DE69609880D1 - Vorrichtung und Verfahren zur Ablagerung von Filmen auf ein Substrat durch ausserachsiale Laserablation - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zur Ablagerung von Filmen auf ein Substrat durch ausserachsiale Laserablation

Info

Publication number
DE69609880D1
DE69609880D1 DE69609880T DE69609880T DE69609880D1 DE 69609880 D1 DE69609880 D1 DE 69609880D1 DE 69609880 T DE69609880 T DE 69609880T DE 69609880 T DE69609880 T DE 69609880T DE 69609880 D1 DE69609880 D1 DE 69609880D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
extra
substrate
laser ablation
depositing films
axial laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69609880T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69609880T2 (de
Inventor
Hideo Itozaki
Tatsuoki Nagaishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Publication of DE69609880D1 publication Critical patent/DE69609880D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69609880T2 publication Critical patent/DE69609880T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0296Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
    • H10N60/0521Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by pulsed laser deposition, e.g. laser sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
DE69609880T 1995-03-07 1996-03-07 Vorrichtung und Verfahren zur Ablagerung von Filmen auf ein Substrat durch ausserachsiale Laserablation Expired - Fee Related DE69609880T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7074422A JPH08246134A (ja) 1995-03-07 1995-03-07 レーザー蒸着法による薄膜製造方法及び薄膜製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69609880D1 true DE69609880D1 (de) 2000-09-28
DE69609880T2 DE69609880T2 (de) 2001-02-01

Family

ID=13546758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69609880T Expired - Fee Related DE69609880T2 (de) 1995-03-07 1996-03-07 Vorrichtung und Verfahren zur Ablagerung von Filmen auf ein Substrat durch ausserachsiale Laserablation

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5820948A (de)
EP (1) EP0731188B1 (de)
JP (1) JPH08246134A (de)
CA (1) CA2171126A1 (de)
DE (1) DE69609880T2 (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858478A (en) * 1997-12-02 1999-01-12 The Aerospace Corporation Magnetic field pulsed laser deposition of thin films
US6297138B1 (en) * 1998-01-12 2001-10-02 Ford Global Technologies, Inc. Method of depositing a metal film onto MOS sensors
WO2000031315A1 (en) * 1998-11-20 2000-06-02 Fernandez Felix E Apparatus and method for pulsed laser deposition of materials on wires and pipes
WO2000044822A2 (en) * 1999-01-27 2000-08-03 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Fabrication of conductive/non-conductive nanocomposites by laser evaporation
DE19914129C2 (de) * 1999-03-27 2001-04-05 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren zum doppelseitigen Beschichten eines Substrates mit insbesondere einem Hochtemperatursupraleiter-Material durch Materialabscheidung und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6388230B1 (en) * 1999-10-13 2002-05-14 Morton International, Inc. Laser imaging of thin layer electronic circuitry material
JP2002235168A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 成膜方法および成膜装置
AU2003254888A1 (en) * 2002-08-08 2004-02-25 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho PROCESS FOR PRODUCING ALUMINA COATING COMPOSED MAINLY OF Alpha-TYPE CRYSTAL STRUCTURE, ALUMINA COATING COMPOSED MAINLY OF Alpha-TYPE CRYSTAL STRUCTURE, LAMINATE COATING INCLUDING THE ALUMINA COATING, MEMBER CLAD WITH THE ALUMINA COATING OR LAMINATE COATING, PROCESS FOR PRODUCING THE MEMBER, AND PHYSICAL EVAPORATION APPARATU
JP2006032485A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Brother Ind Ltd 圧電膜形成方法
CN103540899B (zh) * 2013-11-05 2015-06-17 哈尔滨工业大学 一种脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法
CN109830429B (zh) * 2019-01-23 2021-04-30 广西大学 一种双光路脉冲激光在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法
WO2021030775A1 (en) * 2019-08-15 2021-02-18 Abm Consulting, L.L.C. Reclamation and recycling of semiconductor workpieces
CN113445007A (zh) * 2021-05-28 2021-09-28 松山湖材料实验室 脉冲激光沉积装置及方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4537791A (en) * 1984-03-27 1985-08-27 Cordis Corporation Carbon coating of grafts or catheters
GB2231587B (en) * 1989-05-11 1993-07-28 Mitsubishi Electric Corp Thin film vacuum evaporation device
US5096739A (en) * 1989-11-27 1992-03-17 The University Of Connecticut Ultrafine fiber composites and method of making the same
JP2864148B2 (ja) * 1990-04-26 1999-03-03 東和化成工業株式会社 水産練製品用品質改良剤
DE4019965A1 (de) * 1990-06-21 1992-01-09 Deutsche Forsch Luft Raumfahrt Verfahren und vorrichtung zum beschichten von substratmaterial
WO1992006798A1 (en) * 1990-10-16 1992-04-30 Superconductor Technologies, Inc. In situ growth of superconducting films
LU87880A1 (fr) * 1991-01-24 1992-10-15 Europ Communities Methode permettant de deposer une couche mince par photo-ablation
WO1994001595A1 (en) * 1992-07-10 1994-01-20 General Electric Company Method and apparatus for low temperature deposition of dielectric films on polymers
US5304281A (en) * 1992-10-23 1994-04-19 Alfred University Laser deposition of cubic cadmium sulfide films
US5405659A (en) * 1993-03-05 1995-04-11 University Of Puerto Rico Method and apparatus for removing material from a target by use of a ring-shaped elliptical laser beam and depositing the material onto a substrate
US5406906A (en) * 1994-01-18 1995-04-18 Ford Motor Company Preparation of crystallographically aligned films of silicon carbide by laser deposition of carbon onto silicon
US5411772A (en) * 1994-01-25 1995-05-02 Rockwell International Corporation Method of laser ablation for uniform thin film deposition
US6037313A (en) * 1994-09-16 2000-03-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method and apparatus for depositing superconducting layer onto the substrate surface via off-axis laser ablation
US5624722A (en) * 1995-03-07 1997-04-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus and method for depositing films on substrate via on-axis laser ablation

Also Published As

Publication number Publication date
EP0731188A3 (de) 1997-02-26
JPH08246134A (ja) 1996-09-24
EP0731188B1 (de) 2000-08-23
EP0731188A2 (de) 1996-09-11
US5820948A (en) 1998-10-13
DE69609880T2 (de) 2001-02-01
CA2171126A1 (en) 1996-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68926361D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Aufbringung einer dünnen Schicht auf ein Substrat unter Druck
DE69711702D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer kohlenstoffreichen beschichtung auf einem beweglichen substrat
DE69528836D1 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung von gleichen dünnen beschichtungen auf breiten substraten
DE69609435D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen von Filmen auf ein Substrat mittels "on-axis" Laserablation
DE69506818D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Auftragen einer Schicht auf ein Substrat durch thermisches Verspritzen
DE69609880D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Ablagerung von Filmen auf ein Substrat durch ausserachsiale Laserablation
DE59107376D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Mikrostrukturen auf einem lichtempfindlich beschichteten Substrat durch fokussierte Laserstrahlung
DE69633770D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung dünner Schichten
DE69611453D1 (de) Verfahren zur herstellung von partikel-beschichtetem festen substrat
DE69521531D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten mit einer dünnen flüssigen beschichtung
DE69823556D1 (de) Prozesskammer und verfahren zur absetzung und/oder entfernung von material auf einem substrat
DE69943161D1 (de) Vorrichtung und verfahren zum auftragen einer heiss-siegelbaren schicht auf ein substrat
DE69318252D1 (de) Verfahren zur Befestigung von Bauelementen auf einem Substrat und Bestückungsmaschine hierfür
DE60034032D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur kontrolle von lotpastenschichten auf substraten
DE69633806D1 (de) Vorrichtung zur Permeatentnahme aus einem flüssigen Substrat mit mehreren Bestandteilen
DE59309438D1 (de) Schnelles verfahren zur erzeugung eines chalkopyrit-halbleiters auf einem substrat
DE69421467D1 (de) Verfahren zum Ablegen einer Dünnschicht auf Basis von einem Titannitrid auf einem transparenten Substrat
DE69503875D1 (de) Verfahren zur herstellung eines fasersubstrats durch ueberlagerung von faserschichten und so erhaltene substrat
DE69804672D1 (de) Verfahren zur selektiven ablagerung ferroelektrischer schichten auf wismut basis
DE69124582D1 (de) Verfahren zur Dickenkontrolle eines dünnen einkristallinen Filmes auf einem SOI Substrat
DE69006672D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Dampfphasenauftragung eines Werkstoffs auf ein Substrat.
DE69627357D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur trocknung eines beschichteten substrats
DE69702825D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Fotolackbeschichtung eines Substrats
DE10081808T1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung eines Filmes auf einem Substrat
ATE232928T1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aufbringen einer diskontinuierlichen beschichtung auf ein substrat

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee