DE69533136T2 - Diffundierung mit feldverstärkung und optischer aktivierung - Google Patents

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Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen feldverstärkten Diffusionsprozess zum Herstellen von Halbleitermaterial und betrifft insbesondere einen Prozess zur Dotierung von Diamantenmaterial mit Verunreinigungen, um N-Diamanthalbleiter herzustellen, die dann in Elektronik- (beispielsweise Hochspannungsschalter, integrierte Schaltungen), Optik-, und weiteren Anwendungen verwendbar sind.
  • Alle Halbleiter wie etwa Silizium, die mit Verunreinigungen zur Schaffung von IC-Chips mit diversen Schaltungskonfigurationen dotiert werden können, sind Einschränkungen hinsichtlich hoher Temperatur, chemischer Korrosion und Umgebungen mit erhöhter Strahlung unterworfen. Diamant ist einer der bekanntesten besten Isolatoren, aber es war bislang sehr schwierig, ein Diamanthalbleitermaterial herzustellen. Ein gewisser Erfolg wurde beim Schaffen von P-Halbleitern erreicht, aber die Herstellung von N-Diamant war größtenteils nicht erfolgreich. P-Diamantmaterial wurde hergestellt, indem eine In-Situ-Dotierung und Ionenimplantation angewendet wurde. N-Diamant wurde bislang nicht durch einen Prozess hergestellt, mit Ausnahme des hierin beschriebenen erfindungsgemäßen Prozesses. Ferner führen In-Situ-Dotieren und Ionenimplantieren zu unerwünschten Gitterdefekten im Diamant, wenn P-Typ-Verunreinigungen verwendet werden.
  • Feldverstärkte Diffusion ist ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterial mit Verunreinigungen, das in der Vergangenheit bei Halbleitermaterial, wie etwa Silizium, angewendet wurde. In einem feldverstärkten Diffusionsprozess wird Halbleitermaterial zunächst erhitzt, wobei Verunreinigungsmaterial darauf angeordnet ist. Das Dotiermaterial in dem Gitter wird dann mittels Wärme aktiviert (d. h. es wird ionisiert). Ein elektrisches Feld, das durch eine über das Siliziummaterial angelegte Hochspannung erzeugt wird, treibt die geladenen Dotieratome in die Halbleitergitterstruktur.
  • Das Erwärmen alleine kann ausreichend sein, Verunreinigungsdotierstoffe mit geringem Niveau zu ionisieren, aber das Hauptproblem bei der feldverstärkten Diffusion besteht darin, ausreichend viele Verunreinigungsatome in die Gitterstruktur zu diffundieren, da mit diese zur Leitfähigkeit beitragen. Die Anzahl der Atome ist eine Funktion der Temperatur und der Aktivierungsenergie gemäß der Boltzmannverteilung. Je höher die Temperatur ist, desto mehr Verunreinigungsionen werden erzeugt, die dann in die Gitterstruktur diffundieren. Das Problem bei Diamant ist, dass die Gitterstruktur in amorphen Kohlenstoff oder Grafit aufgrund der Metastabilität der Diamantphase auseinander bricht, wenn zur Ionisierung ausreichend hohe Temperaturniveaus erreicht werden.
  • Feldverstärkte Diffusion wurde für Verunreinigungen in Diamant erhalten, die eine Partige Leitfähigkeit zeigen, und Beispiele sind in der Schrift mit dem Titel „Diffusion von Verunreinigungen unter einer Vorspannung in CVD-Diamantfilmen", von Popovici et al., Materials Research Society, April 1994, offenbart. Diese Schrift zitiert, dass das Dotieren von Diamant aufgrund der Gittersteifigkeit und des geringen kovalenten Radius des Kohlenstoffs schwierig ist. Dies bedeutet, dass nur Bor und Stickstoff potentiell verfügbar sind, da lediglich diese Dotierstoffe kovalente Radien aufweisen, die klein genug sind, um in das Diamantgitter einzudringen.
  • Diamanthalbleiter des N-Typs erfordern ausreichend hohe Konzentrationen an Dotieratomen mit flachen Energieniveaus, um das erforderliche Maß an Leitfähigkeit bereitzustellen. Bisher gab es keine Diffusionsdotierprozesse, die dieses Ergebnis erreichen. Bei Ionenimplantation und In-Situ-Dotieren ergeben sich die Probleme, die zuvor erläutert wurden. Es wird daher ein Dotiervorgang für Diamantmaterial benötigt, der ein N-Halbleitermaterial schaffen kann.
  • Ein Verfahren zum Herstellen von Halbleitermaterial mit den Eigenschaften des Oberbegriffs des Anspruchs 1 ist bekannt aus: „Materials Research Society Symposium Proceedings", Vol. 339, „Diamant, SIC und Nitride Wide Bandgap Semiconductors", Symposium San Francisco, CA., USA, April 4–8, 19994, Seiten 601 bis 606; „Japanische Patentzusammenfassungen", Vol. 017, Nr. 475 (C-1103), 30. August 19993, entsprechend zur JP-A-05117089; und DE-A-4331937.
  • Überblick über die Erfindung
  • Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Verfahren zum Herstellen eines Halbleitermaterials bereitzustellen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Die Erfindung beschreibt einen Prozess zum Herstellen eines N-Halbleitermaterials und insbesondere eines Diamanthalbleiters unter Verwendung eines modifizierten feldverstärkten Diffusionsprozesses.
  • Um einen N-Halbleiter zu schaffen, kann ein Lithiumsalz, etwa LiClO3 auf einem Diamantmaterial abgeschieden werden. Lithium ist ein guter Dotierstoff, um N-Material zu erzeugen, da die Theorie flache Energieniveaus um ungefähr 0.1 eV voraussagt. Ein Photonbeschuss des Diamantmaterials wird mittels eines Lasers erzeugt. Ein Laser mit einer Photonenergie Ep aktiviert die Verunreinigungsatome mit der benötigten Aktivierungsenergie Ea, wobei Ep größer als Ea ist. Dies ermöglicht, dass die Donatoratome entlang den Felddienen auf Zwischengitterplätzen in dem Diamantgitter wandern. Wenn die Lithiumatome in das Diamantmaterial unter dem Einfluss des durch Spannung über den Diamanten erzeugten elektrischen Feldes diffundieren, werden diese mit Photonen aus dem Laser beschossen, der die notwendige Aktivierungsenergie Ea bereitstellt, wie dies durch die Boltzmanngleichung definiert ist. Die Anzahl an Verunreinigungsatomen, die zur Leitfähigkeit beitragen, ist durch die Boltzmanngleichung gegeben, durch:
    Figure 00030001
    wobei N die Dichte der Verunreinigungsatome, die einen Strom tragen, N0 die Dichte der Verunreinigungsatome, Ea die Aktivierungsenergie, k die Boltzmannkonstante und T die Temperatur des Halbleiters ist.
  • Aus der obigen Gleichung kann man erkennen, dass ein N-Dotiermaterial mit flachem Niveau eine bessere Leitfähigkeit bei einer beliebigen gegebenen Temperatur ergibt.
  • Dieses Verfahren kann ebenso für P-Verunreinigungen verwendet werden, in dem die elektrische Feldrichtung geändert wird, da die Donatorverunreinigungsionen positiv (N-Typ) und die Akzeptorverunreinigungsionen negativ sind (P-Typ).
  • Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren werden durch die hohe Temperatur einige Dotierstoffe mit flachem Niveau ionisiert, während die durch das elektrische Feld erzeugte Kraft die geladenen Dotierionen in das Halbleiterzielmaterial treibt, wodurch ein Gradient in der Nähe der Diamantenoberfläche erzeugt wird. Der Laser wird auf die wandernden Lithiumatome als eine Photonquelle gerichtet, um die Aktivierungsenergie Ea bereitzustellen. Dies ist ein wesentlich effektiveres Verfahren zum Bereitstellen von Aktivierungsenergie als die bisherigen Verfahren, die lediglich Wärme verwendeten, aufgrund der Beschränkungen, die dem Erhitzen einiger Halbleiterzielmaterialien, insbeson dere Diamant, innewohnen. Ferner ionisiert der Laser optisch wesentlich mehr Verunreinigungsatome, als dies früher durch Wärme alleine möglich war.
  • Da des Weiteren der Laser lokal in dem Zielmaterial wirkt, kann dieser verwendet werden, um Zonen zu schaffen, an denen hohe Konzentrationen von Donatoatomen angrenzen. Auf diese Weise kann der Laser auf eine gewisse Fläche fokussiert werden, oder kann so bewegt werden, um gerade Streifen zu schaffen, die dotierte Gebiete definieren. Dieser Vorgang kann verwendet werden, um Hochspannungsschalter, Dioden und PNP und NPN-Transistoren, T-N-Übergänge, PIN-Strukturen, NIP-Strukturen, NIN-Strukturen, PIP-Strukturen oder andere weitere Strukturen zu schalten, die N-Material verwenden. In Hochspannungsschaltern können die Verunreinigungen an der Vorderseite oder der Rückseite einer dünnen Diamantplatte oder in einer nebeneinander liegenden Anordnung diffundiert werden. Wenn der Laser verwendet wird, um dotierte Zonen zu schalten, dient dieser als eine Punktheizquelle, um ein Muster in die Verunreinigungsschicht zu „zeichnen", die auf dem Diamant lagert, während die Spannung über das Diamantmaterial angelegt wird; ein zweiter Laser wird verwendet, um die Verunreinigungen, die in das Diamantgitter eindringen, optisch zu ionisieren.
  • Eine weitere Anwendung des feldverstärkten Diffusionsprozesses gemäß der Erfindung ist die Schaltung eines flachen Anzeigeschirmes. Eine Schicht aus N-Diamantmaterial emittiert Elektronen, wenn diese mit einer Spannung geladen wird. Diese Eigenschaft ermöglicht es, luminiszierendes Phosphormaterial über der Diamantschicht anzuordnen, die Licht emittiert, wenn diese mit Elektronen beschossen wird. Diverse Adressier-Techniken können verwendet werden, um lokale Spannungsgradienten zu erzeugen, um tatsächlich Pixel in der Phosphorschicht zu erzeugen.
  • Eine noch weitere Anwendung der vorliegenden Erfindung liegt in der Färbung von natürlichem Diamant. Gemäß diesem Verfahren wird der Diamant auf einem Substrathalter angeordnet und eine Verunreinigung wird auf dem Diamanten angebracht. Das Substrat wird erwärmt und der Laser bestrahlt den Diamanten, um die Verunreinigung zu ionisieren. Wie in den vorhergehenden Prozessen wird eine Hochspannung über dem Diamanten angelegt und es werden Verunreinigungen über eine gewisse Zeitdauer hinweg in den Diamanten eindiffundiert. Wenn eine höhere Energie für die spezielle Verunreinigung erforderlich ist, muss die Energie des Lasers so sein, dass Ep > Ea ist. Der Prozess funktioniert sowohl für Verunreinigungen, die an Zwischengitterplätzen angeordnet sind, sowie für Verunreinigungen, die Kohlenstoff im Diamantgitter substituieren. Für diesen Zweck kann ein Exzimerlaser verwendet werden, sen Zweck kann ein Exzimerlaser verwendet werden, der ausreichend Energie bereitstellt, um die sp3-Verbindungen aufzubrechen und Leerstellen zu schaffen. Mit diesem Beispiel diffundieren Verunreinigungen in die Leerstellen und stellen somit Ersatzatome dar. Beispielsweise erzeugt das Diffundieren von Bor in Diamant unter Anwendung dieses Prozesses einen blaugefärbten Diamanten.
  • Die vorhergehenden und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden beim Studium der folgenden detaillierten Beschreibung der Erfindung deutlicher, wenn diese in Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen verwendet wird.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine schematische Ansicht eines modifizierten feldverstärkten Diffusionsverfahrens zur Herstellung von N- oder P-Halbleitermaterial.
  • 2A ist eine schematische Ansicht, die Energieniveaus in Diamantmaterial für einen N-Dotierstoff darstellt.
  • 2B ist eine schematische Ansicht, die Energieniveaus in Diamantmaterial für einen P-Dotierstoff darstellt.
  • 3 ist eine Darstellung eines Diamantsubstrats mit einer darauf angeordneten Verunreinigung, wobei ein Laser zur Erzeugung von Verunreinigungsgebieten verwendet wird.
  • 4 zeigt einen Halbleiterchip, der gemäß dem Verfahren aus 3 behandelt worden ist.
  • 5A zeigt eine erste Ausführungsform eines Hochspannungsschalters, der erfindungsgemäß hergestellt ist.
  • 5B zeigt eine zweite Ausführungsform eines Hochspannungsschalters, der erfindungsgemäß hergestellt ist.
  • 6A zeigt eine erste Ausführungsform einer Diode, die gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist.
  • 6B zeigt eine zweite Ausführungsform einer Diode, die gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist.
  • 7A und 7B sind jeweils erste und zweite Ausführungsformen von NPN-Transistoren, die gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt sind.
  • 8A und 8B sind erste und zweite Ausführungsformen von PNP-Transistoren, die gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt sind.
  • 9 ist eine schematische Ansicht eines Flachbildschirms, in dem ein gemäß der Erfindung erzeugtes N-Diamantmaterial verwendet ist.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
  • Der grundlegende feldverstärkte Diffusionsprozess der Erfindung ist in 1 dargestellt. Ein Vakuumbehälter 10 enthält einen Substrathalter 12. Ein Bearbeitungschip oder eine Substratschicht, die aus Diamant 14 hergestellt ist, ist auf dem Substrathalter 12 abgeschieden. Eine Verunreinigung 16, etwa ein Lithiumsalz, ist auf dem Diamant 14 angeordnet. Eine Heizeinheit 18 ist mit dem Substrathalter 12 verbunden. Eine Quelle einer Hochspannung 20 ist mit einem Eingang 22 mit dem Diamantmaterial 14 und mit einem Ausgang mit dem Substrathalter 12 verbunden. Die Spannungseinheit 20 erzeugt ein Spannungspotential und folglich ein elektrisches Feld durch das Diamantmaterial 14. Ein Laser 26 richtet einen Photonenstrahl 27 auf das Diamantmaterial.
  • Während des eigentlichen Betriebs wird der Vakuumbehälter 10 evakuiert und die Heizeinheit wird eingeschaltet. Der Heizer 18 kann aus Grafit oder keramischen Heizelementen aufgebaut sein und sein Zweck ist es, das Diamantmaterial 14 auf Temperaturen zwischen Raumtemperatur und 1400°C aufzuheizen. Wenn die Heizeinheit 18 die gewünschte Temperatur erreicht, wird die Hochspannungsquelle 20 eingeschaltet, und baut ein elektrisches Feld durch das Diamantmaterial 14 auf. Die Spannung kann sehr variabel gewählt werden, aber experimentell ermittelte Spannungen von ungefähr 500 Volt zeigen gute Resultate. Ein akzeptabler Laser für den Prozess ist ein Helium-Neon-Laser, der bei 632.8 nm arbeitet, und in dieser Konfiguration ein Ep > Ea liefert.
  • Wenn das Diamantmaterial 14 und Lithiumsalz (LiClO3) erwärmt werden, beginnt ein Aktivierungsprozess für Lithium-, Sauerstoff- und Chloratome in dem Verunreinigungsmaterial 16 (beispielsweise Ionisierung im Gitter). Unter der Wirkung des durch die Spannungsquelle 20 erzeugten elektrischen Feldes beginnen diese Atome in das Kristallgitter des Diamantmaterials 14 zu wandern. Wenn dies geschieht, wandern nichtionisierte Lithiumatome ebenfalls in die Oberseite der Diamantschicht, wo sie mit Photonen 27 aus dem Laser 26 beschossen werden. Der Photonenbeschuss liefert die Aktivierungsenergie für diese Atome, wodurch wiederum eine noch steilerer Gradient erzeugt wird, der mehr Lithiumatome in die Diamantgitterstruktur zieht. Somit ergibt sich eine kaskadierende Wirkung, woraus eine große Anzahl an Lithiumionen resultiert, die an Zwischengitterplätzen innerhalb der Diamantgitterstruktur angeordnet sind. In dem Diffusionsvorgang werden Zwischengitteratome und Substitutionsatome mit kleiner Beeinträchtigung der Diamantkristallstruktur diffundiert. Wie in 2A gezeigt ist, beträgt die Energiedifferenz zwischen dem Vallenzband des Diamants und dessen Leitungsband 5.4 eV. Die Aktivierungsenergie der Donatoverunreinigungen (N-Typ) wurde experimentell zu 0.09 eV bestimmt. Dies kann an den Lithiumatomen oder den Sauerstoff oder Chloratomen, oder einer Kombination aller dreier Atomarten liegen. Das flache Niveau in diesem Falle ist höchst wünschenswert, da es eine gute Stromleitfähigkeit bei Zimmertemperatur liefert. Wie in 2D gezeigt ist, kann, wenn P-Halbleitermaterial gewünscht wird, Bor als eine akzeptable Verunreinigung verwendet werden. Die Aktivierungsenergie der Bor-Akzeptor-Verunreinigung beträgt 0.3 eV und zeigt eine Ablösearbeit von 5.2 eV. In allen anderen Punkten ist der Prozess identisch zu dem Vorhergehenden.
  • Eine Variation des Verfahrens aus 1 ist in 3 gezeigt. In diesem Falle wird die Heizeinheit 18 nicht verwendet und ein zweiter Laser 28 richtet einen kollimierten Lichtstrahl 30 auf das Verunreinigungsmaterial 32, das auf einem Diamantsubstrat 34 in dem Vakuumbehälter 10, wie er in 1 gezeigt ist, abgeschieden ist. Mit eingeschalteter Spannung und wobei der erste Laser 26 auf das Diamantsubstrat 34 gerichtet ist, wird der zweite Laser 28 über die Verunreinigung 33 bewegt, wobei dieser als eine Punktheizquelle dient. Beim Erwärmen des Verunreinigungsmaterials 32 in Linien oder Streifen, findet eine feldverstärkte Diffusion unter dem Einfluss des elektrischen Feldes, das durch die Hochspannungseinheit 20 bewirkt wird, und die optische Ionisierung der wandernden Verunreinigungsatome mittels des Lasers 26 statt. Das Ergebnis ist in 4 gezeigt, worin die gemusterten Streifen 36 des Verunreinigungsmaterials auf das Diamantsubstrat 34 „gezeichnet" sind.
  • Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren sind eine Reihe von Anwendungen möglich. Beispielsweise zeigen 5A und 5B Leistungstransistoren. 5A zeigt eine dünne Diamantplatte 40, die Gebiete an der Vorderseite und Rückseite 42 und 44 aus N-Dotierstoff enthält, der in das Diamantmaterial eindiffundiert ist. Wenn eine Spannungsquelle 46 über die Diamantplatte 40 angelegt wird, arbeitet das Element als ein Schalter. In 5B sind N-Diamantmaterialien 48 und 50 nebeneinander auf einer dünnen Platte aus Diamantmaterial 52 angeordnet. Eine Spannungsquelle 54 verursacht eine Leitung zwischen den beiden Gebieten 50 und 58 in Abhängigkeit von der Größe der Spannung und dem seitlichen Abstand zwischen den beiden Gebieten.
  • Eine weitere Anwendung ist in den 6A und 6B gezeigt. In 6A ist ein P-Dotiermaterial in eine Platte diffundiert, die zuvor mit N-Material dotiert wurde. Gemäß dieser Ausführungsform wird eine sehr dünne Diamantplatte verwendet, und das Element wirkt als eine Diode. Im Wesentlichen die gleiche Struktur ist in 6B gezeigt, aber in diesem Falle sind Elektroden 60 und 62 an der gleichen Seite einer P-Diamantplatte 64 angeordnet. Ein N-Material 66 ist in einem Gebiet auf der Oberfläche des P-Diamanten 64 geschaffen.
  • In den 7A und 7B sind ähnliche Strukturen, wie sie für die Hochspannungsschalter (5A und 5B) und die Dioden (6A und 6B) beschrieben sind, als NPN-Transistoren gezeigt. Der erste Typ eines NPN-Transistors 66 weist eine Platte aus P-Diamantmaterial 68 auf, das jeweils mit N-Material 70 und 72 an beiden Seiten davon dotiert ist. In 7B umfasst der P-Diamantchip 74 nebeneinander liegende Gebiete 76 und 78 mit jeweils N-Diamantmaterial.
  • 8A und 8B zeigen die gleiche Art von Struktur für PNP-Transistoren. In diesem Falle umfasst eine N-Diamantplatte 80 ein P-Diamantmaterial 82 und 84, das an gegenüberliegenden Seiten der Platte angeordnet ist. Die Platte muss sehr dünn sein, um eine Leitung zwischen den P-Diamantmaterialgebieten 82 und 84 zu liefern. In 8B umfasst ein flacher Diamantchip 86 nebeneinander liegende Gebiete 88 und 90 aus jeweils P-Diamantmaterial.
  • 9 zeigt die Anwendung einer N-Diamantplatte 92 als eine Elektronenquelle, um einen Anzeigebildschirm zu schaffen. Das Material 92 emittiert Elektronen, die durch die Pfeile repräsentiert sind, die auf Phosphorzentren 94 treffen, die in einem dünnen Film aus Phosphormaterial (nicht gezeigt) vorhanden sind. Wenn eine Spannungsquelle 91 an das N-Diamantmaterial angelegt wird, werden Elektronen ausgesendet, die die Phosphorzentren 94 treffen und das Aussenden von Licht bewirken.
  • Obwohl die Erfindung unter Anwendung einer Diamantschicht als ein mit einer Verunreinigung zu dotierendes Halbleitersubstrat gezeigt worden ist, funktioniert das Verfahren für ein beliebiges anderes Halbleitermaterial, wie etwa Silizium. Obwohl ferner die Erfindung durch Verwendung einer Lithiumverbindung als N-Donatorrnaterial beschrieben worden ist, können ebenso Sauerstoff, Fluor und Chlor als Dotierstoffe verwendet werden. Obwohl des Weiteren die Erfindung hinsichtlich der Verwendung eines Lasers als eine Einrichtung zum Bereitstellen der optischen Ionisierung beschrieben worden ist, kann ein beliebiges Verfahren zum Beschießen mit Photonen verwendet werden. Gute Ergebnisse wurden unter Verwendung eines Helium-Neon-Lasers mit 632.8 Nanometern erhalten. Andere Wellenlängen können jedoch ebenfalls akzeptabel sein. Im Allgemeinen sollte für eine maximale Effektivität die Wellenlänge und die Art des Photonenbeschusses so gestaltet sein, um an die Aktivierungsenergie der Verunreinigungen angepasst zu sein.

Claims (12)

  1. Verfahren zum Diffundieren einer Verunreinigung in ein kristallines Zielmaterial mit einer Seitenwand, mit den Schritten: (a) Anordnen des kristallinen Zielmaterials (14, 34) auf einem Halter (12) in einer inerten Atmosphäre oder einem Vakuumbehälter; (b) Anordnen einer Verunreinigung (16, 32) auf einem Oberflächenbereich des kristallinen Zielmaterials; (c) Erzeugen eines elektrischen Feldes durch das kristalline Zielmaterial (14, 34); (d) Erwärmen zumindest eines Teils des kristallinen Zielmaterials; dadurch gekennzeichnet, dass (e) zumindest ein Teil der Seitenwand des kristallinen Zielmaterials mit Photonen aus einer Photonenquelle (26) während des Ausführens der Schritte (c) und (d) bestrahlt wird, um Atome der Verunreinigung innerhalb des kristallinen Zielmaterials zu ionisieren, wobei die Photonen aus der Photonenquelle eine Photonenenergie (Ep) aufweisen, die größer als die benötigte Aktivierungsenergie (Ea) für die Diffusion der Verunreinigungsatome in das kristalline Zielmaterial ist.
  2. Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Photonquelle ein Laser ist.
  3. Das Verfahren nach einem der Anspruch 1 oder 2, wobei die im Schritt (b) verwendete Verunreinigung von einer Art ist, die ein N-Typ-Halbleitermaterial aus dem kristallinen Zielmaterial erzeugt.
  4. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Verunreinigung Lithium und/oder Sauerstoff und/oder Fluor und/oder Chlor umfasst.
  5. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Verunreinigung von der Art ist, dass diese ein P-Typ-Halbleitermaterial aus dem kristallinen Zielmaterial erzeugt.
  6. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Verunreinigung ein Lithiumsalz ist.
  7. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Schritt des Erwärmens (d) durch Erwärmen des Halters (12) erreicht wird.
  8. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Schritt des Erwärmens (d) erreicht wird, indem ein Laserstrahl auf die Verunreinigung fokussiert und der Laserstrahl bewegt wird, um ein gewünschtes Muster auf dem kristallinen Zielmaterial zu schaffen.
  9. Das Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Laser ein Helium-Neon-Laser ist.
  10. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das kristalline Zielmaterial Diamant ist.
  11. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das kristalline Zielmaterial Silizium ist.
  12. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2 oder 5 oder 7 bis 11, wobei die Verunreinigung Bor ist.
DE69533136T 1994-09-27 1995-09-26 Diffundierung mit feldverstärkung und optischer aktivierung Expired - Fee Related DE69533136T2 (de)

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