DE69922615T2 - Verlustarmes Oberflächenwellenfilter auf einem schnittoptimierten Quarzsubstrat - Google Patents

Verlustarmes Oberflächenwellenfilter auf einem schnittoptimierten Quarzsubstrat Download PDF

Info

Publication number
DE69922615T2
DE69922615T2 DE69922615T DE69922615T DE69922615T2 DE 69922615 T2 DE69922615 T2 DE 69922615T2 DE 69922615 T DE69922615 T DE 69922615T DE 69922615 T DE69922615 T DE 69922615T DE 69922615 T2 DE69922615 T2 DE 69922615T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
axis
plane
quartz
angle
cut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69922615T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69922615D1 (de
Inventor
Sylvain Ballandras
Marc Solal
Emmanuelle Briot
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Thales SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thales SA filed Critical Thales SA
Publication of DE69922615D1 publication Critical patent/DE69922615D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69922615T2 publication Critical patent/DE69922615T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02551Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/21Crystal tuning forks
    • H03H9/215Crystal tuning forks consisting of quartz

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

  • Das Gebiet der Erfindung ist dasjenige der Schallwellenvorrichtungen, und insbesondere dasjenige der Filter oder Resonatoren, die an der Oberfläche eines Substrats aus piezoelektrischem Material hergestellt werden.
  • Die Wahl eines Materials und seines Schnitts, um eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung herzustellen, erfolgt im allgemeinen gemäß zwei Kriterien: Der piezoelektrische Kopplungskoeffizient, der das maximal herstellbare relative Band kennzeichnet, und das Verhalten des Materials in Abhängigkeit von der Temperatur. Wenn sich nämlich die Temperatur ändert, dehnt sich das Material aus, und seine elastischen Koeffizienten verändern sich, was zu Veränderungen der Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwellen und somit der Frequenz der Vorrichtungen führt.
  • Quarz ist ein Material, das seit sehr langer Zeit für Oberflächenwellenfilter verwendet wird. Der im allgemeinen verwendete Schnitt ist der sogenannte ST-Schnitt (MB. Schultz, B.J. Matzinger, M.G. Holland, "Temperature dependence of surface acoustic wave velocity on a quartz", Journal of Applied Physics, Vol. 41, Nr. 7, Seiten 2755–2765, (1970)). Die Schnittwinkel φ, θ und ψ werden gemäß der Norm IEEE definiert (Standard on piezoelectricity Std 176–1949. Proc. IRE, Vol. 37, Seiten 1378–1395 (1949)).
  • Um Mehrdeutigkeiten bei der Definition der Schnittwinkel zu vermeiden, wird nachfolgend die Definition dieser Winkel in Erinnerung gerufen. Die Achsen X, Y und Z sind die kristallographischen Achsen des Kristalls. Der gewählte Kristall ist ein "linker Quarz" genannter Kristall, und er ist gekennzeichnet durch das Vorzeichen der piezoelektrischen Konstanten θ11 und θ14. Der "linke Quarz" ist so, dass θ11 positiv und θ14 negativ ist. Figur 1 zeigt eine Schnittplatte (YX), d.h., dass die Senkrechte zur Schnittebene die Achse Y und die Ausbreitungsachse die Achse X ist. In dieser Figur werden die Richtungen w (gemäß der Breite der Platte), 1 (gemäß ihrer Länge, also der Ausbreitungsrichtung) und t (senkrecht zur Platte) definiert. Ein Schnitt und ein Ausbreitungswinkel werden ausgehend vom Schnitt (YX) und mittels dreier aufeinanderfolgender Drehungen definiert, wobei die Drehung um w einen Winkel φ, die Drehung um 1 einen Winkel θ und die Drehung um t einen Winkel ψ beträgt. Die Ausbreitung erfolgt gemäß der Richtung 1 der gedrehten Platte. Die Schnittebene wird also vollständig durch die beiden ersten Winkel φ und θ definiert (2a), während der dritte Winkel ψ eine besondere Richtung in dieser Ebene und somit für die Oberflächenwellen die verwendete Ausbreitungsrichtung definiert (2b).
  • Nachfolgend werden die verschiedene Schnitte definierenden Winkel aufgeführt, die üblicherweise für die Volumenwellenfilter verwendet werden:
    Schnitt BT: φ = 0, θ = –49°
    Schnitt AT: φ = 0, θ = +35°
    Schnitt SC: φ = –22,4°, θ = +33,8°
  • Der ST-Schnitt, der üblicherweise für Oberflächenwellenvorrichtungen verwendet wird, wird von den Winkeln φ = 0°, θ = 42,75° und ψ = 0° definiert. Dieser Schnitt ist in 3 dargestellt. Das ursprüngliche Koordinatenkreuz ist (XYZ), es wird nach der ersten Drehung zu (X'Y'Z'), nach der zweiten Drehung zu (X''Y''Z'') und nach der dritten Drehung zu (X'''Y'''Z''').
  • Eine ähnliche Vorrichtung ist zum Beispiel aus der Druckschrift US 4 323 809 bekannt.
  • Dieser Schnitt mit einfacher Drehung hat den Vorteil, für die Rayleigh-Wellen eine parabelförmige Frequenzänderung mit der Temperatur aufzuweisen, mit einem Umkehrpunkt bei etwa 25°C, d.h. oft in der Mitte des Betriebstemperaturbereichs der Filter. Der Kopplungskoeffizient für diesen Schnitt ist relativ gering (etwa 0,12%).
  • Wenn man ein Material wie zum Beispiel Aluminium aufbringt, um insbesondere den akustische Oberflächenwellen erzeugenden Wandler an der Oberfläche des Substrats herzustellen, ändert sich die Umkehrtemperatur. Um diese Wirkung zu kompensieren und eine Umkehrtemperatur nahe 25°C beizubehalten, ändert man dann leicht den Schnitt, was dazu führt, Schnitte ausgehend von θ = 30° bis θ = 42° zu verwenden. Diese Schnitte haben alle sehr ähnliche Eigenschaften, abgesehen von der Ausbreitungsgeschwindigkeit der Wellen und dem Umkehrpunkt ihres Frequenz-Temperatur-Gesetzes.
  • Seit einigen Jahren werden immer häufiger Filter mit geringen Dämpfungsverlusten hergestellt. Um die Dämpfungsverluste zu verringern, verwendet man oft die Reflexion der Oberflächenwelle auf Elektroden. Meistens ist das für die Elektroden verwendete Material Aluminium. Die Filter, die diese Reflexionen verwenden, sind zum Beispiel Filter mit Resonatoren oder Einrichtungs-Wandlern vom Typ DART oder SPUDT. Der Reflexionskoeffizient auf eine Elektrode ist eine sehr wichtige Eigenschaft für die Gestaltung. Je größer der Koeffizient, desto einfacher ist es nämlich, geringe Verluste in einer kleinen Chipgröße zu erhalten. Andererseits werden auch Resonatoren mit akustischen Oberflächenwellen hergestellt, die andere Arten von Reflektoren, wie zum Beispiel eingravierte Gitter, oder öfter Gitter aus metallisierten Strichen, verwenden, um Hohlräume zu bilden. Auch für diese Art Vorrichtung ist der Reflexionskoeffizient eine wichtige Eigenschaft, da ein starker Reflexionskoeffizient einen Hohlraum mit weniger Verlusten bei gleicher Größe ermöglicht, und somit den Qualitätskoeffizienten des Resonators verbessert.
  • Es ist aber anzumerken, dass bei der Gestaltung einer Vorrichtung der Reflexionskoeffizient von der maximal herstellbaren Dicke der Elektroden begrenzt wird. Außerdem ist die Empfindlichkeit gegenüber den technologischen Unsicherheiten (Dicke der Metallbeschichtung, Breite des Strichs) umso größer, je stärker die Dicke der Metallisierung ist, was die in der Praxis nutzbare Dicke einschränkt.
  • In diesem Zusammenhang hat die Erfindung eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung zum Gegenstand, die ein Quarzsubstrat und Reflexionszentren verwendet, bei denen der verwendete Reflexionskoeffizient verbessert ist und die anderen Eigenschaften des Materials beibehalten werden, und dies durch eine optimierte Wahl des als piezoelektrisches Substrat verwendeten Quarzschnitts.
  • Genauer hat die Erfindung eine akustische Oberflächenwellenvorrichtung zum Gegenstand, die aufweist:
    • – ein Substrat aus Quarz mit einer Ausbreitungsfläche für die akustischen Oberflächenwellen;
    • – Mittel, um Wandlungszentren und Reflexionszentren von akustischen Wellen auf dem Substrat zu bilden;
  • wobei das Substrat eine Schnittebene (X'', Z'') aufweist, die bezüglich der Schnittebene (X, Z) und in einem Koordinatensystem (X'', Y'', Z'') definiert ist, wenn X, Y, Z die kristallographischen Achsen des Quarzes sind, wobei die Ausbreitungsrichtung der Wellen gemäß einer Achse X'' definiert ist, wobei eine erste Schnittebene (X', Z') durch Drehung der Ebene (X, Z) um einen Winkel φ um die Achse Z definiert ist, um ein erstes Koordinatensystem (X', Y', Z') mit einer Achse Z' zu definieren, die mit der Achse Z zusammenfällt, wobei eine zweite Schnittebene (X'', Z'') durch Drehung der Ebene (X', Z') um einen Winkel θ um die Achse X' definiert ist, um ein zweites Koordinatensystem (X'', Y'', Z'') zu definieren, wobei die Achse X'' mit der Achse X' zusammenfällt, wobei die Ausbreitungsrichtung gemäß der Achse X''' durch Drehung der Achse X'' in der Ebene (X'', Z'') um einen Winkel ψ um die Achse Y'' definiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass gilt. –60° ≤ φ ≤ 0°
  • θ
    liegt in einem Bereich von ±40° um –40°·cos (3φ)
    ψ
    liegt in einem Bereich von ±22,5° um 35° + 10°·sin (3φ).
  • Gemäß einer ersten Variante können alle Wandlungszentren und alle Reflexionszentren zu einem gleichen Satz von ineinander verschachtelten Elektroden gehören.
  • Gemäß einer zweiten Variante der Erfindung können bestimmte Reflexionszentren zu einem getrennten Elektrodengitter gehören.
  • Gemäß einer dritten Variante der Erfindung kann die Vorrichtung außerdem Reflexionszentren aufweisen, die aus einem in das Quarzsubstrat eingravierten Gitter hervorgegangen sind.
  • Vorteilhafterweise sind die in einer erfindungsgemäßen Vorrichtung verwendeten Metallisierungen aus Aluminium.
  • Gemäß einer Variante der Erfindung kann die akustische Oberflächenwellenvorrichtung ein Einrichtungs-Filter vom Typ SPUDT oder RSPUDT sein.
  • Der ST-Schnitt des Quarzes, der derzeit verwendet wird, bietet zufriedenstellende Leistungen bezüglich des Kopplungskoeffizienten, der Frequenzvariationskurve mit der Temperatur, aber die Einführung und dann die Verallgemeinerung von Reflexionselementen in die neuen Filtertypen erzeugen eine zusätzliche Belastung, die den ST-Schnitt relativ weniger interessant machen, wenn man an dem Reflexionskoeffizienten eines Reflektors insbesondere aus Aluminium festhält.
  • Die in der nachfolgenden Beschreibung entwickelten physikalischen Parameter zeigen, dass es auf Quarz ein Gebiet von Schnitten gibt, die gleichwertige Eigenschaften der Abweichung, Temperatur und Kopplungskoeffizient aufweisen, aber stärkere Reflexionskoeffizienten der Reflexionselemente haben. Die Verwendung eines dieser Schnitte ermöglicht es also, eine Reflektoren verwendende Oberflächenwellenvorrichtung herzustellen, die gegenüber der gleichwertigen Vorrichtung auf einem ST-Schnitt Vorteile aufweist.
  • Außerdem kann es besonders vorteilhaft sein, eine Untereinheit von Quarzschnitten zu definieren, bei denen der Temperaturkoeffizient der Frequenz erster Ordnung gering ist, typischerweise zwischen –10 ppm/°K und +10 ppm/°K liegt, und der Flusswinkel ebenfalls gering ist und zwischen –5° und +5° liegt. Die erste Bedingung führt zum Erhalt einer Umkehrtemperatur des Frequenz-Temperatur-Gesetzes nahe 25°C, was praktisch gesucht wird.
  • Die zweite Bedingung ermöglicht eine Optimierung des Betriebs der akustischen Oberflächenwellenvorrichtungen bei einer kleinstmöglichen Größe (keine Verschiebung der Wandler, um den Energieflusswinkel auszugleichen).
  • Für die akustischen Oberflächenwellenvorrichtungen gilt nämlich: Δf/fo = CTF1(T–To) + CTF2(T–To)2 wenn
  • CTF1
    Koeffizient der ersten Ordnung
    CTF2
    Koeffizient der zweiten Ordnung,
  • wobei To die Rechentemperatur der Koeffizienten der ersten und zweiten Ordnung (im allgemeinen 25°C) ist, Δt der Frequenzänderung entspricht, die für eine laufende Temperatur von 298°K induziert wird; die Umkehrtemperatur wird erhalten durch Lösen der Gleichung d(Δf/fo)/dT = 0, was einer Umkehrtemperatur
    Figure 00060001
    entspricht,
    mit CTF2 zum Beispiel nahe –50 ppb/°K2,
    und CTF1 zum Beispiel nahe –1 ppm/°K,
    erhält man eine Umkehrtemperatur T = To – 10°K
  • Die Erfindung wird besser verstanden werden und weitere Vorteile gehen aus der nachfolgenden Beschreibung hervor, die nicht einschränkend zu verstehen ist und sich auf die beiliegenden Figuren bezieht. Es zeigen:
  • 1 eine Quarzplatte mit einem YX-Schnitt;
  • 2a und 2b die Definition eines Schnitts und eines Ausbreitungswinkels bezüglich des YX-Schnitts;
  • 3 einen ST-Schnitt eines Quarzes, der bei den Vorrichtungen des Stands der Technik verwendet wird;
  • 4 eine Perspektivansicht einer akustischen Oberflächenwellenvorrichtung, die ineinander verschachtelte Wandler sowie Elektrodengitter auf einem Quarzsubstrat mit einem erfindungsgemäßen Schnitt darstellt;
  • 5 die Geometrie von in einer akustischen Oberflächenwellenvorrichtung verwendeten Elektroden;
  • 6a bis 6g Isowert-Kurven des Reflexionskoeffizienten in Abhängigkeit vom Schnittwinkel θ und von der Ausbreitung ψ je für Winkel φ = 0, –10, –20, –30, –40, –50, –60;
  • 7a bis 7g die Isowert-Kurven der Umkehrtemperaturen gleich 25°C in Abhängigkeit von den Winkeln θ und ψ je für Winkel φ = 0, –10, –20, –30, –40, –50, –60;
  • 8 die räumliche Verteilung der Reflektoren und der Wandler, die in einem an der Oberfläche eines Quarzsubstrats hergestellten Filter verwendet und durch die Winkel φ = –20°, θ = –35,5° und ψ = +20° definiert wird;
  • 9 schematisch die elektrischen Elemente, die das Abstimmen des auf dem durch die Winkel φ = –20°, θ = -35,5° und ψ = +20° definierten Schnitt hergestellten Filters ermöglichen;
  • 10 die Frequenzantwort des Filters, das auf dem durch die Winkel φ = –20°, θ = –35,5° und ψ = +20° definierten Schnitt hergestellt wurde;
  • 11 die Entwicklung der Frequenz in Abhängigkeit von der Temperatur für das auf dem durch die Winkel φ = –20°, θ = –35,5° und ψ = +20° definierten Schnitt hergestellte Filter.
  • 4 stellt sehr schematisch ein Beispiel einer erfindungsgemäßen akustischen Oberflächenwellenvorrichtung dar, die Wandlungszentren und Reflexionszentren aufweist, die mit Hilfe von metallischen Elektroden hergestellt werden. Genauer gesagt, weist diese Vorrichtung zwei Wandler mit ineinander verschachtelten Elektroden 2, 3, 4, 5 und zwei Reflektoren 6 und 7 auf, die aus Strichgittern bestehen. Die Ausbreitungsrichtung ist die Richtung X''' des Substrats nach Drehung, und es ist folglich die Achse X'' der durch die Winkel φ und θ definierten Schnittebene, die um einen Winkel ψ gedreht ist.
  • Für jede Schnittebene, die ein gegebenes Quarzsubstrat definiert, gibt es eine bevorzugte Ausbreitungsrichtung der akustischen Oberflächenwellen, bei der die Leistungen der Vorrichtung optimiert sind.
  • Diese Ausbreitungsrichtung wird durch den Winkel ψ definiert: Erfindungsgemäß ist ψ = 35° + 10°·sin(3φ).
  • Nachfolgend werden für verschiedene Konfigurationen von Schnittebenen und Ausbreitungsrichtungen der akustischen Wellen die Werte angegeben:
    • • des Kopplungskoeffizienten KS2, der für das maximale relative Band repräsentativ ist, das man mit einer Vorrichtung erhalten kann, und der als der halbe relative Abstand der Geschwindigkeiten der Oberflächenwellen auf dem freien Substrat und dem metallisierten Substrat berechnet wird;
    • • des Reflexionskoeffizienten R des Reflektors, berechnet in h/λ, wenn h die Metalldicke und λ die Wellenlänge ist;
    • • des Energieflusswinkels η (in Grad), welches der Winkel ist, der den Wellenvektor und den Poynting-Vektor der Oberflächenwelle trennt;
    • • des Koeffizienten erster Ordnung der Frequenzänderung, die für das Filter in Abhängigkeit von der Temperatur charakteristisch ist, in der Nähe der Umgebungstemperatur (25°C);
    • • der Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwellen V∞;
    • • des Koeffizienten zweiter Ordnung der Frequenzänderung, die für das Filter in Abhängigkeit von der Temperatur charakteristisch ist, in der Nähe der Umgebungstemperatur (25°C);
    • • der Umkehrtemperatur der Frequenz-Temperatur-Kurve, die der Scheitel der Frequenz-Temperatur-Kurve für eine Dicke gleich Null ist. Um die Frequenzänderungen einer Oberflächenwellenvorrichtung zu minimieren, muss man einen solchen Schnitt wählen, dass diese Umkehrtemperatur nahe der Mitte des Betriebstemperaturbereichs liegt.
  • Es ist anzumerken, dass bei Elektroden geringer Dicke angenommen werden kann, dass der mechanische Teil von R proportional zur Dicke der auf die Wellenlänge standardisierten Elektrode h ist. Ein vereinfachtes Modell, basierend auf den Berechnungen von Datta und Hunsinger (S. Datta, B. Hunsinger, "First order reflexion coefficient of surface acoustic waves from thin strip overlays", Journal of Applied Physics, Vol. 50, Nr. 9, Seiten 5661–5665 (1979)), ermöglicht es, den Reflexionskoeffizienten mit guter Präzision zu schätzen. Für die ST-Schnitte des Quarzes und für die Elektroden einer Breite λ/4 liegt R in der Größenordnung von 0,5 h/λ. Für Elektroden mit größeren Dicken tritt eine "Energiespeicherung" genannte Wirkung auf, und die Berechnung von Datta und Hunsinger ist nicht mehr so zuverlässig (P. Ventura, J. Desbois, L. Boyer, "A mixed FEM/analytical model of electrode mechanical perturbation for SAW and PSAW propagation", Proc. of the 1993 IEEE Ultrasonics Symposium, IEEE cat. Nr. 93 CH 3301-9, Seiten 205–208). Die Berechnungen zeigen aber, dass man annehmen kann, dass diese Berechnung es erlaubt, die Schnitte bezüglich ihres mechanischen Reflexionskoeffizienten korrekt einzuordnen. Da andererseits die mechanischen Eigenschaften von Quarz und Aluminium benachbart sind, kann man annehmen, dass die für den starken Reflexionskoeffizienten gewählten Schnitte auf einem Aluminiumstreifen auch einen starken Reflexionskoeffizienten auf eine in den Quarz eingravierte Rille haben.
  • Die Ergebnisse der Berechnungen (siehe Tabelle II) zeigen, dass für die in der Erfindung definierten Schnittzonen der Kopplungskoeffizient immer mindestens von der gleichen Größenordnung ist wie der Kopplungskoeffizient auf dem ST-Schnitt des Quarzes. Andererseits gibt es für alle Schnitte der Zone einen oder mehrere Ausbreitungswinkel ψ, bei denen die Umkehrtemperatur etwa 25°C beträgt.
  • Die Tabelle I rekapituliert und bezeichnet verschiedene Schnittebenen, die durch die Winkel φ und θ festgelegt und einer Ausbreitungsrichtung zugeordnet sind, die mit dem Winkel ψ bezeichnet ist. Der Winkel ψ und der Schnitt θ werden aufgrund der Koinzidenz starker Reflexionskoeffizienten, eines Energieflusswinkels nahe 0° und ihrer Umkehrtemperatur nahe 25°C gewählt.
  • Die Tabelle II rekapituliert die oben erwähnten physikalischen Parameter entsprechend den Schnitten der Tabelle I.
    Figure 00110001
    TABELLE I
    Figure 00120001
    TABELLE II
  • Aus der Tabelle II geht hervor, dass die bevorzugten Ausbreitungsrichtungen der akustischen Wellen zugeordneten, in der vorliegenden Erfindung empfohlenen Schnittebenen es ermöglichen, den Reflexionskoeffizienten R zu erhöhen und gleichzeitig die anderen kennzeichnenden Parameter beizubehalten.
  • Es wird noch daran erinnert, dass es derartige Symmetrien für die Rayleigh-Wellen auf Quarz gibt, dass:
    • • (+φ, θ, +ψ) gleich (–φ, θ, –ψ) unabhängig vom Vorzeichen von θ
    • • (φ, θ, ψ) gleich (φ+120°, θ, ψ)
    • • (φ, θ, ψ) gleich (φ, θ+180°, ψ)
    • • (φ, θ, ψ) gleich (φ, θ, ψ+180°) außer für den Reflexionskoeffizienten, dessen Phase umgekehrt wird.
  • Durch Kombinieren dieser verschiedenen Symmetrien wird angenommen, dass die Eigenschaften der Rayleigh-Wellen einzigartig für den Quarz in den folgenden Winkelbereichen beschrieben sind: –60° < φ < +60°, –90° < θ < +90°, 0° < ψ < +90°
  • Die 6a bis 6g stellen die Isowert-Kurven des Reflexionskoeffizienten auf einem Aluminiumhindernis geringer relativer Dicke h/λ dar, d.h. unter der Annahme, dass das Verhältnis der Höhe h zur akustischen Wellenlänge λ sehr viel niedriger als ein Prozent für ein Metallisierungsverhältnis je Periode a/p von 50% ist, wie in 5 dargestellt, berechnet mit Hilfe des vereinfachten Modells, das auf den Berechnungen von Datta und Hunsinger basiert, in Abhängigkeit vom Schnittwinkel θ und der Ausbreitungsrichtung ψ für die verschiedenen Werte des Schnittwinkels φ, die von den Ansprüchen betroffen sind (d.h. von 0° bis –60° für jeden Schritt von 10°}. Diese Kurven ermöglichen es, die Zonen mit starkem Reflexionskoeffizient R gemäß der Erfindung grafisch zu präzisieren. Um die betreffenden Winkelbereiche aber ein wenig zu verringern, sind in den 7a bis 7g die Isowerte der Umkehrtemperatur gleich 25°C für relative Metallisierungsdicken h/λ Null und gleich 5% mit a/p = 50% für die gleichen Winkelwerte eingetragen. Diese letztere Information betreffend den Einfluss der Metallisierungsdicke kann aber nur informell verwendet werden, da sie aus einer theoretischen Berechnung stammt, die nur für den ST-Schnitt gültig ist (E. Henry, S. Ballandras, E. Bigler, G. Marianneau, G. Martin, S. Camou, "Influence of metallization on temperature sensibility of saw devices" Proc. of the IEEE Ultrasonics Symp., Seiten 221–226, 1997), und der Schnitt (f) folglich mit der üblichen Vorsicht zu betrachten ist.
  • Beispiel eines Filters, das auf einer erfindungsgemäß geschnittenen Quarzplatte hergestellt wurde Eine Darstellung der praktischen Anwendung eines der neuen Quarzschnitte wird nachfolgend vorgestellt. Sie besteht in der Herstellung eines Resonanzfilters vom Typ DART gemäß der Norm GSM, das um die Frequenz 71 MHz zentriert ist. Das Filter weist also zwei Wandler, die beide durch Quellenunterdrückung gewichtet sind, sowie zwei Reflexionsgitter auf, die sich im Hohlraum innerhalb der Wandler befinden, die selbst um einen Abstand einer Viertelwellenlänge getrennt sind. Diese Elektrodenstruktur wird auf dem Schnitt (f), an dessen Definition erinnert wird (Schnitt (YXwit) –20, –35,5, +20), durch Aufbringen von chemisch eingraviertem Aluminium hergestellt. Die Abmessungen des daraus entstehenden Kristallchips ermöglichen seine Einkapselung in ein Gehäuse mit der Abmessung 10 × 6 mm2. Der Vorteil der Verwendung des neuen Schnitts liegt dann in einer wesentlichen Verringerung der notwendigen Metalldicke, um den reflektierenden Teil des Resonanz-DART herzustellen. Tatsächlich geht diese von 1400 nm (14000 A) (ST-Schnitt) auf 800 nm (8000 A) für den neuen Schnitt zurück, was die Herstellung der Vorrichtung weniger anfällig für Fabrikationsfehler rein technologischen Ursprungs macht. 8 zeigt die räumliche Verteilung der Reflektoren R (in Wellenlängen ausgedrückt) und die Verteilung der standardisierten Wandler T, wobei der Koeffizient eines Elementarreflektors 2,92 % beträgt, was einem Maximum von 5,84 % pro Wellenlänge entspricht. Das Filter, das vorgesehen ist, um bei Eingangsimpedanzen Zin = 3000 Ω und Ausgangsimpedanzen Zout = 500 Ω zu arbeiten (siehe 9), wird mit Hilfe einer parallelen Selbstinduktion von 1,1 μH am Eingang und einem Paar aus paralleler Induktanz und serieller Kapazität mit einem jeweiligen Wert von 600 nH bzw. 2 pF am Ausgang abgestimmt. Die in 10 dargestellte Kurve ermöglicht es, die Qualität der elektrischen Reaktion des Filters auf dem Schnitt (f) mit einer weiten Unterdrückung von mehr als 40 dB und Verlusten im Band in der Größenordnung von –7.5 dB zu beurteilen. Es ist aber anzumerken, dass man sich bei der Gestaltung und dann der Herstellung des Filters über die Phase des Reflexionskoeffizienten (der den meisten neuen Schnitten inhärent ist) hinwegsetzen musste, indem die Reflektoren bezüglich der Wandler in den elementaren DART-Zellen verschoben wurden, wobei die Phase theoretisch bei 162,4 Grad angenommen wird, was bedeutet, dass die auf einen Reflektor reflektierte Welle um ±162,4° –90° verschoben ist statt der -90°, die man auf einem ST-Quarz hätte. Die beiden Ausbreitungsrichtungen sind dann nicht mehr gleichwertig, und es ist notwendig, die Wandlungs- und Reflexionszentren in den DART-Zellen zu verschieben, um dies zu berücksichtigen. Schließlich zeigt 11, dass bei den Rayleigh-Wellen unter Berücksichtigung der relativen verwendeten Metallisierungsdicke (h/λ in der Größenordnung von 1,67 %) die Temperaturwirkungen in der Nähe der Umgebungstemperatur kompensiert werden, wodurch man ein parabelförmiges Frequenz-Temperatur-Gesetz des Filters erhalten kann, dessen Umkehrpunkt sich zwischen 10 und 20°C befindet. Man stellt fest, dass der Koeffizient der Temperaturempfindlichkeit zweiter Ordnung wesentlich höher ist als derjenige des ST-Schnitts (–50 ppb/°K2 für den Schnitt (f) gegenüber –40 ppb/°K2 für den ST-Schnitt), aber trotzdem in der gleichen Größenordnung bleibt.

Claims (6)

  1. Akustische Oberflächenwellenvorrichtung, die aufweist: – ein Substrat aus Quarz mit einer Ausbreitungsfläche für die akustischen Oberflächenwellen; – Mittel, um Wandlungszentren und Reflexionszentren von akustischen Wellen zu bilden; wobei das Substrat eine Schnittebene (X'', Z'') aufweist, die bezüglich der Schnittebene (X, Z) und in einem Koordinatensystem (X'', Y'', Z'') definiert ist, wenn X, Y, Z die kristallographischen Achsen des Quarzes sind, wobei die Ausbreitungsrichtung der Wellen gemäß einer Achse X''' definiert ist, wobei eine erste Schnittebene (X', Z') durch Drehung der Ebene (X, Z) um einen Winkel φ um die Achse Z definiert ist, um ein erstes Koordinatensystem (X', Y', Z') mit einer Achse Z' zu definieren, die mit der Achse Z zusammenfällt, wobei eine zweite Schnittebene (X'', Z'') durch Drehung der Ebene (X', Z') um einen Winkel θ um die Achse X' definiert ist, um ein zweites Koordinatensystem (X'', Y'', Z'') zu definieren, wobei die Achse X'' mit der Achse X' zusammenfällt, wobei die Ausbreitungsrichtung gemäß der Achse X''' durch Drehung der Achse X'' in der Ebene (X'', Z'') um einen Winkel ψ um die Achse Y'' definiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass gilt. –60° < φ < 0°θ liegt in einem Bereich von ±40° um –40°·cos (3φ) ψ liegt in einem Bereich von ±22,5° um 35°+10°·sin (3φ).
  2. Akustische Oberflächenwellenvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass gilt: –60° < φ < 0°wobei (θ, ψ) so definiert sind, dass der Koeffizient der ersten Ordnung der Frequenzvariation in Abhängigkeit von der Temperatur zwischen –10 ppm/°K und +10 ppm/°K liegt, und der Flusswinkel zwischen –5° und +5° liegt.
  3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass sie ineinander verschachtelte Elektroden aufweist, um Wandlungs- und Reflexionszentren zu bilden.
  4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass sie außerdem Elektrodennetze aufweist, um Reflexionszentren zu bilden.
  5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Quarzsubstrat lokal eingravierte Rillen aufweist, um Wandlungszentren zu bilden.
  6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden aus Aluminium sind.
DE69922615T 1998-10-30 1999-10-22 Verlustarmes Oberflächenwellenfilter auf einem schnittoptimierten Quarzsubstrat Expired - Lifetime DE69922615T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9813665A FR2785473B1 (fr) 1998-10-30 1998-10-30 Filtre faibles pertes a ondes acoustiques de surface sur substrat de quartz de coupe optimisee
FR9813665 1998-10-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69922615D1 DE69922615D1 (de) 2005-01-20
DE69922615T2 true DE69922615T2 (de) 2005-12-15

Family

ID=9532202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69922615T Expired - Lifetime DE69922615T2 (de) 1998-10-30 1999-10-22 Verlustarmes Oberflächenwellenfilter auf einem schnittoptimierten Quarzsubstrat

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6316861B1 (de)
EP (1) EP0998037B1 (de)
JP (1) JP4479026B2 (de)
KR (1) KR100712413B1 (de)
CN (1) CN1253416A (de)
CA (1) CA2287093A1 (de)
DE (1) DE69922615T2 (de)
FR (1) FR2785473B1 (de)
SG (1) SG83748A1 (de)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2811828B1 (fr) * 2000-07-13 2002-10-25 Thomson Csf Dispositif a ondes acoustiques comprenant des domaines de polarisation alternee
US6744182B2 (en) * 2001-05-25 2004-06-01 Mark Branham Piezoelectric quartz plate and method of cutting same
JP3675373B2 (ja) * 2001-07-17 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 発振回路の温度特性調整方法
JP4079658B2 (ja) * 2002-03-05 2008-04-23 株式会社リコー 2値化ウォブル信号を生成する回路、ライトクロック生成回路、2値化ウォブル信号を生成する方法、ライトクロック生成方法及び光ディスク装置
FR2837636B1 (fr) * 2002-03-19 2004-09-24 Thales Sa Dispositif a ondes acoustiques d'interface en tantalate de lithium
JP4069773B2 (ja) * 2003-03-19 2008-04-02 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片、圧電振動子および圧電デバイス
JP2005204275A (ja) * 2003-12-12 2005-07-28 Seiko Epson Corp 弾性表面波素子片およびその製造方法並びに弾性表面波装置
FR2864618B1 (fr) * 2003-12-24 2006-03-03 Temex Sa Capteur de temperature ou de temperature et de pression interrogeable a distance
JP4569447B2 (ja) * 2005-11-18 2010-10-27 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波素子片および弾性表面波デバイス
FR2907284B1 (fr) * 2006-10-17 2008-12-19 Senseor Soc Par Actions Simpli Procede de fabrication collective de capteurs sans calibrage a base de dispositif a ondes acoustiques
FR2917918B1 (fr) * 2007-06-19 2010-03-12 Senseor Resonateur a ondes de surface a resonance parasite reduite
FR2925696B1 (fr) * 2007-12-21 2011-05-06 Senseor Capteur passif a ondes de surface comportant une antenne integree et applications medicales utilisant ce type de capteur passif
JPWO2010029762A1 (ja) * 2008-09-12 2012-02-02 国立大学法人山梨大学 ラム波型弾性波素子
JP4864114B2 (ja) * 2009-04-14 2012-02-01 日本電波工業株式会社 水晶振動子
FR2951335A1 (fr) 2009-10-09 2011-04-15 Senseor Transpondeur a modes resonants couples integrant une charge variable
FR2958417B1 (fr) 2010-04-06 2012-03-23 Senseor Procede d'interrogation rapide de capteurs d'ondes elastiques
DK3194962T3 (da) * 2014-09-15 2019-07-01 Qorvo Us Inc Massedetektering via redoxkobling
FR3100405B1 (fr) * 2019-09-04 2021-12-31 Frecnsys Capteur à ondes acoustiques différentiel
FR3120488B1 (fr) * 2021-03-03 2023-09-15 Frecnsys Dispositif capteur a ondes acoustiques de surface
FR3120489B1 (fr) * 2021-03-03 2023-10-20 Frecnsys Dispositif capteur à ondes acoustiques à deux ports

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4323809A (en) * 1979-12-19 1982-04-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Surface acoustic wave substrate having orthogonal temperature compensated propagation directions and device applications
FR2483076A1 (fr) * 1980-05-23 1981-11-27 Quartz & Electronique Sonde de temperature utilisant une lame de quartz
JPS5773513A (en) * 1980-10-27 1982-05-08 Yasutaka Shimizu Surface acoustic wave device
US4701661A (en) * 1985-05-28 1987-10-20 Frequency Electronics, Inc. Piezoelectric resonators having a lateral field excited SC cut quartz crystal element
US4670680A (en) * 1986-07-29 1987-06-02 R. F. Monolithics, Inc. Doubly rotated orientations of cut angles for quartz crystal for novel surface acoustic wave devices
FR2628265B1 (fr) * 1987-03-06 1990-12-21 Thomson Csf Antenne directive a transducteurs multiples notamment pour sonar
FR2682833B1 (fr) * 1991-10-18 1993-12-03 Thomson Csf Filtre a ondes de surface et a trajet acoustique replie.
JPH05345201A (ja) * 1992-06-17 1993-12-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 多軸自動盤
US5703427A (en) * 1993-03-19 1997-12-30 Thomson-Csf Surface-wave distributed acoustic reflection transducer and filter including such a transducer
RU2099857C1 (ru) * 1996-01-10 1997-12-20 Наталья Федоровна Науменко Высокочастотное устройство на поверхностных акустических волнах
JPH10200370A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3339350B2 (ja) * 1997-02-20 2002-10-28 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
FR2762458B1 (fr) * 1997-04-18 1999-07-09 Thomson Csf Dispositif a ondes acoustiques de surface a couplage par proximite a entrees/sorties differentielles
US6031315A (en) * 1997-07-16 2000-02-29 Sawtek Inc. Optimal cut for saw devices on quartz

Also Published As

Publication number Publication date
DE69922615D1 (de) 2005-01-20
CN1253416A (zh) 2000-05-17
JP4479026B2 (ja) 2010-06-09
EP0998037A1 (de) 2000-05-03
US6316861B1 (en) 2001-11-13
FR2785473B1 (fr) 2001-01-26
SG83748A1 (en) 2001-10-16
FR2785473A1 (fr) 2000-05-05
CA2287093A1 (fr) 2000-04-30
KR100712413B1 (ko) 2007-04-27
JP2000151352A (ja) 2000-05-30
EP0998037B1 (de) 2004-12-15
KR20000029388A (ko) 2000-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69922615T2 (de) Verlustarmes Oberflächenwellenfilter auf einem schnittoptimierten Quarzsubstrat
EP1125364B1 (de) Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei oberflächenwellen-strukturen
DE102007024462B4 (de) Piezoelektrische Resonatorstrukturen und elektrische Filter
DE2600138C2 (de) Einrichtung auf der Basis der akustischen Oberflächenwellen mit einem zur Übertragung der akustischen Oberflächenwellen dienenden Trägerkörper aus piezoelektrischem Material und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE60008569T9 (de) Akustischer Grenzflächenwellenfilter insbesondere für drahtlose Übertragungssysteme
DE112004001841B4 (de) Oberflächenwellenbauelement
DE112017005984T5 (de) Akustische Wellenvorrichtungen
DE10147116B4 (de) Oberflächenwellenbauelement mit einem Anisotropieindex kleiner als -1, bedingt durch eine Mehrschichtstruktur der Sammelelektroden, sowie Duplexer und Kommunikationsausrüstungsgerät, die dieses verwendet
DE69814205T2 (de) Akustische Oberflächenwellenanordnung
DE112012000503B4 (de) Oberflächenschallwellen-Bauelement
DE112018004076B4 (de) Schallwellenvorrichtung, Multiplexer, Hochfrequenz-Frontend-Schaltung und Kommunikationsvorrichtung
DE2802946C2 (de)
DE69636897T2 (de) Akustischer Oberflächenwellenfilter
DE1928682A1 (de) Gekoppeltes Bandfilter
DE2604105A1 (de) Oberflaechenwellenbauelement
DE102018118384B4 (de) Hochfrequenzfilter
DE2644620A1 (de) Temperaturstabilisierte akustische verzoegerungsleitung
DE10136305B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelementes
DE60301794T2 (de) Bauelement mit grenzflächenschallwellen aus lithiumtantalat
DE2351665B2 (de) Rechtwinklige AT-geschnittene Quarzkristallplatte
DE2713672C2 (de) Frequenzselektive Anordnung
EP0506777A1 (de) Oberflächenwellen-reflektorfilter.
DE102016109829A1 (de) Akustischer Resonator-Aufbau mit einer Mehrzahl von Kontakten an Verbindungsseiten
DE69627757T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Oberflächenwellenanordnungen für Endflächenreflektionen
DE102018124372A1 (de) Elektroakustischer Resonator

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: TEMEX, SOPHIA ANTIPOLIS, FR

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: EPCOS AG, 81669 MUENCHEN, DE