DE69735431T2 - Strahlungsdetektor mit grossen abmessungen - Google Patents

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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Photonenstrahlungsdetektor mit großen Abmessungen.
  • Stand der Technik
  • Die gegenwärtig am meisten benutzten IR-Hochleistungsdetektoren basieren auf einer Technik zur Hybridisierung eines Detektionschips auf einem Lesechip mittels eines Gitters aus Mikrokugeln (zum Beispiel auf Indiumbasis), das die elektrische und mechanische Verbindung der beiden Chips gewährleistet.
  • Die Leseschaltung, die ermögliche, die durch jedes Pixel detektierten Signale zu lesen und auf einem einzigen Ausgang oder einer kleinen Anzahl von Ausgängen zu multiplexen, ist eine analoge Schaltung auf Siliciumbasis. Die Komplexität dieser Schaltungen (Größe, Dichte, analoger Charakter) verhindert nämlich eine Realisierung in jeder anderen Technik.
  • Die Detektionsschaltung wird generell durch eine große Anzahl von Pixeln gebildet, angeordnet gemäß einer zweidimensionalen oder mosaikartigen Struktur mit ixj Pixeln (zum Beispiel 128×128, 256×256, 640×640 Pixel) oder eventuell gemäß einer eindimensionalen oder quasi-eindimensionalen Struktur mit ixj Pixeln mit i = 1 oder i << j (zum Beispiel 288×4, 480×4 Pixel). Um Hochleistungsbauteile herzustellen, wird als Material meistens eine Legierung CdxHg1-xTe verwendet und mittels irgendeiner Epitaxietechnik (LPE, MBE, MOVPE, ISOVPE usw.) auf einem Substrat aus Cd1-zZnzTe (0 ≤ z ≤ 1) mit Maschenparameteranpassung abgeschieden. Das photosensible Elementarbauteil besteht aus einer N/P-Diode, realisiert in einer CdHgTe-Schicht.
  • Es existieren mehrere technische Varianten zur Herstellung dieser Übergänge. Die aktuell ausgereifteste Technik beruht auf einem Planarverfahren mit einer Ionenimplantationstechnik zur Bildung des Übergangs, wie beschrieben in den am Ende der vorliegenden Beschreibung genannten Dokumenten [1] oder [2]. Man kann hervorheben, dass die Kontaktnahme, die in der N-Zone in Höhe jedes Pixels stattfindet, in der P-Zone üblicherweise für alle die Vorrichtung bildenden Elementardioden gemeinsam erfolgt. Diese Technik hat im Vergleich mit anderen Techniken zahlreiche Vorteile, die im Wesentlichen mit ihrer relativen Einfachheit verbunden sind, die eine sehr gute Reproduzierbarkeit/Verlässlichkeit bewirkt: kein Ätzen zur Definition von aktiven Flächen, ein metallurgisch einfacher Stapel (diese Struktur erfordert nur eine einzige Schicht, während man für die Strukturen mit Heteroübergängen mindestens zwei Schichten benötigt), geringere Empfindlichkeit des Niederfrequenzrauschpegels der Detektoren bei der Polarisation der Vorrichtung. Die Robustheit und die Zuverlässigkeit dieser Technik werden durch die Tatsache bewiesen, dass die so hergestellten Bauteile die ersten gewesen sind, die industriell verfügbar waren. Zudem wurde kürzlich gezeigt, dass man bei diesen Strukturen mit N-P-Übergang, wie in den 1A und 1B dargestellt und in dem Referenzdokument [3] beschrieben, das gleiche Stromniveau erreichen kann wie bei den Heteroübergangsstrukturen, wo die P-Zone sich über der N-Zone befindet, wie dargestellt in der 2.
  • Die 1A und 1B zeigen jeweils eine schematische Ansicht eines hybridisierten zweidimensionalen IR-Strahlungsdetektors auf seiner Leseschaltung und eine Vergrößerung eines Pixels, die einen Schnitt eines Detektionselements darstellt.
  • In der 1A sind insbesondere ein Detektorchip 10, eine Siliciumschaltung 11 und metallische Verbindungen 12 dargestellt (zum Beispiel Indium-Mikrokugeln), wobei das Videosignal an 13 liegt.
  • Die 1B entspricht einer Vergrößerung des in der 1A mit 14 bezeichneten Ausschnitts. In dieser Figur sind eine ScZnTe-Substrat 20, eine CdHgTe-Schicht 21, eine N/D-Diode 22, erzeugt in dieser Schicht 21, eine Passivierungsschicht 23, eine Antireflexschicht 24, ein Kontakt 25, eine Indium-Mikrokugel 12 und eine Siliciumschaltung 27, wobei die empfangene Strahlung 28 eine IR-Strahlung ist.
  • Die 2 zeigt einen Detektor mit "P-auf-N"-Heteroübergang, mit einer CdZnTe-Substratschicht 30, unter einer Detektionsschicht 31 des Typs N aus CdxHg1-xTe, einer Detektionsschicht 32 des Typs P aus CdyHg1-yTe, mit y > x, und einer Passivierungsschicht 33. In dieser 2 sind auch ein Pixelkontakt 34 und ein für alle Pixel gemeinsamer "Substratkontakt" 35 dargestellt, der sich am Ende des Mosaiks befindet.
  • Gegenwärtig nimmt der Bedarf an zweidimensionalen Schaltungen mit sehr hohen Pixelzahlen, zum Beispiel Formate mit 256×256 Elementen oder mehr, immer stärker zu. Bei diesen Bauteilen, wenn man versucht, ein großes Signal zu detektieren, wie dies zum Beispiel bei thermischen Kameras der Fall ist, die in dem 8–12 μm-Band arbeiten, und dies bei der Beobachtung einer Szene mit einer Temperatur von ungefähr 300 K, kann man insbesondere bei den N-auf-P-Planarstrukturen ein Phänomen der Entpolarisierung der Dioden beobachten, die weit entfernt sind von den in der Folge der Beschreibung "Substratkontakte" genannten Kontaktaufnahmestellen, die sich normalerweise am Rand der Matrix befinden und für alle Pixel gemeinsam sind, wie weiter oben erwähnt. Dieses Phänomen kann den Betrieb der Vorrichtung sehr stören und sie sogar unverwendbar machen. Es ist verbunden mit dem Wert des Zugriffswiderstands dieser Dioden im Zentrum des Bauteils. Im Falle der Planarstrukturen des Typs N-auf-P, wird dieser Zugriffswiderstand bestimmt durch die Transporteigenschaften der P-Zone der CdHgTe-Schicht 21 (typische Dotierung im Bereich von einigen 1016 cm–3, typische Mobilität der Träger (Löcher) in dem Bereich 300–500 cm2/V/s) sowie natürlich durch die Größe des Bauteils.
  • Um dieses Problem zu beseitigen, können einige "selbstverständliche" Lösungen vorgeschlagen werden. Unter diesen Lösungen kann man einen Substratkontakt in der Nähe jeder Diode oder Diodengruppe in Betracht ziehen (i.e. im Falle der Planarstrukturen in der P-Zone der Schicht 21), der so klein ist, dass jegliches Entpolarisierungsproblem vermieden wird. Dies erfordert jedoch eine Reduzierung des Füllfaktors des Mosaiks und infolgedessen eine Reduzierung seiner Leistung, sei es in Bezug auf jedes Pixels oder jede Pixelgruppe, sowie eine größere technische Komplexität (Verbindung zwischen allen Substratkontakten). Eine andere Lösung besteht darin, die Dicke der CdHgTe-Schicht 21 in Bezug auf die üblicherweise benutzte Schicht (Dicke ec) zu erhöhen und folglich die der P-Zone zu erhöhen, die nach der Ionenimplantation der N-Zonen vorhanden ist im Falle der Planarstrukturen des Typs N-auf-P. Auch hier verschlechtert sich die Leistung der Vorrichtung: entweder nimmt die Quantenausbeute ab (zum Beispiel wenn e0 größer ist als die Diffusionslänge der Minoritätsträger) oder der Dunkelstrom nimmt zu (wenn e0 kleiner ist als die Diffusionslänge der Minoritätsträger), oder es tritt beides ein (wenn e0 größer ist als die Diffusionslänge der Minoritätsträger und wenn e0 kleiner ist als die Diffusionslänge der Minoritätsträger). In allen Fällen nimmt das Verhältnis zwischen dem Photonenstrom und dem Dunkelstrom ab.
  • Diese Zugriffswiderstandsproblem ist wesentlich weniger groß bei den Heteroübergangstrukturen, die eine P-auf-N-Struktur haben, wie dargestellt in der 2, und von den exzellenten Leiteigenschaften der Schichten des N-Typs profitieren, verbunden mit der sehr hohen Mobilität der Elektronen in diesen Schichten. Bei diesen Strukturen ist es diese Schicht des N-Typs, die den gemeinsamen Substratkontakt aller Dioden darstellt. Jedoch hat diese Technik ernsthafte Nachteile in Bezug auf die N-auf-P-Planartechnik.
  • Das Referenzdokument [8] beschreibt eine schnelle HgCdTe-Fotodiode, realisiert in einer HgCdTe-Halbleiterschicht des P-Typs. Auf einer Seite dieser Schicht ist eine dotierte Zone des N-Typs vorhanden. Eine Metallisierung hat Kontakt mit einer semimetallischen HgTe-Schicht, die sich auf der anderen Seite der HgCdTe-Halbleiterschicht befindet, gegenüber dem PN-Übergang.
  • Das Referenzdokument [9] beschreibt ein Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften einer Hg0,8Zn0,06Te-Struktur, abgeschieden durch Flüssigphasenepitaxie, indem man zwischen der Epitaxieschicht aus Hg0,8Cd0,2Te und dem Substrat aus Cd0,97Zn0,03Te eine Pufferschicht aus Cd0,94Zn0,06Te einfügt.
  • Die Erfindung hat die Aufgabe, das Problem eines hohen Serienwiderstands bei den Dioden zu beseitigen, die mit der oben beschriebenen Planartechnik hergestellt werden und sich im Zentrum großer zweidimensionaler Mosaiken mit ixj Pixeln befinden (wobei i und j groß sind, zum Beispiel größer als 128) und die dazu bestimmt sind, hohe Signalpegel zu detektieren, und außerdem die Aufgabe, die elektrooptischen Eigenschaften der Detektoren beizubehalten.
  • Darstellung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen zweidimensionalen Photonstrahlungsdetektor, basierend auf einer Technik zur Hybridisierung eines Detektionschips auf einem Lesechip mittels eines die elektrische und mechanische Verbindung der beiden Chips gewährleistenden Mikrokugelngitters, wobei der Detektionschip gebildet wird durch eine zweidimensionale Struktur aus ixj Pixeln, einer auf einem Substrat abgeschiedenen aktiven Schicht, wobei jedes photosensible Elementarelement durch eine in der aktiven Schicht realisierten N/P- oder P/N-Diode gebildet wird, der Kontakt mit der N- oder P-Zone bei jedem Pixel einzeln erfolgt, der Kontakt mit der anderen P- oder N-Zone für alle Dioden gemeinsam ist, dadurch gekennzeichnet, dass er eine Zwischenschicht mit einer größeren Bandlücke als derjenigen der aktiven Schicht umfasst, wobei diese Zwischenschicht für die Wellenlängen, die man detektieren will, optisch transparent ist, und elektrisch neutral ist, was einen vernachlässigbaren Beitrag der Zwischenschicht zu dem Dunkelstrom des Detektors gewährleistet, diese Zwischenschicht auf dem Substrat abgeschieden ist, die aktive Schicht auf dieser Zwischenschicht abgeschieden ist, die aktive Schicht und die Zwischenschicht CdHgTe-Schichten mit unterschiedlichen Zusammensetzungen sind, wobei die Zwischenschicht eine CdyHg1-yTe-Schicht mit y < 1 ist.
  • Vorteilhafterweise ist die aktive Schicht eine CdxHg1-xTe-Schicht mit 0 ≤ x ≤ 1, ist das Substrat eine Cd1-zZnzTe-Schicht mit 0 ≤ z ≤ 1 und die Zwischenschicht ist eine für diejenigen Wellenlängen transparente CdyHg1-yTe-Schicht, die man detektieren will, so dass x + ε < y < 1, mit ε > 0, wo x die Zusammensetzung der CdxHg1-xTe-Legierung ist, die die aktive Schicht bildet. Man kann xmax < y wählen, wo xmax die Zusammensetzung einer CdxHg1-xTe-Schicht wäre, deren Bandlücke gleich hc/qλmin ist (h: Planck-Konstante; c: Lichtgeschwindigkeit; q: Elektronenladung; λmin: minimale Wellenlänge, die man detektieren will), wobei die maximale Wellenlänge durch die Bandlücke der CdxHg1-xTe-Schicht definiert wird. Zudem wird y vorzugsweise niedriger als λmax + 0.1 gewählt, um eine sehr gute Kristallgitterübereinstimmung zwischen dem Substrat, der Zwischenschicht und dem Rest der Struktur (optisch aktive Zone) zu wahren.
  • Vorteilhafterweise ist die Dicke der Zwischenschicht zwischen 10 und 30 μm enthalten.
  • Bei einer ersten Variante der Erfindung wird diese Schicht abweichend von der Stöchiometrie dotiert.
  • Bei einer zweiten Variante erhält diese Schicht eine extrinsische P-Typ-Dotierung mit einer Verunreinigung.
  • Die vorliegende Erfindung findet Anwendung:
    • – in der Strahlungsdetektion;
    • – in der IR-Strahlungsdetektion im Bereich 3–30 μm, insbesondere in den atmosphärischen Transmissionsfenstern 3–5 μm und 8–12 μm;
    • – in der Wärmebildherstellung.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • – Die 1A und 1B zeigen jeweils eine schematische Ansicht eines hybridisierten zweidimensionalen IR-Strahlungsdetektors auf seiner Leseschaltung nach dem Stand der Technik und eine vergrößerte Ansicht eines Pixels, die einen Schnitt eines Detektorelements darstellt;
  • – die 2 zeigt eine schematische Schnittansicht eines "P-auf-N"-Heteroübergangdetektors nach dem Stand der Technik;
  • – die 3 zeigt in der Erfindung benutzten Mehrschichtenstapel.
  • Detaillierte Darstellung von Realisierungsarten
  • Die Erfindung besteht darin, zwischen dem Substrat aus CdZnTe 40 und der aktiven CdxHg1-xTe-Schicht 41 eines Detektor wie dem in der 1 dargestellten eine optisch und elektrisch durchlässige CdyHg1-yTe-Schicht 42 einzufügen, wobei diese Schicht 42 eine Schicht mit einer großen Bandlücke (oder Breite des verbotenen Bands) ist, und die aktive CdxHg1-xTe-Schicht 41 eine Schicht mit einer kleinen Bandlücke ist.
  • Eine solche Struktur wird gebildet durch eine CdyHg1-yTe-Schicht 42, abgeschieden auf einem Substrat 40 aus Cd1-zZnzTe durch irgend eine Epitaxietechnik, wobei diese Schicht selbst von einer aktiven CdxHg1-xTe-Schicht 41 bedeckt wird, auch durch irgend eine Epitaxietechnik erzeugt, vorzugsweise durch dieselbe Technik wie die Schicht 42 (aber nicht unbedingt). Die 3 zeigt den realisierten metallurgischen Stapel.
  • Vorzugsweise weist der durch die Nachbarschaft von CdHgTe-Materialien unterschiedlicher Zusammensetzung hergestellte Heteroübergang eine ausreichende Gradualität auf, um die Präsenz einer eventuellen Potentialschwelle zu vermeiden, die sich dem Durchgang der Löcher der CdyHg1-yTe-Schicht widersetzen würde. Diese Gradualität kann sich bei dem Epitaxie-Wachstum oder einer thermischen Behandlung nach dem Wachstum ausbilden.
  • Die Zusammensetzung der CdyHg1-yTe-Schicht 42 ist so, dass diese Schicht durchlässig für die Wellenlängen ist, die man detektieren will: x + ε < y < 1, mit ε > 0, wo x die Zusammensetzung der CdxHg1-xTe-Legierung ist, die die aktive Schicht bildet. Noch genauer wählt man xmax < y, wo xmax die Zusammensetzung der Legierung ist, deren Bandlücke gleich hc/qλmin ist (h: Planck-Konstante; c: Lichtgeschwindigkeit; q: Elektronenladung; λmin: minimale Wellenlänge, die man detektieren will), wobei die maximale Wellenlänge durch die Bandlücke der CdxHg1-xTe-Schicht 42 definiert wird. Zudem wird y vorzugsweise niedriger als xmax + 0.1 gewählt, um eine sehr gute Kristallgitterübereinstimmung zwischen dem Substrat 40 aus Cd1-zZnzTe, der Schicht 42 aus CdyHg1-yTe und dem Rest der Struktur (optisch aktive Zone) zu wahren.
  • Die Dicke der CdyHg1-yTe-Schicht 42 ist typisch zwischen 10 und 30 μm enthalten (andere Dicken sind jedoch möglich). Bei einer ersten Variante der Erfindung wird diese Schicht abweichend von der Stöchiometrie dotiert. Bei einer zweiten Variante erhält diese Schicht 42 eine extrinsische P-Typ-Dotierung mit einer Verunreinigung. Vorzugsweise wird eine in CdHgTe wenig diffundierende Verunreinigung verwendet, zum Beispiel As oder Sb. Die P-Dotierung von CdHgTe mit solchen Verunreinigungen wurde in der Vergangenheit benutzt, zum Beispiel in den Referenzdokumenten [4], [5] und [6].
  • Der Zugriffswiderstand der Pixel eines 2D-Mosaiks aufgrund eines Substratkontakts, der sich am Rand des Mosaiks befindet, wird durch das Hinzufügen dieser Schicht 42 wesentliche verringert; je nach Dicke dieser Schicht und ihrem Dotierungsniveau (typisch zwischen 10–6 und 1017 cm–3, einerseits um einen niedrigen Quadratwiderstand dieser Schicht zu gewährleisten, und andererseits um eine signifikante Absorption der Strahlung, die man detektieren will, durch die freien Träger der Schicht zu vermeiden) kann man eine Reduzierung des Pixelzugriffswiderstand eines zweidimensionalen Mosaiks von einem Substratkontakt aus, der sich am Rand des Mosaiks befindet, um einen Faktor 2 bis 10 und sogar höher erreichen.
  • Die CdyHg1-yTe-Schicht 42, die abgeschieden wird, beeinflusst die elektrooptischen Eigenschaften der Elementardetektoren nicht. Diese Schicht ist nämlich durchlässig für die Wellenlängen, die man detektieren will, und sie ist zudem elektrisch neutral: der Zusammensetzungsunterschied x-y, der typisch zwischen 0.1 und xmax – x + 0.1 gewählt werden kann, ermöglicht, einen vernachlässigbaren Beitrag der CdyHg1-yTe-Schicht 42 zum Dunkelstrom des Detektors zu gewährleisten, bei Betriebstemperatur.
  • Wie oben erwähnt, kann der in der 3 dargestellte metallurgische Stapel durch irgend eine Epitaxietechnik realisiert werden. Jedoch kann man nur beispielsweise und nicht einschränkend Flüssigphasenepitaxie oder Molekularstrahlenepitaxie benutzen, die ihre Fähigkeit schon bewiesen haben, noch komplexere als die hier verlangten Mehrschichtenstapel wachsen zu lassen, wie zum Beispiel beschrieben in den Referenzdokumenten [6] und [7]. Das technische Verfahren zur Herstellung der N/P-Detektorübergänge in diesen Zweischichtenstrukturen, beschrieben in den Referenzdokumenten [1] und [2] kann dann angewendet werden, um die Vorrichtungen herzustellen.
  • Dieses Konzept zur Reduzierung von Serienwiderständen bei einem Bauteil zur zweidimensionalen Detektion mit einem gemeinsamen Kontakt durch Hinzufügen einer Schicht mit einer großen Bandlücke, optisch durchlässig (und elektrisch, da mit einer noch größeren Bandlücke), nach der Erfindung, ist bei allen Detektionsstrukturen anwendbar (eventuell auf der Basis anderer Halbleiter als den CdHgTe-Legierungen, oder auf der Basis anderer Detektionselemente als den P/N-Dioden), hybridisiert oder nicht.
  • Ein industrielles Anwendungsbeispiel des erfindungsgemäßen Detektors ist das der Wärmebildkameras auf CdHgTe-Basis.
  • REFERENZEN
    • [1] "HgCdTe Infrared Diode Arrays" von G.L. Destefanis (Semicond. Sci. Technol., 6, 1991, Seiten 88–92)
    • [2] "Hybrid 256 × 256 LWIR FPA Using MBE Grown HgCdTe On GaAs" von A. Kawahara et al. (Proc. SPIE, Vol. 2552, 9.–13. Juli 1995, San Diego, Seiten 411–420)
    • [3] "Large Improvement In HgCdTe Photovoltaic Detector Performence At LETI" von G. Destefanis, J.P. Chamonal (J. of Electron. Mater., Band 22, Nr. 8, 1993, Seiten 1027–1032
    • [4] "HgCdTe MBE Technology: A Focus On Chemical Doping" von O.K. Wu (Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Band 302, 1993, Seiten 423–431
    • [5] "Controlled p-Type Sb Doping In LPE Grown Hg1-xCdxTe Epilayers" von T.C. Harman (J. of Electron Mater., Band 22, Nr. 9, 1993, Seiten 1165–1172)
    • [6] "Hg-Rich Liquid Phase Epitaxy of Hg1-xCdxTe" von M.H. Kalisher et al. (Prog. Crystal Growth and Charact., Band 29, 1994, Seiten 41–83
    • [7] "Low Treshold Injection Laser In HgCdTe" von P. Bouchut et al (J. Electron. Mater., Band 22, Nr. 8, 1993, Seiten 1061–1065)
    • [8] FR-A-2 612 335
    • [9] Hg0,8Cd0,2Te grown by liquid phase epitaxy using Cd0,94Zn0,06Te buffer layer" von N.J. Kwak, I.H. Choi, S.W. Lim und S.H. Suh (Journal of Crystal Growth, vol. 138, Nos 1/4 2. April 1994, Seiten 950-955, XP 000474560).

Claims (9)

  1. Zweidimensionaler Photonstrahlungsdetektor, basierend auf einer Technik zur Hybridisierung eines Detektionschips auf einem Lesechip mittels eines die elektrische und mechanische Verbindung der beiden Chips gewährleistenden Mikrokugelngitters, wobei der Detektionschip gebildet wird durch eine zweidimensionale Struktur aus ixj Pixel, einer auf einem Substrat (40) abgeschiedenen aktiven Schicht (41), wobei jedes photosensible Elementarelement durch eine in der aktiven Schicht (41) realisierten N/P- oder P/N-Diode gebildet wird, die Kontaktnahme auf der N- oder P-Zone bei jedem Pixel erfolgt, die Kontaktnahme auf der anderen P- oder N-Zone allen Dioden gemeinsam ist, dadurch gekennzeichnet, dass er eine Zwischenschicht (42) mit einer größeren Energielücke als derjenigen der aktiven Schicht umfasst, wobei diese Zwischenschicht für die Wellenlängen, die man detektieren will, optisch transparent ist, und elektrisch neutral ist, was einen vernachlässigbaren Beitrag der Zwischenschicht (42) zu dem Dunkelstrom des Detektors gewährleistet, diese Zwischenschicht auf dem Substrat (40) abgeschieden ist, die aktive Schicht (41) auf dieser Zwischenschicht (42) abgeschieden ist, die aktive Schicht (41) und die Zwischenschicht (42) CdHgTe-Schichten mit unterschiedlichen Zusammensetzungen sind, wobei die Zwischenschicht eine CdyHg1-yTe-Schicht mit y < 1 ist.
  2. Detektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Schicht (41) eine CdxHg1-xTe-Schicht mit 0 ≤ x ≤ 1 ist, dass das Substrat (40) eine Cd1-zZnzTe-Schicht mit 0 ≤ z ≤ 1 ist, und dass die Zwischenschicht (42) eine für diejenigen Wellenlängen transparente CdyHg1-yTe-Schicht ist, die man detektieren will, so dass x + ε < y < 1, mit ε > 0, wo x die Zusammensetzung der Legierung ist, die die aktive Schicht (41) bildet.
  3. Detektor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass xmax < y, wo xmax die Zusammensetzung einer CdHgTe-Schicht wäre, deren Energielücke gleich hc/qλmin ist, mit h: Planck-Konstante; c: Lichtgeschwindigkeit; q: Elektronenladung; λmin: minimale Wellenlänge, die man detektieren will, wobei die zu detektierende maximale Wellenlänge durch die Energielücke der aktiven Schicht (41) definiert wird.
  4. Detektor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass y kleiner als xmax + 0.1 ist, um eine exzellente Kristallgitterübereinstimmung zwischen dem Substrat (40), der Zwischenschicht (42) und der restlichen Struktur zu erreichen.
  5. Detektor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Zwischenschicht (42) zwischen 10 und 30 μm enthalten ist.
  6. Detektor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (42) dotiert wird durch Abweichen von der Stöchiometrie.
  7. Detektor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (42) extrinsisch mit Typ P mit einer Verunreinigung dotiert wird.
  8. Detektor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass diese Verunreinigung nur wenig in CdHgTe diffundiert.
  9. Detektor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass diese Verunreinigung vom Typ As oder Sb ist.
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