DE69921742T2 - Vorrichtung zur steuerung eines schalttransistors - Google Patents

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Description

  • Die Erfindung geht aus von einer Schaltung zum Ansteuern eines Schalttransistors mit einer Treiberstufe. Eine Schaltung dieser Art ist beispielsweise aus der DE-A-43 17 154 bekannt und wird insbesondere in horizontalen Zeilenablenkschaltungen für Fernsehgeräte und Computermonitore verwendet.
  • Hierfür verwendete Schalttransistoren müssen mit einem definierten Strom angesteuert werden, um den Leistungsbedarf und die Verluste der Treiberstufe gering zu halten. Zudem soll der Schalttransistor nicht in der Sättigung betrieben werden, da hierdurch das Schaltverhalten des Schalttransistors durch hohe Rekombinationszeiten von Elektronen und Elektronen-Löchern im Transistor verschlechtert wird. Weiterhin soll der Schalttransistor jeweils in möglichst kurzer Zeit sowohl gesperrt als auch in einen möglichst geringen Durchgangswiderstand durchgeschaltet werden, um die Verluste im Schalttransistor möglichst gering zu halten. Diese sich zum Teil widersprechenden Anforderungen sollten von einer Schaltung zum Ansteuern eines Schalttransistors möglichst optimal erfüllt werden.
  • Eine Schaltung zum Ansteuern eines Schalttransistors gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist in der US-4 987 362 beschrieben. In der EP-A-0 504 559 ist eine Klemmschaltung dargestellt, die einen Komparator zur Abtastung einer Spannung über einem Widerstand enthält. Das Ausgangssignal des Komparators dient zur Steuerung von Schaltmitteln.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine leistungseffiziente Schaltung dieser Art zum Ansteuern eines Schalttransistors anzugeben, die zudem kostengünstig ist.
  • Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale der Erfindung gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Die Schaltung zum Ansteuern eines Schalttransistors nach der Erfindung enthält eine Komparatorschaltung, die die Spannung über dem Stromeingang des Schalttransistors überwacht und mit einer Referenzspannung vergleicht zur Sättigungskontrolle des Schalttransistors. Da diese Spannung ein Maß für die Sättigung des Schalttransistors und ebenso ein Maß für dessen Verluste ist, wird durch die Komparatorschaltung eine effiziente Regelung ermöglicht.
  • Die Spannung über dem Stromeingang, dem Kollektor bei einem npn-Schalt-transistor, kann beispielsweise mittels einer Diode abgegriffen werden. Da diese Spannung im Abschaltmoment des Schalttransistors sehr hoch ist und bei Ablenkstufen in Fernsehgeräten typischerweise 1500 V beträgt, können hier auch mehrere Dioden in Serie geschaltet sein, wodurch deren Spannungsbelastung reduziert wird. Die Diode ist vorteilhafterweise über einen Widerstand an eine Betriebsspannung angeschlossen, so daß in der Durchschaltphase des Schalttransistors ein definierter Strom durch diese Diode fließt und hierdurch eine definierte Spannung über ihr abfällt. Diese Spannung addiert sich mit der Kollektorspannung zu einer Spannung, die als Regelsignal genutzt werden kann. Mit der Komperatorschaltung wird auf eine konstante Kollektorspannung des Schalttransistors geregelt, wenn dieser durchgeschaltet ist.
  • Als Komparatorschaltung kann beispielsweise ein Transistor, der mit seinen Anschlüssen mit der Treiberstufe, der Referenzspannung und der Spannung über dem Stromeingang des Schalttransistors verbunden ist, verwendet werden. Die Re ferenzspannung kann beispielsweise mit Hilfe eines Spannungsteilers an einer Betriebsspannung abgeleitet werden.
  • Während durch die Schaltung der DE 43 17 154 individuelle Eigenschaften des Schalttransistors und Belastungen durch die Ausgangsseite nicht berücksichtigt werden, werden durch die Schaltung der Erfindung Variationen der Transistorparameter oder Änderungen des Kollektorstromes beispielsweise durch variierende Bildhelligkeiten in einem Fernsehgerät sowie Temperatureinflüsse ausgeregelt. So kann beispielsweise durch die Streuung der Stromverstärkung von Schalttransistoren der Bedarf an Basisstrom bis zu einem Faktor 2 variieren. Ist der Basisstrom für den Schalttransistor nicht korrekt justiert, steigen die Verluste im Schalttransistor oder in der Treiberstufe an.
  • Durch die Regelung über die Sättigung des Schalttransistors ist der Basisstrom auf einen Wert geregelt, bei dem sowohl die Leitungsverluste im Schalttransistor als auch die Ein- und Ausschaltverluste durch Transistorkapazitäten sowohl bei schwankenden Kollektorströmen als auch bei Variationen der Stromverstärkung (hFE) und bei Temperatureffekten gering sind.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:
  • Die Figur eine Schaltung zum Ansteuern eines Schalttransistors mit einer Transistorstufe als Komparatorschaltung zur Sättigungskontrolle des Schalttransistors.
  • In der Figur ist eine Schaltung zum Ansteuern eines Schalttransistors T3 dargestellt, die vorzugsweise für Ablenkschaltungen in Fernsehgeräten verwendet wird. Über einen Transformator Tr, an dessen primärseitiger Wicklung W1 der Schalttransistor T3 angeschlossen ist, wird die Hochspannung und weitere Versorgungsspannungen erzeugt sowie die Horizontalablenkung in der Bildröhre gesteuert. In der Treiberstufe wird ein Synchronsignal UH für den Schalttransistor T3 aufbereitet, indem dieses über eine erste Transistorstufe T2, in der es in ein Ansteuersignal US verstärkt und invertiert wird, und eine nachfolgende Transistorstufe mit Transistoren T4 und T5, die im Gegentaktbetrieb arbeiten, weiter verstärkt wird und anschließend über einen Treibertransformator L1 auf den Steuereingang des Schalttransistors T3 geführt wird. Der Schalttransistor T3 dieser Schaltung ist in diesem Ausführungsbeispiel ein npn-Transistor und die Treiberstufe wird mit einer positiven Betriebsspannung UB versorgt. Die Erfindung ist aber nicht auf diesen Schalttransistortyp beschränkt.
  • Die Funktion der Treiberschaltung ist wie folgt: Der Schalttransistor T3, an dem über die Primärwicklung W1 eine positive Spannung U1 anliegt, wird durch positive Ansteuersignale durchgeschaltet und durch negative gesperrt. Der Ausgang der Gegentakt-Transistorstufe T4, T5 wird durch die Ansteuersignale US alternierend zur positiven Betriebsspannung UB und zu Masse durchgeschaltet, wodurch mit niedriger Ausgangsimpedanz positive Impulse erzeugt werden, die durch den Treibertransformator L1 in positive und negative Steuersignale für den Schalttransistor T3 umgewandelt werden. Der Treibertransformator L1 ist hierbei mit einem Ende der eingangsseitigen Wicklung W2 mit dem Ausgang der Gegentakt-Transistorstufe T4, T5 verbunden und mit dem anderen Ende mit einem Kondensator C5, der durch die positiven Signale positiv aufgeladen wird. Die ausgangsseitige Wicklung W3 des Treibertransformators L1 ist invertiert geschaltet, so daß durch einen positiven Eingangsstrom ein negativer Ausgangsstrom erzeugt wird. Geht der Ausgang der Transistor stufe T4, T5 auf niedriges Potential, so polt die eingangsseitige Wicklung W2 des Treibertransformators L1 aufgrund des positiv geladenen Kondensators C5 um und damit ebenfalls die ausgangsseitige Wicklung W3, wodurch der Schalttransistor T3 durchgeschaltet wird.
  • Zur Sättigungskontrolle des Schalttransistors T3 enthält die Schaltung eine Komparatorschaltung mit einer Transistorstufe T1, die die Spannung UC über einem Stromeingang des Schalttransistors, in diesem Ausführungsbeispiel über dem Kollektor, überwacht. Zum Abgriff der Kollektorspannung UC sind zwei Dioden D10, D20 in Serie geschaltet und über einen Widerstand R1 mit der Betriebsspannung UB verbunden, wobei sie derart gepolt sind, daß durch sie ein Strom fließt, wenn der Schalttransistor T3 durchgeschaltet ist. Der Strom hierbei ist durch den Widerstand R1 vorgegeben, so daß ein definierter Spannungsabfall über den Dioden D10 und D20 entsteht. Dieser Spannungsabfall addiert sich zu der Kollektorspannung UC des Schalttransistors T3 und wird von der Transistorstufe T1 über dessen Emitteranschluß und einen Widerstand R2 abgegriffen. Bei einem in dem Ausführungsbeispiel verwendeten Schalttransistor T3 beträgt die eingestellte Sättigungsspannung UC über dem Kollektor ca. 1,5 v.
  • Die bei der Sperrung des Schalttransistors T3 durch die Induktivität der Wicklung W1 entstehende hohe Spannung wird durch die Dioden D10, D20 abgeblockt. Da diese Spannung typischerweise 1500 V beträgt in der Ablenkstufe eines Fernsehgerätes, sind hier zwei Dioden D10 und D20 in Serie geschaltet, wodurch die Anforderungen an die Spannungsfestigkeit der Dioden geringer sind.
  • Der als Komparator geschaltete Transistor T1 liegt mit seinem Steuereingang an einem Spannungsteiler, der über zwei Widerstände R4 und R5, die an der Betriebsspannung UB angeschlossen sind, eine Referenzspannung UR bereit stellt; sein Stromeingang, in diesem Ausführungsbeispiel der Kollektor, ist über einen Widerstand R3 mit dem Steuersignal US der Gegentakt-Transistorstufe T4, T5 verbunden. Die Referenzspannung UR ist hierbei im wesentlichen konstant bzw. Schwankungen der Betriebsspannung UB werden mit in die Regelung eingeschlossen. Das Steuersignal US wird durch die Transistorstufe T1 mehr oder weniger stark belastet; ist beispielsweise die Spannung UC über dem Kollektor des Schalttransistors T3 zu gering, weil dieser zu weit durchgesteuert ist, so fließt durch die Transistorstufe T1 ein größerer Strom, so daß das Steuersignal US stärker belastet wird und absinkt. Hierdurch sinkt der Strom im Übertrager W2 und somit auch der Basisstrom des Schalttransistors T3 ab, so daß die Kollektorspannung UC wieder ansteigt. Ist die Kollektorspannung UC andererseits zu hoch, so wird der durch den Transistor T1 fließende Strom geringer, so daß die Steuerspannung US ansteigt und somit den Schalttransistor T3 weiter aufsteuert.
  • Die durch den Spannungsteiler R4, R5 erzeugte Referenzspannung UR muß also so eingestellt werden, daß die gewünschte Kollektorspannung erzeugt wird. Der Transistor T4 wird hierbei im linearen Mode betrieben. Seine Verlustleistung wird hierdurch aber nicht größer, verglichen mit dem Schaltbetrieb, da sein Kollektorstrom geringer ist.
  • Wenn der Schalttransistor T3 gesperrt ist, spielt die Komparatorschaltung keine Rolle, da in diesem Fall das Ansteuersignal US auf niedrigem Potential liegt, wodurch die Transistorstufe T1 sperrt. Die Widerstände R2, R3 sind derart gewählt, daß Schwingungen unterdrückt werden, wenn die Transistorstufe T1 durchgeschaltet ist.
  • Wichtig für diese Komparatorschaltung ist, daß mit einem positiven Ansteuersignal US der Schalttransistor T3 gesperrt wird, so daß der Transistor T1 in Abhängigkeit von der Referenzspannung UR und der Spannung UC über dem Kollektor des Schalttransistors T3 leitet, und somit das Ansteuersignal US geregelt werden kann. Dies ist durch die vorangehend beschriebene Beschaltung des Treibertransformators L1 sichergestellt. Andere Ausführungsformen hierfür liegen aber ebenfalls im Rahmen der Erfindung. Durch die Komparatorschaltung ist eine leistungseffiziente Steuerung sowohl der Treiberstufe als auch des Schalttransistors gegeben, die unter Verwendung einer Transistorstufe nur wenige Bauteile benötigt.

Claims (6)

  1. Schaltung zum Ansteuern eines Schalttransistors (T3), der mit einer Primärwicklung (W1) eines Transformators (TR) verbunden ist, mit: einer Treiberstufe (T2, T4, T5, L1), wenigstens einer Diode (D10, D20) zum Abgriff der Spannung (UC) über dem Stromeingang des Schalttransistors (T3) und einer Komparatorschaltung (T1) zum Vergleich der Spannung (UC) über dem Stromeingang des Schalttransistors (T3) mit einer Referenzspannung (UR) zur Überwachung der Sättigung des Schalttransistors (T3), dadurch gekennzeichnet, daß zur Einstellung der Sättigung des Schalttransistors (T3) die Referenzspannung (UR) von einer Betriebsspannung (UB) über einen Spannungsteiler (R4, R5) abgeleitet wird.
  2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (T1) das Ansteuersignal (US) der Treiberstufe (T4, T5) regelt und daß eine Regelung auf eine konstante Kollektorspannung des Schalttransistors (T3) erfolgt.
  3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die an den Stromeingang des Schalttransistors (T3) angeschlossene Diode (D10, D20) über einen Widerstand (R1) mit einer Betriebsspannung (UB) verbunden ist zur Erzeugung eines definierten Spannungsabfalls über der Diode (D10, D20), wenn der Schalttransistor (T3) leitet.
  4. Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (T1) ein Transistor ist, an dessen Steuereingang die Referenzspannung (UR) anliegt, dessen Stromausgang mit der Diode (D10, D20) ver bunden ist und dessen Stromeingang mit dem Ansteuersignal (US) der Treiberstufe (T4, T5) verbunden ist.
  5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß im Stromweg des Transistors (T1) zur Schwingungsunterdrückung mindestens ein Widerstand (R2, R3) angeordnet ist.
  6. Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberstufe einen Treibertransformator (L1) zum Ansteuern des Schalttransistors (T3) enthält.
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