DE69833273T2 - Mikrosatelliten mit integrierten schaltkreisen - Google Patents

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Description

  • Verwandte Anmeldung
  • Die Erfindung ist verwandt mit der gleichzeitig anhängigen vorläufigen Anmeldung Nr. 60/063,392, eingereicht am 10. Oktober 1997, für einen "Mikrosatelliten mit integrierten Schaltungen". Die verwandte Anmeldung hat dieselben Erfinder und Rechtsnachfolger wie die vorliegende Erfindung.
  • Gebiet der Erfindung
  • Das Gebiet der vorliegenden Erfindung betrifft allgemein die Kapselung elektronischer Vorrichtungen und elektromechanischer Systeme und insbesondere Mikrosatelliten.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Ein Ziel moderner Technologie besteht darin, Konstruktionen für die Kapselung elektronischer Vorrichtungen, elektrischer Systeme und elektromechanischer Systeme anzubieten, welche die Zuverlässigkeit erhöhen und gleichzeitig das Volumen minimieren. Eine solche Kapselung nennt man Mikrokapselung, und es ist ein Konstruktionsziel, das in den letzten Jahren ein überaus großes Interesse gefunden hat. Mikrokapselungstechniken führten zu einer Reihe neuer Produkt- und Systemkonstruktionen, einschließlich Mikrosatelliten, die multiple Funktionen, erhöhte Zuverlässigkeit und ein minimales Volumen bieten. Solche Mikrosatelliten verringern das Nutzlastgewicht und gleichzeitig die Startkosten.
  • Mikrosatelliten werden sehr schnell wichtige wissenschaftliche und wirtschaftliche Gegebenheiten. Jedoch sind die meisten Satelliten, die in diese Klasse fallen, immer noch ziemlich groß (~ 50 kg, ~ 0,5 m). Eines der Haupthindernisse für eine weitere Verringerung dieser Parameter ist die mangelnde Integration aller Funktionen des Satelliten. Typischerweise sind die meisten Satelliten aus körperlich getrennten Untersystemen aufgebaut, von denen jedes aus einer Kombination aus Leiterplatten und Bauteilen zusammengesetzt ist. Durch diese Methode der Aufteilung werden wertvoller Raum und wertvolles Gewicht direkt verschwendet durch steigende Anforderungen an Aufbau und Leistungs-Ressourcen des Satelliten.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Mikrosatelliten mit vielfältigen Funktionen zu geringeren Kosten, aber mit erhöhter Zuverlässigkeit, zu schaffen.
  • Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, einen im wesentlichen integrierten Satelliten (INT-SAT) zu bieten, bestehend aus der gesamten elektronischen Schaltungstechnik eines voll funktionsfähigen Satelliten, die in einem einzigen Modul komprimiert ist.
  • Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, Konstruktionen auf der Basis von integrierten Schaltungen bereitzustellen, um Gewicht und Volumen elektronischer und elektromechanischer Systeme zu minimieren, bei gleichzeitiger Erhöhung der Zuverlässigkeit.
  • Diese und andere Ziele der Erfindung werden durch eine Ausfqührungsform der Erfindung verwirklicht, indem Wafer mit integrieren Schaltungen hergestellt werden, um auf jedem Wafer individuelle Funktionen bereitzustellen. Die Wafer werden im Inneren eines Gehäuses in gestapelter Konfiguration montiert, wobei die Wafer voneinander beabstandet und parallel zueinander angeordnet werden. Zwischen den Wafern sind mittels elektrischer Verbindungsmittel elektrische Querverbindungen vorgesehen, um elektrische Verbindungen entlang der Kanten der Wafer zu schaffen. Die Zuverlässigkeit wird dadurch gesteigert, dass zwischen zwei oder mehr Wafern eine Funktionsredundanz vorgesehen ist. In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Daten zwischen den Wafern elektro-optisch mit Hilfe lichtemittierender und lichterfassender Einrichtungen übertragen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die Erfindung wird mit Bezug auf die Figuren beschrieben, in denen gleiche Positionen mit denselben Bezugsbezeichnungen gekennzeichnet sind.
  • 1 ist eine schematische Ansicht eines Infrarot-Teleskop-Mikrosatelliten, der mehrere Ausführungsformen der Erfindung beinhaltet, wobei die schematische Ansicht die Front und die Seite des Mikrosatelliten zeigt.
  • 2 ist eine schematische Ansicht des Mikrosatelliten von 1, von der Seite und von hinten gesehen.
  • 3 ist eine weitere schematische Ansicht des Mikrosatelliten von 1, mit Blickrichtung in die Front des Satelliten, wobei ein Teil der Abdeckung eines mittig angebrachten Gehäuses für ein integriertes Elektronikmodul entfernt wurde, um verschiedene Details zu zeigen.
  • 4A ist eine Explosions-Montageansicht, welche die Kapselung einer beabstandeten, gestapelten Anordnung von Wafern mit integrierter Schaltung für verschiedene Ausführungsformen der Erfindung zeigt, in einem Beispiel, das zur Verwendung in dem Mikrosatelliten von 1 konfiguriert, aber nicht darauf beschränkt ist.
  • 4B zeigt eine Detail-Ansicht der zusammenpassenden Schnittstelle zwischen den beiden Hälften des Gehäuses von 4A.
  • 4C zeigt eine Detail-Ansicht eines Wafer-Haltesteges und seiner Nut.
  • 5A ist eine Draufsicht eines Wafers mit integrierter Schaltung für eine Ausführungsform der Erfindung.
  • 5B ist ein Querschnitts-Aufriss von vorne eines Gehäuses, die den Einbau eines Wafers mit integrierter Schaltung für eine Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 6A zeigt eine schematische Ansicht eines Kontaktfingers für eine Ausführungsform der Erfindung.
  • 6B zeigt eine bildliche Detail-Ansicht der Halterung für fünf Feder-Kontaktfinger in einer Nut des Gehäuses, zum Halten und elektrischen Verbinden eines Abschnitts eines Wafers mit integrierter Schaltung.
  • 6C zeigt einen Seiten-Aufriss der Halterungs-Baugruppe der 6A und 6B.
  • 7 zeigt eine vereinfachte Schnittansicht einer Vielzahl von in einem Gehäuse montierten Wafern mit integrierter Schaltung für eine Ausführungsform der Erfindung.
  • 8 ist eine Detail-Ansicht eines Abschnitts eines Wafers mit integrierter Schaltung, der Lichterfassungsvorrichtungen, lichtemittierende Vorrichtungen und Signalverarbeitungsschaltungen für eine Ausführungsform der Erfindung aufweist.
  • 9 ist eine vereinfachte Ansicht entlang der Kanten zweier beabstandeter Wafer mit integrierter Schaltung, die eine elektro-optische Datenkommunikation zwischen den einander gegenüberliegenden, epitaktisch gewachsenen oder auf andere Weise auf die Wafer mit integrierter Schaltung aufgebrachten lichtemittierenden Vorrichtungen und Lichterfassungsvorrichtungen darstellt.
  • 10 zeigt einen Wafer mit integrierter Schaltung, der ein Oberflächenraster aufweist, und eine Anordnung von Lichterfassungsvorrichtungen, für eine Ausführungsform der Erfindung, die in einem Infrarot-Teleskop für einen Mikrosatelliten eingebaut ist.
  • 11 zeigt einen Wafer mit integrierter Schaltung, der auf einer Seite eine integrierte photolithographische Spiralantenne und eine Photomischvorrichtung und auf der anderen Seite eine Massenplatte aufweist, für eine weitere Ausführungsform der Erfindung.
  • Ausführliche Beschreibung der Erfindung
  • Wie im Folgenden beschrieben wird, bietet die vorliegende Erfindung einen vollkommen integrierten Satelliten (INT-SAT), der die gesamte Elektronik eines voll funktionsfähigen Satelliten in einem einzigen Modul komprimiert enthält. Dieses Modul ist sehr kompakt und leicht und so gebaut, dass es speziell konstruierte 4 bis 8 Inch große Silizium-Wafer und GaAs-Größen-Chips aufweist. Dank des kreativen Anwendung von Halbleiterverarbeitungs- und Kristallwachstums-Techniken können alle für einen Satelliten gemäß dem Stand der Technik erforderlichen Bauteile auf den Silizium- und GaAs-Chips implementiert werden. Das komprimierte Elektronikmodul des INT-SAT hat typischerweise ein Volumen von nur 200 Kubikzentimetern und wiegt typischerweise weniger als 500 Gramm. Da die Elektronik das Herzstück fast jeder Mission ist, führt die Integration der vorliegenden Erfindung zu enormen Gewichts- und Größen-Einsparungen, wodurch die Masse des Satelliten auf deutlich unter 10 kg verringert werden kann. Man beachte jedoch, dass die gekapselten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung nicht auf den Gebrauch in Mikrosatelliten beschränkt sein sollen, da solche Ausführungsformen ein breites Anwendungsfeld für die Minimierung des Volumens verschiedener elektronischer Vorrichtungen haben.
  • 1 zeigt eine schematische Ansicht eines Mikrosatelliten 2, der verschiedene Ausführungsformen der Erfindung beinhaltet. Die in diesem Beispiel gezeigte Konfiguration ist für ein Mikrosatelliten-Teleskop bestimmt, das für spektroskopische Bilderzeugung in den Bereichen des sichtbaren, des nahen Infrarot- und des Kurzwelleninfrarot-Lichts geeignet ist. Die Erfindung soll jedoch nicht auf diese Ausführungsform beschränkt sein, und verschiedene der in dem beispielhaften Mikrosatelliten-Teleskop eingebauten Ausführungsformen der Erfindung haben einen breiteren Anwendungsbereich für die Mikrominiaturkapselung von elektronischen Vorrichtungen mit integrierten Schaltungen. Wie in diesem Beispiel dargestellt, weist der Mikrosatellit eine Batterieeinheit 4 auf, die auch als Gegengewicht am Ende eines Schwerkraftgradientenauslegers 6 dient. Das andere Ende des Schwerkraftgradientenauslegers ist starr mit einer hohlen zentralen Nabe 8 eines Rollverhinderungs-Stabilisierungsschwungrades 10 verbunden. Das Rollverhinderungs-Stabilisierungsschwungrad 10 weist drei am äußersten Umfang gelegene bogenförmige Segmente 12 auf, die, wie abgebildet, durch Speichen 14 mit der zentralen Nabe 8 verbunden sind. 2, die eine schematische Ansicht des hinteren oder rückwärtigen Abschnitts des Mikrosatelliten 2 ist, zeigt, wie in dem aufgeschnittenen Abschnitt des Schwerkraftgradientenauslegers 6 dargestellt, dass ein Flachbandkabel 16 vom Ausleger 6 umschlossen wird, das Strom von der Batterieeinheit 4 durch die Nabe 8 in ein Gehäuse für integrierte Wafer 19 leitet. Wie im Folgenden noch näher beschrieben wird, wird das Flachbandkabel 16 sowohl dazu verwendet, um die von den Solarzellen 18 abgezweigte Ladespannung elektrisch zu leiten, um die Batterieeinheit 4 wieder aufzuladen, als auch dazu, um während der Zeiten der Dunkelheit in der Umlaufbahn Strom von der Batterieeinheit zum Gehäuse für integrierte Wafer 19 zu leiten. Der Mikrosatellit 2 weist ferner ein parabolisches Außengehäuse 20 zwischen der Nabe 8 und einer zehnseitigen vieleckigen Außengehäuseverkleidung 22 auf, die, wie abgebildet, mit Solarzellen 18 bedeckt ist. Die Solarzellen sind unter Verwendung eines (nicht abgebildeten) geeigneten Epoxidharz-Klebers an der Gehäuseverkleidung 22 befestigt. Die Außengehäuseverkleidung ist an ihrem abschließenden Ende offen, und eine Vielzahl von Montagespeichen 24 sind zwischen der inneren Wandfläche der Verkleidung 22 und dem Gehäuse für integrierte Wafer 19 verbunden. Das (nicht abgebildete) Flachbandkabel wird durch hohle Abschnitte der Speichen 24 geführt, um die Solarzellen 18 elektrisch mit den IC-Wafern im Gehäuse 19 zu verbinden.
  • Es wird nun weiterhin Bezug genommen auf 1 und 2 sowie auch auf 3. Das Gehäuse für integrierte Wafer 19 ist an seinem Frontende offen, so dass eine auf einem Wafer mit integrierter Schaltung 28 ausgebildete integrierte photolithographische Spiralantenne und Photomischvorrichtung 26 freiliegt. In 3 ist ein Abschnitt des Gehäuses für integrierte Wafer 19 entfernt worden, um die gestapelte Anordnung von aufeinanderfolgenden integrierten Wafern 32 zu zeigen, die auf eine Art und Weise, die im Folgenden noch näher beschrieben wird, im Gehäuse 19 fest montiert sind. In diesem Beispiel ist das innerste Ende des Gehäuses 19 offen, um ein kreisförmiges, transparentes Saphir-Fenster 30 freizulegen (siehe 4A). Das parabolische Gehäuse 20 hat eine verspiegelte Innenwandfläche 34, um das am vorderen Abschnitt des Mikrosatelliten 2 eintretende und in das transparente Fenster 30 gelangende Licht zu reflektieren. Man beachte, dass das transparente Fenster 30 dieselbe Form hat wie jeder der integrierten Wafer 32. Das die integrierten Wafer 32, den Spiralantennen-Wafer 26 und den transparente Fenster-Wafer 30 umschließende Gehäuse für integrierte Wafer 19 bildet ein integriertes Elektronikmodul 36, in dem die Wafer 32 verarbeitet werden, um integrierte Schaltungen aufzuweisen, die in diesem Beispiel einen Busabschnitt, einen Instrumenten- oder Steuerabschnitt und einen Leistungsabschnitt für den Mikrosatelliten 2 bereitstellen.
  • 4A zeigt eine Explosions-Montageansicht des integrierten Elektronikmoduls 36. Wie abgebildet, weist das Gehäuse für integrierte Wafer 19 einen ersten halben Abschnitt 38 und einen dazu passenden zweiten halben Abschnitt 40 auf. Jeder halbe Abschnitt weist eine Vielzahl von Nuten 42 auf, die, wie abgebildet, in eine Vielzahl von aufeinanderfolgenden Abstandshaltern oder Wafer-Haltestegen 44 ausgebildet sind. In diesem Beispiel hat das Gehäuse für integrierte Wafer 19 eine zylindrische Form, es kann jedoch auch eine anders geformte Außenfläche haben. In dem Zwischenraum zwischen den Wafer-Haltestegen 44 wird eine Vielzahl von Wafer-Halte-Fingerkontakten 46 mit Hilfe von Achszapfen 48 und Federsicherungszapfen 50 zwischen den Wafer-Haltestegen 44 gehalten, wie in 6A, 6B und 6C dargestellt. Man beachte ferner, dass, wie in 5A dargestellt, jeder der Wafer 32 einen flachen oder sekantenförmigen Kantenabschnitt 52 hat, der fluchtet, wenn die Wafer 32 in das erste Halbabschnitt-Gehäuse 38 montiert werden, das zum zweiten Halbabschnitt-Gehäuse 40 ausgerichtet werden muss, wodurch, wenn Letzteres mit Ersterem verbunden wird, der flache Innenflächenabschnitt 54 des zweiten Halbabschnitt-Gehäuses 40 und der flache Abschnitt 54 gegeneinanderstoßen, um im Wesentlichen eine Rotation der Wafer 32 zu verhindern und auch, um sicherzustellen, dass die Wafer 32 innerhalb des Wafer-Gehäuses 19 ordnungsgemäß fluchten.
  • Mit Bezug auf 4A und 4B ist zu beachten, dass die in Längsrichtung einander gegenüberliegenden Kantenabschnitte des ersten und des zweiten Halbabschnitt-Gehäuses eine Zunge 56 aufweisen, die in eine Nut 58 von einander gegenüberliegenden Kantenabschnitten des ersten und des zweiten Halbabschnitt-Gehäuses 38 bzw. 40 passt. In der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann das Gehäuse für integrierte Wafer 19 aus Graphit oder Siliziumkarbid bestehen und durch spanende Bearbeitung gefertigt werden, oder aus Kohlefasern bestehen und in einer Form geformt werden. Es können auch Metalle wie Aluminium oder Edelstahl verwendet werden, dann muss jedoch darauf geachtet werden, dass sichergestellt ist, dass die elektrisch leitenden Abschnitte der Federsicherungszapfen 50, der Kontaktfinger 46 und der Achszapfen 48 gegen das elektrisch leitende Gehäuse 19 elektrisch isoliert sind. Man beachte ferner, dass die Achszapfen 48 und die Federsicherungszapfen 50 zwischen den Wafer-Haltestegen 44 unter Verwendung geeigneter mechanischer Befestigungsmittel oder Epoxidharz-Kleber befestigt sind.
  • Ebenfalls mit Bezug auf 5A kann ein typischer integrierter Wafer 32 mindestens drei elektrisch leitende Leiterplatten-Busleitungen aufweisen, wie zum Beispiel eine Busleitung 60 mit positiver Spannung und eine Busleitung 62 mit negativer Spannung und eine Busleitung 64 mit Erdungs- oder Referenzspannung. Der integrierte Wafer 32 kann auch eine Vielzahl von Abschnitten mit integrierter Schaltung 66 aufweisen, die unter Einsatz herkömmlicher Fertigungstechniken für integrierte Schaltungen auf dem Wafer ausgebildet werden. Die integrierten Wafer 32 können aus Silizium-Wafern, GaAs-(Galliumarsenid)-Wafern und so weiter bestehen, je nachdem, wie es die Anwendung verlangt.
  • Ebenfalls mit Bezug auf 4A und 5B sind die Flachbandkabel 68 entweder durch Silberschlaglöten oder Hartlöten auf den rückwärtigen Abschnitten der Kontaktfinger 46 angebracht (siehe 5B), um die geeigneten Spannungen und die Erdung an ausgewählten Haltefingerkontakten 46 anzulegen, wobei die Flachbandkabel 68 als die Busleitung 60 mit positiver Spannung, die Busleitung 62 mit negativer Spannung und die Busleitung 64 mit Erdungs- oder Referenzspannung dienen. Man beachte, dass derartige Busleitungen auch anders als durch Verwendung von Flachbandkabeln bereitgestellt werden können. Wie abgebildet, weisen die Kontaktfinger 46 an ihren innersten Enden Achsdurchführungen 49 auf, durch die die Achszapfen 48 eingeführt werden, um die Achs-Enden der Finger 46 zwischen den Haltestegen 44 zu befestigen. Die Federsicherungszapfen 50 sind ebenfalls starr zwischen den Haltestegen 44 montiert, in Kontakt mit den oberen Flächen der gegenüberliegenden Kontaktfinger 46, um die freien Enden 70 der Kontaktfinger 46 gegen die gegenüberliegenden freien Enden 70 der gegenüberliegenden Kontaktfinger 46 gedrückt zu halten. Die Kontaktfinger 46 können zum Beispiel aus Berylliumkupfer-Federmetall gefertigt sein. Wird ein integrierter Wafer 32 in die Nuten 42 der Wafer-Haltestege 44 eingeführt (siehe 4C), drückt die Kante des Wafers 32 ebenfalls gegen die abgerundeten Abschnitte der Enden 70 der einander gegenüberliegenden Paare von an die Stege 44 angrenzenden Kontaktfingern 46 und presst die einander gegenüberliegenden Kontaktfinger 46 auseinander, so dass der Wafer in die Nuten 42 der Wafer-Haltestege 44 gedrückt werden kann (siehe 4C), während er durch den Reibeingriff mit den Kontaktfingern 46 starr festgehalten wird. Die Enden 70 der Kontaktfinger 46 sind ebenfalls in elektrischem Kontakt mit einer Busleitung für gedruckte Schaltung auf den Wafern 32, um die Busleitungen für gedruckte Schaltungen mit den geeigneten Busleitungen der Flachbandkabel 68 zu verbinden, wie hierin erläutert. Man beachte, dass der Gehäuseabschnitt 38 ebenfalls zwei einander gegenüberliegende längliche Wafer-Haltestege 45 aufweist, entsprechend den Haltestegen 44.
  • Wie in 7 dargestellt, sind die integrierten Wafer 32 in drei Funktionsabschnitte gruppiert. Genauer gesagt, befindet sich eine Gruppe der Wafer 32 in einem Busabschnitt 72, eine zweite Gruppe der Wafer 32 in einem Leistungsabschnitt 74, und eine dritte Gruppe der Wafer 32 in einem Instrumentenabschnitt 76. Der Busabschnitt 72 weist die integrierten Schaltungen für die Bereitstellung von Mikroprozessoren, erforderlichen Datenspeichern, erforderlichen Programmen, die im Speicher gespeichert sind, und so weiter auf. Man beachte, dass auf dem Gehäuse 19 Sonnensensoren 78 angebracht sind, die Signale an den Busabschnitt übermitteln, damit die Stromversorgung des Mikrosatelliten von der Batterieeinheit 4 auf die Solarzellen 18 umgeschaltet wird, wenn der Mikrosatellit 2 von der Dunkelheit ins Sonnenlicht fliegt, und umgekehrt. Man beachte, dass in diesem Beispiel jeder der integrierten Wafer 32 eine bestimmte Funktion für den Mikrosatelliten 2 bereitstellt. Für eine höhere Zuverlässigkeit kann eine Vielzahl identischer integrierter Wafer 32 vorgesehen werden, um zu gewährleisten, dass, wenn einer der integrierten Wafer 32 defekt wird, ein anderer zur Verfügung stehen wird, um dieselben Funktionen zu bereitzustellen, um sicherzustellen, dass der Mikrosatellit 2 weiterhin ordnungsgemäß arbeitet. Die Länge des Gehäuses für integrierte Wafer 19, L1, beträgt in diesem Beispiel ungefähr 100 Millimeter, während der als Abmessung L2 abgebildete Durchmesser des zylindrischen Gehäuses ungefähr 100 Millimeter beträgt. In unterschiedlichen Anwendungen können die Länge L1 und der Durchmesser L2 größer oder kleiner als die hier angegebenen Abmessungen sein.
  • Die in 7 weiter oben dargestellte Konstruktion mit mehreren Wafern ist von modularer Art. Die gesamte Grundfunktionalität der Satellitenplattform befindet sich auf den Wafern 32 im Busabschnitt 72 des INT-SAT, wodurch der Instrumentenabschnitt 76 frei bleibt zur Anpassung an verschiedene Missionen. Die Idee besteht darin, eine Architektur bestehend aus einem Stapel von Wafern 32 zu haben, so dass jeder eine bestimmte Funktionalität haben kann. Wenn an der Konstruktion eines bestimmten Wafers Änderungen vorgenommen werden müssen, kann jener Wafer 32 recht einfach durch einen anderen ersetzt werden. Außerdem werden, wenn eine höhere Zuverlässigkeit benötigt wird, parallele Wafer 32 mit gleicher Funktionalität installiert, um eine Sicherungsmöglichkeit zu bieten. Wenn also bei einem Start ein Wafer 32 nicht mehr funktioniert, kann der andere, der dieselbe Funktionalität hat, die Mission durchführen. Außerdem wird in einer Halbleitergießerei üblicherweise ein Los von 25 bis 50 identischen Wafern routinemäßig hergestellt, so dass die Herstellung mehrerer Wafer 32 mit gleicher Funktionalität die Produktionskosten nicht erhöht.
  • In 8 können für dieses Beispiel eines Mikrosatelliten-Teleskops die Abschnitte mit integrierter Schaltung 66 auf einem integrierten Wafer 32 zur Verwendung im Instrumentenabschnitt 76 integrierte Schaltungen aufweisen, wie zum Beispiel eine Vielzahl von Lichtdetektoren mit integrierter Schaltung 80, eine Vielzahl von Lichtemittern mit integrierter Schaltung 82 und die erforderlichen sonstigen integrierten Schaltungen 84, um das von den Lichtdetektoren 80 erfasste Licht in elektrische Signale umzuwandeln und um die Lichtemitter 82 dazu anzutreiben, durch Daten moduliertes Licht 86 auszusenden. Als Lichtdetektoren 80 bzw. Lichtemitter 82 können zum Beispiel Indium-Galliumarsenid-Lichtdetektoren und -Lichtemitter eingesetzt werden. Als Schaltkreise 84 können zum Beispiel CMOS-Schaltungen eingesetzt werden. In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung können als Lichtdetektoren 80 und dazugehörige Auslese-Schaltkreise 84 monolithische optoelektronische integrierte Schaltungen eingesetzt werden, die eine Photodiode und CMOS-Auslese-Schaltungen aufweisen, wie sie beschrieben werden im US-Patent Nr. 5,621,227 mit dem Titel "Method and Apparatus for Monolithic Optoelectronic Integrated Circuit Using Selective Epitaxy", das dieselben Erfinder und Rechtsnachfolger wie die vorliegende Erfindung hat. Die Lehren dieses Patents sind durch diese Erwähnung hierin enthalten, soweit sie nicht hiermit kollidieren.
  • Wie in 9, einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, dargestellt, bilden zwei integrierte Wafer 32, die jeweils eine Vielzahl von integrierten Schaltungen 66, wie in 8 dargestellt, aufweisen, eine nah-fokussierte dreidimensionale Integrationsarchitektur für die Übertragung von Daten zwischen zwei oder mehr aufeinanderfolgenden gestapelten, wie beschrieben hergestellten, integrierten Wafern 32. Durch Verwendung der beschriebenen optischen Glieder zwischen den lichtemittierenden Einrichtungen 82 und den Lichterfassungseinrichtungen 80 können Daten of elektro-optischem Wege übertragen werden, ohne Verwendung einer Festverdrahtung.
  • In diesem Beispiel dienen aus InGaAs auf Silizium ausgebildete Detektoren, die mit Wellenlängen im Bereich 1100 nm bis 1600 nm arbeiten, als Eingänge einer generischen Signalverarbeitungseinheit. Die Verwendung eines InGaAs-Materials und der angegebene Wellenlängenbereich bieten Kompatibilität mit Faseroptik, gute Detektorleistung und Chip-Transparenz. Die Schaltungen können unter Verwendung von Silizium-CMOS-Technik implementiert werden. Das ermöglicht einen Prozessor von fast unbegrenzter Größe, Leistung und Komplexität, wodurch eine hohe Konstruktionsflexibilität erreicht wird. Die Ausgänge des Prozessors können LED (Lichtemitterdioden) oder Laser, die aus demselben InGaAs auf Silizium wie die Detektoren ausgebildet sind, antreiben. Durch diese Fähigkeit, optische Quellen auf demselben Chip wie dem Prozessor wachsen zu lassen (siehe US-Patent 5,621,227), kann das ganze System funktionieren.
  • Die Architektur des INT-SAT ist speziell dafür ausgelegt, viele verschiedene Missionsinstrumente zu unterstützen. Das vorliegende erläuternde Beispiel ist für Fernabtast-Anwendungen gedacht, insbesondere für die Erzeugung von Bildern von der Erde in den Bereichen des sichtbaren, des nahen Infrarot- und des Kurzwelleninfrarot-Lichts. Photodetektorenanordnungen aus InGaAs auf Silizium können Bilder im Wellenlängenbereich von 0,3 bis 2,6 Mikrometern erfassen, indem sowohl Silizium- als auch InGaAs-Materialien als Photosensoren eingesetzt werden. Außerdem sind spektrographische Informationen von großem Nutzen bei Fernabtast-Anwendungen. Deshalb ist das vorliegende integrierte spektroskopische Fernabtast-Bilderzeugungs-Instrument eine der Anwendungen der vorliegenden Erfindung.
  • Der grundlegende Erfindungsgedanke kann angewandt werden, um sowohl eine Photodetektoren-Anordnung 88 als auch ein optisches Oberflächenraster 90 auf demselben Silizium-Substrat herzustellen (siehe 10). Der Silizium-Chip 92 ist in drei Bereiche unterteilt: die Detektoren-Anordnung und die Auslese-Elektronik 88, und den Rasterbereich 90. Das durch einen Eingangsschlitz 95 einfallende Licht wird auf das Oberflächenraster 90, das metallisiert und deshalb reflektierend ist, geleitet. Das Licht wird vom Raster 90 weg gebeugt und durch einen gekrümmten Fokussierspiegel 94 (der Teil eines benachbarten Wafer-Aufbaus sein kann) auf die Photodetektoren-Anordnung 88 fokussiert. In der abgebildeten Mehrfachanordnungs-Vorrichtung gibt es mehrere Anordnungen, die parallel zu den Rasternuten an speziellen Orten angeordnet sind. Diese Ausführung bewirkt, dass jede Anordnung 88 eine Reihe von Pixeln einer speziellen Wellenlänge erfasst, wobei jede Anordnung eine andere Wellenlänge registriert. Das ist für eine spektrale Fenster-Bilderzeugung am besten geeignet. "Spektrale Fenster-Bilderzeugung" bedeutet die Erfassung eines vollständigen Bildes unter Verwendung von zwei (oder mehr) vorgegebenen Wellenlängen. Der erhaltene Datensatz hat die Form I(x,y,λi;), wobei i = 1, 2...n. Diese Vorrichtung ist zur Verwendung in einer Spektrallinien-Abtast-Kamera am besten geeignet. Für das zur Herstellung eines vollständigen Bildes erforderliche mechanische Abtasten kann die Bewegung des Satelliten auf seiner Umlaufbahn genutzt werden (Pushbroom-Technik).
  • Der integrierte Mikrosatellit dieses Beispiels kann, wiederum mit Bezug auf 1 bis 3, in einer der Erde zugewandten Ausrichtung in einer niedrigen Erdpol-Umlaufbahn gehalten werden. Das integrierte Elektronikmodul 36 des INT-SAT befindet sich auf der Erdseite des Mikrosatelliten 2. Das Fernabtast-Teleskop dieses Beispiels bildet den größten Teil des Mikrosatelliten 2. Die Optik kann entweder ein einfacher Newtonscher Reflektor oder ein Schmitt-Teleskop sein, der/das die richtige Erdzuwendungs-Geometrie bietet und einen Einzelspiegel hat. Den Tubus des Teleskops bildet das zehnseitige vieleckige Gehäuse 22, dessen Außenflächen mit Solarzellen 18 bedeckt sind. Das Rollverhinderungs-Stabilisierungsschwungrad 10 befindet sich hinter dem Teleskopspiegel 34. Die Außenfläche des Rades 10 kann ebenfalls mit Solarzellen bedeckt sein. Der lange, ausziehbare Schwerkraftkraftgradientenausleger 16 erstreckt sich vom rückwärtigen Teil des Mikrosatelliten 2 aus und trägt die Batterieeinheit 4, die auch als Gegengewicht dient. Nach der Entfaltung dient die Schwerkraftkraftgradientenwirkung dazu, den Satelliten der Erde zugewandt zu halten, wodurch Schrägstellung und Gierung passiv gesteuert werden. Man beachte, dass alle Bauteile außer dem Busleitungs- Instrumenten- bzw. Leistungsabschnitt 72, 76 bzw. 74 (integrierte Elektronik) passiv sind.
  • Der ganze Satellit ist sehr klein, er nimmt nur ein Volumen von 5000 Kubikzentimetern ein. Das Busleitungsinstrumenten-(integrierte Elektronik-)Modul 36 selbst nimmt nur 200 Kubikzentimeter ein und wird wahrscheinlich weniger als 500 Gramm wiegen. Das zeigt, wie sehr durch die Integration Nutzlastgröße und -gewicht verringert werden.
  • Eine vereinfachte schematische Zeichnung der Konstruktionskonzeption ist in 3 dargestellt. Der in 11 dargestellte Antennenaufbau 26 wird auf photolithographischem Wege auf einem isolierenden Substrat (Wafer) 28 mit einer Massenplatte 27 hergestellt. Die Antenne 26 ist vom Typ einer doppelten gleichwinkligen Spirale, die für ihre große Bandbreite und kreisförmige Polarisation wohl bekannt ist. Dies sind wünschenswerte Eigenschaften, da die Frequenz hoch ist und die Ausrichtung des Satelliten zur Bodenstation nicht bekannt ist. In der Mitte der Antenne 26 befindet sich ein lichtundurchlässiger Abschnitt 96 aus InGaAs, der die zwei Spiralarme 98 verbindet. Es sind auch Verbindungen zu den Kanten der Antenne 26 vorhanden (die hier als konzentrierte Schaltungselemente 100 dargestellt sind), als Vorspannungs- und Signaleingang.
  • Der lichtundurchlässige Abschnitt 96 aus InGaAs wird von einem (nicht abgebildeten) Impulslaser von unten beleuchtet. Das gepulste Laserlicht passiert eine Öffnung 31 in einer Massenplatten-Metallisierung am Boden des Substrats 28 und durch ein im Substrat 25 des integrierten Wafers 28 vorhandenes Fenster 29. Dadurch wird der Widerstand des lichtundurchlässigen Abschnitts 96 mit der Frequenz des gepulsten Lichts moduliert. Wird die Antenne 26 mit einer Gleichstromspannung vorgespannt, so bewirkt dies, dass ein Wechselstrom in der Antenne entsteht. Der Antennenaufbau, die Kantenbauteile und der lichtundurchlässige Abschnitt 96 können so gewählt werden, dass die Antenne 26 auf die Betriebsfrequenz abgestimmt ist, wodurch der oszillierende Strom verstärkt wird. Dieser Strom regt die Antenne 26 zur Ausstrahlung an.
  • Der Impulslaser kann auf verschiedene Arten implementiert werden, aber eines der vielversprechendsten Verfahren besteht darin, einen passiv phasengekoppelten Halbleiter-Laser herzustellen. Diese Technik, die bereits demonstriert wurde, erzeugt einen Laser, der Impulse emittiert, deren Frequenz durch die optische Länge des Hohlraums bestimmt wird. Bei der hier gegebenen Frequenz und den gewählten Materialien ist der Hohlraum ca. 0,75 mm lang, was gut innerhalb der praktischen Herstellungsgrenzen liegt. In der integrierten Busleitung wird der Laser auf einem Wafer unterhalb des Antennenwafers angebracht, er hätte jedoch optischen Zugang zum lichtundurchlässigen Abschnitt 96 aus InGaAs.
  • Zwar wurden vorstehend verschiedene Ausführungsformen der Erfindung gezeigt und beschrieben, die Erfindung soll jedoch nicht auf diese beschränkt sein. Der Fachmann erkennt vielleicht bestimmte Modifikationen an diesen Ausführungsformen, und diese Modifikationen sollen vom Umfang der anhängenden Ansprüche abgedeckt sein.

Claims (14)

  1. Gekapseltes Wafersystem mit integrierter Schaltung (IC), umfassend: ein zentrales Gehäuse (19); eine Vielzahl von Wafereinrichtungen (32) mit integrierten Schaltungen (IC) zur jeweiligen Bereitstellung zumindest individueller Funktionen; Mittel (44) zum Halten der Vielzahl von IC-Wafereinrichtungen in dem zentralen Gehäuse in beabstandeter und paralleler Ausrichtung unter Bildung einer gestapelten Anordnung hieraus; eine Vielzahl von elektrisch leitenden Buseinrichtungen (68), die an einer Innenfläche des Gehäuses in Längsorientierung angebracht sind, um Strom zu leiten, und eine Referenz-Spannungsquelle jeweils zwischen der Vielzahl von Wafereinrichtungen; eine Vielzahl von elektrischen Verbindungseinrichtungen (46) sowohl zur mechanischen Befestigung der Wafer in dem Gehäuse als auch zur selektiven elektrischen Verbindung der Vielzahl von elektrisch leitenden Buseinrichtungen mit jeweils entsprechenden Busleitungen (60 bis 64), die an der Vielzahl von IC-Wafereinrichtungen ausgebildet sind; Mittel (80 bis 82) zur Schaffung einer Datenkommunikation zwischen aus der Vielzahl ausgewählten IC-Wafereinrichtungen.
  2. Gekapseltes System nach Anspruch 1, bei dem die Datenkommunikationsmittel eine Vielzahl von lichtemittierenden Einrichtungen (82) an den aus der Vielzahl ausgewählten IC-Wafereinrichtungen aufweist, um durch Daten modulierte Lichtwellen an gegenüberliegende IC-Wafereinrichtungen zu übertragen, wobei die gegenüberliegenden IC-Wafereinrichtungen entsprechend eine Vielzahl von Lichterfassungseinrichtungen (80) zum Empfang der datenmodulierten Lichtwellen aufweisen, um letztere in entsprechende elektrische Datenkommunikationssignale zu konvertieren, um dadurch eine elektro-optische Datenkommunikation zwischen ausgewählten, einander gegenüberliegenden IC-Wafereinrichtungen aus der Vielzahl von IC-Wafereinrichtungen bereitzustellen.
  3. Gekapseltes System nach Anspruch 2, bei dem die Vielzahl von lichtemittierenden Einrichtungen Indium-Galliumarsenid-Emitterdioden umfasst.
  4. Gekapseltes System nach Anspruch 2 oder 3, bei dem die Vielzahl von Lichterfassungseinrichtungen Indium-Galliumarsenid-Lichtdetektoren umfasst.
  5. Gekapseltes System nach Anspruch 2, 3 oder 4, bei dem die unter der Vielzahl ausgewählten IC-Wafereinrichtungen CMOS-Schaltungen zur Verarbeitung von entsprechend durch die Lichterfassungseinrichtungen erfassten Datensignalen umfassen.
  6. Gekapseltes System nach Anspruch 2, 3 oder 4, bei dem die aus der Vielzahl ausgewählten IC-Wafereinrichtungen (32) CMOS-Schaltungen zum Empfang elektrischer Datensignale umfassen, um entsprechend zugeordnete lichtemittierende Einrichtungen aus der Vielzahl von lichtemittierenden Einrichtungen anzutreiben.
  7. Gekapseltes System nach einem der vorgenannten Ansprüche, bei dem das Gehäuse (19) aus einem unter Graphit, Siliziumkarbid, Kohlefaser, Aluminium und rostfreiem Stahl ausgewählten Material hergestellt ist.
  8. Gekapseltes System nach einem der vorgenannten Ansprüche, bei dem das Gehäuse zylindrisch ist und eine Vielzahl voneinander beanstandeter Nuten (42) zur entsprechenden Aufnahme der Vielzahl von IC-Wafereinrichtungen aufweist.
  9. Gekapseltes System nach Anspruch 8, bei dem das Gehäuse eine Vielzahl von beabstandeten Abstandshaltern aufweist, die entsprechend radial ausgerichtete Nuten (42) zur Aufnahme der Vielzahl von IC-Wafereinrichtungen aufweisen, wobei die Abstandshalter in aufeinanderfolgenden, voneinander beabstandeten Kreisanordnungen entlang der Innenwand des Gehäuses angeordnet sind.
  10. Gekapseltes System nach einem der vorgenannten Ansprüche, bei dem die Vielzahl von elektrisch leitenden Einrichtungen aus Flachbandkabel (68) besteht.
  11. Gekapseltes System nach Anspruch 9, bei dem die Vielzahl von elektrischen Verbindungseinrichtungen (46) voneinander beabstandet zwischen der Vielzahl voneinander beanstandeter Abstandshalter montiert sind, um die Vielzahl von IC-Wafereinrichtungen entsprechend aufzunehmen.
  12. Gekapseltes System nach einem der vorgenannten Ansprüche, das ein integraler Mikrosatellit ist, und das weiterhin umfasst: ein Außengehäuse (22), das das zentrale Gehäuse umgibt, wobei das zentrale Gehäuse im Zentrum des Außengehäuses liegt und die entsprechenden Längsachsen einander überlagert sind, und ein Vorderabschnitt des Außengehäuses offen ist; eine Vielzahl von Solarzellen (18), die um einen äußeren Vorderabschnitt des Außengehäuses angeordnet und an diesem starr befestigt sind, während der hintere Abschnitt dieses Gehäuses geschlossen ist; eine Batterieeinheit (4); einen Schwerkraftkraftgradientenausleger (16), der mit einem Ende mit der Mitte des hinteren Abschnitts des äußeren Gehäuses verbunden ist, und das andere Ende des Auslegers fest mit der Batterieeinheit verbunden ist; die Vielzahl von IC-Wafereinrichtungen funktionsmäßig in einen Busabschnitt, einen Leistungsabschnitt und einen Instrumentenabschnitt (72 bis 76) gruppiert sind; Mittel zur elektrischen Verbindung der Batterieeinheit (4) mit den IC-Wafereinrichtungen in dem Leistungsabschnitt; und Mittel zur elektrischen Verbindung der Solarzellen (18) mit den IC-Wafereinrichtungen in dem Leistungsabschnitt.
  13. Mikrosatellit nach Anspruch 12, bei dem das zentrale Gehäuse ein offenes Frontende aufweist; und eine IC-Wafereinrichtung aus der Vielzahl von IC-Wafereinrichtungen aus einer integrierten photolithographischen Spiralantenne (26) besteht, die eine an dem offenen Frontende des zentralen Gehäuses montierte Photomischvorrichtung umfasst.
  14. Mikrosatellit nach Anspruch 13, bei dem die integrierte photolithographische Spiralantenne umfasst: ein Substrat, das einen Wafer bildet und einen oberen Abschnitt und einen unteren Abschnitt aufweist; ein Paar elektrisch leitender, gleichwinkliger Spiralarme (98), die an dem oberen Abschnitt des Substrats ausgebildet sind; einen lichtundurchlässigen Abschnitt (96), der in der Mitte des oberen Abschnitts des Substrats ausgebildet ist und das Paar gleichwinkliger Spiralarme verbindet; an dem oberen Abschnitt des Substrats ausgebildete Mittel zum Anlegen von Vorspannungen und Eingangssignalen an die freien Enden der gleichwinkligen Spiralarme; und eine Massenplatte an dem unteren Abschnitt des Substrats (28), wobei die Massenplatte eine zentrale Öffnung aufweist, die gepulstes Laserlicht durch das Substrat passieren lässt, um den lichtundurchlässigen Abschnitt mit einem modulierten Licht zu beleuchten.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012009513A1 (de) * 2012-05-14 2013-11-14 Astrium Gmbh Multifunktionaler Kontroller für einen Satelliten

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6744637B2 (en) * 2001-11-30 2004-06-01 Alliant Techsystems Inc. Guided munitions electronics package and method
US7180736B2 (en) * 2003-07-10 2007-02-20 Visteon Global Technologies, Inc. Microelectronic package within cylindrical housing
US6964205B2 (en) * 2003-12-30 2005-11-15 Tekscan Incorporated Sensor with plurality of sensor elements arranged with respect to a substrate
FR2869292B1 (fr) * 2004-04-23 2006-07-07 Cnes Epic Satellite, procede et flotte de satellites d'observation d'un corps celeste
US20110099421A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-28 Alessandro Geist Radiation-hardened hybrid processor
US20140027577A1 (en) * 2012-07-26 2014-01-30 Alliant Techsystems Inc. Imaging satellite system and method
US9718566B2 (en) * 2015-04-30 2017-08-01 Worldvu Satellites Limited Stackable satellites and method of stacking same
GB201614330D0 (en) 2016-08-22 2016-10-05 Univ Of Sussex The Attitude determination system
JP6841406B2 (ja) * 2016-09-09 2021-03-10 大塚電子株式会社 光学測定方法および光学測定装置
JP6583642B2 (ja) * 2017-03-06 2019-10-02 学校法人電波学園 宇宙航行体、宇宙航行体用コントローラ、制御方法及びコンピュータプログラム
US10745152B2 (en) * 2017-06-01 2020-08-18 Swarm Technologies, Inc. Attitude stabilization and orbital distribution for small satellites
WO2020232337A1 (en) 2019-05-15 2020-11-19 Massachusetts Institute Of Technology Wafer-scale satellite with integrated propulsion and attitude control
JP6775234B2 (ja) * 2019-08-21 2020-10-28 学校法人電波学園 宇宙航行体
CN111030746B (zh) * 2019-11-20 2022-03-18 上海卫星工程研究所 用于微纳卫星的电子拓扑架构
JP6750913B1 (ja) * 2019-12-24 2020-09-02 一般財団法人グローバルヘルスケア財団 宇宙航行体
CN111605726B (zh) * 2020-04-27 2021-10-01 哈尔滨工业大学 一种卫星太阳能帆板驱动装置用传能绕线器
CN112046787A (zh) * 2020-07-31 2020-12-08 航天科工空间工程发展有限公司 一种基于域的微小卫星系统
CN114132534B (zh) * 2021-11-02 2024-03-29 南京航空航天大学 一种低冲击大承载堆栈式多星锁紧释放机构及其工作方法
WO2023122350A2 (en) * 2021-12-23 2023-06-29 WildStar, LLC Structural element having thin film solar cells and thin film antenna elements

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3736546A (en) * 1968-12-10 1973-05-29 J Jones Illumination platter on a mobile vehicle
US3603877A (en) * 1969-06-19 1971-09-07 Jury Alexandrovich Alexeev Light-contact photosensitive measuring instrument with scale range indicators
US3999105A (en) * 1974-04-19 1976-12-21 International Business Machines Corporation Liquid encapsulated integrated circuit package
GB2100064B (en) * 1981-05-29 1984-12-12 Ferranti Ltd Electrical circuit assembly
US4527619A (en) * 1984-07-30 1985-07-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Exoatmospheric calibration sphere
US4922381A (en) * 1986-03-25 1990-05-01 Hughes Aircraft Company Stacked circuit cards and guided configurations
DE3640099A1 (de) * 1986-11-24 1988-06-01 Diehl Gmbh & Co Baugruppenanordnung
DE3908786A1 (de) * 1989-03-17 1989-08-03 Cordell Steve Verfahren zur informationsuebertragung zwischen platinen einer elektronischen schaltung
DE3924659A1 (de) * 1989-07-26 1991-02-07 Lothar Gutjahr Verfahren zum steuern einer digitalen schaltung, insbesondere von rechnerarchitekturen, sowie digitale schaltung
US5199672A (en) * 1990-05-25 1993-04-06 Orbital Sciences Corporation Method and apparatus for deploying a satellite network
EP0596075B1 (de) * 1992-05-15 2001-08-22 Irvine Sensors Corporation Nichtleitende randschicht für integrierten stapel von ic chips
JPH09504654A (ja) * 1993-08-13 1997-05-06 イルビン センサーズ コーポレーション 単一icチップに代わるicチップ積層体
US5621227A (en) * 1995-07-18 1997-04-15 Discovery Semiconductors, Inc. Method and apparatus for monolithic optoelectronic integrated circuit using selective epitaxy
EP0869063A1 (de) * 1996-12-20 1998-10-07 TRW Inc. Energie-, Daten- und RF-Netzwerke für modulare Raumfahrzeuge

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012009513A1 (de) * 2012-05-14 2013-11-14 Astrium Gmbh Multifunktionaler Kontroller für einen Satelliten
US9751642B2 (en) 2012-05-14 2017-09-05 Astrium Gmbh Multifunctional controller for a satellite

Also Published As

Publication number Publication date
JP3432497B2 (ja) 2003-08-04
EP1025617A4 (de) 2004-05-19
CA2306838A1 (en) 1999-05-06
CA2306838C (en) 2002-10-22
US6137171A (en) 2000-10-24
EP1025617A1 (de) 2000-08-09
EP1025617B1 (de) 2006-01-18
BR9813884A (pt) 2000-09-26
ATE316323T1 (de) 2006-02-15
DE69833273D1 (de) 2006-04-06
WO1999022421A1 (en) 1999-05-06
JP2001521850A (ja) 2001-11-13
AU1364299A (en) 1999-05-17

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