溶液中的溶劑部分而將濾色 料的溶液作為流體,可以藉由在極材 :i ΐ:.電極膜。#由使用金屬粒子分散於其中的膠:: -—二机體,可以藉由在形成圖案後進行熱處理而‘成;
第25頁 2000. 04. 25, Α%4ίΦ 88108694 Μ年1f月 曰 修正 五、發明· 電的金屬膜圖案。 在此包含1998年5月26日申請之日本第10-1448 92號專 利申請案的内容,包含說明書、申請專利範圍、圖式與發 明概要。
第26頁 2000. 04. 25. 026 Α%4ίΦ 88108694 Μ年1f月 曰 修正 五、發明· 電的金屬膜圖案。 在此包含1998年5月26日申請之日本第10-1448 92號專 利申請案的内容,包含說明書、申請專利範圍、圖式與發 明概要。
第26頁 2000. 04. 25. 026 40489ffe 號 88108694 -Rj[年屮月汄曰 修正 圖式簡單說明 圖1為顯不本發明第1實施例中所使用樣板的構造的平 面圖; 圖1之,'\顯广本發明第1實施例中所使用樣板的構造’於 圖1之A-A連線的橫剖面圖; 造的^ 3;為顯不本發明第1實施例中圖案形成裝置的整體構 锋入ΓΛ顯示本發明第1實施例中壓力腔室面板與樣板的‘ 結合構造的橫剖面圖; 圖 圖5為顯不本發明第1實施例之圖案形成方法的橫剖面 圖6為- 士 的平面圖; 而® .頌不本發明第1實施例中藉由樣板所轉移之圖案 丰腓沾搂為顯不本發明第1實施例中樣板之製造方法的 步驟的橫剖面圖; 圖8為顯示本發明第2實施例中所使用樣板的構造的平 面圖; ® 0 ★圖A 9 *為顯示本發明第2實施例中所使用樣板的構造,於 圖8之A-A遠始& # γ _ η' 疋踝的橫剖面圖; · 圖1 0為顯示本發明第2實施例之圖案形成方法的橫 面圖, ' 體 圖11為顯示本發明第3實施例之圖案形成裝置的整 構造的圖; 圖 Μ \ 2 Ά. - 馬顯示喷墨記錄頭之主要元件構造的部分橫剑 面 圖 1 3 ϋ hc —. _ 馬顯不喷墨記鏟逋之菸送路徑的圖:盥
40489ffe 號 88108694 -Rj[年屮月汄曰 修正 圖式簡單說明 圖1為顯不本發明第1實施例中所使用樣板的構造的平 面圖; 圖1之,'\顯广本發明第1實施例中所使用樣板的構造’於 圖1之A-A連線的橫剖面圖; 造的^ 3;為顯不本發明第1實施例中圖案形成裝置的整體構 锋入ΓΛ顯示本發明第1實施例中壓力腔室面板與樣板的‘ 結合構造的橫剖面圖; 圖 圖5為顯不本發明第1實施例之圖案形成方法的橫剖面 圖6為- 士 的平面圖; 而® .頌不本發明第1實施例中藉由樣板所轉移之圖案 丰腓沾搂為顯不本發明第1實施例中樣板之製造方法的 步驟的橫剖面圖; 圖8為顯示本發明第2實施例中所使用樣板的構造的平 面圖; ® 0 ★圖A 9 *為顯示本發明第2實施例中所使用樣板的構造,於 圖8之A-A遠始& # γ _ η' 疋踝的橫剖面圖; · 圖1 0為顯示本發明第2實施例之圖案形成方法的橫 面圖, ' 體 圖11為顯示本發明第3實施例之圖案形成裝置的整 構造的圖; 圖 Μ \ 2 Ά. - 馬顯示喷墨記錄頭之主要元件構造的部分橫剑 面 圖 1 3 ϋ hc —. _ 馬顯不喷墨記鏟逋之菸送路徑的圖:盥
案號88108694 年屮月 曰 修正_ 圖式簡單說明 圖1 4為顯示本發明第3實施例的圖案形成方法所形成 於基板上的圖案的平面圖。 符號說明 I、 lb~樣板 2~壓力腔室面板 2b〜喷墨記錄頭 3 ~壓電元件 4、 4b〜樣板移送機構 5、 5b~控制裝置 6、 6b~流體儲存機構 10、10b〜圖案轉移區 II、 lib〜非圖案轉移區 12、12b〜通孔 20〜壓力腔室面板 2卜壓力腔室 2 2〜側壁 2 3〜振動板 · 24〜墨水槽孔 2 5 ~儲存槽 2 6〜供應口 2 8〜喷嘴 29〜喷嘴面板 3 0 ~下電極 3卜壓電薄膜
第28頁 2000. 04. 25. 028 案號88108694 年屮月 曰 修正_ 圖式簡單說明 圖1 4為顯示本發明第3實施例的圖案形成方法所形成 於基板上的圖案的平面圖。 符號說明 I、 lb~樣板 2~壓力腔室面板 2b〜喷墨記錄頭 3 ~壓電元件 4、 4b〜樣板移送機構 5、 5b~控制裝置 6、 6b~流體儲存機構 10、10b〜圖案轉移區 II、 lib〜非圖案轉移區 12、12b〜通孔 20〜壓力腔室面板 2卜壓力腔室 2 2〜側壁 2 3〜振動板 · 24〜墨水槽孔 2 5 ~儲存槽 2 6〜供應口 2 8〜喷嘴 29〜喷嘴面板 3 0 ~下電極 3卜壓電薄膜
第28頁 2000. 04. 25. 028 404890案號88108694 年if月/曰 修正 圖式簡單說明 3 2〜上電極 4 0 ~馬達 60~槽 6卜管 62〜流體 6 3 ~液滴 71、72〜馬達 1 0 0〜原樣板 I 0 1〜光阻層 102〜光 II 0〜基板 111〜表面 11 2〜黑色基質 200、200b ~圖案形成裝置
第29頁 2000. 04. 25. 029 404890案號88108694 年if月/曰 修正 圖式簡單說明 3 2〜上電極 4 0 ~馬達 60~槽 6卜管 62〜流體 6 3 ~液滴 71、72〜馬達 1 0 0〜原樣板 I 0 1〜光阻層 102〜光 II 0〜基板 111〜表面 11 2〜黑色基質 200、200b ~圖案形成裝置
第29頁 2000. 04. 25. 029
Claims (1)
- _88108691 六、申請專利範圍 1. -種圖案形成方法’用於將圖案形成在欲形成圖 案4-¾垂上’該圖案形成方法包含以下步驟.一·風一^ 使一樣板,近於或實質上接觸欲形成圖案的表面; 將流體供應' 至設於該樣板的圖案轉移通 孔,以供應該流體;與 在該流體經由該通孔黏附於該表面之後,從該表面分 離該樣板,從而於該表面上得到該流體的圖案。 2·依照申請專利範圍第丨項之圖案形成方法其中該 沿t該樣板的圖案轉移區而設’且在供應該流體的 ,ϋ由施加壓力至設於該樣板中的所有通孔而供應 泫流體。 3.依照申請專利範圍第1項之圖案形成方法,其中將 ϊϊίϊ一地設在該樣板中,且在供應該流體的步驟中, 墨系統利用設於該樣板的所有通孔中之設於圖案 轉移區的通孔選擇性供應該流體。 嫌乂依照申請專利範圍第1項之圖案形成方法,其中該 樣板係以滲透性材料所構成。 t —種圖案形成裝置,用於將圖案形成在欲形成圈 鸟上,該圖案形成裝置包含: # ΐ板移送機構,用於使樣板接近於或實質上接觸欲 形成圖索的表面; 一複體儲存機構,用於儲存流體; 二,體供應機構,用於將該流體從該流體儲存機構供 &主6又在該樣板的圖案轉移區的複數個通孔;與ϋϋΐ 第30頁 2000. 04. 25. 030_88108691 六、申請專利範圍 1. -種圖案形成方法’用於將圖案形成在欲形成圖 案4-¾垂上’該圖案形成方法包含以下步驟.一·風一^ 使一樣板,近於或實質上接觸欲形成圖案的表面; 將流體供應' 至設於該樣板的圖案轉移通 孔,以供應該流體;與 在該流體經由該通孔黏附於該表面之後,從該表面分 離該樣板,從而於該表面上得到該流體的圖案。 2·依照申請專利範圍第丨項之圖案形成方法其中該 沿t該樣板的圖案轉移區而設’且在供應該流體的 ,ϋ由施加壓力至設於該樣板中的所有通孔而供應 泫流體。 3.依照申請專利範圍第1項之圖案形成方法,其中將 ϊϊίϊ一地設在該樣板中,且在供應該流體的步驟中, 墨系統利用設於該樣板的所有通孔中之設於圖案 轉移區的通孔選擇性供應該流體。 嫌乂依照申請專利範圍第1項之圖案形成方法,其中該 樣板係以滲透性材料所構成。 t —種圖案形成裝置,用於將圖案形成在欲形成圈 鸟上,該圖案形成裝置包含: # ΐ板移送機構,用於使樣板接近於或實質上接觸欲 形成圖索的表面; 一複體儲存機構,用於儲存流體; 二,體供應機構,用於將該流體從該流體儲存機構供 &主6又在該樣板的圖案轉移區的複數個通孔;與ϋϋΐ 第30頁 2000. 04. 25. 030 —一404 作喊88108694 车以月日 修正 六、申請專利範圍 " 一^ " 一控制裝置’用於控制該樣板移送機構對該樣板的移 送與該流體供應機構對該流體的供應; 其中該控制裝置促使該樣板移送機構使該樣板接近於 或實質上接觸該表面’促使藉由該流體供應機構將該流體 經由該通孔供應,與促使樣板在該流體黏附於該表面之德 從該表面分離。 6;依照申請專利範圍第5項之圖案形成裝置,其中該 通=係沿著該樣板的圖案轉移區而設;且該流體供應機構 包含·一壓力腔室’用於將該流體供應至設於該樣板的所 有通孔,與一壓電元件,其可以使壓力腔室的至少一壁變 形與改變壓力腔室的體積。 · 7. 依照申請專利範圍第5項之圖案形成裝置,其中該, 通孔係均一地設在該樣板上;該流體供應機構包含:喷墨 記錄頭,其使該流體排出;與一記錄頭移送機構,用於將 s己錄頭移送至設在該樣板的任意通孔; 其中遠控制裝置令該記錄頭被移送至所有該通孔中之 位在圖案轉移區的通孔,並令該記錄頭供應該流體。 8. 依照申請專利範圍第5項之圖案形成裝置其中該 樣板係以多孔材料所構成。 9. 一種圖案形成樣板,用於將流體塗佈在欲形成圖 案的表面上並形成圖案,其中在該樣板的圖案轉移區設有 複數個通孔。 10. 依照申請專利範圍第9項之圖案形成樣衩其中 該樣板的圖案轉移區具有凹板狀。—一404 作喊88108694 车以月日 修正 六、申請專利範圍 " 一^ " 一控制裝置’用於控制該樣板移送機構對該樣板的移 送與該流體供應機構對該流體的供應; 其中該控制裝置促使該樣板移送機構使該樣板接近於 或實質上接觸該表面’促使藉由該流體供應機構將該流體 經由該通孔供應,與促使樣板在該流體黏附於該表面之德 從該表面分離。 6;依照申請專利範圍第5項之圖案形成裝置,其中該 通=係沿著該樣板的圖案轉移區而設;且該流體供應機構 包含·一壓力腔室’用於將該流體供應至設於該樣板的所 有通孔,與一壓電元件,其可以使壓力腔室的至少一壁變 形與改變壓力腔室的體積。 · 7. 依照申請專利範圍第5項之圖案形成裝置,其中該, 通孔係均一地設在該樣板上;該流體供應機構包含:喷墨 記錄頭,其使該流體排出;與一記錄頭移送機構,用於將 s己錄頭移送至設在該樣板的任意通孔; 其中遠控制裝置令該記錄頭被移送至所有該通孔中之 位在圖案轉移區的通孔,並令該記錄頭供應該流體。 8. 依照申請專利範圍第5項之圖案形成裝置其中該 樣板係以多孔材料所構成。 9. 一種圖案形成樣板,用於將流體塗佈在欲形成圖 案的表面上並形成圖案,其中在該樣板的圖案轉移區設有 複數個通孔。 10. 依照申請專利範圍第9項之圖案形成樣衩其中 該樣板的圖案轉移區具有凹板狀。六、申請專利範圍 11.依照申請專利範圍 該樣板的圖案轉移區具有凸 1 2.依照申請專利範圍 該樣板的圖案轉移區係形成 案轉移區係形成為對該流體 13.依照申請專利範圍 該圖案轉移區具有形成圖案 1 4.依照申請專利範圍 該圖案轉移區為均一配置的 1 5.依照申請專利範圍 該樣板係以多孔材料所形成 16.依照申請專利範圍 形成於s亥樣板中之通孔的内 和性。 17· 一種圖案形成樣板 形成圖案之表面並形成圖案 在底板上形成一光阻層 依照圖案將該光阻層的 將該曝光的光阻層顯影 蝕刻其上設有該顯影的 將多孔材料塗佈在已蝕 使塗佈的該多孔材料硬 從該底板剝離該硬化的 於該剝離的多孔材料中 第9項之圖案形成樣板’其中 板狀。 第9項之圖案形成樣板’其中 為對該流體具有親和性與非圖 具有非親和性。 第9項之圖案形成樣板’其中 之對象的形狀。 第9項之圖案形成樣板,其中 固定圖案。 第9項之圖案形成樣板,其中 第9項之圖案形成樣板,其中 壁係形成為對該流體具有非親 的製造方法,使流體黏附於莖 ’該製造方法比含以下步驟: 一部分曝光; 光阻層的底板; 刻的底板上; 化; 多孔材料;與 形成複數個通孔而形成一樣 六、申請專利範圍 11.依照申請專利範圍 該樣板的圖案轉移區具有凸 1 2.依照申請專利範圍 該樣板的圖案轉移區係形成 案轉移區係形成為對該流體 13.依照申請專利範圍 該圖案轉移區具有形成圖案 1 4.依照申請專利範圍 該圖案轉移區為均一配置的 1 5.依照申請專利範圍 該樣板係以多孔材料所形成 16.依照申請專利範圍 形成於s亥樣板中之通孔的内 和性。 17· 一種圖案形成樣板 形成圖案之表面並形成圖案 在底板上形成一光阻層 依照圖案將該光阻層的 將該曝光的光阻層顯影 蝕刻其上設有該顯影的 將多孔材料塗佈在已蝕 使塗佈的該多孔材料硬 從該底板剝離該硬化的 於該剝離的多孔材料中 第9項之圖案形成樣板’其中 板狀。 第9項之圖案形成樣板’其中 為對該流體具有親和性與非圖 具有非親和性。 第9項之圖案形成樣板’其中 之對象的形狀。 第9項之圖案形成樣板,其中 固定圖案。 第9項之圖案形成樣板,其中 第9項之圖案形成樣板,其中 壁係形成為對該流體具有非親 的製造方法,使流體黏附於莖 ’該製造方法比含以下步驟: 一部分曝光; 光阻層的底板; 刻的底板上; 化; 多孔材料;與 形成複數個通孔而形成一樣 修正 ΐ0ΐ890 案號 88i〇8694 六、申請專利範圍 板。 ΙΙ·1ΙΙΙΙΙ 第 33 頁 2000.04.25.033 修正 ΐ0ΐ890 案號 88i〇8694 六、申請專利範圍 板。 ΙΙ·1ΙΙΙΙΙ 第 33 頁 2000.04.25.033
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US20050160011A1 (en) * | 2004-01-20 | 2005-07-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for concurrently employing differing materials to form a layer on a substrate |
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JP2002224604A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-13 | Hitachi Ltd | パターン転写装置,パターン転写方法および転写用原版の製造方法 |
US6973710B2 (en) * | 2001-08-03 | 2005-12-13 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for making devices |
US7179079B2 (en) | 2002-07-08 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Conforming template for patterning liquids disposed on substrates |
US6926929B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-08-09 | Molecular Imprints, Inc. | System and method for dispensing liquids |
US7019819B2 (en) * | 2002-11-13 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system for modulating shapes of substrates |
US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US6908861B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography using an electric field |
US7442336B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-10-28 | Molecular Imprints, Inc. | Capillary imprinting technique |
US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
US6980282B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-12-27 | Molecular Imprints, Inc. | Method for modulating shapes of substrates |
US7641840B2 (en) | 2002-11-13 | 2010-01-05 | Molecular Imprints, Inc. | Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold |
US20040112862A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-17 | Molecular Imprints, Inc. | Planarization composition and method of patterning a substrate using the same |
US7365103B2 (en) * | 2002-12-12 | 2008-04-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Compositions for dark-field polymerization and method of using the same for imprint lithography processes |
WO2004054784A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Molecular Imprints, Inc. | Magnification corrections employing out-of-plane distortions on a substrate |
US7186656B2 (en) | 2004-05-21 | 2007-03-06 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming a recessed structure employing a reverse tone process |
US6951173B1 (en) | 2003-05-14 | 2005-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Assembly and method for transferring imprint lithography templates |
US7307118B2 (en) | 2004-11-24 | 2007-12-11 | Molecular Imprints, Inc. | Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold |
US7150622B2 (en) | 2003-07-09 | 2006-12-19 | Molecular Imprints, Inc. | Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes |
US8211214B2 (en) | 2003-10-02 | 2012-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
US7090716B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-08-15 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
US7261830B2 (en) * | 2003-10-16 | 2007-08-28 | Molecular Imprints, Inc. | Applying imprinting material to substrates employing electromagnetic fields |
US7122482B2 (en) | 2003-10-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Methods for fabricating patterned features utilizing imprint lithography |
US20050098534A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of conductive templates employing indium tin oxide |
JP2007516862A (ja) * | 2003-11-12 | 2007-06-28 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 高速充填とスループットを実現するための分配の幾何学的配置および導電性テンプレート |
US20050158419A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-21 | Watts Michael P. | Thermal processing system for imprint lithography |
US20050156353A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-21 | Watts Michael P. | Method to improve the flow rate of imprinting material |
US7019835B2 (en) | 2004-02-19 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system to measure characteristics of a film disposed on a substrate |
US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
US20050189676A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-01 | Molecular Imprints, Inc. | Full-wafer or large area imprinting with multiple separated sub-fields for high throughput lithography |
US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
US7140861B2 (en) | 2004-04-27 | 2006-11-28 | Molecular Imprints, Inc. | Compliant hard template for UV imprinting |
US20050253307A1 (en) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Molecualr Imprints, Inc. | Method of patterning a conductive layer on a substrate |
WO2005119802A2 (en) | 2004-05-28 | 2005-12-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Adaptive shape substrate support system and method |
US20050270516A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing |
US20070228593A1 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Residual Layer Thickness Measurement and Correction |
JP4592521B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2010-12-01 | 大日精化工業株式会社 | カラーフィルターの製造方法、画素形成用インク、カラーフィルターおよびそれを使用した画像表示装置 |
US7785526B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
US20060017876A1 (en) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Molecular Imprints, Inc. | Displays and method for fabricating displays |
US7309225B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-12-18 | Molecular Imprints, Inc. | Moat system for an imprint lithography template |
US7105452B2 (en) * | 2004-08-13 | 2006-09-12 | Molecular Imprints, Inc. | Method of planarizing a semiconductor substrate with an etching chemistry |
US7939131B2 (en) | 2004-08-16 | 2011-05-10 | Molecular Imprints, Inc. | Method to provide a layer with uniform etch characteristics |
US7282550B2 (en) * | 2004-08-16 | 2007-10-16 | Molecular Imprints, Inc. | Composition to provide a layer with uniform etch characteristics |
JP4399337B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2010-01-13 | 株式会社フューチャービジョン | 平面パターンを有する基板およびそれを用いた表示装置 |
US7547504B2 (en) | 2004-09-21 | 2009-06-16 | Molecular Imprints, Inc. | Pattern reversal employing thick residual layers |
US7241395B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-07-10 | Molecular Imprints, Inc. | Reverse tone patterning on surfaces having planarity perturbations |
US7041604B2 (en) * | 2004-09-21 | 2006-05-09 | Molecular Imprints, Inc. | Method of patterning surfaces while providing greater control of recess anisotropy |
US7205244B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-04-17 | Molecular Imprints | Patterning substrates employing multi-film layers defining etch-differential interfaces |
US7252777B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-08-07 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming an in-situ recessed structure |
US20060062922A1 (en) | 2004-09-23 | 2006-03-23 | Molecular Imprints, Inc. | Polymerization technique to attenuate oxygen inhibition of solidification of liquids and composition therefor |
US7244386B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-07-17 | Molecular Imprints, Inc. | Method of compensating for a volumetric shrinkage of a material disposed upon a substrate to form a substantially planar structure therefrom |
US20070231421A1 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced Multi Channel Alignment |
US7630067B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices |
US7292326B2 (en) | 2004-11-30 | 2007-11-06 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices |
WO2006060757A2 (en) | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Molecular Imprints, Inc. | Eliminating printability of sub-resolution defects in imprint lithography |
EP1825502A4 (en) * | 2004-12-01 | 2008-01-23 | Molecular Imprints Inc | EXPOSURE METHODS FOR THERMAL MANAGEMENT OF PRINTING LITHOGRAPHY METHODS |
US7281919B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-10-16 | Molecular Imprints, Inc. | System for controlling a volume of material on a mold |
JP2006162538A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Seiko Instruments Inc | 微量質量測定装置 |
JP2006201212A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Shinka Jitsugyo Kk | 面形状形成方法及び装置、磁気ヘッドの浮上面形成方法及び装置 |
JP4888991B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2012-02-29 | 新科實業有限公司 | 面形状形成方法及び装置、磁気ヘッドの浮上面形成方法及び装置 |
US7635263B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-12-22 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system comprising an array of fluid chambers |
US7636999B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-12-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method of retaining a substrate to a wafer chuck |
JP3958344B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2007-08-15 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法 |
US7256131B2 (en) * | 2005-07-19 | 2007-08-14 | Molecular Imprints, Inc. | Method of controlling the critical dimension of structures formed on a substrate |
US7759407B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-07-20 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for adhering materials together |
US8808808B2 (en) | 2005-07-22 | 2014-08-19 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer |
US8557351B2 (en) | 2005-07-22 | 2013-10-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for adhering materials together |
US7665981B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-02-23 | Molecular Imprints, Inc. | System to transfer a template transfer body between a motion stage and a docking plate |
US7316554B2 (en) | 2005-09-21 | 2008-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | System to control an atmosphere between a body and a substrate |
US8142703B2 (en) * | 2005-10-05 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography method |
US7906058B2 (en) | 2005-12-01 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Bifurcated contact printing technique |
US7803308B2 (en) | 2005-12-01 | 2010-09-28 | Molecular Imprints, Inc. | Technique for separating a mold from solidified imprinting material |
US7670530B2 (en) | 2006-01-20 | 2010-03-02 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
WO2007067488A2 (en) | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system for double-sided patterning of substrates |
US8001924B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-08-23 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US20070231422A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | System to vary dimensions of a thin template |
US8850980B2 (en) | 2006-04-03 | 2014-10-07 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Tessellated patterns in imprint lithography |
US7802978B2 (en) | 2006-04-03 | 2010-09-28 | Molecular Imprints, Inc. | Imprinting of partial fields at the edge of the wafer |
KR20090003153A (ko) | 2006-04-03 | 2009-01-09 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 다수의 필드와 정렬 마크를 갖는 기판을 동시에 패턴화하는방법 |
US8142850B2 (en) | 2006-04-03 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times |
US8012395B2 (en) | 2006-04-18 | 2011-09-06 | Molecular Imprints, Inc. | Template having alignment marks formed of contrast material |
WO2007124007A2 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Molecular Imprints, Inc. | Method for detecting a particle in a nanoimprint lithography system |
US8215946B2 (en) | 2006-05-18 | 2012-07-10 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography system and method |
US8015939B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Imprintable medium dispenser |
US7830498B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hydraulic-facilitated contact lithography apparatus, system and method |
US8142702B2 (en) * | 2007-06-18 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Solvent-assisted layer formation for imprint lithography |
FR2933492B1 (fr) * | 2008-07-07 | 2015-02-06 | Hemodia | Appareil et procede de fonctionnalisation de micro-capteurs |
KR101596375B1 (ko) * | 2008-12-04 | 2016-02-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 임프린트 리소그래피 장치 및 방법 |
EP2635419B1 (en) | 2010-11-05 | 2020-06-17 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning of non-convex shaped nanostructures |
TW201244014A (en) * | 2011-04-22 | 2012-11-01 | Inotera Memories Inc | Semiconductor method of making an array columnar hollow structure |
US9630423B2 (en) * | 2013-09-16 | 2017-04-25 | Xerox Corporation | Hydrophilic imaging member surface material for variable data ink-based digital printing systems and methods for manufacturing hydrophilic imaging member surface materials |
HUE046078T2 (hu) * | 2014-04-04 | 2020-02-28 | Bramac S R L | Módszer és a hozzá kapcsolódó rendszer lapos felületek utójellel való ellátására |
JP6298690B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2018-03-20 | 株式会社ディスコ | 保護膜形成方法 |
JP6005698B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2016-10-12 | 株式会社ミノグループ | 微細凹凸パターン付き基板の製造方法 |
JP6584182B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-10-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 |
KR102430018B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2022-08-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이송 헤드 어셈블리 및 발광소자 이송장치 |
CN111300370B (zh) * | 2020-03-12 | 2023-04-14 | 南京尚科得科技发展有限公司 | 一种牛角梳制作的划线装置 |
CN113950193A (zh) * | 2021-09-24 | 2022-01-18 | 上海富乐华半导体科技有限公司 | Dbc覆铜陶瓷基板上圆形半腐蚀沉孔的设计方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2777411A (en) * | 1954-02-16 | 1957-01-15 | Wilbro Corp | Method of making lined bottle caps |
US3958255A (en) * | 1974-12-31 | 1976-05-18 | International Business Machines Corporation | Ink jet nozzle structure |
US4021276A (en) * | 1975-12-29 | 1977-05-03 | Western Electric Company, Inc. | Method of making rib-structure shadow mask for ion implantation |
US4166277A (en) * | 1977-10-25 | 1979-08-28 | Northern Telecom Limited | Electrostatic ink ejection printing head |
US4164745A (en) * | 1978-05-08 | 1979-08-14 | Northern Telecom Limited | Printing by modulation of ink viscosity |
DE69123932T2 (de) * | 1990-10-18 | 1997-05-22 | Canon Kk | Herstellungsverfahren eines Tintenstrahldruckkopfes |
EP0534474B1 (en) * | 1991-09-27 | 2002-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of processing a silicon substrate |
US5481280A (en) * | 1992-11-30 | 1996-01-02 | Lam; Si-Ty | Color ink transfer printing |
US5381166A (en) * | 1992-11-30 | 1995-01-10 | Hewlett-Packard Company | Ink dot size control for ink transfer printing |
JPH07117144A (ja) | 1993-10-22 | 1995-05-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 面光源用導光板の製造方法 |
JPH08252920A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-01 | Brother Ind Ltd | 積層型圧電素子の製造方法 |
ATE207798T1 (de) | 1996-03-15 | 2001-11-15 | Harvard College | Verfahren zum formen von gegenständen und zum mikrostrukturieren von oberflächen durch giessformen mit kapillarwirkung |
KR100311880B1 (ko) * | 1996-11-11 | 2001-12-20 | 미다라이 후지오 | 관통구멍의제작방법,관통구멍을갖는실리콘기판,이기판을이용한디바이스,잉크제트헤드의제조방법및잉크제트헤드 |
US6027630A (en) * | 1997-04-04 | 2000-02-22 | University Of Southern California | Method for electrochemical fabrication |
US6008825A (en) * | 1997-08-27 | 1999-12-28 | Eastman Kodak Company | Microfluidic printing independent of orientation |
US6057865A (en) * | 1997-09-23 | 2000-05-02 | Eastman Kodak Company | Transferring of color segments to a receiver |
US6919009B2 (en) * | 1999-10-01 | 2005-07-19 | Nanoplex Technologies, Inc. | Method of manufacture of colloidal rod particles as nanobarcodes |
US6753036B2 (en) * | 2001-07-16 | 2004-06-22 | The Regents Of The University Of California | Method for fabrication of electrodes |
US20030106487A1 (en) * | 2001-12-10 | 2003-06-12 | Wen-Chiang Huang | Photonic crystals and method for producing same |
-
1998
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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