DE69513316T2 - Hallelement zum Erfassen eines Magnetfeldes senkrecht zum Substrat - Google Patents

Hallelement zum Erfassen eines Magnetfeldes senkrecht zum Substrat

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020120803B3 (de) 2020-08-06 2022-01-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Hall-Sensor

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE308761T1 (de) 1998-03-30 2005-11-15 Sentron Ag Magnetfeldsensor
HU222164B1 (hu) * 2000-02-04 2003-04-28 Tibor Gajdár Mágneses réteggel ellátott jegy és ehhez illeszkedő jegykiadó, jegykezelő és jegyellenőrző berendezés
DE10144268B4 (de) * 2001-09-08 2015-03-05 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Messung der Stärke einer Vektorkomponente eines Magnetfeldes
DE10240404A1 (de) * 2002-09-02 2004-03-18 Austriamicrosystems Ag Hall-Sensor und Verfahren zu dessen Betrieb
JP4624787B2 (ja) * 2002-09-10 2011-02-02 メレクシス テッセンデルロ エヌヴィ ホール素子を備える磁界センサ
US6903429B2 (en) * 2003-04-15 2005-06-07 Honeywell International, Inc. Magnetic sensor integrated with CMOS
DE102005051306A1 (de) * 2004-10-28 2006-06-08 Denso Corp., Kariya Vertikale Hallvorrichtung und Verfahren zur Einstellung der Offsetspannung einer vertikalen Hallvorrichtung
DE102006017910A1 (de) * 2006-04-18 2007-10-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vertikales Hall-Sensorelement
US9013167B2 (en) 2010-11-09 2015-04-21 Texas Instruments Incorporated Hall effect device having voltage based biasing for temperature compensation
DE102011002580A1 (de) * 2011-01-12 2012-07-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Hall-Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung
US9222991B2 (en) * 2012-06-22 2015-12-29 Infineon Technologies Ag Vertical hall device comprising a slot in the hall effect region
EP2746799B1 (de) 2012-12-20 2016-04-20 Nxp B.V. Halbleiter-Magnetfeldsensoren
US9548443B2 (en) 2013-01-29 2017-01-17 Allegro Microsystems, Llc Vertical Hall Effect element with improved sensitivity
US9164155B2 (en) 2013-01-29 2015-10-20 Infineon Technologies Ag Systems and methods for offset reduction in sensor devices and systems
US9099638B2 (en) 2013-03-15 2015-08-04 Allegro Microsystems, Llc Vertical hall effect element with structures to improve sensitivity
KR102019514B1 (ko) * 2013-06-28 2019-11-15 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 기반의 홀 센서
US9291648B2 (en) 2013-08-07 2016-03-22 Texas Instruments Incorporated Hybrid closed-loop/open-loop magnetic current sensor
US9312473B2 (en) 2013-09-30 2016-04-12 Allegro Microsystems, Llc Vertical hall effect sensor
US9605983B2 (en) 2014-06-09 2017-03-28 Infineon Technologies Ag Sensor device and sensor arrangement
US9823168B2 (en) 2014-06-27 2017-11-21 Infineon Technologies Ag Auto tire localization systems and methods utilizing a TPMS angular position index
GB2531536A (en) 2014-10-21 2016-04-27 Melexis Technologies Nv Vertical hall sensors with reduced offset error
DE102018106037B4 (de) 2018-03-15 2023-03-30 Infineon Technologies Ag Mehr-Kontakt-Hall-Platte und Verfahren zum Betreiben derselben
DE102019004060B3 (de) 2019-06-11 2020-05-07 Tdk-Micronas Gmbh lsolierte Hallsensorstruktur

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH662905A5 (de) * 1983-12-19 1987-10-30 Landis & Gyr Ag Integrierbares hallelement.
CH668146A5 (de) * 1985-05-22 1988-11-30 Landis & Gyr Ag Einrichtung mit einem hallelement in integrierter halbleitertechnologie.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020120803B3 (de) 2020-08-06 2022-01-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Hall-Sensor
US11662400B2 (en) 2020-08-06 2023-05-30 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev Hall sensor with hall elements measuring magnetic field components perpendicularly to the substrate surface

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EP0671773A2 (de) 1995-09-13
EP0671773A3 (de) 1996-04-10
EP0671773B1 (de) 1999-11-17
DE69513316D1 (de) 1999-12-23

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