KR20100129808A - 리드 와일 라이트 동작이 가능한 불휘발성 메모리 장치의 커플링 노이즈 방지 방법 - Google Patents

리드 와일 라이트 동작이 가능한 불휘발성 메모리 장치의 커플링 노이즈 방지 방법 Download PDF

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Abstract

커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 에지가 위치하는지 판단하고, 상기 판단 결과에 기초하여 라이트 동작 신호를 변형시킨다. 따라서 커플링 노이즈 방지 방법은 불휘발성 메모리 장치의 리드 와일 라이트 동작 시 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 발생할 수 있는 커플링 노이즈를 방지하여 불휘발성 메모리 장치의 리드 동작에 대한 센싱 마진을 확보할 수 있다.

Description

리드 와일 라이트 동작이 가능한 불휘발성 메모리 장치의 커플링 노이즈 방지 방법 {METHOD OF PREVENTING COUPLING NOISES IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE CAPABLE OF PERFORMING READ-WHILE-WRITE OPERATIONS}
본 발명은 불휘발성 메모리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 리드 와일 라이트 동작이 가능한 불휘발성 메모리 장치의 커플링 노이즈 방지 방법에 관한 것이다.
불휘발성 메모리 장치에서는 라이트 동작 속도가 상대적으로 리드 동작 속도보다 느리기 때문에, 최근에는 리드 와일 라이트 동작이 가능한 즉, 라이트 동작을 수행하는 동안에 리드 동작도 수행할 수 있는 불휘발성 메모리 장치가 제시되고 있다. 일반적으로, 리드 와일 라이트 동작이 가능한 불휘발성 메모리 장치는 뱅크(bank) 단위로 배열된 메모리 셀 어레이, 리드 동작을 수행하기 위한 리드 데이터 라인들 및 라이트 동작을 수행하기 위한 라이트 데이터 라인들을 포함할 수 있다. 그러나 종래의 불휘발성 메모리 장치에서는 리드 와일 라이트 동작 시 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 커플링 노이즈가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 불휘발성 메모리 장치의 리드 와일 라이트 동작 시 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 발생할 수 있는 커플링 노이즈를 방지하는 커플링 노이즈 방지 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기에서 언급된 기술적 과제로 제한되는 것은 아니며, 상기에서 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 에지가 위치하는지 여부를 판단하고, 상기 판단 결과에 기초하여 상기 라이트 동작 신호를 변형시킬 수 있다.
상기 커플링 노이즈 방지 방법의 실시예들에 의하면, 상기 라이트 동작 신호의 에지는 상승 에지일 수 있다.
상기 커플링 노이즈 방지 방법의 실시예들에 의하면, 상기 라이트 동작 신호를 변형시키는 것은 상기 상승 에지가 상기 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하면 상기 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연시킴으로써 이루어질 수 있다.
상기 커플링 노이즈 방지 방법의 실시예들에 의하면, 상기 라이트 동작 신호 를 변형시키는 것은 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하면 상기 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장시킴으로써 이루어질 수 있다.
상기 커플링 노이즈 방지 방법의 실시예들에 의하면, 상기 제 1 시간은 상기 상승 에지가 상기 리드 동작 신호의 활성화 구간 외에 위치하도록 설정될 수 있고, 상기 제 3 시간은 상기 하강 에지로부터 상기 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간이 종료되는 시점까지로 설정될 수 있다.
상기 커플링 노이즈 방지 방법의 실시예들에 의하면, 상기 라이트 동작 신호의 에지는 하강 에지일 수 있다.
상기 커플링 노이즈 방지 방법의 실시예들에 의하면, 상기 라이트 동작 신호를 변형시키는 것은 상기 하강 에지가 상기 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하면 상기 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장시킴으로써 이루어질 수 있다.
상기 커플링 노이즈 방지 방법의 실시예들에 의하면, 상기 제 2 시간은 상기 하강 에지로부터 상기 리드 동작 신호의 활성화 구간이 종료되는 시점까지로 설정될 수 있다.
상기 커플링 노이즈 방지 방법의 실시예들에 의하면, 상기 리드 동작 신호가 활성화되는 리드 데이터 라인과 상기 라이트 동작 신호가 활성화되는 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우에만 상기 판단 결과를 출력하는 단계 및 상기 라이트 동작 신호를 변형시키는 단계가 수행될 수 있다.
상기 커플링 노이즈 방지 방법의 실시예들에 의하면, 상기 리드 동작 신호의 활성화 구간은 비트라인 디스차지 신호의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호의 하강 에지까지 설정될 수 있거나 또는 비트라인 프리차지 신호의 상승 에지로부터 상기 센싱 인에이블 신호의 상기 하강 에지까지로 설정될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 커플링 노이즈 방지 방법은 불휘발성 메모리 장치의 리드 와일 라이트 동작 시 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 발생할 수 있는 커플링 노이즈를 방지하여 불휘발성 메모리 장치의 리드 동작에 대한 센싱 마진(sensing margin)을 확보할 수 있고, 커플링 노이즈에 기인한 불휘발성 메모리 장치의 오동작을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기에서 언급된 효과로 제한되는 것은 아니며, 상기에서 언급되지 않은 다른 효과들은 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들이 이러한 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 위치할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 위치하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 위치함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분 또는 이들을 조합한 것들의 위치 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해될 것이다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 불휘발성 메모리 장치의 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 커플링 노이즈가 발생하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 리드 와일 라이트 동작이 가능한 불휘발성 메모리 장치(10)는 메모리 셀 어레이를 뱅크(12, 14) 단위로 구분하여 배열하고, 리드 데이터 라인(RDL)과 라이트 데이터 라인(WDL)을 각각 구비함으로써 리드 와일 라이트 동작을 수행할 수 있다. 이러한 리드 데이터 라인(RDL)과 라이트 데이터 라인(WDL)은 각각 센스 증폭기(SA) 및 라이트 드라이버(WD)에 연결되어 리드 동작 신호와 라이트 동작 신호를 전송할 수 있다. 다만, 리드 와일 라이트 동작이 가능한 불휘발성 메모리 장치(10)에서 리드 와일 라이트 동작이 수행되는 과정은 일반적인 것이 므로 그에 대한 구체적인 설명을 생략하기로 한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 리드 와일 라이트 동작이 가능한 불휘발성 메모리 장치(10)에서 리드 와일 라이트 동작이 수행되는 경우에는 인접하는 리드 데이터 라인(RDL)과 라이트 데이터 라인(WDL) 사이에서 커플링 노이즈가 발생할 수 있다. 예를 들어, 제 1 뱅크(12)에서 라이트 동작이 수행되고 제 2 뱅크(14)에서 리드 동작이 수행되면 인접하는 리드 데이터 라인(RDL)과 라이트 데이터 라인(WDL) 사이에는 커플링 커패시터(16)에 기인하여 커플링 노이즈가 발생하게 된다. 이러한 커플링 노이즈는 리드 와일 라이트 동작이 가능한 불휘발성 메모리 장치(10)의 동작 안정성 및 동작 신뢰성을 저하시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2를 참조하면, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하는지 판단(S120)하여 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연(S140)시킬 수 있고, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하는지 판단(S160)하여 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장(S180)시킬 수 있다.
커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 에지가 위치하는지 판단하고 이러한 판단 결과에 기초하여 라이트 동작 신 호를 변형시킬 수 있다. 이 때, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치한다고 판단(S120)되면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연(S140)시키고, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치한다고 판단(S160)되면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장(S180)시킨다. 리드 동작 신호의 활성화 구간은 비트라인 디스차지 신호의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호의 하강 에지까지로 설정되거나 또는 비트라인 프리차지 신호의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호의 하강 에지까지로 설정될 수 있다. 다만, 이것은 하나의 예시로서 여러 종류의 불휘발성 메모리 장치에서 요구하는 각각의 조건에 따라 다양하게 설정 변경될 수 있다.
이와 같이, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연시킴으로써 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하지 않도록 하고, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장시킴으로써 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하지 않도록 할 수 있다. 이 때, 제 1 시간은 라이트 동작 신호의 상승 에지가 리드 동작 신호의 활성화 구간 외에 위치하도록 다양하게 설정(예를 들어, 50 나노초(ns))될 수 있고, 제 2 시간은 라이트 동작 신호의 하강 에지로부터 리드 동작 신호의 활성화 구간이 종료되는 시점까지로 설정될 수 있다. 다만, 이것은 하나의 예시로서 여러 종류의 불휘발성 메모리 장치에서 요구하는 각각의 조건에 따라 다양하게 설정 변경될 수 있 다.
상술한 바와 같이, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지 및 하강 에지가 위치하지 않도록 라이트 동작 신호를 지연 또는 연장시킴으로써 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에 발생할 수 있는 커플링 노이즈를 방지할 수 있다. 또한, 도 1에는 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연시키는 동작(S120, S140)과 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장시키는 동작(S160, S180)이 병렬적으로 도시되어 있으나, 이것은 하나의 예시로서 이들은 순차적으로 수행될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 장치를 나타내는 블록도이다.
도 3을 참조하면, 커플링 노이즈 방지 장치(100)는 결정 유닛(120), 지연 유닛(140), 연장 유닛(160) 및 통과 유닛(170)을 포함할 수 있다.
결정 유닛(120)은 비트라인 디스차지 신호(PLBDIS), 비트라인 프리차지 신호(PCHG) 및 센싱 인에이블 신호(PSA)를 입력받아 비트라인 디스차지 신호(PLBDIS)의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호(PSA)의 하강 에지까지를 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간으로 설정하거나 또는 비트라인 프리차지 신호(PCHG)의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호(PSA)의 하강 에지까지를 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간으로 설정하여 리드 동작 신호(ROS)를 지연 유닛(140) 및 연장 유닛(160) 으로 출력한다. 예를 들어, 결정 유닛(120)은 제 1 래치(122), 제 2 래치(124) 및 멀티플렉서(126)로 구현될 수 있는데, 제 1 래치(122) 및 제 2 래치(124)는 SR 래치일 수 있다. 제 1 래치(122)는 비트라인 디스차지 신호(PLBDIS) 및 센싱 인에이블 신호(PSA)를 입력받아 비트라인 디스차지 신호(PLBDIS)의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호(PSA)의 하강 에지까지를 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간으로 설정한다. 제 2 래치(124)는 비트라인 프리차지 신호(PCHG) 및 센싱 인에이블 신호(PSA)를 입력받아 비트라인 프리차지 신호(PCHG)의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호(PSA)의 하강 에지까지를 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간으로 설정한다. 멀티플렉서(126)는 제 1 및 제 2 래치(122, 124)의 출력 중에서 하나를 선택함으로써 리드 동작 신호(ROS)를 출력한다. 실시예에 따라, 결정 유닛(120)은 비트라인 디스차지 신호(PLBDIS) 및 센싱 인에이블 신호(PSA)만을 입력받아 비트라인 디스차지 신호(PLBDIS)의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호(PSA)의 하강 에지까지를 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간으로 설정하도록 구현되거나 또는 비트라인 프리차지 신호(PCHG) 및 센싱 인에이블 신호(PSA)만을 입력받아 비트라인 프리차지 신호(PCHG)의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호(PSA)의 하강 에지까지를 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간으로 설정하도록 구현될 수 있다.
지연 유닛(140)은 리드 동작 신호(ROS) 및 라이트 동작 신호(WOS)를 입력받아 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지가 위치하는지 판단하고, 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지가 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 위치하면 라이트 동작 신호(WOS)를 제 1 시간만큼 지연시킨 다. 즉, 지연 유닛(140)은 라이트 동작 신호(WOS)를 제 1 시간만큼 지연시킨 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)를 출력 신호(OUT)로서 출력할 수 있다. 예를 들어, 지연 유닛(140)은 제 1 플립플롭(142), 지연 소자(144), 제 1 인버터(146) 및 제 1 스위치(148)로 구현될 수 있다. 제 1 플립플롭(142)은 리드 동작 신호(ROS) 및 라이트 동작 신호(WOS)를 입력받아 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지가 위치하면 논리 '1'의 값을 출력하고, 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지가 위치하지 않으면 논리 '0'의 값을 출력한다. 제 1 플립플롭(142)에서 논리 '1'의 값이 출력되는 경우에는 제 1 인버터(146)가 논리 '1'의 값을 반전하여 제 1 스위치(148)를 턴온시키게 되고, 이에 라이트 동작 신호(WOS)가 지연 소자(144)에 의하여 제 1 시간만큼 지연됨으로써 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)가 출력 신호(OUT)로서 출력된다.
연장 유닛(160)은 리드 동작 신호(ROS) 및 라이트 동작 신호(WOS)를 입력받아 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호(WOS)의 하강 에지가 위치하는지 판단하고, 라이트 동작 신호(WOS)의 하강 에지가 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 위치하면 라이트 동작 신호(WOS)를 제 2 시간만큼 연장시킨다. 즉, 연장 유닛(160)은 라이트 동작 신호(WOS)를 제 2 시간만큼 연장시킨 연장된 라이트 동작 신호(LWOS)를 출력 신호(OUT)로서 출력할 수 있다. 예를 들어, 연장 유닛(160)은 제 2 플립플롭(162), OR 소자(164), 제 2 인버터(166) 및 제 2 스위치(168)로 구현될 수 있다. 제 2 플립플롭(162)은 리드 동작 신호(ROS) 및 라이트 동작 신호(WOS)를 입력받아 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 라이트 동 작 신호(WOS)의 하강 에지가 위치하면 논리 '1'의 값을 출력하고, 라이트 동작 신호(WOS)의 하강 에지가 위치하지 않으면 논리 '0'의 값을 출력한다. 제 2 플립플롭(162)에서 논리 '1'의 값이 출력되는 경우에는 제 2 인버터(166)가 논리 '1'의 값을 반전하여 제 2 스위치(168)를 턴온시키게 되고, 이에 OR 소자(164)가 논리 '1'의 값을 출력함으로써 라이트 동작 신호(WOS)를 제 2 시간만큼 연장시키게 된다. 따라서, 연장된 라이트 동작 신호(LWOS)가 출력 신호(OUT)로서 출력된다.
통과 유닛(170)은 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지 및 하강 에지가 위치하지 않는 경우에 라이트 동작 신호(WOS)를 출력 신호(OUT)로서 그대로 출력할 수 있다. 예를 들어, 통과 유닛(170)은 XOR 소자(172), 제 3 인버터(174) 및 제 3 스위치(178)를 포함할 수 있다. 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지 및 하강 에지가 위치하지 않으면, 제 1 플립플롭(142) 및 제 2 플립플롭(162)은 논리 '0'의 값을 출력하게 되고, 이에 XOR 소자(172)는 논리 '1'의 값을 출력하게 된다. 그 결과, XOR 소자(172)에서 출력된 논리 '1'의 값이 제 3 인버터(174)에 의하여 논리 '0'의 값으로 반전됨으로써 제 3 스위치(178)가 턴온되게 된다. 따라서, 지연 또는 연장되지 않은 라이트 동작 신호(WOS)가 출력 신호(OUT)로서 그대로 출력된다.
이와 같이, 커플링 노이즈 방지 장치(100)는 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지 또는 하강 에지가 위치하지 않도록 라이트 동작 신호(WOS)를 지연 또는 연장시킬 수 있다. 또한, 커플링 노이즈 방지 장치(100)는 다양한 소자들을 이용하여 구현될 수 있는 것으로서 도 3에 도시된 커 플링 노이즈 방지 장치(100)는 하나의 구체적인 예에 불과하므로, 커플링 노이즈 방지 장치(100)는 도 3에 도시된 구성으로 한정되지 않는다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4를 참조하면, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하는지 판단(S210)하여 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연(S220)시킬 수 있고, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하는지 판단(S230)하여 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장(S240)시킬 수 있다. 나아가, 커플링 노이즈 방지 방법은 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하는지 판단(S250)하여 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장(S260)시킬 수 있다.
커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 에지가 위치하는지 판단하고, 상기 판단 결과에 기초하여 라이트 동작 신호를 변형시킬 수 있다. 이 때, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치한다고 판단(S210)되면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연(S220)시키고, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치한다고 판단(S230)되면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장(S240)시킨다. 다만, 이에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.
불휘발성 메모리 장치에서 비동기적인(asynchronous) 리드 동작 신호가 입력될 수도 있다. 이러한 경우에 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치한다고 판단되어 라이트 동작 신호가 제 1 시간만큼 지연되면 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하게 되는 경우가 발생할 수 있다. 그 결과, 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하게 되어 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 커플링 노이즈가 발생할 수 있다. 따라서 커플링 노이즈 방지 방법은 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치한다고 판단(S250)되면 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장(S260)시킨다. 여기서, 제 3 시간은 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지로부터 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간이 종료되는 시점까지로 설정될 수 있다.
상술한 바와 같이, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지 및 하강 에지가 위치하지 않도록 라이트 동작 신호를 지연 또는 연장시킬 뿐만 아니라, 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하지 않도록 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장시킴으로써 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에 발생할 수 있는 커플링 노이즈를 방지할 수 있다. 도 4에는 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연시키는 동작(S210, S220) 및 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하면 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장시키는 동작(S250, S260)과 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장시키는 동작(S230, S240)이 병렬적으로 도시되어 있으나, 이것은 하나의 예시로서 이들은 순차적으로 수행될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 장치를 나타내는 블록도이다.
도 5를 참조하면, 커플링 노이즈 방지 장치(200)는 결정 유닛(220), 지연 유닛(240), 제 1 연장 유닛(260), 통과 유닛(270) 및 제 2 연장 유닛(280)을 포함할 수 있다.
커플링 노이즈 방지 장치(200)의 결정 유닛(220), 지연 유닛(240), 제 1 연장 유닛(260) 및 통과 유닛(270)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다. 제 2 연장 유닛(280)은 라이트 동작 신호(WOS)가 지연 유닛(240)에 의해 제 1 시간만큼 지연됨으로써 생성되는 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 위치하면, 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)를 제 3 시간만큼 연장시킴으로써 지연 및 연장된 라이트 동작 신호(LDWOS)를 출력 신호(OUT)로서 출력할 수 있다. 예를 들어, 제 2 연장 유닛(280)은 제 3 플립플롭(282) 및 제 2 OR 소자(284)를 포함할 수 있다. 제 3 플립플롭(282)은 지연 유닛(240)의 지연 소자(244)로부터 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)를 클럭 신호로서 입력받고, 결정 유닛(220)의 멀티플렉서(226)로부터 리드 동작 신호(ROS)를 입력받는다. 제 3 플립플롭(282)은 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 위치하는지를 판단하여 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 위치하면 논리 '1'의 값을 출력하고, 위치하지 않으면 논리 '0'의 값을 출력한다. 제 2 OR 소자(284)는 제 2 연장 유닛(280)의 출력과 지연 유닛(240)의 출력에 대하여 논리합 연산을 수행함으로써 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)를 제 3 시간만큼 연장시켜 지연 및 연장된 라이트 동작 신호(LDWOS)를 출력 신호(OUT)로서 출력한다.
이와 같이, 커플링 노이즈 방지 장치(200)는 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지 및 하강 에지가 위치하지 않도록 라이트 동작 신호(WOS)를 지연 또는 연장시킬 수 있고, 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 위치하지 않도록 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)를 연장시킬 수 있다. 또한, 커플링 노이즈 방지 장치(200)는 다양한 소자들을 이용하여 구현될 수 있는 것으로서 도 5에 도시된 커플링 노이즈 방지 장치(200)는 하나의 구체적인 예에 불과하므로, 커플링 노이즈 방지 장치(200)는 도 5에 도시된 구성으로 한정되지 않는다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6을 참조하면, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하는지 판단(S320)하여 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연(S340)시킬 수 있고, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하는지 판단(S360)하여 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장(S380)시킬 수 있다. 나아가, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호가 활성화되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작 신호가 활성화되는 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우에만 상기 동작들(S320, S340, S360, S380)을 수행(390)시킬 수 있다.
커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 에지가 위치하는지 판단하고, 상기 판단 결과에 기초하여 라이트 동작 신호를 변형시킬 수 있다. 이 때, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치한다고 판단(S320)되면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연(S340)시키고, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치한다고 판단(S360)되면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장(S380)시킨다. 다만, 이에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.
커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작이 수행되는 리드 데이터 라인과 라이 트 동작이 수행되는 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우에만 상기 동작들(S320, S340, S360, S380)을 수행(S390)시킨다. 예를 들어, 리드 동작이 수행되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작이 수행되는 라이트 데이터 라인의 어드레스(address)가 일치하는 경우를 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우로 판단하게 할 수 있다. 또한, 리드 동작 신호가 활성화되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작 신호가 활성화되는 라이트 데이터 라인의 어드레스가 사용자가 기 설정한 범위 이내인 경우를 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우로 판단하게 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지 및 하강 에지가 위치하지 않도록 라이트 동작 신호를 지연 또는 연장시킬 뿐만 아니라, 리드 동작이 수행되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작이 수행되는 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우에만 라이트 동작 신호를 지연 또는 연장시키도록 함으로써 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 발생할 수 있는 커플링 노이즈를 효율적으로 방지할 수 있다. 도 6에는 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연시키는 동작(S320, S340)과 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장시키는 동작(S360, S380)이 병렬적으로 도시되어 있으나, 이것은 하나의 예시로서 이들은 순차적으로 수행될 수도 있다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 장치를 나타내는 블록도이다.
도 7을 참조하면, 커플링 노이즈 방지 장치(300)는 결정 유닛(320), 지연 유닛(340), 연장 유닛(360), 통과 유닛(370) 및 제어 유닛(390)을 포함할 수 있다.
커플링 노이즈 방지 장치(300)의 결정 유닛(320), 지연 유닛(340), 연장 유닛(360) 및 통과 유닛(370)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다. 제어 유닛(390)은 리드 동작을 수행하는 리드 데이터 라인의 리드 어드레스 신호(GYR) 및 라이트 동작을 수행하는 라이트 데이터 라인의 라이트 어드레스 신호(GYW)를 입력받고, 양 신호(GYR, GYW)를 비교한 결과인 어드레스 일치 신호(ACS)에 기초하여 지연 유닛(340) 및 연장 유닛(360)의 동작을 제어한다. 예를 들어, 리드 어드레스 신호(GYR) 및 라이트 어드레스 신호(GYW)가 일치하는 경우에 지연 유닛(340)과 연장 유닛(360)이 동작하도록 제어할 수 있고, 리드 어드레스 신호(GYR) 및 라이트 어드레스 신호(GYW)가 사용자가 기 설정한 범위 이내인 경우에 지연 유닛(340)과 연장 유닛(360)이 동작하도록 제어할 수도 있다.
제어 유닛(390)은 어드레스 비교기(392) 및 AND 소자(394)를 포함할 수 있다. 제어 유닛(390)은 리드 동작을 수행하는 리드 데이터 라인의 리드 어드레스 신호(GYR) 및 라이트 동작을 수행하는 라이트 데이터 라인의 라이트 어드레스 신호(GYW)를 입력받고, 양 신호(GYR, GYW)를 비교하여 어드레스 일치 신호(ACS)를 출력한다. 따라서 리드 어드레스 신호(GYR) 및 라이트 어드레스 신호(GYW)가 서로 일치하는 경우에는 어드레스 일치 신호(ACS)가 논리 '1'의 값을 가질 수 있고, 서로 불일치하는 경우에는 어드레스 일치 신호(ACS)가 논리 '0'의 값을 가질 수 있다. AND 소자(394)는 어드레스 비교기(392)에서 출력되는 어드레스 일치 신호(ACS)가 논리 '1'의 값을 갖고, 리드 동작 신호(ROS)가 활성화 구간 즉, 논리 '1'의 값을 갖는 경우에, 제 1 플립플롭(342) 및 제 2 플립플롭(362)에 논리 '1'의 값을 출력한다. 반면에, 어드레스 비교기(392)에서 출력되는 어드레스 일치 신호(ACS)가 논리 '0'의 값을 갖거나 또는 리드 동작 신호(ROS)가 비활성화 구간 즉, 논리 '0'의 값을 갖는 경우에는 제 1 플립플롭(342) 및 제 2 플립플롭(362)에 논리 '0'의 값을 출력한다.
상술한 바와 같이, 커플링 노이즈 방지 장치(300)는 제어 유닛(390)의 동작에 기초하여 리드 동작이 수행되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작이 수행되는 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우에만 라이트 동작 신호(WOS)를 지연 또는 연장시킴으로써 지연된 라이트 동작 신호(DWOS) 또는 연장된 라이트 동작 신호(LWOS)를 출력 신호(OUT)로서 출력할 수 있다. 또한, 커플링 노이즈 방지 장치(300)는 다양한 소자들을 이용하여 구현될 수 있는 것으로서 도 7에 도시된 커플링 노이즈 방지 장치(300)는 하나의 구체적인 예에 불과하므로, 커플링 노이즈 방지 장치(300)는 도 7에 도시된 구성으로 한정되지 않는다.
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 방법을 나타내는 순서도이다.
도 8을 참조하면, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하는지 판단(S410)하여 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하면 라이트 동작 신호 를 제 1 시간만큼 지연(S420)시킬 수 있고, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하는지 판단(S430)하여 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장(S440)시킬 수 있으며, 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하는지 판단(S450)하여 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장(S460)시킬 수 있다. 나아가, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호가 활성화되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작 신호가 활성화되는 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우에만 상기 동작들(S410, S420, S430, S440, S450, S460)을 수행(490)시킬 수 있다.
커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 에지가 위치하는지 판단하고, 상기 판단 결과에 기초하여 라이트 동작 신호를 변형시킬 수 있다. 이 때, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치한다고 판단(S320)되면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연(S340)시키고, 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치한다고 판단(S360)되면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장(S380)시키며, 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치한다고 판단(S450)되면 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장(S460)시킨다. 다만, 이에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.
커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작이 수행되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작이 수행되는 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우에만 상기 동작들(S410, S420, S430, S440, S450, S460)을 수행(S490)시킨다. 예를 들어, 리드 동작이 수행되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작이 수행되는 라이트 데이터 라인의 어드레스가 서로 일치하는 경우를 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우로 판단할 수 있다. 또한, 리드 동작이 수행되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작이 수행되는 라이트 데이터 라인의 어드레스가 사용자가 기 설정한 범위 이내인 경우를 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우로 판단하게 할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 커플링 노이즈 방지 방법은 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지 및 하강 에지가 위치하지 않도록 라이트 동작 신호를 지연 또는 연장시키고, 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하지 않도록 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 리드 동작이 수행되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작이 수행되는 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우에만 라이트 동작 신호의 지연 또는 연장 동작 및 지연된 라이트 동작 신호의 연장 동작을 수행함으로써 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 발생할 수 있는 커플링 노이즈를 효율적으로 방지할 수 있다. 도 8에는 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 상승 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연시키는 동작(S410, S420) 및 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하면 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장시키는 동작(S450, S460)과 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 하강 에지가 위치하면 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장시키는 동작(S430, S440)이 병렬적으로 도시되어 있으나, 이것은 하나의 예시로서 이들은 순차적으로 수행될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 장치를 나타내는 블록도이다.
도 9를 참조하면, 커플링 노이즈 방지 장치(400)는 결정 유닛(420), 지연 유닛(440), 제 1 연장 유닛(460), 통과 유닛(470), 제 2 연장 유닛(480) 및 제어 유닛(490)을 포함할 수 있다.
커플링 노이즈 방지 장치(400)의 결정 유닛(420), 지연 유닛(440), 제 1 연장 유닛(460), 통과 유닛(470) 및 제 2 연장 유닛(480)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다. 제어 유닛(490)은 리드 동작을 수행하는 리드 데이터 라인의 리드 어드레스 신호(GYR) 및 라이트 동작을 수행하는 라이트 데이터 라인의 라이트 어드레스 신호(GYW)를 입력받고, 양 신호(GYR, GYW)를 비교한 결과인 어드레스 일치 신호(ACS)에 기초하여 지연 유닛(440), 제 1 연장 유닛(460) 및 제 2 연장 유닛(480)의 동작을 제어한다. 예를 들어, 리드 어드레스 신호(GYR) 및 라이트 어드레스 신호(GYW)가 서로 일치하는 경우에 지연 유닛(440), 제 1 연장 유닛(460) 및 제 2 연장 유닛(480)이 동작하도록 제어할 수 있고, 리드 어드레스 신호(GYR) 및 라이트 어드레스 신호(GYW)가 사용자가 기 설정한 범위 이 내인 경우에 지연 유닛(440), 제 1 연장 유닛(460) 및 제 2 연장 유닛(480)이 동작하도록 제어할 수도 있다.
제어 유닛(490)은 어드레스 비교기(492) 및 AND 소자(494)를 포함할 수 있다. 제어 유닛(490)은 리드 동작을 수행하는 리드 데이터 라인의 리드 어드레스 신호(GYR) 및 라이트 동작을 수행하는 라이트 데이터 라인의 라이트 어드레스 신호(GYW)를 입력받고, 양 신호(GYR, GYW)를 비교하여 어드레스 일치 신호(ACS)를 출력한다. 따라서, 리드 어드레스 신호(GYR) 및 라이트 어드레스 신호(GYW)가 서로 일치하는 경우에는 어드레스 일치 신호(ACS)가 논리 '1'의 값을 가질 수 있고, 서로 불일치하는 경우에는 어드레스 일치 신호(ACS)가 논리 '0'의 값을 가질 수 있다. AND 소자(494)는 어드레스 비교기(492)에서 출력되는 어드레스 일치 신호(ACS)가 논리 '1'의 값을 갖고, 리드 동작 신호(ROS)가 활성화 구간 즉, 논리 '1'의 값을 갖는 경우에, 제 1 플립플롭(442), 제 2 플립플롭(462) 및 제 3 플립플롭(482)에 논리 '1'의 값을 출력한다. 반면에, 어드레스 비교기(492)에서 출력되는 어드레스 일치 신호(ACS)가 논리 '0'의 값을 갖거나, 리드 동작 신호(ROS)가 비활성화 구간 즉, 논리 '0'의 값을 갖는 경우에, 제 1 플립플롭(442), 제 2 플립플롭(462) 및 제 3 플립플롭(482)에 논리 '0'의 값을 출력한다.
상술한 바와 같이, 커플링 노이즈 방지 장치(400)는 제어 유닛(490)의 동작에 기초하여 리드 동작이 수행되는 리드 데이터 라인과 라이트 동작이 수행되는 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우에만 라이트 동작 신호(WOS)의 지연 또는 연장 동작 및 지연된 라이트 동작 신호(DWOS)의 연장 동작을 수행할 수 있다. 또 한, 커플링 노이즈 방지 장치(400)는 다양한 소자들을 이용하여 구현될 수 있는 것으로서 도 9에 도시된 커플링 노이즈 방지 장치(400)는 하나의 구체적인 예에 불과하므로, 커플링 노이즈 방지 장치(400)는 도 9에 도시된 구성으로 한정되지 않는다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 커플링 노이즈 방지 방법에서 리드 동작 신호의 활성화 구간을 설정하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 리드 동작 신호의 활성화 구간(CORE_CYCLE1 또는 CORE_CYCLE2)은 비트라인 디스차지 신호(BL-DISCHARGE)의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호(S/A ENABLE)의 하강 에지까지로 설정되거나 또는 비트라인 프리차지 신호(BL-PRECHARGE)의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호(S/A ENABLE)의 하강 에지까지로 설정될 수 있다. 다만, 리드 동작 신호의 활성화 구간(CORE_CYCLE1)이 비트라인 디스차지 신호(BL-DISCHARGE)의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호(S/A ENABLE)의 하강 에지까지로 설정되거나 또는 리드 동작 신호의 활성화 구간(CORE_CYCLE2)이 리드 동작 신호의 활성화 구간이 비트라인 프리차지 신호(BL-PRECHARGE)의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호(S/A ENABLE)의 하강 에지까지로 설정되는 것은 하나의 예시로서 리드 동작 신호의 활성화 구간 설정은 여러 종류의 불휘발성 메모리 장치에서 요구하는 각각의 조건에 따라 다양하게 설정 변경될 수 있을 것이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 커플링 노이즈 방지 방법에 의하여 라이트 동작 신호가 변형되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 11을 참조하면, 제 1 영역(A)은 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지가 위치하는 경우에 라이트 동작 신호(WOS)를 제 1 시간만큼 지연시킴으로써 지연된 라이트 동작 신호를 출력 신호(OUT)로서 출력하는 것을 보여준다. 제 2 영역(B)은 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호(WOS)의 하강 에지가 위치하는 경우에 라이트 동작 신호(WOS)를 제 2 시간만큼 연장시킴으로써 연장된 라이트 동작 신호를 출력 신호(OUT)로서 출력하는 것을 보여준다. 또한, 제 3 영역(C)은 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지가 위치하여 라이트 동작 신호(WOS)를 지연시킨 결과 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 내에 위치하는 경우에 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장시킴으로써 지연 및 연장된 라이트 동작 신호를 출력 신호(OUT)로서 출력하는 것을 보여준다.
상술한 바와 같이, 제 1 시간은 사용자에 의하여 설정될 수 있는 시간으로서 라이트 동작 신호(WOS)의 상승 에지가 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 외에 위치하도록 설정되고, 제 2 시간은 라이트 동작 신호(WOS)의 하강 에지로부터 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간이 종료되는 시점까지로 설정될 수 있는 시간으로서 라이트 동작 신호(WOS)의 하강 에지가 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 외에 위치하도록 설정되며, 제 3 시간은 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지로부터 다음 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간이 종료되는 시점까지로 설정될 수 있는 시간으로서 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호(ROS)의 활성화 구간 외에 위치하도록 설정된다. 다만, 이것은 하나의 예시로서 제 1 내지 제 3 시 간은 여러 종류의 불휘발성 메모리 장치에서 요구하는 각각의 조건에 따라 다양하게 설정 변경될 수 있을 것이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 커플링 노이즈 방지 장치를 구비하는 불휘발성 메모리 장치의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 12를 참조하면, 불휘발성 메모리 장치(500)는 메모리 셀 어레이 및 주변 회로를 포함하는 불휘발성 메모리 코어(520), 불휘발성 메모리 코어에서 발생할 수 있는 즉, 리드 와일 라이트 동작 시 서로 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 발생할 수 있는 커플링 노이즈를 방지하는 커플링 노이즈 방지 장치(540) 및 불휘발성 메모리 코어(520)와 커플링 노이즈 방지 장치(540)를 제어하는 컨트롤러(560)를 포함할 수 있다. 커플링 노이즈 방지 장치(540)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다. 이와 같이, 불휘발성 메모리 장치(500)는 리드 와일 라이트 동작 시 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 발생하는 커플링 노이즈를 방지할 수 있는 커플링 노이즈 방지 장치(540)를 포함함으로써 커플링 노이즈에 의한 오동작을 방지할 수 있다. 따라서 불휘발성 메모리 장치(500)는 높은 동작 신뢰성 및 높은 동작 안정성을 갖는다.
도 13은 도 12의 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 전자 기기의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 13을 참조하면, 전자 기기(700)는 불휘발성 메모리 장치(710), 중앙처리장치(720), 램(730), 유저 인터페이스(740) 및 파워 서플라이(750)를 포함할 수 있 고, 불휘발성 메모리 장치(710)는 불휘발성 메모리 코어, 커플링 노이즈 방지 장치 및 컨트롤러를 포함할 수 있다.
불휘발성 메모리 장치(710) 내에 포함된 커플링 노이즈 방지 장치는 앞서 설명한 바와 같이 불휘발성 메모리 코어(520)에서 발생할 수 있는 커플링 노이즈를 방지할 수 있다. 도 17에 도시된 바와 같이, 전자 기기(700)에서 불휘발성 메모리 장치(710)는 데이터의 전달을 위한 데이터 버스를 통하여 중앙처리장치(720), 램(730), 유저 인터페이스(740) 및 파워 서플라이(750)와 전기적으로 연결될 수 있는데, 전자 기기(700)에서 불휘발성 메모리 장치(710), 중앙처리장치(720), 램(730), 유저 인터페이스(740) 및 파워 서플라이(750) 간의 동작들은 일반적인 것이므로 그에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다. 이와 같이, 전자 기기(700)는 리드 와일 라이트 동작 시에도 오동작을 하지 않는 불휘발성 메모리 장치(710)를 포함함으로써 높은 동작 신뢰성 및 높은 동작 안정성을 확보할 수 있다.
이상, 커플링 노이즈 방지 방법, 커플링 노이즈 방지 장치, 불휘발성 메모리 장치 및 전자 기기에 관한 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 이러한 본 발명의 실시예들은 예시적인 것으로서, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양하게 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 커플링 노이즈 방지 방법은 불휘발성 메모리 장치의 리드 와일 라이트 동작 시 인접하는 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 발생할 수 있는 커플링 노이즈를 방지하여 불휘발성 메모리 장치의 리드 동작에 대한 센싱 마진을 확보할 수 있고, 커플링 노이즈에 기인한 불휘발성 메모리 장치의 오동작을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명은 피램(PRAM), 플래시 메모리(flash memory), 엠램(MRAM) 등과 같은 불휘발성 메모리 장치에 적용될 수 있고, 이러한 불휘발성 메모리 장치를 이용하는 MP3P(MP3 player), 휴대폰, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 노트북, 컴퓨터 등의 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있을 것이다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 불휘발성 메모리 장치의 리드 데이터 라인과 라이트 데이터 라인 사이에서 커플링 노이즈가 발생하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 방법을 나타내는 순서도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 장치를 나타내는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 방법을 나타내는 순서도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 장치를 나타내는 블록도이다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 방법을 나타내는 순서도이다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 장치를 나타내는 블록도이다.
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 방법을 나타내는 순서도이다.
도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 커플링 노이즈 방지 장치를 나타내는 블록도이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 커플링 노이즈 방지 방법에서 리드 동작 신호의 활성화 구간을 설정하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 커플링 노이즈 방지 방법에 의하여 라이트 동작 신호가 변형되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 커플링 노이즈 방지 장치를 구비하는 불휘발성 메모리 장치의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 13은 도 12의 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 전자 기기의 일 예를 나타내는 블록도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 커플링 노이즈 방지 장치 120: 결정 유닛
140: 지연 유닛 160: 연장 유닛
170: 통과 유닛

Claims (10)

  1. 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 라이트 동작 신호의 에지가 위치하는지 판단하는 단계; 및
    상기 판단 결과에 기초하여 상기 라이트 동작 신호를 변형시키는 단계를 포함하는 커플링 노이즈 방지 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 라이트 동작 신호의 에지는 상승 에지인 것을 특징으로 하는 커플링 노이즈 방지 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 라이트 동작 신호를 변형시키는 단계는 상기 상승 에지가 상기 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하면 상기 라이트 동작 신호를 제 1 시간만큼 지연시키는 것을 특징으로 하는 커플링 노이즈 방지 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 라이트 동작 신호를 변형시키는 단계는 지연된 라이트 동작 신호의 하강 에지가 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하면 상기 지연된 라이트 동작 신호를 제 3 시간만큼 연장시키는 것을 특징으로 하는 커플링 노이즈 방지 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 시간은 상기 상승 에지가 상기 리드 동작 신호 의 활성화 구간 외에 위치하도록 설정되고, 상기 제 3 시간은 상기 하강 에지로부터 상기 다음 리드 동작 신호의 활성화 구간이 종료되는 시점까지로 설정되는 것을 특징으로 하는 커플링 노이즈 방지 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 라이트 동작 신호의 에지는 하강 에지인 것을 특징으로 하는 커플링 노이즈 방지 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 라이트 동작 신호를 변형시키는 단계는 상기 하강 에지가 상기 리드 동작 신호의 활성화 구간 내에 위치하면 상기 라이트 동작 신호를 제 2 시간만큼 연장시키는 것을 특징으로 하는 커플링 노이즈 방지 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 시간은 상기 하강 에지로부터 상기 리드 동작 신호의 활성화 구간이 종료되는 시점까지로 설정되는 것을 특징으로 하는 커플링 노이즈 방지 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 리드 동작 신호가 활성화되는 리드 데이터 라인과 상기 라이트 동작 신호가 활성화되는 라이트 데이터 라인이 서로 인접하는 경우에만 상기 판단 결과를 출력하는 단계 및 상기 라이트 동작 신호를 변형시키는 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 커플링 노이즈 방지 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 리드 동작 신호의 활성화 구간은 비트라인 디스차지 신호의 상승 에지로부터 센싱 인에이블 신호의 하강 에지까지 설정되거나 또는 비트라인 프리차지 신호의 상승 에지로부터 상기 센싱 인에이블 신호의 상기 하강 에지까지로 설정되는 것을 특징으로 하는 커플링 노이즈 방지 방법.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8769048B2 (en) * 2008-06-18 2014-07-01 Commvault Systems, Inc. Data protection scheduling, such as providing a flexible backup window in a data protection system
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0798727B1 (en) * 1996-03-29 2004-05-26 STMicroelectronics S.r.l. Data reading path management architecture for a memory device, particularly for non-volatile memories
JPH11339487A (ja) 1998-05-22 1999-12-10 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2006501587A (ja) 2002-05-22 2006-01-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 磁気抵抗メモリセルアレイとこのアレイを含むmramメモリ
KR100673023B1 (ko) 2005-12-28 2007-01-24 삼성전자주식회사 파이프라인-버퍼 방식으로 프로그램되는 반도체 메모리장치
KR20080040425A (ko) 2006-11-03 2008-05-08 삼성전자주식회사 멀티 섹터 소거 동작 도중에 데이터를 독출할 수 있는불휘발성 메모리 장치 및 데이터 독출 방법
US7826262B2 (en) * 2008-01-10 2010-11-02 Macronix International Co., Ltd Operation method of nitride-based flash memory and method of reducing coupling interference

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