DE69819760T2 - Cvd-kammer mit innerer verkleidung - Google Patents
Cvd-kammer mit innerer verkleidung Download PDFInfo
- Publication number
- DE69819760T2 DE69819760T2 DE69819760T DE69819760T DE69819760T2 DE 69819760 T2 DE69819760 T2 DE 69819760T2 DE 69819760 T DE69819760 T DE 69819760T DE 69819760 T DE69819760 T DE 69819760T DE 69819760 T2 DE69819760 T2 DE 69819760T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- vapor deposition
- chemical vapor
- channel
- lining
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
- Diese Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung sowie auf ein Verfahren zum Beseitigen von Material, das sich zwischen einer Innenwand einer Kammer für die chemische Gasphasenabscheidung und einer Außenfläche einer Kammerauskleidung befindet.
- Eine Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung hat insgesamt eine Kammer für die chemische Gasphasenbehandlung, die von Verunreinigungsgasen und Material (worauf im Folgenden insgesamt als "Verunreinigungen" Bezug genommen wird) so frei wie möglich sein muss. Es ist jedoch manchmal erforderlich, dass eine Komponente innerhalb der Behandlungskammer angeordnet wird, um deren Innenwand auszukleiden, was zu einem Raum oder einer Trennfläche zwischen der Innenwand und dem Bauteil führt, in dem/an der sich Verunreinigungsmaterial ansammelt.
-
1 der beiliegenden Zeichnungen zeigt beispielsweise eine herkömmliche Vorrichtung10 für die chemische Gasphasenabscheidung, welche eine Behandlungskammer12 für die chemische Gasphasenabscheidung, eine Vorrichtung14 zur Handhabung eines Wafers in der Behandlungskammer12 sowie Lampen16 aufweist, die über und unter der Behandlungskammer12 angeordnet sind. - Die Behandlungskammer
12 hat einen Basisring18 aus rostfreiem Stahl sowie obere und untere Quarzfenster20 und22 , die jeweils in gegenüberliegenden Seiten des Basisrings18 am Umfang abdichten. In der Behandlungskammer12 sind ein oberer Quarzauskleidungsring24 und ein unterer Quarzauskleidungsring26 angeordnet. Der obere Auskleidungsring24 kleidet einen oberen Teil des Basisrings18 und einen Teil des unteren Fensters20 aus, während der untere Auskleidungsring26 einen unteren Teil des Basisrings18 und einen Teil des unteren Fensters22 auskleidet. Der Zweck der Auskleidungsringe24 und26 besteht darin, den Basisring davor zu schützen, dass er den Prozessgasen und strengen Temperaturbedingungen der Behandlungskammer12 ausgesetzt ist. - In den gegenüberliegenden Wänden des Basisrings
18 sind Einlass- und Auslasskanäle28 und30 für Behandlungsgas vorgesehen. In Umfangsabschnitten des unteren Aus lassrings26 sind Einlass- bzw. Auslassaussparungen32 ,34 für Behandlungsgas eingeschnitten, wodurch die Einlass- und Auslasskanäle28 und30 in Verbindung mit der Behandlungsumgebung der Behandlungskammer12 angeordnet sind. - Während der Behandlung wird ein Wafer von der Vorrichtung
14 in Position gehalten und auf eine erforderliche Temperatur durch die Lampen16 erhitzt. Durch den Einlasskanal28 wird dann in die Behandlungskammer12 Behandlungsgas eingeführt, das reagieren und eine Abscheidungsschicht auf dem Wafer bilden darf. Anschließend wird Austauschgas durch den Einlasskanal28 eingeführt, so dass das Behandlungsgas und alle Reaktionsnebenprodukte durch den Auslasskanal30 abgeführt werden. - Die Vorrichtung
10 für die chemische Gasphasenabscheidung ist an sich im Stand der Technik bekannt und wird deshalb hier nicht weiter erörtert. Es genügt festzustellen, dass die Behandlungsumgebung in der Behandlungskammer12 von Verunreinigungen so frei wie möglich sein muss. Es hat sich jedoch gezeigt, dass sich in Räumen an einer Trennfläche36 zwischen dem Basisring18 und dem unteren Quarzauskleidungsring26 Verunreinigungen ansammeln. Bekanntlich gehören zu diesen Verunreinigungen Eisenoxid, das sich aus einer Oxidation und einer chemischen Zersetzung des Basisrings18 ergibt, sowie Nebenproduktgase der chemischen Gasphasenabscheidung und Stoffe, wie Chlor, und Wasser. -
2 ist eine geschnittene Seitenansicht längs 2-2 von1 und zeigt nur die Behandlungskammer12 . Durch den Basisring18 und den unteren Auskleidungsring26 ist ein Schlitz38 ausgebildet, der zum Einführen von Wafern in die Behandlungskammer12 und zum Entfernen von Wafern aus ihr verwendet wird, während ein Thermoelementkanal40 durch den Basisring18 und eine Trennfläche zwischen dem oberen Auskleidungsring24 und dem unteren Auskleidungsring26 hindurch ausgebildet ist. Der Thermoelementkanal40 wird für die Temperatureichung verwendet und anschließend mittels eines Stopfens42 verschlossen. -
3 und4 zeigen den unteren Auskleidungsring26 von gegenüberliegenden Seiten, d. h. um 180° gedreht, so dass man die Einlass- und Auslassaussparungen32 bzw.34 , den Thermoelementkanal40 und den Schlitz38 an dem unteren Auskleidungsring26 sieht. - Die
EP 0492632 offenbart eine Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung mit einer Behandlungskammer für eine chemische Gasphasenabscheidung, die eine Behandlungsumgebung bildet, mit einer Auskleidung an der Innenwand der Kammer, wobei ein Reinigungskanal zwischen der Innenwand und der Auskleidung gebildet wird, mit einem Einlasskanal in den Reinigungskanal und mit einem Auslasskanal aus dem Reinigungskanal und aus der Kammer heraus. - Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung zeichnet sich eine Vorrichtung dadurch aus, dass die Auskleidung den Reinigungskanal von der Behandlungsumgebung der Behandlungskammer für die chemische Gasphasenabscheidung im Wesentlichen so trennt, dass im Wesentlichen das ganze Reinigungsgas durch den Reinigungskanal geleitet wird.
- Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Beseitigen von Material bereitgestellt, das sich zwischen einer Innenwand und einer eine Behandlungsumgebung bildenden Kammer für die chemische Gasphasenabscheidung und einer Auskleidung an der Innenwand befindet, wobei das Verfahren den Schritt aufweist, das Material durch einen Kanal zu spülen, der zwischen der Innenwand und der Auskleidung ausgebildet ist, und sich das Verfahren dadurch auszeichnet, dass das Material mit einem Reinigungsgas durch den Kanal gespült wird, der von der Behandlungsumgebung der Kammer für die chemische Gasphasenabscheidung getrennt ist, wobei im Wesentlichen das ganze Reinigungsgas durch den Kanal geleitet wird.
- Die Behandlungskammer für die chemische Gasphasenabscheidung hat vorzugsweise einen Basisring und erste und zweite Elemente, die am Umfang auf gegenüberliegenden Seiten des Basisrings jeweils abdichten, wobei die Auskleidung vorzugsweise ein Ring ist, der den Basisring auskleidet.
- Die Erfindung wird weiter beispielsweise unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben, in denen
-
1 eine Schnittansicht einer herkömmlichen Vorrichtung für die Gasphasenabscheidung ist, -
2 eine Schnittansicht 2-2 von1 ist und nur einige Teile von1 zeigt, -
3 und4 perspektivische Ansichten einer Kammerauskleidung für die chemische Gasphasenabscheidung von gegenüberliegenden Seiten aus sind, -
5 und6 Ansichten ähnlich3 bzw.4 sind und eine Auskleidung für eine Kammer für die chemische Gasphasenabscheidung nach der Erfindung zeigt, -
7 eine Ansicht ähnlich2 mit der Auskleidung von5 und6 ist, -
8 eine Ansicht ähnlich1 mit der Auskleidung von5 und6 ist. - Es wird eine Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung beschrieben. Zur Erläuterung werden in der folgenden Beschreibung zahlreiche spezifische Einzelheiten aufgeführt, damit die vorliegende Erfindung voll verständlich wird, beispielsweise die Verwendung einer Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung mit einer Behandlungskammer mit einer speziellen Gestalt der Teile aus besonderen Materialien, eines unteren Auskleidungsrings mit einer speziellen Form und speziellen Abmessungen, eines speziellen Reinigungsverfahrens und die Verwendung spezieller Gase für Reinigungszwecke. Für den Fachmann ist jedoch klar, dass die vorliegende Erfindung auch ohne diese speziellen Einzelheiten verwirklicht werden kann.
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung, die eine Behandlungskammer für die chemische Gasphasenabscheidung hat, welche einen Basisring und obere und untere Quarzfenster sowie einen Quarzauskleidungsring, der den Basisring auskleidet, aufweist, wobei ein Reinigungskanal in einer äußeren Fläche der Auskleidung ausgebildet ist, durch den Verunreinigungen aus der Trennfläche zwischen dem Basisring und der Auskleidung herausgespült werden. Die Erfindung wird nun im Einzelnen mit speziellem Bezug auf
5 bis8 beschrieben. -
5 und6 zeigen einen unteren Auskleidungsring44 , der ähnlich dem unteren Auskleidungsring26 von3 und4 ist, mit der Ausnahme, dass ein Kanal46 in einen Teil seiner zylindrischen Außenfläche geschnitten ist. Der Kanal46 erstreckt sich über mehr oder weniger 180° des unteren Auskleidungsrings44 und befindet sich in dem Bereich unterhalb des Thermoelementkanals40 und der Auslassaussparung34 für das Behandlungsgas. Kleine Nuten48 und50 verbinden den Kanal mit dem Thermoelementkanal40 bzw. der Auslassaussparung34 für das Behandlungsgas. Der untere Auskleidungsring44 hat eine Dicke (T) von 40 mm und der Kanal46 hat eine Breite (W) im Bereich des Thermoelementkanals40 von etwa 21 mm. -
7 zeigt eine Behandlungskammer12 , in welcher der untere Auskleidungsring26 von2 durch den unteren Auskleidungsring44 von5 und6 ausgetauscht ist, so dass der Kanal46 sich zwischen dem unteren Auskleidungsring44 und dem Basisring18 befindet. Der Kanal46 ist in Verbindung mit dem Thermoelementkanal40 über die Nut48 angeordnet. -
8 zeigt eine Vorrichtung10 für die chemische Gasphasenabscheidung ähnlich1 , jedoch mit dem unteren Auskleidungsring44 von5 und6 . Der Kanal46 ist in Verbindung mit dem Auslasskanal30 für das Behandlungsgas mittels der Nuten50 angeordnet. - Im Einsatz der Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung wird Reinigungsgas in den Kanal
46 durch den Thermoelementkanal40 eingeführt, das durch den Kanal46 strömt und den Kanal46 von den Nuten50 aus, die den Kanal46 mit der Auslassaussparung34 für das Behandlungsgas verbinden, verlässt, von wo aus es die Behandlungskammer12 durch den Auslasskanal30 verlässt. Zwischen dem Basisring18 und dem unteren Auskleidungsring44 vorhandene Verunreinigungen werden so beseitigt. Die Anmelderin hat gefunden, dass ein Reinigungsgasdurchsatz zwischen 1 und 50 l/min geeignet ist. Da sich der Kanal46 nur in dem Bereich des Thermoelementkanals40 und der Auslassaussparung34 für das Behandlungsgas befindet, wird das Reinigungsgas aus dem Einlasskanal28 weggesteuert und somit daran gehindert, sich mit dem Behandlungsgas zu vermischen, das durch den Einlasskanal28 eingeführt wird, was negative Abscheidungseffekte verursachen könnte, und in dem Bereich des Auslasskanals30 gehalten, wo sich der größte Teil der Nebenproduktsverunreinigungen aus der chemischen Gasphasenabscheidung sammelt. Zu erwähnen ist, dass die Verunreinigungen beseitigt werden, ohne dass sich das Reinigungsgas jemals mit dem Gas in der Behandlungsumgebung der Behandlungskammer12 vermischt. Auf diese Weise können unterschiedliche Gase für Reinigungs- und Behandlungszwecke verwendet werden. - Das Reinigungsgas kann ein Inertgas oder ein Gas, wie beispielsweise HCl, BCl2, CCl4, Cl2, SCl4, CF4, SF4, SF6, CHF3 und C2F6 sein, die mit Chlor oder anderen Nebenproduktsgasen der chemischen Gasphasenabscheidung reaktiv sind. Diese Gase werden auch "Ätzgase" aufgrund des Verdampfungseffekts genannt, den sie bei bestimmten Materialien haben, insbesondere bei flüssigen oder festen Nebenprodukten der chemischen Gasphasenabscheidung.
- Alternativ kann das Reinigungsgas gasförmiger Wasserstoff sein, der während einer Wasserstoffausheizung der Behandlungskammer
12 verwendet wird, die üblicherweise zwischen 800°C und 1200°C erfolgt.
Claims (16)
- Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung – mit einer Behandlungskammer (
12 ) für die chemische Gasphasenabscheidung, die eine Behandlungsumgebung begrenzt, – mit einer Auskleidung (26 ) an einer Innenwand der Kammer, wobei ein Reinigungskanal (46 ) zwischen der Innenwand und der Auskleidung ausgebildet ist, – mit einer Einlassöffnung (40 ) in den Reinigungskanal und – mit einer Auslassöffnung (50 ) aus dem Reinigungskanal und aus der Kammer heraus, dadurch gekennzeichnet, – dass die Auskleidung (26 ) den Reinigungskanal (46 ) von der Behandlungsumgebung der Behandlungskammer für die chemische Gasphasenabscheidung im wesentlichen so trennt, dass im wesentlich das ganze Reinigungsgas durch den Reinigungskanal geleitet wird. - Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 1, bei welcher die Behandlungskammer für die chemische Gasphasenabscheidung – einen Basisring (
18 ) und – ein erstes und ein zweites Fenster (22 ,20 ) aufweist, die am Umfang auf gegenüberliegenden Seiten des Basisrings jeweils abdichten, wobei die Auskleidung (26 ) ein Ring ist, der den Basisring auskleidet. - Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 2, bei welcher der Auskleidungsring (
26 ) das erste Fenster (22 ) wenigstens teilweise auskleidet. - Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 2, bei welcher der Basisring (
18 ) aus Metall besteht. - Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 4, bei welcher der Basisring (
18 ) aus einer Stahllegierung besteht. - Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 5, bei welcher der Basisring (
18 ) aus rostfreiem Stahl besteht. - Vorrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung nach Anspruch 1, bei welcher der Reinigungskanal (
46 ) von einer Nut in der Auskleidung (26 ) gebildet wird. - Verfahren zum Beseitigen von Material, das sich zwischen einer Innenwand einer eine Behandlungsumgebung bildenden Kammer (
12 ) für die chemische Gasphasenabscheidung und einer Auskleidung (26 ) an der Innenwand befindet, wobei das Verfahren den Schritt aufweist – Spülen des Materials durch einen Kanal (46 ), der zwischen der Innenwand und der Auskleidung ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, – dass das Material mit einem Reinigungsgas durch den Kanal (46 ) gespült wird, der von der Behandlungsumgebung der Kammer für die chemische Gasphasenabscheidung getrennt ist, wobei im wesentlich das ganze Reinigungsgas durch den Kanal geleitet wird. - Verfahren nach Anspruch 8, bei welchem das Material mit einem Inertgas gespült wird.
- Verfahren nach Anspruch 8, bei welchem das Material mit einem Gas gespült wird, das mit einem Nebenprodukt der chemischen Gasphasenabscheidung reagiert.
- Verfahren nach Anspruch 10, bei welchem das reagierende Gas aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus HCl, BCl2, CCl4, Cl2, SCl4, CF4, SF4, SF6, CHF3 und C2F6 besteht.
- Verfahren nach Anspruch 10, bei welchem das neutralisierende Gas aus dem Kanal (
46 ) durch einen Auslass (50 ) strömt, der von der Behandlungsumgebung der Kammer für die chemische Gasphasenabscheidung ausgeht. - Verfahren nach Anspruch 8, bei welchem das Material Eisenoxid einschließt.
- Verfahren nach Anspruch 8, bei welchem das Material mit einem Gas gespült wird, das mit 1 bis 50 l/min strömt.
- Verfahren nach Anspruch 8, bei welchem das Material mit gasförmigem Wasserstoff gespült wird.
- Verfahren nach Anspruch 15, bei welchem der gasförmige Wasserstoff eine Temperatur zwischen 25°C und 1200°C hat.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US934920 | 1997-09-22 | ||
US08/934,920 US5914050A (en) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | Purged lower liner |
PCT/US1998/018790 WO1999015712A1 (en) | 1997-09-22 | 1998-09-09 | Cvd chamber inner lining |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69819760D1 DE69819760D1 (de) | 2003-12-18 |
DE69819760T2 true DE69819760T2 (de) | 2004-09-30 |
Family
ID=25466272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69819760T Expired - Lifetime DE69819760T2 (de) | 1997-09-22 | 1998-09-09 | Cvd-kammer mit innerer verkleidung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5914050A (de) |
EP (1) | EP1017877B1 (de) |
JP (1) | JP4414592B2 (de) |
DE (1) | DE69819760T2 (de) |
TW (1) | TW517097B (de) |
WO (1) | WO1999015712A1 (de) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6192827B1 (en) * | 1998-07-03 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Double slit-valve doors for plasma processing |
US6245149B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Inert barrier for high purity epitaxial deposition systems |
US6802906B2 (en) * | 2000-07-21 | 2004-10-12 | Applied Materials, Inc. | Emissivity-change-free pumping plate kit in a single wafer chamber |
US7006483B2 (en) * | 2001-02-23 | 2006-02-28 | Ipr Licensing, Inc. | Qualifying available reverse link coding rates from access channel power setting |
US7055263B2 (en) * | 2003-11-25 | 2006-06-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
US8282768B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Purging of porogen from UV cure chamber |
KR100672828B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-22 | 삼성전자주식회사 | 챔버 인서트 및 이를 포함하는 기판 가공 장치 |
US20070113783A1 (en) * | 2005-11-19 | 2007-05-24 | Applied Materials, Inc. | Band shield for substrate processing chamber |
JP2008235830A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Sumco Techxiv株式会社 | 気相成長装置 |
US8608035B2 (en) * | 2010-04-22 | 2013-12-17 | Novellus Systems, Inc. | Purge ring with split baffles for photonic thermal processing systems |
JP5837178B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-12-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 化学気相堆積チャンバ用のライナアセンブリ |
US9512520B2 (en) * | 2011-04-25 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate processing system |
US9499905B2 (en) * | 2011-07-22 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate |
CN105164309B (zh) * | 2013-05-01 | 2019-04-12 | 应用材料公司 | 用于控制外延沉积腔室流量的注入及排放设计 |
US20160033070A1 (en) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | Applied Materials, Inc. | Recursive pumping member |
US11060203B2 (en) * | 2014-09-05 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | Liner for epi chamber |
US10760161B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | Inject insert for EPI chamber |
SG11201701467RA (en) * | 2014-09-05 | 2017-03-30 | Applied Materials Inc | Upper dome for epi chamber |
WO2016154052A1 (en) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | Applied Materials, Inc. | Chamber components for epitaxial growth apparatus |
US11004662B2 (en) * | 2017-02-14 | 2021-05-11 | Lam Research Corporation | Temperature controlled spacer for use in a substrate processing chamber |
WO2020046567A1 (en) | 2018-08-29 | 2020-03-05 | Applied Materials, Inc. | Chamber injector |
CN115354303B (zh) * | 2022-08-25 | 2024-01-19 | 拓荆科技(上海)有限公司 | 反应腔装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3208381A1 (de) * | 1982-03-09 | 1983-09-15 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Glocke aus quarzgut |
JPS58197262A (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-16 | Canon Inc | 量産型真空成膜装置及び真空成膜法 |
JP2859632B2 (ja) * | 1988-04-14 | 1999-02-17 | キヤノン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
DD281613A5 (de) * | 1988-08-12 | 1990-08-15 | Elektromat Veb | Verfahren zur reinigung von reaktoren zur gasphasenbearbeitung von werkstuecken |
JPH03236221A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-22 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
US5275976A (en) * | 1990-12-27 | 1994-01-04 | Texas Instruments Incorporated | Process chamber purge module for semiconductor processing equipment |
JPH0811718B2 (ja) * | 1992-02-27 | 1996-02-07 | 大同ほくさん株式会社 | ガスソース分子線エピタキシー装置 |
US5421957A (en) * | 1993-07-30 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Low temperature etching in cold-wall CVD systems |
US5908504A (en) * | 1995-09-20 | 1999-06-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for tuning barrel reactor purge system |
-
1997
- 1997-09-22 US US08/934,920 patent/US5914050A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-09-09 WO PCT/US1998/018790 patent/WO1999015712A1/en active IP Right Grant
- 1998-09-09 EP EP98945991A patent/EP1017877B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-09 DE DE69819760T patent/DE69819760T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-09 JP JP2000512998A patent/JP4414592B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-24 TW TW087115762A patent/TW517097B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001517736A (ja) | 2001-10-09 |
US5914050A (en) | 1999-06-22 |
EP1017877A1 (de) | 2000-07-12 |
EP1017877B1 (de) | 2003-11-12 |
TW517097B (en) | 2003-01-11 |
WO1999015712A1 (en) | 1999-04-01 |
DE69819760D1 (de) | 2003-12-18 |
JP4414592B2 (ja) | 2010-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69819760T2 (de) | Cvd-kammer mit innerer verkleidung | |
DE60003850T2 (de) | Cvd reaktor und prozesskammer dafür | |
DE69028180T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Ätzen | |
DE60038412T2 (de) | Inert-Barriere für Hochreinheit-Epitaxialabscheidungssysteme | |
DE69112506T2 (de) | CVD-Anlage und Verfahren zur Reduzierung der Teilchen-Verseuchung in einem CVD-Verfahren. | |
DE2633595A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur isothermen chlorierung von kohlenwasserstoffen | |
DE2646300A1 (de) | Verfahren zum herstellen von halbleiteranordnungen | |
EP2026895A1 (de) | Vorrichtung zum abkühlen von gasen (quenche) unter bildung eines korrosiven kondensates | |
DE68911118T2 (de) | Einrichtung zur Abgabe hochreiner Gase. | |
DE69117567T2 (de) | Oberflächenbehandlungsvorrichtung für Druckplatten | |
DE112018000422T5 (de) | Strahlungsfenster | |
DE602004000276T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Haltevorrichtung aus Quarzglas | |
WO2012059203A1 (de) | Vorrichtung zum behandeln von substraten | |
DE3319790A1 (de) | Drehofenanordnung, verfahren zum wechseln von dichtungsanordnungen sowie dichtungsanordnungen fuer die verwendung in einer drehofenanordnung | |
DE3687732T2 (de) | Verfahren um eine hochreine oxydschicht auf einem halbleitersubstrat herzustellen. | |
DE2928598A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur reinigung fluoridhaltiger abfallschwefelsaeure | |
DE102005055555A1 (de) | Filter-Vorrichtung und Filter-Verfahren | |
DE3935189A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen | |
DE112018006547T5 (de) | Verfahren zur kontaminationskontrolle einer gasphasenabscheidungsvorrichtung und verfahren zur herstellung eines epitaktischen wafers | |
DE4101128C2 (de) | Raffinierverfahren für hochreines Titan | |
DE2254859C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von feinverteilten Metalloxiden | |
DE602004008964T2 (de) | System, verfahren und vorrichtung zur zufuhr von zwei gasen durch ein hochtemperaturartefakt ohne unerwünschte gasvermischung | |
DE60027686T2 (de) | Reaktor zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE60006617T2 (de) | Raffination edelmetallhaltiger Mineralkonzentrate durch Chlorierung | |
DE69209478T2 (de) | Rohreinrichtung zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |