DE3687732T2 - Verfahren um eine hochreine oxydschicht auf einem halbleitersubstrat herzustellen. - Google Patents

Verfahren um eine hochreine oxydschicht auf einem halbleitersubstrat herzustellen.

Info

Publication number
DE3687732T2
DE3687732T2 DE8686113443T DE3687732T DE3687732T2 DE 3687732 T2 DE3687732 T2 DE 3687732T2 DE 8686113443 T DE8686113443 T DE 8686113443T DE 3687732 T DE3687732 T DE 3687732T DE 3687732 T2 DE3687732 T2 DE 3687732T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
halogen
dry
oxygen
atmosphere
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE8686113443T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3687732D1 (de
Inventor
Samuel Emil Blum
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE3687732D1 publication Critical patent/DE3687732D1/de
Publication of DE3687732T2 publication Critical patent/DE3687732T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
    • H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31654—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself
    • H01L21/31658—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe
    • H01L21/31662—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe of silicon in uncombined form
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/935—Gas flow control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer hochreinen Oxidschicht auf einem Halbleitersubstrat.
  • Bei der Fertigung von Halbleitervorrichtungen muß häufig eine isolierende Oxidschicht auf einem Halbleitersubstrat vorgesehen werden. Eine Möglichkeit zur Bildung der Oxidschicht ist die Erwärmung des Substrats in einer oxidierender Atmosphäre in einer Reaktionskammer während einer ausreichenden Zeit und bei ausreichender Temperatur, die genügt, die erwünschte Oxidschicht auszubilden. Ein Problem bei dieser Hochtemperaturoxidierung des Halbleitersubstrats ist die Kontaminierung des Oxids durch Verunreinigungen, die in der oxidierenden Umgebung auftretend, einschließlich der Metallverunreinigungen, die vom Ofen zur Erwärmung der umgebenden Atmosphäre durch die Wände der Reaktionskammer eindiffundieren.
  • Bekanntlich kann die Kontaminierung des Halbleitersubstrats mit Alkalimetallen und Übergangsmetallen schädlich sein. Solche schädlichen Wirkungen, die durch verschiedene Alkalimetallverunreinigungen und/oder Übergangsmetallverunreinigungen hervorgerufen werden, sind u. a. Verkürzung der Lebenszeit von Minoritätsträgern, Erhöhung der Sperrschichtdurchlässigkeit, und Verschiebungen in der Flachbandspannung.
  • In der GB-A-2082384 wurde vorgeschlagen eine HCl-Schutzatmosphäre in einer äußeren Kammer um die Reaktionskammer herum vorzusehen, um Metallverunreinigungen auszuschließen. Diese Technik war jedoch nicht völlig zufriedenstellend, weil es sich herausstellte, daß eine Neigung zur Kontaminierung durch Wasser oder Feuchtigkeit im Zusammenhang mit der Halogenatmosphäre oder durch Reaktionsprodukte mit dem Halogen besteht.
  • Die vorliegende Erfindung ist bestrebt, ein Verfahren bereitzustellen, das zu geringerer Kontaminierung der Oxidschicht führt. Sie sieht ein Verfahren zur Herstellung einer hochreinen Oxidschicht auf einem Halbleitersubstrat vor, wobei das Verfahren das gleichzeitige Ausführen der folgenden Arbeitsgänge umfaßt:
  • (a) ein Substrat, das innerhalb der Innenwand einer dreiwandigen Reaktionskammer mit je voneinander beabstandeter Innenwand, Zwischenwand und Außenwand angeordnet ist, wird erhitzt,
  • (b) über das Substrat wird eine oxidierende Atmosphäre gerichtet,
  • (c) durch den Raum zwischen Außenwand und Zwischenwand der Kammer wird eine halogenhaltige Atmosphäre geleitet,
  • (d) durch den Raum zwischen Zwischenwand und Innenwand der Kammer wird eine gasförmige, wasserentfernende Atmosphäre geleitet.
  • Jetzt soll die Durchführung der Erfindung anhand der begleitenden Zeichnung, die eine schematische Darstellung einer Reaktionskammer ist, beispielhaft beschrieben werden.
  • Nehmen wir jetzt Bezug auf die Zeichnung: Eine mit einer dreifachen Wand versehene Reaktionskammer 1 ist in der Form eines Ringrohrs ausgebildet, das vorzugsweise aus hochreinem, glasartigem Kieselmaterial besteht. Dieses hochreine, glasartige Kieselrohr schließt einen inneren Wandteil 2, einen äußeren, zylindrischen Wandteil 4, und einen zylindrischen Zwischenwandteil 3 ein. Der innere Wandteil 2 weist bei 5 und 6 an jedem Ende jeweils eine Öffnung auf und definiert einen Kernabschnitt 7. Im Kernabschnitt 7 sind die Halbleitersubstrate 8 eingeschoben, die einer oxidierenden Umgebung ausgesetzt werden sollen. Bevorzugte Substrate sind Silizium-Wafers. Diese Wafers werden auf geeignete Weise gehalten, so daß die zu oxidierenden Hauptflächen frei bleiben. Der Zwischenwandteil 3 ist an beiden Enden mit dem inneren Wandteil 2 dicht verbunden, so daß er einen ringförmiger Abschnitt 9 bildet, der durch den Innenwandteil 2 gegen den Reaktionskammerabschnitt 7 vollständig isoliert ist. Der äußere Wandteil 4 ist an beiden Enden mit dem Zwischenwandteil 3 dicht verbunden, so daß er einen ringförmiger Abschnitt 10 bildet, der durch den Zwischenwandteil 3 gegen den Zwischenteil 9 vollständig isoliert ist.
  • Typische Abmessungen beinhalten einen Innendurchmesser von etwa 5 cm bis etwa 25 cm für den inneren Kernabschnitt, einen Abstand von etwa 1 bis etwa 2 cm zwischen den beiden Wänden im ringförmigen Zwischenabschnitt, und etwa 1 bis etwa 2 cm zwischen den zwei Wänden entlang dem ringförmigen äußeren Rohrabschnitt. Wanddicken von etwa 2 bis etwa 5 mm und eine Länge von etwa 1,3 m bis etwa 3 m sind typisch.
  • Um die Reaktionskammer 1 ist ein Hitzeschild 11 angebracht z. B. aus Aluminiumsilikatkeramik, wie es unter dem Handelsnamen Mullite, Alumina oder Zirkonia erhältlich ist. Dieses Hitzeschild dient zum Ausgleichen des Temperaturprofils und zum Abschirmen des Quarzrohrs gegen die Widerstandsheizwicklungen 12, die in Schlitzen im keramischen Heizungshalter 13 liegen. Das Hitzeschild ist nicht notwendig, aber erwünscht, und der Außenwand- und der Zwischenwandteil können die Aufgaben des Hitzeschilds ausreichend übernehmen.
  • Zusätzlich sind Vorkehrungen getroffen, einen Heizstrom (nicht gezeigt) in die Wicklung 12 einzuspeisen. Ebenfalls nicht gezeigt sind die verschiedenen Thermoelemente, die als Teil der Temperaturregelung vorgesehen sind oder sein können.
  • Ein Oxidiermittel wird der Länge nach durch den inneren Kern und an den Substraten vorbei geschickt, wobei dieses Oxidiermittel durch die Öffnung 5 eintritt und durch die Öffnung 6 austritt. Dieses Oxidiermittel besteht vorzugsweise aus trockenem Sauerstoffgas und/oder sauerstoffhaltigen, trockenen Gasgemischen wie trockene Luft und trockene Gemische mit Verdünnungsgasen wie Stickstoff und Argon. Wenn sauerstoffhaltige Gemische eingesetzt werden, müssen sie mindestens etwa 10 Vol.% und vorzugsweise etwa 20 Vol.% Sauerstoff enthalten. Das Trockengas muß im wesentlichen wasserfrei sein und typischerweise 10 ppm oder weniger, vorzugsweise höchstens 1 ppm Wasser enthalten.
  • Um sicherzustellen, daß das oxidierende Gas möglichst trocken und rein ist, sollte das Gas durch einen Molekularsiebfilter geleitet werden, gefolgt von Aufheizen auf 900ºC in einem Ofen, um alle etwa vorhandenen organischen Stoffe zu verbrennen, dann sollte das Gas bei -80ºC durch eine Ausfriertasche geschickt werden, um etwa noch vorhandenes Wasser auszuscheiden.
  • Die Wafers werden üblicherweise auf einer Temperatur von etwa 800ºC bis etwa 1200ºC, und vorzugsweise von etwa 900ºC bis etwa 1100ºC, gehalten um die Oxidierung zu erreichen, wobei eine typische Temperatur etwa 1000ºC ist. Im Normalfall dauert der Oxidierungsvorgang etwa 15 Minuten bis etwa 3 Stunden und vorzugsweise etwa ½ Stunde bis etwa 1 Stunde, um eine Oxidschichtdicke von etwa 10 nm bis etwa 100 nm bei etwa 1000ºC zu erzeugen. Das Oxidiermittel wird mit einer Strömungsrate von etwa 1 l/min bis etwa 5 l/min durch eine Reaktionskammer mit einem Innendurchmesser des Innenkerns von etwa 7,5 cm bis etwa 10 cm und einer Länge von etwa 2,1 m geschickt.
  • Eine halogenhaltige Atmosphäre wird durch das äußere, ringförmige Rohr geschickt, tritt durch den Eingang 14 ein und durch den Ausgang 15 aus. Jedes Gasgemisch, das in der Lage ist, Halogen bei der erforderlichen Temperatur zu liefern, kann eingesetzt werden. Beispiele für solche Gasgemische sind HCl in trockenem Sauerstoff und Chlorkohlenwasserstoffe in trockenem Sauerstoff, typische Chlorkohlenwasserstoffe sind u. a. 1,1,1-Trichlorethan, 1,1,2-Trichlorethan, Trichlorethylen und Tetrachlorkohlenstoff, bevorzugt ist 1,1,1-Trichlorethan. Im allgemeinen enthält das Gasgemisch etwa 1 bis 10 Vol.% Halogen und etwa 90 bis 99 Vol.% Sauerstoff, typisch ist etwa 5 Vol.% Halogen und etwa 95 Vol.% Sauerstoff. Natürlich können auch, falls gewünscht, Halogengemische und Sauerstoff eingesetzt werden. Bei Temperaturen von etwa 800ºC bis etwa 1100ºC, typisch etwa 1000ºC, bildet sich Cl&sub2; und/oder abgedunstetes HCl.
  • Das Chlor und/oder das abgedunstete HCl-Gas reagiert dann mit jedem Alkalimetall oder Übergangsmetall oder sonstigem Metall, das vom Ofen her eindiffundiert und bildet so flüchtige Metallhalogenide. Diese flüchtigen Metallhalogenide werden dann durch das strömende sauerstoffhaltige Gas aus dem äußeren Ringrohr entfernt, wodurch verhindert wird, daß diese Metalle in das inneren Ringrohr und in das Oxidationsrohr eindiffundieren. Das Gasgemisch wird mit einer Rate von etwa 500 cm³/min bis etwa 1500 cm³/min, typisch etwa 750 cm³/min, eingespeist.
  • Durch das ringförmige Zwischenrohr wird Gas zum Entfernen jedes Wassernebenprodukts aus dem äußeren Ringrohr eingespeist. Das Gas strömt durch den Eingang 16 ein und durch den Ausgang 17 aus. Die Strömungsrate beträgt etwa 500 cm³/min bis etwa 1500 cm³/min, typisch etwa 750 cm³/min. Bevorzugte Gase sind trockene Luft, trockener Sauerstoff, trockener Stickstoff und Gemische daraus. Diese Gase haben üblicherweise Temperaturen von etwa 800ºC bis etwa 1100ºC, typisch etwa 1000ºC. Diese Gase brauchen nicht so trocken zu sein wie die Oxidierungsgase oder der Sauerstoff, der mit dem Halogen eingesetzt wird, sie sollten jedoch erwünschterweise hochrein sein und typisch höchstens 10 ppm Wasser enthalten. Um den gewünschten Trockenheitsgrad sicherzustellen, kann das Gas durch ein Molekularsieb und anschließend bei -80ºC durch eine Ausfriertasche geführt werden.
  • Das eingesetzte Gas verhindert, daß Wasser, das aus der Reaktion der halogenhaltigen Verbindung mit dem Sauerstoff stammt um im äußeren Ringrohr das Chlor zu bilden, in das Oxidierungsrohr eindiffundiert. Das stellt einen trockenen Oxidationsprozeß sicher.
  • In einem typischen Beispiel werden Silizium-Wafers in eine Reaktionskammer mit einem inneren Kernteil mit einem Innendurchmesser von etwa 7,5 bis 10 cm und einer Länge von etwa 2,1 m eingebracht. Die Wafers werden auf eine Temperatur von 1000ºC aufgeheizt. Trockenes Sauerstoffgas wird mit einer Strömungsrate von etwa 1 bis etwa 5 Liter/Minute für etwa 1 Stunde durch die Kammer geschickt. Gleichzeitig wird ein Gemisch von etwa 5 Vol.% 1,1,1-Trichlorethan und etwa 95 Vol.% Sauerstoff bei einer Temperatur von etwa 1000ºC mit einer Strömungsrate von etwa 750 cm³/min durch den äußeren Rohrabschnitt geschickt. Ebenfalls gleichzeitig wird trockener Sauerstoff mit einer Temperatur von etwa 1000ºCund einer Strömungsrate von etwa 750 cm³/min durch das ringförmige Zwischenrohr geschickt.
  • Auf diese Weise behandelte Wafers wurden auf Durchschlagsspannung-Feldzusammenbruch geprüft und zeigten verbesserte Ergebnisse. Typisch ist die Durchschlagsfeldspannung von etwa 9·10&sup6; V/cm mit wenig Niederspannungsdurchschlägen. Die erhaltenen Werte waren verhältnismäßig eng gestreut.

Claims (19)

1. Verfahren zur Herstellung einer hochreinen Oxidschicht auf einem Halbleitersubstrat, wobei das verfahren das gleichzeitige Ausführen der folgenden Arbeitsvorgänge umfaßt:
(a) ein Substrat (8), das innerhalb der Innenwand (2) einer dreiwandigen Reaktionskammer mit je voneinander beabstandeter Innenwand, Zwischenwand und Außenwand (2, 3, 4) angeordnet ist, wird erhitzt
(b) über das Substrat wird eine oxidierende Atmosphäre gerichtet,
(c) durch den Raum zwischen Außenwand (4) und Zwischenwand (3) der Kammer wird eine halogenhaltige Atmosphäre geleitet,
(d) durch den Raum zwischen Zwischenwand (3) und Innenwand (2) der Kammer wird eine gasförmige, wasserentfernende Atmosphäre geleitet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem das Substrat auf eine Temperatur von etwa 800ºC bis etwa 1200ºC erhitzt wird.
3. verfahren nach Anspruch 2, bei welchem das Substrat auf eine Temperatur von etwa 900ºC bis etwa 1100ºC erhitzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, bei welchem das Substrat auf eine Temperatur von etwa 1000ºC erhitzt wird.
5. verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, bei welchem die oxidierende Atmosphäre ein trockenes, sauerstoffhaltiges Gas ist.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei welchem das trockene, sauerstoffhaltige Gas trockener Sauerstoff ist.
7. Verfahren nach Anspruch 5, bei welchem das trockene, sauerstoffhaltige Gas eine Mischung aus trockenem Sauerstoff mit einem Verdünnungsgas ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei welchem diese Mischung trockene Luft ist.
9. Verfahren nach Anspruch 7, bei welchem das Verdünnungsgas Stickstoff oder Argon ist.
10. Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, bei welchem sich die halogenhaltige Atmosphäre auf einer Temperatur von etwa 800ºC bis 1100ºC befindet.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei welchem sich die halogenhaltige Atmosphäre auf einer Temperatur von etwa 1000ºC befindet.
12. Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, bei welchem die hologenhaltige Atmosphäre eine Mischung aus trockenem Sauerstoff und aus einem halogenhaltigen Gas ist.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem das halogenhaltige Gas HCl oder ein chlorierter Kohlenwasserstoff ist.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, bei welchem die halogenhaltige Atmosphäre etwa 90 Vol.% bis etwa 99 Vol.% Sauerstoff und etwa 1 Vol.% bis etwa 10 Vol.% eines halogenhaltigen Gases enthält.
15. Verfahren nach Anspruch 14, bei welchem das halogenhaltige Gas 1,1,1 Trichlorethan ist.
16. Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, bei welchem das Substrat ein Siliziumsubstrat ist.
17. Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, bei welchem die gasförmige, wasserentfernende Atmosphäre trockene Luft, trockener Sauerstoff oder trockener Stickstoff ist.
18. Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, bei welchem sich die gasförmige, wasserentfernende Atmosphäre auf einer Temperatur von etwa 800ºC bis 1100ºC befindet.
19. Verfahren nach Anspruch 18, bei welchem sich die gasförmige, wasserentfernende Atmosphäre auf einer Temperatur von etwa 1000ºC befindet.
DE8686113443T 1985-10-10 1986-09-30 Verfahren um eine hochreine oxydschicht auf einem halbleitersubstrat herzustellen. Expired - Fee Related DE3687732T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/786,194 US4606935A (en) 1985-10-10 1985-10-10 Process and apparatus for producing high purity oxidation on a semiconductor substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3687732D1 DE3687732D1 (de) 1993-03-25
DE3687732T2 true DE3687732T2 (de) 1993-08-19

Family

ID=25137860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8686113443T Expired - Fee Related DE3687732T2 (de) 1985-10-10 1986-09-30 Verfahren um eine hochreine oxydschicht auf einem halbleitersubstrat herzustellen.

Country Status (4)

Country Link
US (2) US4606935A (de)
EP (1) EP0218177B1 (de)
JP (1) JPH0640544B2 (de)
DE (1) DE3687732T2 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3677455D1 (de) * 1985-09-30 1991-03-14 Siemens Ag Verfahren zur begrenzung von ausbruechen beim saegen einer halbleiterscheibe.
DE3540469A1 (de) * 1985-11-14 1987-05-21 Wacker Chemitronic Verfahren zum schutz von polierten siliciumoberflaechen
US4839145A (en) * 1986-08-27 1989-06-13 Massachusetts Institute Of Technology Chemical vapor deposition reactor
US5167717A (en) * 1989-02-15 1992-12-01 Charles Boitnott Apparatus and method for processing a semiconductor wafer
EP0405205A3 (en) * 1989-06-12 1992-05-13 Seiko Instruments Inc. Method of producing mos type semiconductor device
JPH0752716B2 (ja) * 1990-06-05 1995-06-05 松下電器産業株式会社 熱分解セル
US5721176A (en) * 1992-05-29 1998-02-24 Olin Corporation Use of oxalyl chloride to form chloride-doped silicon dioxide films of silicon substrates
WO1999055789A1 (fr) * 1998-04-24 1999-11-04 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Liquide de revetement utilise pour former un film a base de silice presentant une faible constante dielectrique et substrat sur lequel est couche un film a faible constante dielectrique
US7208195B2 (en) * 2002-03-27 2007-04-24 Ener1Group, Inc. Methods and apparatus for deposition of thin films
GB0516477D0 (en) * 2005-08-11 2005-09-14 Optical Reference Systems Ltd Apparatus for measuring semiconductor physical characteristics

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1092883A (en) * 1963-06-10 1967-11-29 Laporte Titanium Ltd Improvements in and relating to the manufacture of oxides
US3446659A (en) * 1966-09-16 1969-05-27 Texas Instruments Inc Apparatus and process for growing noncontaminated thermal oxide on silicon
US4054641A (en) * 1976-05-07 1977-10-18 John S. Pennish Method for making vitreous silica
DE2849240C2 (de) * 1978-11-13 1983-01-13 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen CVD-Beschichtungsvorrichtung für Kleinteile und ihre Verwendung
US4409260A (en) * 1979-08-15 1983-10-11 Hughes Aircraft Company Process for low-temperature surface layer oxidation of a semiconductor substrate
US4347431A (en) * 1980-07-25 1982-08-31 Bell Telephone Laboratories, Inc. Diffusion furnace
FR2488443A1 (fr) * 1980-08-11 1982-02-12 Western Electric Co Procede et dispositif d'oxydation de tranches de silicium
DE3142568A1 (de) * 1981-10-27 1983-05-05 Bruno 7407 Rottenburg Herrmann Verstellbarer anschlag
DE3142548A1 (de) * 1981-10-27 1983-05-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von oxidschichten auf aus silizium oder anderem oxidierbarem material bestehenden substratscheiben in extrem trockener sauerstoffatmosphaere bzw. in sauerstoffatmosphaere mit chlorwasserstoffgas-zusaetzen

Also Published As

Publication number Publication date
US4606935A (en) 1986-08-19
EP0218177B1 (de) 1993-02-10
EP0218177A2 (de) 1987-04-15
JPS6286829A (ja) 1987-04-21
US4674442A (en) 1987-06-23
JPH0640544B2 (ja) 1994-05-25
DE3687732D1 (de) 1993-03-25
EP0218177A3 (en) 1989-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3687732T2 (de) Verfahren um eine hochreine oxydschicht auf einem halbleitersubstrat herzustellen.
DE2438264C2 (de)
DE4214719C2 (de) Verfahren zur Herstellung feinteiliger Metall- und Keramikpulver
DE2050076C3 (de) Vorrichtung zum Herstellen von Rohren aus Halbleitermaterial
DE4041902C2 (de)
DE4041901A1 (de) Verfahren zur erzeugung von im wesentlichen kohlenstofffreiem polykristallinem silizium und eine graphit-spannvorrichtung hierfuer
US2766112A (en) Production of metallic tantalum and metallic niobium from mixtures of compounds thereof
DE4214724A1 (de) Feinteiliges Oxid-Keramikpulver
EP0021127A1 (de) Verfahren zur pyrogenen Herstellung von feinstteiligem Oxid eines Metalls und/oder eines Metalloids
DE2539946A1 (de) Elektrisches heizelement
DE2160670B2 (de) Verfahren zur Herstellung von zylindrischen Körpern aus Halbleitermaterial
EP0029962B1 (de) Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Niob-Germanium-Schichten auf einem Trägerkörper
DE1771572A1 (de) Verfahren zum Niederschlagen einer aus Niob und Zinn bestehenden kristallinen Schicht
US3525637A (en) Method of producing layers from the intermetallic superconducting compound niobium-tin (nb3sn)
DE1696607B2 (de) Verfahren zum herstellen einer im wesentlichen aus silicium und stickstoff bestehenden isolierschicht
EP0090321A2 (de) Reaktor und Verfahren zur Herstellung von Halbleitersilicium
DE2849851C3 (de) Verfahren zur pyrogenen Herstellung von feinstteiligem Oxid eines Metalls und/oder eines Metalloids
DE2447224A1 (de) Verfahren zum aufwachsen von pyrolitischen siliciumdioxidschichten
DE2220807A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von polykristallinen Duennfilmen aus Silicium und Siliciumdioxid auf Halbleitersubstraten
DE3131086A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur oxidation von silicium-wafern
DE3636250A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von gasfoermigen verunreinigungen aus einem rohgas
DE1277209B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metalloxyden
DE1467430C3 (de) Verfahren zur Herstellung von hochamorphem RuB durch thermische Zersetzung eines kohlenstoffhaltigen Einsatzmaterials
DE897886C (de) Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern und Kristallverstaerkerschichten
DE1135667B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von besonders reinen Metallen

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee