DE69906033T2 - Verfahren zur herstellung eines nitridfilms aus drei komponenten der metall und silizium enthält - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines nitridfilms aus drei komponenten der metall und silizium enthält

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Description

    Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung eines Filmes und insbesondere ein Verfahren zur Bildung eines zusammengesetzten Filmes gleichmäßiger Dicke, enthaltend Metall, Silizium und Stickstoff, zur Verwendung in Halbleitervorrichtungen, auf einem Substrat.
    • Stand der Technik
  • Bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen wird ein gesputterter Film aus Titannitrid (TiN) gegenwärtig als ein Diffusionsbarrierenmetall verwendet, um die Diffusion einer metallischen Verbindung in einen Silizium-Einkristall oder eine Isolierschicht zu verhindern. Weiterhin wird das TiN auch als ein Haftschichtmaterial verwendet, um die Haftung zu verbessern, wenn Wolfram zur Bildung einer Verbindungsstruktur verwendet wird. Durch sputtern oder chemische Abscheidung gebildete TiN-Filme neigen jedoch dazu, eine säulenförmige Kristallstruktur aufzuweisen, was ein Problem dahingehend erzeugt, dass das metallische Verbindungsmaterial leicht entlang dessen Korngrenze diffundiert. Wenn eine Wolframschicht auf einer TiN-Haftschicht gebildet wird, diffundiert auch das Wolfram- Quellgas WF&sub6; leicht entlang der Korngrenze der TiN-Schicht, wobei Beschädigungen der TiN-Haftschicht auftreten.
  • Solche Probleme können durch Verwendung eines nanokristallinen Materials mit extrem kleinen Körnern oder einem amorphen Material als ein Diffusionsbarrierenmaterial abgemildert werden. Ein Drei-Komponenten-Nitrid, enthaltend Silizium und ein hitzebeständiges Metall, wie beispielsweise Titan, Tantal oder Wolfram, ist für ein solches Material vielversprechend.
  • Mit dem Trend, die Miniaturisierung integrierter Halbleiterschaltkreise fortzuführen, um Features mit Submikrometer- Größenordnungen zu erhalten, wird die Breite von Verbindungslinien kleiner, und das Aspektverhältnis eines Kontaktloches wird größer. Ein Sputter-Verfahren ist zur Bildung eines Filmes gleichmäßiger Dicke auf einer solchen Struktur ungeeignet, da das Verfahren eine gewisse Gerichtetheit aufweist. Demgemäß ist es erforderlich, dass ein gleichmäßiger Film von ungefähr 10 nm Dicke auf einer Oberfläche mit Löchern mit einem hohen Aspektverhältnis gebildet wird, d. h. auf einer extrem unebenen Oberfläche, wobei sogar andere Abscheidungsverfahren verwendet werden. Obwohl die chemische Abscheidung typischerweise verwendet wird, um einen Film mit gleichmäßiger Dicke zu bilden, kann eine gute Stufenbedeckung unter chemischen Abscheidungsbedingungen nicht erhalten werden, bei denen die Abscheidungsquellen in den Gasphasen stark miteinander reagieren. Insbesondere bei der Verwendung von Alkylamido-Metallverbindungen zur chemischen Abscheidung eines Metallnitridfilms weist der abgeschiedene Metallnitridfilm aufgrund der Reaktion zwischen gasförmiger Alkylamido-Metallverbindung und Ammoniakgas eine schlechte Stufenbedeckung auf.
  • Ungleich herkömmlichen chemische Abscheidungsverfahren, bei denen Quellen dünner Filme gleichzeitig auf einem Substrat bereitgestellt werden, ermöglicht das sequentielle Abscheidungsverfahren, bei dem die Quellen sequentiell auf einem Substrat aufgebracht werden, die Bildung eines dünnen Filmes mit gleichmäßiger Dicke, da dieser nur durch die chemische Reaktion der Substratoberfläche gebildet werden kann. Dieses Verfahren ist in dem folgenden Buch gut beschrieben; T. Suntola und M. Simpson, Hrsg., Atomic Layer Epitaxy, Blackie, London, 1990. Die Anwendungen dieses Verfahrens sind jedoch auf die Bildung eines Zwei-Komponenten-Filmes beschränkt oder auf einen Verbund-Oxidfilm, enthaltend mehr als drei Komponenten.
  • Demgemäß ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Bildung eines Drei-Komponenten-Nitridfilmes bereitzustellen, enthaltend Metall und Silizium, zur Verwendung in einer Barriereschicht, welche effektiv die Diffusion metallischer Verbindungen bzw. Verbindungsleitungen von Halbleitervorrichtungen verhindert.
  • Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen, durch welches ein Drei-Komponenten- Nitridfilm, enthaltend Metall und Silizium, mit einer gleichmäßigen Dicke gebildet wird, trotz einer Unebenheit einer Halbleitersubstrat-Oberfläche.
  • Um das oben erwähnte Ziel zu erreichen, stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Bildung eines Drei-Komponenten- Nitridfilmes, enthaltend Metall und Silizium, auf einem Substrat bereit, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: (a) Zubereiten bzw. Bereitstellen separater Reaktivgase, wobei jedes mindestens eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einer gasförmigen Metallverbindung, einer gasförmigen Siliziumverbindung und einem Ammoniak-Gas, aufweist, unter solchen Bedingungen, dass die gasförmige Metallverbindung und das Ammoniak-Gas nicht ein Gemisch bilden; (b) Bestimmen eines sequentiellen Gaszufuhrzyklus der Reaktivgase, so dass Zufuhren der gasförmigen Metallverbindung, der gasförmigen Siliziumverbindung und des Ammoniak-Gases jeweils mindestens ein Mal innerhalb eines Gaszufuhrzyklus beinhaltet sind; und (c) Aufbringen der Reaktivgase auf das Substrat, indem der Gaszufuhrzyklus mindestens ein Mal wiederholt wird.
  • Die Reaktivgase beinhalten nur fünf Typen von Gasen, wie beispielsweise eine gasförmige Metallverbindung, eine gasförmige Siliziumverbindung, ein Ammoniak-Gas, ein Gemisch einer gasförmigen Metallverbindung und einer gasförmigen Siliziumverbindung, sowie ein Gemisch einer gasförmigen Siliziumverbindung und eines Ammoniak-Gases, da die gasförmige Metallverbindung und das Ammoniak-Gas miteinander reagieren und daher nicht ein Gemisch bilden sollten.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1A bis 1C sind graphische Darstellungen, die die Gaszufuhrzyklen zeigen, unabhängig von der absoluten Höhe der Strömungsgeschwindigkeit und der Abscheidungszeit, gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
  • In der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können verschiedene Gaszufuhrzyklen wie folgt bestimmt bzw. festgelegt werden.
  • Zunächst werden zwischen die Zufuhren der Reaktivgase Zufuhren eines Gases, welches mit keinem der Reaktivgase reagiert, eingeschoben. Die jeweiligen Reaktivgaszufuhren einer gasförmigen Metallverbindung, einer gasförmigen Siliziumverbindung und eines Ammoniak-Gases sind vorzugsweise in einer zyklischen permutierenden Reihenfolge angeordnet, und Zufuhren eines Gases, das mit keinem der drei Komponenten-Gase reagiert, werden dazwischen eingeschoben. Der Zufuhrzyklus kann beispielsweise festgelegt werden als "gasförmige Metallverbindung → nicht reagierendes Gas → gasförmige Siliziumverbindung → nicht reagierendes Gas → Ammoniak-Gas → nicht reagierendes Gas" oder "gasförmige Metallverbindung → nicht reagierendes Gas → Ammoniak-Gas → nicht reagierendes Gas → gasförmige Siliziumverbindung → nicht reagierendes Gas". Bei der chemischen Abscheidung wird ein solcher Zufuhrzyklus wiederholt, um einen Film mit gewünschter Dicke zu bilden.
  • Zweitens sind, da die Reaktivgase Gasgemische beinhalten, die jeweiligen Zufuhren der Reaktivgase, enthaltend eine gasförmige Metallverbindung und ein Ammoniak-Gas, innerhalb des Zufuhrzyklus angeordnet, und Zufuhren eines Gases, das mit keinem der zwei Reaktivgase reagiert, sind dazwischen eingeschoben. Hier kann das Reaktivgas, enthaltend eine Metallverbindung, eine einzige gasförmige Metallverbindung oder ein Gemisch einer gasförmigen Metallverbindung und einer gasförmigen Siliziumverbindung sein. Weiterhin kann selbiges ein Reaktivgas sein, welches Ammoniak-Gas enthält. In diesem Fall kann der Zufuhrzyklus z. B. festgelegt werden als "Mischung aus einer gasförmigen Metallverbindung und einer gasförmigen Siliziumverbindung → nicht reagierendes Gas → Ammoniak-Gas → nicht reagierendes Gas", "gasförmige Metallverbindung → nicht reagierendes Gas → Mischung eines Ammoniak-Gases und einer gasförmigen Siliziumverbindung → nicht reagierendes Gas" oder "Mischung einer gasförmigen Metallverbindung und einer gasförmigen Siliziumverbindung → nicht reagierendes Gas → Mischung eines Ammoniak-Gases und einer gasförmigen Siliziumverbindung → nicht reagierendes Gas". In den obigen Verfahren der Festlegung eines Zufuhrzyklus wird das nicht reagierende Gas zugeführt, um eine Reaktion der Reaktivgase zu verhindern.
  • Drittens kann eine gasförmige Siliziumverbindung anstelle eines nicht reagierenden Gases verwendet werden, um die Gasphasenreaktion zwischen einer gasförmigen Metallverbindung und einem Ammoniak-Gas zu verhindern. Demgemäß wird der Zufuhrzyklus bestimmt durch Einführen bzw. Einschiebeneiner gasförmigen Siliziumverbindung zwischen die jeweiligen Zufuhren der Reaktivgase, enthaltend eine Metallverbindung und Ammoniak. Die jeweiligen Reaktivgaszufuhren einer gasförmigen Metallverbindung, einer gasförmigen Siliziumverbindung und eines Ammoniak-Gases sind beispielsweise in einer zyklischen permutierenden Reihenfolge angeordnet, und Zufuhren einer gasförmigen Siliziumverbindung sind dazwischen geschoben. D. h. der Zufuhrzyklus kann "gasförmige Metallverbindung → gasförmige Siliziumverbindung → Ammoniakgas → gasförmige Siliziumverbindung" sein. Anstelle des obigen Zufuhrzyklus kann der Zufuhrzyklus sein: "Mischung einer gasförmigen Metallverbindung und einer gasförmigen Siliziumverbindung → gasförmige Siliziumverbindung → Ammoniak-Gas → gasförmige Siliziumverbindung", "gasförmige Metallverbindung → gasförmige Siliziumverbindung -* Mischung eines Ammoniak-Gases und einer gasförmigen Siliziumverbindung → gasförmige Siliziumverbindung" oder "Mischung einer gasförmigen Metallverbindung und einer gasförmigen Siliziumverbindung → gasförmige Siliziumverbindung → Mischung eines Ammoniakgases und einer gasförmigen Siliziumverbindung → gasförmige Siliziumverbindung" sein. Wie oben beschrieben ist, können Zufuhren von Reaktivgasen, wie beispielsweise einer gasförmigen Siliziumverbindung, die nicht mit anderen Reaktivgasen reagieren, zwischen die Zufuhren anderer Reaktivgase eingeschoben werden, um Gasphasenreaktionen zu vermeiden.
  • Viertens können die Zufuhrzyklen unterschiedlich bestimmt bzw. festgelegt werden, um die stöchiometrische Zusammensetzung eines Filmes während der Abscheidung zu steuern. Die gewünschte Steuerung der stöchiometrischen Zusammensetzung liefert bessere Übereinstimmungen der physikalischen Eigenschaften zwischen dem abgeschiedenen Film und den oberen/unteren Schichten davon. Solche physikalischen Eigenschaften beinhalten einen Kontaktwiderstand, Stufenbedeckung etc. Im Fall der Abscheidung eines Drei-Komponenten-Nitridfilmes, enthaltend Titan und Silizium, auf einer Silizium-reichen darunter liegenden Schicht, wird beispielsweise ein Silizium-reicher Film (TixSiyN, x < y) in der frühen Phase der Abscheidung abgeschieden, um einen niedrigen Kontaktwiderstand bereitzustellen, und anschließend wird ein Titan-reicher Film (TixSiyN, x > y) in der späten Phase der Abscheidung abgeschieden, um den Filmwiderstand selbst zu vermindern.
  • Um einen solchen Film zu bilden, wird der Zufuhrzyklus so festgelegt, dass er die Zufuhr von mehr gasförmiger Siliziumverbindung als gasförmiger Metallverbindung in der frühen Phase der Abscheidung beinhaltet, wohingegen er so festgelegt wird, dass er mehr Zufuhren gasförmiger Metallverbindung als gasförmiger Siliziumverbindung in der späten Phase der Abscheidung beinhaltet. Beispielsweise wird der Zufuhrzyklus festgelegt als "Si-N-Si-N-Ti-N-" in der frühen Phase der Abscheidung, "Si-N-Ti-N-" in der mittleren Phase der Abscheidung und "Si-N-Ti-N-Ti-N-" in der späten Phase der Abscheidung, wobei Si eine gasförmige Siliziumverbindung ist, N ein Ammoniak- Gas ist und Ti eine gasförmige Titanverbindung ist. In dem obigen Zufuhrzyklus wurde die Aufführung eines nicht reagierenden Gases, welches zwischen den Zufuhren der Reaktivgase zugeführt wurde, ausgelassen.
  • In einigen Fällen kann der Zufuhrzyklus "Si-N-Ti-N-Ti-N-Ti-N- Ti-N-Ti-N-" sein, um den Gesamtgehalt an Silizium in einem abgeschiedenen Film zu vermindern, während eine konstante Zusammensetzung an Silizium beibehalten wird. In den Ausführungsformen ist das in der Metallverbindung einbezogene Metall vorzugsweise ein hitzebeständiges Material und noch bevorzugter ist das hitzebeständige Material Titan, Tantal oder Wolfram. Weiterhin kann die Metallverbindung eine organometallische Verbindung oder eine halogenierte Metallverbindung sein. Im Fall der Verwendung einer organometallischen Verbindung ist diese bevorzugt eine Amido- oder Imido-Verbindung eines Metalls. Bevorzugter ist die Amido-Verbindung eines Metalls eine Amidotitan-Verbindung, und am bevorzugtesten ist die Amidotitan-Verbindung Tetrakisdimethylamidotitan oder Tetrakisdiethy- Tamidotitan.
  • Ähnlich kann beispielsweise, wenn Tantal-tris-diethylamido-t- butylimid als Metallquelle verwendet wird, ein Drei- Komponenten-Nitridfilm, enthaltend Tantal und Silizium, erhalten werden. Die Siliziumverbindung ist vorzugsweise eine Verbindung, umfassend Wasserstoff und Silizium, dargestellt durch SinH2n+2, wobei n eine natürliche Zahl von nicht mehr als 5 ist. Vorzugsweise ist das nicht reagierende Gas H&sub2;, He, N&sub2; oder Ar.
  • In dem Schritt der chemischen Abscheidung wird die Temperatur des Substrats vorzugsweise niedriger als die thermische Zersetzungstemperatur der Metallverbindung gehalten, um die Bildung eines Films mit schlechter Stufenbedeckung aufgrund der Dampfphasenreaktion zu vermeiden.
  • Die vorliegende Erfindung wird in den nachfolgenden Beispielen weiter beschrieben und wird mit anderen Beispielen verglichen, die vorliegende Erfindung sollte jedoch nicht als darauf beschränkt angesehen werden.
  • Sämtliche Reaktionen wurden in einem Reaktor bzw. Reaktionsgefäß aus rostfreiem Stahl durchgeführt. Der Druck in dem Reaktionsgefäß während der Abscheidung betrug 133,3 Pa (1 Torr), während die Temperatur eines in dem Reaktor enthaltenden Siliziumsubstrats bei 180ºC gehalten wurde. Tetrakisdimethylamidotitan, eine metallische Quelle, wurde dem Reaktor durch Einsprudeln eines Argon-Trägergases bei einer Temperatur von 25ºC zugeführt. Die Temperatur der Gaszufuhrleitung wurde bei 100ºC gehalten, um eine Kondensation der Metallverbindung zu vermeiden.
    • Beispiel 1
  • Der Zyklus umfasste aufeinander folgende Zufuhren eines Argon- Trägergases, welches in Tetrakisdimethylamidotitan mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 5 Sekunden eingeströmt wurde, eines Argon-Gases mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 10 Sekunden, eines Ammoniak-Gases mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 143 sccm für 5 Sekunden, eines Argon-Gases bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 10 Sekunden, eines Silan(SiH&sub4;)-Gases mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 38 sccm für 5 Sekunden und eines Argon-Gases bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 10 Sekunden. Der Zyklus wurde 200 Mal wiederholt, wie in Fig. 1A gezeigt ist. Eine Auger-Spektralanalyse des abgeschiedenen Filmes zeigte Zusammensetzungen von Titan, Stickstoff, Silizium, Kohlenstoff und Sauerstoff mit deren spezifischen Peaks an.
    • Beispiel 2
  • Der Zyklus umfasste sequentielle Zufuhren eines Argon- Trägergases, welches in Tetrakisdimethylamidotitan eingeströmt wurde, mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 91 sccm, gemischt mit einem Silan-Gas mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 9 sccm für 5 Sekunden, eines Ammoniak-Gases mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 143 sccm für 5 Sekunden, und eines Argon-Gases mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 10 Sekunden. Der Zyklus wurde 200 Mal wiederholt, wie in Fig. 1B gezeigt. Eine Auger-Spektralanalyse des abgeschiedenen Filmes zeigte Zusammensetzungen von Titan, Stickstoff, Silizium, Kohlenstoff und Sauerstoff mit deren spezifischen Peaks.
    • Beispiel 3
  • Der Zyklus umfasste aufeinander folgende Zufuhren eines Argon- Trägergases, welches in Tetrakisdimethylamidotitan eingeströmt wurde, mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 5 Sekunden, eines Argon-Gases bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 10 Sekunden, eines Ammoniak-Gases bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 13 sccm, gemischt mit einem Silan-Gas mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 38 sccm für 5 Sekunden, und eines Argon-Gases bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 10 Sekunden. Der Zyklus wurde 200 Mal wiederholt, wie in Fig. 1C gezeigt ist. Eine Auger- Spektralanalyse des abgeschiedenen Filmes zeigte Zusammensetzungen von Titan, Stickstoff, Silizium, Kohlenstoff und Sauerstoff mit deren spezifischen Peaks.
    • Vergleichsbeispiel 1
  • Der Zyklus umfasste aufeinander folgende Zufuhren eines Argon- Trägergases, welches in Tetrakisdimethylamidotitan eingeströmt wurde, mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 5 Sekunden, eines Argon-Gases bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 10 Sekunden, eines Silan-Gases mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 38 sccm für 5 Sekunden, und eines Argon-Gases mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 10 Sekunden. Der Zyklus wurde 200 Mal wiederholt, wobei jedoch kein Film auf dem Siliziumsubstrat gebildet wurde.
    • Vergleichsbeispiel 2
  • Der Zyklus umfasste aufeinander folgende Zufuhren eines Ammoniak-Gases bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 143 sccm für 5 Sekunden, eines Argon-Gases bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 10 Sekunden, eines Silan-Gases mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 38 sccm für 5 Sekunden, und eines Argon-Gases bei einer Strömungsgeschwindigkeit von 100 sccm für 10 Sekunden. Der Zyklus wurde 200 Mal wiederholt, wobei jedoch kein Film auf dem Siliziumsubstrat gebildet wurde.
  • Die Vergleichsbeispiele zeigen, dass Reaktivgase einer gasförmigen Metallverbindung, einer gasförmigen Siliziumverbindung und eines Ammoniak-Gases jeweils mindestens ein Mal innerhalb des Gaszufuhrzyklus enthalten sein sollten, um einen Drei- Komponenten-Nitrid-Film, enthaltend Metall und Silizium, zu bilden.

Claims (18)

1. Verfahren zur Bildung eines Drei-Komponenten-Nitridfilms, enthaltend Metall und Silizium, auf einem Substrat, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
(a) Bereitstellen separater Reaktivgase, wobei jedes mindestens eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einer gasförmigen Metallverbindung, einer gasförmigen Siliziumverbindung und einem Ammoniakgas aufweist, unter solchen Bedingungen, dass die gasförmige Metallverbindung und das Ammoniakgas nicht ein Gemisch bilden;
(b) Bestimmen eines sequenziellen Gaszufuhrzyklus der Reaktivgase, so dass Zufuhren der gasförmigen Metallverbindung, der gasförmigen Siliziumverbindung und des Ammoniakgases jeweils mindestens einmal innerhalb eines Gaszufuhrzyklus beinhaltet sind;
(c) Aufbringen der Reaktivgase auf das Substrat, indem der Gaszufuhrzyklus mindestens einmal wiederholt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der eine Gaszufuhrzyklus die Zufuhren eines Gases beinhaltet, welches mit keinem der Reaktivgase reagiert, wobei jede Zufuhr zwischen den Zufuhren der Reaktivgase vorgenommen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die jeweiligen Zufuhrzyklen so bestimmt werden, dass sie verschiedene Zeiten der Reaktivgaszufuhren beinhalten, um die stöchiometrische Zusammensetzung des Drei-Komponenten-Nitridfilms zu verändern, wodurch bessere Annäherungen der physikalischen Eigenschaften zwischen dem Drei-Komponenten-Nitridfilm und den oberen/ unteren Schichten davon bereitgestellt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der chemische Gasphasenabscheidungsschritt durch Wiederholung von Zufuhrzyklen durchgeführt wird, wobei die Zufuhrzyklen jeweils relativ mehr Zufuhren an gasförmiger Siliziumverbindung in dem früheren Stadium des Abscheidungsschritts beinhalten, während die Zufuhrzyklen im späteren Stadium des Abscheidungsschritts mehr Zufuhren an gasförmiger Metallverbindung beinhalten, um den Kontaktwiderstand zwischen dem Drei- Komponenten-Nitridfilm und den oberen/unteren Schichten davon zu vermindern.
5. Verfahren nach Anspruch 2, wobei innerhalb des einen Zufuhrzyklus die jeweiligen Zufuhren einer gasförmigen Metallverbindung, einer gasförmigen Siliziumverbindung und eines Ammoniakgases in einer zyklisch permutierenden Reihenfolge vorgesehen sind, wobei zwischen den Reaktivgaszufuhren Zufuhren eines Gases, das mit keinem der drei Komponentengase reagiert, vorgenommen werden.
6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei innerhalb des einen Zufuhrzyklus die jeweiligen Reaktivgaszufuhren, enthaltend eine gasförmige Metallverbindung und ein Ammoniakgas, so vorgesehen sind, dass dazwischen Zufuhren eines Gases, welches mit keinem der zwei Reaktivgase reagiert, vorgenommen werden.
7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei innerhalb des einen Zufuhrzyklus die jeweiligen Zufuhren der Reaktivgase, enthaltend eine gasförmige Metallverbindung und ein Ammoniakgas, so vorgesehen sind, dass dazwischen Zufuhren einer gasförmigen Siliziumverbindung vorgenommen werden.
8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei innerhalb des einen Zufuhrzyklus die jeweiligen Zufuhren einer gasförmigen Metallverbindung, einer gasförmigen Siliziumverbindung und eines Ammoniakgases in einer zyklischen permutierenden Reihenfolge vorgesehen sind, wobei dazwischen Zufuhren einer gasförmigen Siliziumverbindung vorgenommen werden.
9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Metall aus der hitzebeständigen Metallgruppe ausgewählt ist, bestehend aus Titan, Tantal und Wolfram.
10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metallverbindung eine organometallische Verbindung ist.
11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metallverbindung eine halogenierte Metallverbindung ist.
12. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die organometallische Verbindung mindestens eine Amido- oder Imidogruppe aufweist.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Amido-metallische Verbindung eine Amido-Titan-Verbindung ist.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Amido-Titan- Verbindung Tetrakisdimethylamidotitan oder Tetrakisdiethylamidotitan ist.
15. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die organometallische Verbindung Tantal-tris-diethylamido-t-butylimid ist.
16. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Siliziumverbindung eine Verbindung ist, welche Wasserstoff und Silizium aufweist, dargestellt durch SinH2n+2, wobei n eine natürliche Zahl von nicht größer als 5 ist.
17. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das nicht reagierende Gas aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus H&sub2;, He, N&sub2; und Ar.
18. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Temperatur des Substrats während der chemischen Abscheidung niedriger als die thermische Zersetzungstemperatur der Metallverbindung gehalten wird.
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