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Die vorliegende Erfindung betrifft
ein Verfahren zum Reinigen einer alkalischen Lösung, bei dem Metallionen,
die in der Lösung
enthalten sind, in Metall umgewandelt werden. Die vorliegende Erfindung betrifft
ebenfalls ein Verfahren zum Ätzen
eines Halbleiterwafers unter Verwendung einer alkalischen Lösung, die
unter Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens gereinigt wurde,
mit dem der Halbleiterwafer geätzt
werden kann, ohne dass die Qualität des Halbleiterwafers nachteilig
beeinträchtigt
wird.
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Ein Verfahren zur Herstellung eines
Halbleiterwafers umfasst gewöhnlich
das Zerschneiden eines Einkristallrohblocks, erhalten in einem Ziehprozess
unter Verwendung einer Kristallziehmaschine, um eine dünne Waferscheibe
zu erhalten; das Abschrägen
der Kantenbereiche der Waferscheibe, die beim Zerschneiden erhalten
wurde, um eine Rißbildung
in dem Wafer oder ein Zerbrechen des Wafers zu verhindern; das Läppen des
abgeschrägten
Wafers, um dessen Oberfläche
abzuflachen; das Ätzen des
abgeschrägten
und geläppten
Wafers, um durch den Produktionsprozess hervorgerufene Schäden zu beseitigen;
das Polieren der Oberfläche
des geätzten Wafers;
und das Reinigen des polierten Wafers, um Poliermittel oder Staubteilchen
von der Oberfläche des
Wafers zu entfernen.
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Beim Ätzen können zwei verschiedene Verfahren
angewandt werden, d. h. ein Säureätzverfahren,
bei dem eine saure Ätzlösung aus
einem Säuregemisch
oder dgl. verwendet wird, oder ein Alkaliätzverfahren, bei dem eine alkalische Ätzlösung, wie
z. B. eine Lösung
von NaOH oder dgl., verwendet wird. Beim Säureätzen ist die Ätzgeschwindigkeit
hoch und folglich ist es schwierig, den Wafer gleichmäßig zu ätzen, was
dazu führt,
dass eine unebene Waferoberfläche
erhalten wird. Deshalb werden seit einiger Zeit vorwiegend alkalische Ätzlösungen,
wie z. B. eine Natriumhydroxidlösung,
eine Kaliumhydroxidlösung
oder eine Lösung
eines Alkylammoniumhydroxids, verwendet, da sich diese alkalischen Ätzlösungen durch
eine geringe Ätzgeschwindigkeit
auszeichnen und einen Wafer gleichmäßig ätzen können, wobei eine ebene Waferoberfläche erhalten
wird.
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Beim alkalischen Ätzen eines Halbleiterwafers
werden gewöhnlich
handelsüblich
erhältliche
alkalische Lösungen
technischer Qualität
verwendet, die hohe Konzentrationen an metallischen Verunreinigungen
enthalten. Es braucht nicht extra darauf hingewiesen werden, dass
alkalische Lösungen technischer
Qualität,
die gewöhnlich
verwendet werden, viele metallische Verunreinigungen enthalten. Selbst
alkalische Lösungen
für die
Elektroindustrie, die zum Ätzen
verwendet werden können,
enthalten mehrere Zehntel ppb bis mehrere ppb metallische Verunreinigungen.
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Beispiele für metallische Verunreinigungen, die
in alkalischen Lösungen
enthalten sein können, umfassen
Nickel, Chrom, Eisen und Kupfer. Diese Lösungen enthalten insbesondere
große
Mengen an Nickel, Chrom und Eisen, d. h. die Ausgangsmaterialien
für die
rostfreien Edelstähle,
die bei der Herstellung der alkalischen Lösungen verwendet werden.
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Ursprünglich wurde davon ausgegangen, dass
diese metallischen Verunreinigungen nur die Oberfläche des
Halbleiterwafers verunreinigen, wenn der Wafer unter Verwendung
einer alkalischen Lösung,
die diese Verunreinigungen enthält,
geätzt wird.
Deshalb wurde davon ausgegangen, dass die metallischen Verunreinigungen,
die an der Oberfläche
des Wafers anhaften, durch Waschen des Wafers mit einer Säurelösung gründlich genug
entfernt werden. Folglich wurde davon ausgegangen, dass sich die
Anwesenheit metallischer Verunreinigungen in der alkalischen Ätzlösung nicht
nachteilig auf die Qualität
des Wafers auswirkt.
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Die Erfinder der vorliegenden Erfindung
untersuchten Ätzprozesse,
bei denen eine alkalische Ätzlösung verwendet
wird, über
einen Zeitraum von mehreren Jahren hinweg. Dabei stellten sie überraschend
und im Gegensatz zur geltenden technischen Lehre fest, dass Metallionen,
wie z. B. Kupfer- und Nickelionen, die als metallische Verunreinigungen
in einer alkalischen Ätzlösung enthalten
sind, während des Ätzens in
das Innere des Wafers diffundieren, was dazu führt, dass die Qualität des Wafers
sowie die Eigenschaften der aus dem Wafer hergestellten Halbleitervorrichtung
deutlich verschlechtert werden.
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Es wäre prinzipiell möglich, eine
hochreine alkalische Lösung
zum Ätzen
zu verwenden, um eine Verschlechterung der Waferqualität beim alkalischen Ätzen zu
verhindern. Han delsüblich
erhältliche
alkalische Lösungen
mit einer hohen Reinheit sind jedoch nur als sehr teure alkalische
Lösungen
für die
analytische Verwendung erhältlich.
Aus Kostengründen
ist es jedoch nicht möglich,
eine alkalische Lösung
für die
analytische Verwendung in einem industriellen Verfahren zu verwenden.
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Die Veröffentlichung JP-A-55-74142
beschreibt ein Verfahren zur Wiederaufarbeitung einer alkalischen Ätzflüssigkeit
für Halbleiter,
bei dem die alkalische Ätzflüssigkeit
durch eine Schicht aus pulverförmigem
hochreinem Halbleitermaterial, wie z. B. Siliciumpulver, geleitet
und filtriert wird, so dass schädliche
Verunreinigungen, wie z. B. Schwermetalle und Eisen, mit dem Pulver
reagieren oder auf der Oberfläche
des Pulvers adsorbiert werden und auf diese Weise aus der alkalischen
Flüssigkeit
entfernt werden.
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Die Erfinder der vorliegenden Erfindung
fanden bei umfangreichen Untersuchungen heraus, dass Metallionen,
die in einer alkalischen Lösung
vorliegen, leicht in die entsprechenden Metalle umgewandelt werden
können,
und dass die Qualität
von Halbleiterwafern beim Ätzen
mit einer alkalischen Lösung,
in der die Metallionen in Metalle umgewandelt wurden, nicht nachteilig
beeinträchtigt
wird, selbst wenn die metallischen Verunreinigungen als solche noch
in der alkalischen Lösung
verbleiben. Die vorliegende Erfindung wurde auf der Grundlage dieser überraschenden
Entdeckung gemacht.
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung
ist es, ein neues Verfahren zum Reinigen einer alkalischen Lösung, mit
dem metallische Verunreinigungen, insbesondere Metallionen, die
in der Lösung
enthalten sind, kostengünstig
und effizient in Metalle umgewandelt werden können, sowie ein neues Verfahren zum Ätzen eines
Halbleiterwafers, bei dem diese gereinigte alkalische Lösung verwendet
wird und bei dem die Qualität
des Halbleiterwafers nicht nachteilig beeinträchtigt wird, bereitzustellen.
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Die vorliegende Erfindung stellt
ein Verfahren zum Reinigen einer alkalischen Lösung, die Metallionen enthält, bereit,
umfassend (a) das Auflösen von
metallischem Silicium in der alkalischen Lösung und (b) das Umwandeln
der Metallionen, die in der alkalischen Lösung enthalten sind, mit Reaktionsprodukten,
die beim Auflösen
des metallischen Siliciums in der alkalischen Lösung gebildet wurden, in Metall, wobei
das Metall als solches in Form einer festen Verunreinigung in der
alkalischen Lösung
verbleibt.
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Das metallische Silicium kann polykristallines
Silicium oder monokristallines Silicium (Siliciumeinkristall) sein.
Diese Materialien können
in Kombination miteinander verwendet werden. Es ist bevorzugt, dass
metallisches Silicium mit einer möglichst hohen Reinheit verwendet
wird, vorausgesetzt, das erfindungsgemäße Verfahren kann wirtschaftlich durchgeführt werden.
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Die Menge an metallischem Silicium,
das gelöst
wird, ist nicht auf bestimmte Mengen beschränkt, vorausgesetzt, dass die
erfindungsgemäßen Effekte erzielt
werden; es ist jedoch bevorzugt, dass die Menge an metallischem
Silicium, das gelöst
wird, 0,2 g/l oder mehr beträgt.
Wenn zu wenig metallisches Silicium gelöst wird, können die erfindungsgemäßen Effekte
nicht erzielt werden. Wenn unnötig
zu viel metallisches Silicium gelöst wird, wird das Verfahren
unwirtschaftlich.
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Die vorliegende Erfindung stellt
weiterhin ein Verfahren zum Reinigen einer alkalischen Lösung, die
Metallionen enthält,
bereit, umfassend (a) das Auflösen
von Wasserstoffgas in der alkalischen Lösung und (b) das Umwandeln
der Metallionen, die in der alkalischen Lösung enthalten sind, mit dem
Wasserstoffgas, das in der alkalischen Lösung gelöst wurde, in Metall.
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Die vorliegende Erfindung stellt
ebenfalls ein Verfahren zum Ätzen
eines Halbleiterwafers bereit, umfassend (a) das Reinigen einer
alkalischen Lösung
unter Anwendung eines der zuvor beschriebenen Verfahren und (b)
das Ätzen
des Halbleiterwafers unter Verwendung der gereinigten alkalischen Lösung.
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Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung sind in den abhängigen
Patentansprüchen
angegeben.
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Beispiele für die alkalische Lösung verunreinigende
Metallionen, die erfindungsgemäß in Metalle umgewandelt
werden, umfassen Nickelionen, Kupferionen, Chromionen, Eisenionen
usw. Es ist wichtig, dass insbesondere Nickelionen und Kupferionen, die
sehr schnell in Siliciumeinkristalle diffundieren, in Metalle umgewandelt
werden, so dass die Qualität des
Halbleiterwafers nicht nachteilig beeinträchtigt wird.
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Die Metallionenkonzentration in der
alkalischen Lösung,
die erfindungsgemäß zum Ätzen eines
Halbleiterwafers verwendet wird, liegt gewöhnlich bei 50 ppb oder darunter,
bevorzugt bei 20 ppb oder darunter und besonders bevorzugt bei 10
ppb oder darunter. Wenn die Metallionenkonzentration in den zuvor
angegebenen Bereichen liegt, können
die Effekte der vorliegenden Erfindung erzielt werden.
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Das erfindungsgemäße "Reinigen" der alkalischen Lösung bedeutet, dass die Metallionen,
die als Verunreinigung in der alkalischen Lösung vorliegen, in Metalle
umgewandelt werden. Eine alkalische Lösung, die feste verunreinigende
Metalle als solche enthält,
nicht jedoch die Metalle in ionischer Form, entspricht der gereinigten
alkalischen Lösung
entsprechend der vorliegenden Erfindung. Mit anderen Worten, die
Qualität
des Halbleiterwafers wird beim Ätzen
nicht nachteilig beeinflusst, wenn beim Ätzen feste verunreinigende
Metalle in der alkalischen Lösung
vorliegen, nicht jedoch Ionen dieser Metalle. Wenn die alkalische
Lösung
andererseits die metallischen Verunreinigungen in Form von Metallionen enthält, wird
die Waferqualität
beim Ätzen
nachteilig beeinflusst.
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Die vorliegende Erfindung basiert
auf drei Entdeckungen: 1) das Vorliegen von verunreinigenden Metallionen
in einer alkalischen Lösung
beeinträchtigt
die Qualität
der Halbleiterwafer beim alkalischen Ätzen; 2) es ist möglich, Metallionen
in der alkalischen Lösung
leicht in Metalle umzuwandeln; und 3) die Qualität der Halbleiterwafer wird
beim Ätzen mit
der gereinigten alkalischen Lösung
nicht nachteilig beeinflusst.
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Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der
vorliegenden Erfindung ergeben sich für den Fachmann beim Studium
der folgenden genauen Beschreibung der Erfindung in Zusammenhang
mit den beiliegenden Zeichnungen.
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1 ist
ein Diagramm, das die Abhängigkeit
der Eisenionenkonzentration und der Nickelionenkonzentration in
der Natriumhydroxidlösung
von der Zeit nach der Zugabe des polykristallinen Siliciums in Beispiel
1 zeigt.
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2 ist
ein Diagramm, das die Abhängigkeit
der Eisenionenkonzentration und der Nickelionenkonzentration in
der Natriumhydroxidlösung
von der Zeit nach der Zugabe des monokristallinen Siliciums in Beispiel
2 zeigt.
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3 ist
ein Diagramm, das die Abhängigkeit
der Menge an gelöstem
polykristallinem Silicium und der Nickelionenkonzentration in der
Natriumhydroxidlösung
in Beispiel 3 zeigt.
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4 ist
ein Diagramm, das die Eisenionenkonzentration und die Nickelionenkonzentration
in der Natriumhydroxidlösung
vor und nach dem Einblasen von Wasserstoffgas in Beispiel 4 zeigt.
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5 ist
ein Diagramm, das die Nickelkonzentration auf einem Wafer, geätzt mit
der Natriumhydroxidlösung,
die in Beispiel 5 mit polykristallinem Silicium gereinigt wurde,
und die Nickelkonzentration auf einem anderen Wafer, geätzt mit
einer ungereinigten Natriumhydroxidlösung, zeigt.
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6 ist
ein Diagramm, das die Nickelkonzentration auf einem Wafer, geätzt mit
der Natriumhydroxidlösung,
die in Beispiel 6 mit monokristallinem Silicium gereinigt wurde,
und die Nickelkonzentration auf einem anderen Wafer, geätzt mit
einer ungereinigten Natriumhydroxidlösung, zeigt.
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7 ist
ein Diagramm, das die Abhängigkeit
der Nickelkonzentration auf einem Wafer, geätzt mit einer Natriumhydroxidlösung, von
der Nickelionenkonzentration in der Natriumhydroxidlösung in Beispiel
7 zeigt.
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8 ist
ein Diagramm, das die Abhängigkeit
der Kupferkonzentration auf einem Wafer, geätzt mit einer Natriumhydroxidlösung, von
der Kupferionenkonzentration in der Natriumhydroxidlösung in Beispiel
7 zeigt.
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9 ist
ein Diagramm, das die Abhängigkeit
der Eisenkonzentration auf einem Wafer, geätzt mit einer Natriumhydroxidlösung, von
der Eisenionenkonzentration in der Natriumhydroxidlösung in Beispiel
7 zeigt.
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Die vorliegende Erfindung wird im
Folgenden an Hand von Beispielen, welche die Erfindung weiterhin
veranschaulichen, jedoch nicht beschränken, beschrieben.
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Beispiel 1
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(Reinigung einer Natriumhydroxidlösung mit
polykristallinem Silicium)
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200 g körniges polykristallines Silicium (Halbleiterqualität) wurden
zu einer Natriumhydroxidlösung
(45%, 20 Liter, 80°C)
gegeben. Vor und 10 Minuten, 20 Minuten, 30 Minuten und 60 Minuten
nach der Zugabe des polykristallinen Siliciums wurden jeweils 10
ml der Natriumhydroxidlösung
entnommen und auf das 45-fache verdünnt, um Proben zu erhalten.
Dann wurden die Eisenionenkonzentration und die Nickelionenkonzentration
der Proben mittels Ionenaustauschchromatographie bestimmt. Die Analyseergebnisse
sind in 1 dargestellt.
Die in 1 gezeigten Ergebnisse
belegen, dass sowohl die Eisenionenkonzentration als auch die Nickelionenkonzentration
verringert wurden, insbesondere die Nickelionenkonzentration konnte
deutlich verringert werden. Die Anmerkung "N. D." in den 1 bis 4 bedeutet, dass die Konzentrationen
unterhalb der Nachweisgrenze lagen.
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Beispiel 2
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(Reinigung einer Natriumhydroxidlösung mit
monokristallinem Silicium)
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10 Waferscheiben aus monokristallinem
Silicium mit einem Durchmesser von 200 mm wurden zu einer Natriumhydroxidlösung (45%,
20 Liter, 80°C) gegeben.
Vor und 10 Minuten, 20 Minuten, 30 Minuten und 60 Minuten nach der
Zugabe der Wafer wurden jeweils 10 ml der Natriumhydroxidlösung entnommen
und auf das 45-fache verdünnt,
um Proben zu erhalten. Dann wurden die Eisenionenkonzentration und
die Nickelionenkonzentration der Proben mittels Ionenaustauschchromatographie
bestimmt. Die Analyseergebnisse sind in 2 dargestellt. Die in 2 gezeigten Ergebnisse belegen, dass
sowohl die Eisenionenkonzentration als auch die Nickelionenkonzentration
verringert wurden, insbesondere die Nickelionenkonzentration konnte
deutlich verringert werden.
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Beispiel 3
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(Reinigung einer Natriumhydroxidlösung mit
polykristallinem Silicium)
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200 g körniges polykristallines Silicium (Halbleiterqualität) wurden
zu einer Natriumhydroxidlösung
(45%, 20 Liter, 80°C)
gegeben. Vor und 1 Minute nach der Zugabe des polykristallinen Siliciums wurden
jeweils 10 ml der Natriumhydroxidlösung entnommen und auf das
45-fache verdünnt,
um Proben zu erhalten, und das zugegebene polykristalline Silicium
wurde aus der Lösung
entfernt. Dann wurde die Nickelionenkonzentration der Lösung mittels
Ionenaustauschchromatographie bestimmt. Das gesammelte polykristalline
Silicium wurde abgewogen und die gelöste Menge an Silicium wurde
berechnet. Die zuvor beschriebene Prozedur wurde jeweils 3 Minuten,
5 Minuten und 10 Minuten nach der Zugabe des polykristallinen Siliciums
wiederholt. Die Analyseergebnisse sind in 3 dargestellt. Die in 3 gezeigten Ergebnisse belegen, dass
die Menge an Nickelionen in der Natriumhydroxidlösung durch Auflösen einer
kleinen Menge an polykristallinem Silicium schnell verringert werden
konnte.
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Beispiel 4
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(Reinigung einer Natriumhydroxidlösung mit
Wasserstoffgas)
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Wasserstoffgas wurde mit einer Geschwindigkeit
von 0,5 Liter/Minute in eine Natriumhydroxidlösung (45%, 20 Liter, 80°C) eingeblasen.
Vor und nach dem 20-stündigem
Einblasen von Wasserstoffgas wurden jeweils 10 ml der Natriumhydroxidlösung entnommen
und auf das 45-fache verdünnt,
um Proben zu erhalten, und dann wurden die Nickelionenkonzentration
und die Eisenionenkonzentration in der Lösung mittels Ionenaustauschchromatographie
bestimmt. Die Analyseergebnisse sind in 4 dargestellt. Die in 4 gezeigten Ergebnisse belegen, dass
sowohl die Eisenionenkonzentration als auch die Nickelionenkonzentration
verringert wurden, insbesondere die Nickelionenkonzentration konnte deutlich
verringert werden.
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Beispiel 5
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(Ätzen eines Wafers mit einer
Natriumhydroxidlösung,
gereinigt mit polykristallinem Silicium)
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200 g körniges polykristallines Silicium (Halbleiterqualität) wurden
zu einer Natriumhydroxidlösung
(45%, 20 Liter, 80°C)
gegeben. Nachdem die Lösung
1 Stunde lang mit dem Silicium behandelt worden war, wurde eine
Waferprobe mit der Lösung geätzt, und
die Verunreinigung der Waferprobe wurde untersucht. Dieser Versuch
wurde unter den folgenden Bedingungen durchgeführt.
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Versuchsbedingungen:
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- – Waferprobe:
Czochralski-gewachsener p-Typ; <100>-orientiert; 0,005–0,010 Ωcm; 200
mm Durchmesser; geläppter
Siliciumwafer
- – alkalisches Ätzen mit
einer Natriumhydroxidlösung
(wässrige
45%-ige Lösung,
enthaltend gelöstes
polykristallines Silicium; 80°C;
10 Minuten)
- – Waschen
mit Wasser (25°C;
3 Minuten)
- – Waschen
mit einer Lösung
aus Salzsäure,
Wasserstoffperoxid und Wasser (80°C;
3 Minuten)
- – Waschen
mit Wasser (25°C;
3 Minuten)
- – Trocknen
mit IPA-Dampf (81,5°C;
1 Minute)
- – Behälter, in
denen die Arbeitsschritte durchgeführt wurden (in den verschiedenen
Arbeitsschritten wurden gleiche Behälter verwendet)
Größe (mm):
280 × 280 × 300 N
Volumen:
20 Liter
Material: Quarz
- – Zusammensetzung
der Lösung
aus Salzsäure, Wasserstoffperoxid
und Wasser: Salzsäurelösung : wässrige Wasserstoffperoxidlösung : Wasser
= 1 : 1 : 10 (Volumenverhältnis);
(es wurden eine 36 gew.%-ige Salzsäurelösung und eine 30 gew.%-ige
wässrige
Wasserstoffperoxidlösung verwendet)
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Der Wafer, der unter den zuvor beschriebenen
Bedingungen geätzt
worden war, wurde wie folgt untersucht. Eine Seite des geätzten Wafers
wurde mit Sand gestrahlt und dann bei 600°C thermisch oxidiert. Der thermisch
erzeugte Oxidfilm auf der Seite des Wafers, die mit Sand gestrahlt
worden war, wurde mit Fluorwasserstoffdampf in der Dampfphase zersetzt.
Das zersetzte Material wurde unter Verwendung einer Flusssäurelösung gesammelt.
Das gesammelte Material wurde mittels ICP-MS (induktiv gekoppeltes
Plasma in Kombination mit einem Massenspektrometer) analysiert.
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Die Analyseergebnisse sind in 5 dargestellt, zusammen
mit den Ergebnissen, die beim Ätzen
einer Waferprobe mit einer Natriumhydroxidlösung, der kein polykristallines
Silicium zugegeben worden war, erhalten wurden. Die in 5 gezeigten Ergebnisse belegen,
dass die Nickelkonzentration an der Waferoberfläche, die mit der Natriumhydroxidlösung behandelt
worden war, der polykristallines Silicium zugegeben worden war,
deutlich verringert wurde.
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Beispiel 6
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(Ätzen eines Wafers mit einer
Natriumhydroxidlösung,
gereinigt mit monokristallinem Silicium)
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200 g monokristallines Silicium (Siliciumwafer)
wurden zu einer Natriumhydroxidlösung
(45%, 20 Liter, 80°C)
gegeben. Nachdem die Lösung
60 Minuten lang mit dem Silicium behandelt worden war, wurde eine
Waferprobe unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 5 mit
der Lösung
geätzt,
und die Verunreinigung der Waferprobe wurde in der gleichen Weise
wie in Beispiel 5 untersucht.
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Die Analyseergebnisse sind in 6 dargestellt, zusammen
mit den Ergebnissen, die beim Ätzen
einer Waferprobe mit einer Natriumhydroxidlösung, der kein monokristallines
Silicium (Siliciumwafer) zugegeben worden war, erhalten wurden.
Die in 6 gezeigten Ergebnisse
belegen, dass die Nickelkonzentration an der Waferoberfläche, die
mit der Natriumhydroxidlösung
behandelt worden war, der monokristallines Silicium (Siliciumwafer)
zugegeben worden war, deutlich verringert wurde.
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Beispiel 7
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(Abhängigkeit der Konzentrationen
an Ni, Cu und Fe an der alkalisch geätzten Waferoberfläche von
der Konzentration dieser Verunreinigungen in einer Natriumhydroxidlösung)
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Versuchsbedingungen:
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- – Waferprobe:
Czochralski-gewachsener p-Typ; <100>-orientiert; 0,005–0,010 Ωcm; 200
mm Durchmesser; geläppter
Siliciumwafer
- – alkalisches Ätzen mit
einer Natriumhydroxidlösung
(wässrige
45%-ige Lösung;
80°C; 10
Minuten)
- – Waschen
mit Wasser (25°C;
3 Minuten)
- – Waschen
mit einer Lösung
aus Salzsäure,
Wasserstoffperoxid und Wasser (80°C;
3 Minuten)
- – Waschen
mit Wasser (25°C;
3 Minuten)
- – Trocknen
mit IPA-Dampf (81,5°C;
1 Minute)
- – Behälter, in
denen die Arbeitsschritte durchgeführt wurden (in den verschiedenen
Arbeitsschritten wurden gleiche Behälter verwendet)
Größe (mm):
280 × 280 × 300 N
Volumen:
20 Liter
Material: Quarz
- – Zusammensetzung
der Lösung
aus Salzsäure, Wasserstoffperoxid
und Wasser: Salzsäurelösung : wässrige Wasserstoffperoxidlösung : Wasser
= 1 : 1 : 10 (Volumenverhältnis);
(es wurden eine 36 gew.%-ige Salzsäurelösung und eine 30 gew.%-ige
wässrige
Wasserstoffperoxidlösung verwendet)
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Bestimmung der Menge an
Metallverunreinigungen an der geätzten
Waferoberfläche:
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Eine Seite des geätzten Wafers wurde mit Sand
gestrahlt und dann bei 600°C
thermisch oxidiert. Der thermisch erzeugte Oxidfilm auf der Seite des
Wafers, die mit Sand gestrahlt worden war, wurde mit Fluorwasserstoffdampf
in der Dampfphase zersetzt. Das zersetzte Material wurde unter Verwendung
einer Flusssäurelösung gesammelt.
Das gesammelte Material wurde mittels ICP-MS (induktiv gekoppeltes
Plasma in Kombination mit einem Massenspektrometer) analysiert.
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Bestimmung der Metallionenkonzentration
in der Natriumhydroxidlösung:
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Vor dem Ätzen des Wafers wurden 10 ml
der Natriumhydroxidlösung
entnommen und auf das 45-fache verdünnt, um eine Probe zu erhalten,
und dann wurde die Konzentration der jeweiligen Metallionen mittels
Ionenaustauschchromatographie bestimmt. Die Analyseergebnisse sind
in 7 (Nickelkonzentration), 8 (Kupferkonzentration)
und 9 (Eisenkonzentration)
dargestellt. Die in den 7 bis 9 gezeigten Ergebnisse belegen,
dass eine Zunahme der Metallionenkonzentration in der Natriumhydroxidlösung zu
einer Zunahme der Metallkonzentration an der geätzten Waferoberfläche führt und dass
insbesondere die Konzentration an Ni und Cu deutlich zunimmt.
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Dieser Versuch zeigt ebenfalls, dass,
wenn die Metallionenkonzentration in der Natriumhydroxidlösung 10
ppb oder weniger beträgt,
kaum Metallverunreinigungen an der Waferoberfläche auftreten. Es konnte ebenfalls
gezeigt werden, dass die Metallverunreinigung an der Waferoberfläche gering
ist, wenn die Metallionenkonzentration in der Natriumhydroxidlösung bei
50 ppb oder darunter liegt. Es konnte weiterhin gezeigt werden,
dass die Metallionenkonzentration in der Natriumhydroxidlösung bevorzugt
bei 20 ppb oder darunter und besonders bevorzugt bei 10 ppb oder
darunter liegen sollte.
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Wie zuvor beschrieben wurde, können mit dem
erfindungsgemäßen Verfahren
zum Reinigen einer alkalischen Lösung
Metallionen (Nickelionen, Eisenionen, Kupferionen usw.), die in
der alkalischen Lösung
vorliegen, leicht und kostengünstig
aus der Lösung
entfernt werden. Entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Ätzen eines
Halbleiterwafers, bei dem eine alkalische Lösung mit einer geringen Metallionenkonzentration
als Ätzlösung verwendet
wird, ist es möglich,
Metallverunreinigungen, die beim Ätzen des Halbleiterwafers auftreten,
zu reduzieren, so dass die Qualität des Halbleiterwafers sowie
die Eigenschaften der aus dem Wafer hergestellten Halbleitervorrichtung
nicht nachteilig beeinflusst werden.
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Die zuvor angegebenen Beispiele entsprechend
der vorliegenden Erfindung können
in vielfältiger
Art und Weise modifiziert werden. Die Erfindung kann auch auf eine
andere Art und Weise praktiziert werden und wird nur durch den Schutzumfang
der Patentansprüche
beschränkt.