DE69632574D1 - Datenleseverwaltungsarchitektur für eine Speichervorrichtung, besonders für nichtflüchtige Speicher - Google Patents

Datenleseverwaltungsarchitektur für eine Speichervorrichtung, besonders für nichtflüchtige Speicher

Info

Publication number
DE69632574D1
DE69632574D1 DE69632574T DE69632574T DE69632574D1 DE 69632574 D1 DE69632574 D1 DE 69632574D1 DE 69632574 T DE69632574 T DE 69632574T DE 69632574 T DE69632574 T DE 69632574T DE 69632574 D1 DE69632574 D1 DE 69632574D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
data read
management architecture
especially non
read management
memory device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69632574T
Other languages
English (en)
Inventor
Luigi Pascucci
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69632574D1 publication Critical patent/DE69632574D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G11C16/28Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
DE69632574T 1996-03-29 1996-03-29 Datenleseverwaltungsarchitektur für eine Speichervorrichtung, besonders für nichtflüchtige Speicher Expired - Lifetime DE69632574D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP96830162A EP0798727B1 (de) 1996-03-29 1996-03-29 Datenleseverwaltungsarchitektur für eine Speichervorrichtung, besonders für nichtflüchtige Speicher

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE69632574D1 true DE69632574D1 (de) 2004-07-01

Family

ID=8225851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69632574T Expired - Lifetime DE69632574D1 (de) 1996-03-29 1996-03-29 Datenleseverwaltungsarchitektur für eine Speichervorrichtung, besonders für nichtflüchtige Speicher

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5946237A (de)
EP (1) EP0798727B1 (de)
DE (1) DE69632574D1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1160794B1 (de) * 2000-05-31 2008-07-23 STMicroelectronics S.r.l. Schaltungsanordnung zum Programmieren von Daten in Referenzzellen einer nichtflüchtigen Multibitspeicheranordnung
DE60037504T2 (de) * 2000-05-31 2008-12-11 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Referenzzellenmatrixanordnung zum Datenlesen in einer nichtflüchtigen Speicheranordnung
JP3983048B2 (ja) * 2001-12-18 2007-09-26 シャープ株式会社 半導体記憶装置および情報機器
US7099215B1 (en) * 2005-02-11 2006-08-29 North Carolina State University Systems, methods and devices for providing variable-latency write operations in memory devices
KR20100129808A (ko) * 2009-06-02 2010-12-10 삼성전자주식회사 리드 와일 라이트 동작이 가능한 불휘발성 메모리 장치의 커플링 노이즈 방지 방법
CN103137179B (zh) * 2011-11-30 2015-06-10 中国科学院微电子研究所 一种位线选通装置
CN103187089B (zh) * 2011-12-27 2015-11-25 中国科学院微电子研究所 一种位线选通装置和选通方法
CN102708915B (zh) * 2012-06-06 2014-10-01 中国科学院微电子研究所 一种位线选通装置和选通方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60173792A (ja) * 1984-01-31 1985-09-07 Fujitsu Ltd 信号選択回路
JPS6173300A (ja) * 1984-09-17 1986-04-15 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US5022009A (en) * 1988-06-02 1991-06-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device having reading operation of information by differential amplification
GB8923037D0 (en) * 1989-10-12 1989-11-29 Inmos Ltd Timing control for a memory
JP2573380B2 (ja) * 1989-12-22 1997-01-22 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ
US5113373A (en) * 1990-08-06 1992-05-12 Advanced Micro Devices, Inc. Power control circuit
EP0655742B1 (de) * 1993-11-30 1999-02-10 STMicroelectronics S.r.l. Integrierter Schaltkreis mit elektrisch programmier- und löschbaren Speicherzellen
US5596526A (en) * 1995-08-15 1997-01-21 Lexar Microsystems, Inc. Non-volatile memory system of multi-level transistor cells and methods using same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0798727B1 (de) 2004-05-26
US5946237A (en) 1999-08-31
US6212096B1 (en) 2001-04-03
EP0798727A1 (de) 1997-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69920816D1 (de) Hochbandbreitige Lese- und Schreibearchitektur für nicht-flüchtige Speicher
DE69707715D1 (de) Nicht-flüchtiger speicher der gleichzeitiges lesen und schreiben zulässt durch zeitmultiplexierung eines datenpfades
DE69804115T2 (de) Datenübertragung auf einem nichtflüchtigen speichermedium
DE69625520D1 (de) Mehrfaches schreiben pro einzel-löschung für einen nichtflüchtigen speicher
DE60021746D1 (de) Nichtflüchtiger speicher zum speichern von multibitdaten
DE3889390T2 (de) Schreibe-Schutzmechanismus für nichtflüchtigen Speicher.
DE4495101T1 (de) Speicherelemente, nichtflüchtige Speicher, nichtflüchtige Speichervorrichtungen und darauf basierende Verfahren zur Informationsspeicherung
DE69524844T2 (de) Speicherdaten-Sicherung für ferroelektrischen Speicher
DE60029206D1 (de) Nichtflüchtiger Speicher zur Speicherung von Multibitdaten
DE69801824T2 (de) Speicher für informationsteurung eines mehrhostrechnerspeichers
DE69518676D1 (de) Cache-Speicheranordnung für einen Speicher
DE69427070T2 (de) Dateiverwaltungssystem für eine Speicherkarte
DE69911591D1 (de) Leseschaltung für einen nichtflüchtigen Speicher
DE69731822D1 (de) Datenpuffersystem für mehrere datenspeicheranordnungen
DE60012081D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung, die eine Datenleseoperation während einer Datenschreib/lösch-Operation erlaubt
DE69418906T2 (de) Optischer speicher für datenspeicherung
DE69524200T2 (de) Leseverstärker für nicht-flüchtigen halbleiterspeicher
DE69632574D1 (de) Datenleseverwaltungsarchitektur für eine Speichervorrichtung, besonders für nichtflüchtige Speicher
ID22601A (id) Kartridge untuk suatu media perekam informasi
DE69730306D1 (de) Dateneinschreibschaltung für nichtflüchtigen Halbleiterspeicher
DE59905108D1 (de) Stapelspeichervorrichtung für eine druckvorrichtung
DE69527252T2 (de) Lesen einer Bitleitung in einer Speichermatrix
DE69934517D1 (de) Mittels redundanter eingabedaten inhaltsadressierbarer speicher
HUP0100532A3 (en) Arrangement for reading information from a record
DE59812637D1 (de) Speichermagazin für kartenförmige Datenträger

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de