DE69819061T2 - Verfahren zum Verhindern von Schmutzablagerungen in der Herstellung oder Wiedergewinnung von Acrylnitril - Google Patents

Verfahren zum Verhindern von Schmutzablagerungen in der Herstellung oder Wiedergewinnung von Acrylnitril Download PDF

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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C253/00Preparation of carboxylic acid nitriles
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  • Organic Chemistry (AREA)
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Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Hemmen der Bildung von Schmutzablagerungen („foulants"), die in Acrylnitril-Herstellungsanlagen entstehen.
  • Die Verwendung von Dodecylbenzolsulfonsäure-hältigen Produkten als Schmutzablagerungsverhinderungsmittel und Dispersionsmittel im Vinylacetat-Monomer-Herstellungsverfahren ist in der US-A-4.902.824 offenbart, die die Verwendung von Benzolsulfonsäuren in Lösungsmitteln als Schmutzablagerungsverhinderungsmittel für den Vinylacetat-Herstellungsvorgang beansprucht.
  • Auch in anderen Herstellungsverfahren treten ähnliche Schmutzablagerungsprobleme auf. Obwohl zahlreiche Kohlenwasserstoff-Herstellungsverfahren oberflächlich betrachtet ähnlich sind, kommt es häufig vor, dass Zusammensetzungen, die für eine gegebene Anwendung in einem Verfahren wirksam sind, für ein anderes Verfahren gänzlich ungeeignet sind. Wie die vorliegende Erfindung zeigt, ist die Tatsache, dass Benzolsulfonsäuren Schmutzablagerungen in Vinylacetat-Herstellungsverfahren wirksam dispergieren, nicht ausschlaggebend dafür, ob Benzolsulfonsäuren auch Schmutzablagerungen in Acrylnitril-Herstellungsverfahren dispergieren würden. Die Beschaffenheit der Monomere und der Schmutzablagerungsarten in diesen Bereichen sind, wie unten beschrieben, sehr unterschiedlich.
  • Die US-A-3.691.226 offenbart die Verwendung von Lignosulfonat-Metallsalzen, um Acrylnitril aus Wasser zu absorbieren, um Ablagerungen zu minimieren, die ansonsten die Wärmeübertragungsflächen von Wärmetauschern verschmutzen würden, die zur Kühlung von Wasser vor dessen Rückführung in das System eingesetzt wird.
  • ARTEN DER SCHMUTZABLAGERUNGEN
  • Vinylacetat-Herstellung
    • Poly(vinylacetat), Vinylacetatoligomere, polymere Aldehyde, Oxidationsprodukte
  • Acrylnitril-Herstellung
    • Poly(acrylsäure)
    • Poly(acrylamid)
    • Poly(acrylnitril)
  • MECHANISMEN DER SCHMUTZABLAGERUNGSBILDUNG
  • Vinylacetat-Schmutzablagerung
  • Poly(vinylacetat) und die Vinylacetat-Oligomere werden durch radikalische Polymerisation von Vinylacetat gebildet. Vinylacetat-Dimere werden durch Addition von Essigsäure an die Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung von Vinylacetat gebildet. Aldolkondensation der Aldehydspezies führt zu Oligomeren und Polymeren. Andere Polymere, die in Zusammenhang mit der Ethylenoxidation im Reaktorabschnitt stehen, können ebenfalls zur Essigsäure-Turmverschmutzung beitragen.
  • Acrylnitril-Schmutzablagerung
  • Poly(acrylnitril), Poly(acrylamid) und Poly(acrylsäure) werden durch radikalische Polymerisation von Acrylnitril, Acrylamid bzw. Acrylsäure ausgebildet. Acrylamid und Acrylsäure sind Produkte der Hydrolyse von Acrylnitril. Es ist nicht bekannt, ob die Hydrolyse vor oder nach der Polymerisation erfolgt.
  • LÖSLICHKEIT DER SCHMUTZABLAGERUNGEN
  • Poly(vinylacetat) ist in Vinylacetat löslich.
  • Poly(acrylnitril) ist in Acrylnitril löslich.
  • In den folgenden Tabellen sind Lösungsmittel und Nichtlösungsmittel für Poly(vinylacetat) und Poly(acrylnitril) angeführt. Poly(vinylacetat) ist in herkömmlichen organischen Lösungsmitteln löslich. Poly(acrylnitril) ist in relativ exotischen Lösungsmitteln löslich, jedoch nicht in häufiger vorkommenden Kohlenwasserstofflösungsmitteln oder Wasser. Die Lösungsmittel für Poly(vinylacetat) besitzen Dipolmomente im Bereich von 0–2 D. Die Lösungsmittel für Poly(acrylnitril) besitzen Dipolmomente im Bereich von 0–4,3 D. Lösungsmittel für Polymere von Vinylacetat und Acrylnitril
    Poly(vinylacetat)-Lösungsmittel Poly(acrylnitril)-Lösungsmittel
    2,4-Dimethyl-3-pentanol 1,1,1-Trichlor-3-nitro-2-propan
    Allylalkohol 2-Hydroxyethylmethylsulfon
    Benzol 2-Oxazolidon
    Aceton 4-Nitrophenol
    Essigsäure 1,3,3,5-Tetracyanopentan
    Benzylalkohol N,N-Dimethyl-α,α,α-trifluoracetamid
    Tetrachlorkohlenstoff/Ethanol Essigsäureanhydrid
    Chlorbenzol Bis(2-cyanoethyl)ether
    Chloroform Bis(4-cyanobutyl)sulfon
    Dichlorethylen/Ethanol 20 : 80 Chloracetonitril
    Dioxan Chloracetonitril/Wasser
    Ethanol/Wasser Cyanoessigsäure
    Glykoletherester Dimethylsulfon
    Glykolether Dimethylphosphit
    niedere aliphatische Ester Dioxanon
    Methanol DMA
    Tetrahydrofurfurylalkohol DMF
    THF DMSO
    Toluol ε-Caprolactam
    Ethylencarbonat
    Ethylenoxalat
    Fumarnitril
    γ-Butyrolacton
    Hydroxyacetonitril
    Maleinsäureanhydrid
    Malononitril
    Methylendithiocyanat
    Salpetersäure
    N-Formylhexamethylenimin
    N-Methyl-β-cyanoethylformamid
    N-Nitrosopiperidin
    Nitromethan/Wasser (94 : 6)
    Phenylendiamine
    Schwefelsäure
    Tetramethylensulfoxid
    Nichtlösungsmittel für Polymere von Vinylacetat und Acrylnitril
    Poly(vinylacetat)-Lösungsmittel Poly(acrylnitril)-Lösungsmittel
    gesättigte Kohlenwasserstoffe Kohlenwasserstoffe
    Mesitylen chlorierte Kohlenwasserstoffe
    Tetrachlorkohlenstoff Alkohole
    Ethanol (wasserfrei) Diethylether
    Ethylenglykol Ketone
    Cyclohexanol 3,4-Dimethylsulfolan
    Diethylether 1,6-Hexandiamin
    höhere Ester, C > 5 Propylformiat
    Schwefelkohlenstoff Formamid
    Wasser DMF
    verdünnte Säuren Diethylformamid
    verdünnte Basen Methoxyacetamid
    Dimethyloxamid
    Ethylenharnstoff
    Acetonitril
    Acrylnitril
    Methoxyacetonitril
    1-Hydroxypropionitril
    Dimethylmalononitril
    1,1-Dimethylbernsteinsäurenitril
    Methylthiocyanat
    Hexamethylendithiocyanat
    aliphatische Nitro-verbindungen
    1-Nitrophenol
    Diethylsulfoxid
    Bis(2-hydroxyethyl)sulfoxid
    Diethylsulfon
  • Die Schmutzablagerungsspezies sind für jedes Verfahren unterschiedlich. Poly(vinylacetat) ist in seinem Monomer löslich, Poly(acrylnitril) nicht. Schmutzablagerungen im Vinylacetat-Verfahren können durch Addition über die Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung des Monomermoleküls entstehen. Dies ist beim Acrylnitril-Verfahren nicht der Fall.
  • Kurz gesagt weisen die Schmutzablagerungsspezies im Vinylacetat- und Acrylnitril-Verfahren unterschiedliche physikalische Eigenschaften auf. Diese Unterschiede umfassen physikalische Eigenschaften, Löslichkeiten und Reaktivitäten. Die Wechselwirkung von Dispersionsmitteln und Schmutzablagerungsmaterial hängt von Eigenschaften wie Pola rität (die mit dem Dipolmoment korreliert) und Löslichkeit ab. Die Tatsache, dass Dodecylbenzolschwefelsäure Poly(vinylacetat) wirksam dispergiert, bedeutet nicht, dass damit auch Poly(acrylnitril), ein Material, das deutlich unterschiedliche Löslichkeitseigenschaften aufweist, wirksam dispergiert werden kann.
  • Es wäre daher ein Fortschritt auf diesem Gebiet, wenn zu solchen Acrylnitril-Verfahrensanlagen lediglich eine wirksame Menge eines Schmutzablagerungsverhinderungsmittels zugesetzt werden müsste, um die Möglichkeit, dass sich Schmutzablagerungen bilden und die maximale Nutzung der Acrylnitril-Verfahrensanlage verhindern, zu minimieren oder eliminieren.
  • Die Erfindung umfasst ein Verfahren zum Hemmen der Bildung von Schmutzablagerungen, wie z. B. Rückständen, Harzen und Fällungsprodukten, polymeren Teeren und anderen hochoxidierten kohlenstoffhaltigen Teeren, die in Acrylnitril-Herstellungs- oder -Wiedergewinnungsanlagen entstehen können.
  • Das Verfahren umfasst das Zusetzen einer wirksamen schmutzablagerungsverhindernden Menge eines Schmutzablagerungsverhinderungsmittels zu den in der Acrylnitril-Verfahrensanlage gelagerten oder durchströmenden flüssigen oder gasförmigen Phasen, das die Struktur R-(SO3)nM aufweist, worin R eine kohlenwasserstoffhältige Gruppe mit 1 bis 34 Kohlenstoffatomen ist, die aus unverzweigten oder verzweigten Alkylgruppen, aromatischen, zyklischen, Alkaryl-, Aralkyl- oder Alkenylgruppen, Alkyldiphenylethergruppen, Dialkylnaphthalingruppen oder Gemischen davon ausgewählt ist; M aus der aus H, Alkalimetallen, Erdalkalimetallen, Ammoniumkationen, Alkylaminokationen, quaternären Aminokationen oder Gemischen davon bestehenden Gruppe ausgewählt ist; und n im Bereich von 1 bis 6 liegt.
  • Das Dispersionsmittel, das sich als all diese Anforderungen erfüllend herausgestellt hat, d. h. ein Dispersionsmittel, das die durch polymere Teere, Rückstände, hochoxidierte kohlenstoffhältige Teere und Trümmerteilchen und ähnliche Schmutzablagerungsmittel wie oben beschrieben hemmen kann, während es gleichzeitig umweltverträglich ist und mit den in der Herstellung von Acrylnitril verwendeten Chemikalien kompatibel ist, ohne dass dadurch Schwierigkeiten bei der Herstellung solcher Monomere entstehen, ist hauptsächlich ein Dispersionsmittel aus Alkylsulfonsäuren. Beispiele für solche Alkylsulfonsäuren sind Dodecylbenzolsulfonsäure, Methylsulfonsäure, Toluolsulfonsäure, Alkyldiphenyletherdisulfonsäure, Dialkylnaphthalinsulfonsäure, Dodecylsulfobernsteinsäureanhydrid, Dodecylsulfobernsteinsäure, Dioctylsulfobernsteinsäure oder -sulfosuccinat und ähnliche Materialien. Sulfonsäuren können wie sie sind verwendet werden oder in einem kompatiblen Lösungsmittel formuliert sein und können gegebenenfalls andere Dispersionsmittel, Tenside, Antischaummittel, Korrosionshemmstoffe und ähnliche Inhaltsstoffe umfassen.
  • Das Schmutzablagerungsverhinderungsmittel ist vorzugsweise mit einem organischen polaren Lösungsmittel vermischt, das aus der aus der aus Alkoholen, Ethern, Estern, Ketonen, Nitrilen oder Gemischen davon bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  • Die bevorzugt verwendete Schmutzablagerungsverhinderungsmittel-Formulierung ist eine Formulierung, die Dodecylbenzolsulfonsäure und/oder Salze davon enthält und gegebenenfalls mit einem organischen polaren Lösungsmittel, wie z. B. Butyl-Cellosolve (einem Alkylgruppen-verkappten Diethermaterial, das im Handel erhältlich ist), vermischt und/oder in diesem gelöst ist.
  • Diese Schmutzablagerungsverhinderungsmittel enthalten 1 bis 100 Gew.-% Alkylsulfonsäure, vorzugsweise Dodecylbenzolsulfonsäure, und/oder Salze davon, gemischt mit oder gelöst in einem polaren Lösungsmittel, wie z. B. Butylcellosolve (einem Alkylgruppen-verkappten Diethermaterial, das im Handel erhältlich ist).
  • Zusätzlich kann die Dodecylbenzolsulfonsäure in Form ihrer Salze, insbesondere als quaternäre Ammonium- oder Aminosalze durch Neutralisieren der Sulfonsäure mit verschiedenen Basen oder mit verschiedenen Aminen, einschließlich Polyaminen, vorliegen.
  • Neben der Dodecylbenzolsulfonsäure können andere kohlenwasserstoffhältige Sulfonsäuren in der Erfindung verwendet werden. Diese Sulfonsäuren können Alkylsulfonsäuren sein, die organische Sulfonsäuren, wie z. B. Toluolsulfonsäure, Methansulfonsäure, Alkyldiphenyletherdisulfonsäure, Dialkylnaphthalinsulfonsäure, Dodecylsulfobernsteinsäureanhydrid, Dodecylsulfobernsteinsäure sowie Dioctylsulfobernsteinsäure oder -sulfosuccinat, einschließen können. Repräsentativ für diese Sulfonsäuren sind jene, die die Struktur R-(SO3)nM aufweisen, worin R eine kohlenwasserstoffhältige Gruppe mit 1 bis 34 Kohlenstoffatomen ist, die aus unverzweigten oder verzweigten Alkylgruppen, aromatischen, zyklischen, Alkaryl-, Aralkyl- oder Alkenylgruppen, Alkyldiphenylethergruppen, Dialkylnaphthalingruppen oder Gemischen davon ausgewählt ist; M aus der aus H, Alkalimetallen, Erdalkalimetallen, Ammoniumkationen, Alkylaminokationen, quaternären Aminokationen und dergleichen oder Gemischen davon bestehenden Gruppe ausgewählt ist; und n im Bereich von 1 bis 6, vorzugsweise von 1 bis 4 und insbesondere von 1 bis 2, liegt.
  • Zu diesen wirksamen Sulfonsäuren gehören auch Strukturen, die aromatische Alkylsulfonsäuren oder naphthenische Alkylsulfonsäuren einschließen, wie hierin nachstehend detailliert beschrieben wird.
  • Zu verwendende organische polare Lösungsmittel (protisch oder aprotisch) sind Lösungsmittel wie Butyl-Cellosolve oder ein beliebiges der verkappten Ether-Cellosolve-Lösungsmittel auf Ethylenoxid-Basis, und diese können auch organische polare Lösungs mittel, wie z. B. Diethylether von Tetraethylenglykol, Polyethylen und Polypropylenoxidalkylether, sowie im Allgemeinen auch andere Etherlösungsmittel, wie z. B. Diethylether, einschließen. Darüber hinaus schließen andere funktionierende polare Lösungsmittel auch bestimmte organische Säuren, wie z. B. Essigsäure, oder andere derartige polare Lösungsmittel, wie z. B. Diacetonalkohol, unverzweigte und verzweigte Alkylalkohole, wie z. B. Methanol, Ethanol, Propanol, Isopropanol, t-Butylakohol, ein. Gemische dieser polaren Lösungsmittel können ebenfalls verwendet werden.
  • In der beanspruchten Erfindung können auch zahlreiche häufiger vorkommende Lösungsmittel wirksam verwendet werden; Ester, wie z. B. Ethylacetat, Ketone, wie z. B. Aceton, Nitrile, wie z. B. Acetonitril und Acrylnitril, Wasser (wenn mit einigen der obigen Lösungsmittel vermischt) und Gemische der obigen Lösungsmittel.
  • Des Weiteren sind aliphatische und aromatische Kohlenwasserstofflösungsmittel, Dimethylacetamid (DMAC), Dimethylformamid (DMF), Dimethylsulfoxid (DMSO) und schweres aromatisches Naphtha eingeschlossen.
  • Die oben beschriebenen Alkylsulfonsäuren sind bevorzugt, wenn sie in Verfahrensströmen in Konzentrationen von 1 ppm bis 20.000 ppm, bezogen auf die Gewichtsverhältnisse von Additiv-Formulierung und Verfahrensstrom, zu welchem die Formel zugesetzt wird, eingesetzt werden. Kohlenwasserstoffhältige Sulfonsäuren oder deren Formulierungen können in Behandlungskonzentrationen von 1–20.000 ppm, vorzugsweise zwischen 5–1000 ppm und insbesondere zwischen 10–100 ppm (Gew.-%) an Behandlungssäure, bezogen auf den zu behandelnden Verfahrensstrom, als Schmutzablagerungsverhinderungsmittel dienen.
  • Wie auch ersichtlich ist, können die Alkylsulfonsäuren zwar als Aminosalze verwendet werden, die Wirksamkeit mancher Amine, wie schwere Aminkondensatsalze, ist jedoch nicht so hoch wie die der freien Säure. Daher ist die Verwendung der Sulfonsäuren der vorliegenden Erfindung als freie Säure besonders bevorzugt.
  • Die folgenden Beispiele dienen der Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung.
  • Beispiel 1
  • Eine Schmutzablagerungsprobe wurde aus einem verschmutzten Acrylnitril-Anlagenkühler gezogen. Die Ablagerungsprobe wurde zusammen mit Dimethylsulfoxid (DMSO) gemahlen, und die resultierende Suspension wurde durch ein 0,45-μm-Filter filtriert. Das dunkelbraune Filtrat (gesättigte Lösung der Schmutzablagerung) wurde zum Überprüfen der Dispersion herangezogen. 15 ml organische Phase, die vom Kopf-Sumpf-Strom (ebenfalls aus einer Acrylnitril-Anlage) abgezogen worden war, wurde in ein Spitzeprouvette gefüllt und mit 100 μl der Filtratlösung behandelt. Sofort fiel das feste Material aus der Lösung aus. Diese Eprouvette wurde mit A beschriftet. Eine weitere, mit B beschriftete Eprouvette wurde mit 15 ml organischer Phase, die vom Kopf-Sumpf-Strom abgezogen worden war, und 100 μl der Filtratlösung gefüllt. Die Eprouvette wurde mit 50 ppm des Materials der Erfindung behandelt. Beide Eprouvetten wurden verschlossen, für ein paar Minuten geschüttelt und beobachtet. Innerhalb weniger Minuten bildete sich am Boden der Eprouvette A ein Niederschlag aus festem Material. Dieses Material konnte in Eprouvette B nicht festgestellt werden. Die Eprouvette blieb homogen und niederschlagsfrei – das Schmutzablagerungsmaterial in Eprouvette B blieb in der Lösung suspendiert.
  • Beispiel 2
  • Die vom Kopf-Sumpf-Strom abgezogene organische Phase wurde in drei graduierte Zentrifugenröhrchen gefüllt. Die Röhrchen wurden mit C, D und E beschriftet. Das Zentrifugenröhrchen C wurde mit dem Material der Erfindung behandelt. Die Röhrchen D und E wurden nicht mit dem Material der Erfindung behandelt. Jedem Röhrchen wurde die Schmutzablagerungslösung zugesetzt, um das Zuführen von Acrylnitril-Schmutzablagerungsmaterial zu simulieren. Das Röhrchen C blieb homogen und niederschlagsfrei.
  • Die Zentrifugenröhrchen D und E wiesen unlösliches Material auf, das innerhalb kurzer Zeit einen Niederschlag am Boden der Röhrchen gebildet hatte. Röhrchen E wurde anschließend mit dem Material der Erfindung behandelt. Das Röhrchen wurde verschlossen, geschüttelt und beobachtet. Nach kurzer Zeit näherte sich das Röhrchen E der Qualität des Röhrchens C, das homogen und niederschlagsfrei war. Das Material der Erfindung verbesserte somit die Dispergierung des Schmutzablagerungsmaterials innerhalb der Acrylnitril-Matrix vor und nach der Fällung der Schmutzablagerung.
  • Beispiel 3
  • Die Zentrifugenröhrchen C und D aus Beispiel 2 wurden bei extremen Temperaturen bewertet, um die Leistungsstabilität des Materials der Erfindung zu untersuchen. Der betrachtete Temperaturbereich bewegte sich von 8°C (46°F) bis 80°C (176°F). Das Röhrchen C blieb innerhalb des gesamten Temperaturbereichs homogen und niederschlagsfrei.

Claims (9)

  1. Verfahren zum Hemmen der Bildung von Schmutzablagerungen in Acrylnitrilmonomer-Herstellungs- oder -Wiedergewinnungsanlagen, umfassend den Zusatz einer wirksamen schmutzablagerungsverhindernden Menge eines Schmutzablagerungsverhinderungsmittels zu den darin enthaltenen flüssigen oder gasförmigen Phasen, das die Struktur R-(SO3)nM aufweist, worin R eine kohlenwasserstoffhältige Gruppe mit 1 bis 34 Kohlenstoffatomen ist, die aus unverzweigten oder verzweigten Alkylgruppen, aromatischen, zyklischen, Alkaryl-, Aralkyl- oder Alkenylgruppen, Alkyldiphenylethergruppen, Dialkylnaphthalingruppen oder Gemischen davon ausgewählt ist; M aus der aus H, Alkalimetallen, Erdalkalimetallen, Ammoniumkationen, Alkylaminkationen, quaternären Aminkationen und Gemischen davon bestehenden Gruppe ausgewählt ist; und n im Bereich von 1 bis 6 liegt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Schmutzablagerungsverhinderungsmittel aus der aus Dodecylbenzolsulfonsäure, Methylsulfonsäure, Toluolsulfonsäure, Dodecylsulfobernsteinsäureanhydrid, Dodecylsulfobernsteinsäure, Alkyldiphenyletherdisulfonsäure, Dialkylnaphthalinsulfonsäure, Dioctylsulfobernsteinsäure oder -sulfosuccinat und Gemischen davon bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin das Schmutzablagerungsverhinderungsmittel mit einem organischen polaren Lösungsmittel vermischt wird, das aus der aus Alkoholen, Ethern, Estern, Ketonen, Nitrilen oder Gemischen davon bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, worin das organische polare Lösungsmittel mit Wasser vermischt wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin das Schmutzablagerungsverhinderungsmittel mit einem polaren Lösungsmittel vermischt wird, das aus der aus Essigsäure, Diacetonalkohol, Dimethylacetamid (DMAC), Dimethylformamid (DMF), Dimethylsulfoxid (DMSO), Wasser und Gemischen davon bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin das Schmutzablagerungsverhinderungsmittel mit einem Lösungsmittel vermischt wird, das aus der aus aliphatischen und aromatischen Kohlenwasserstoffen und Gemischen davon bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, worin die wirksame schmutzablagerungsverhindernde Menge an Schmutzablagerungsverhinderungsmittel im Bereich zwischen 1 und 20.000 ppm Schmutzablagerungsverhinderungsmittel, bezogen auf den behandelten Verfahrensstrom, liegt.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, worin die wirksame Menge an Schmutzablagerungsverhinderungsmittel im Bereich zwischen 5 und 1.000 ppm liegt.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, worin die wirksame Menge im Bereich von 10 bis 100 ppm Schmutzablagerungsverhinderungsmittel liegt.
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