-
Die Erfindung betrifft eine lichtemittierende Verbindungshalbleitervorrichtung
und genauer eine lichtemittierende Vorrichtung aus AlGaInP, die eine aktive
Schicht aus AlGaInP Mischkristallen aufweist.
-
Materialien vom AlGaInP-Typ sind Materialien mit direktem Übergang mit den
größten Bandlückenenergien unter Verbindungshalbleitermischkristallen der
III-V-Gruppe mit Ausnahme von Nitriden, und ihnen wird als Materialien für
sichtbares Licht emittierende Vorrichtungen im 550 bis 650 nm-Band (grün bis
rot Bereich) viel Aufmerksamkeit geschenkt. Eine AlGaInP lichtemittierende
Vorrichtung, die eine aktive Schicht aus AlGaInP mit solch einer großen direkten
Bandlückenenergle aufweist, kann eine Lichtemission mit sehr viel höherer
Helligkeit als eine herkömmliche lichtemittierende Vorrichtungen erzeugen, die
Materialien mit indirektem Übergang wie GaP und GaAsP verwenden.
-
Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt einer herkömmlichen AlGaInP
lichtemittierenden Vorrichtung. Diese lichtemittierende Vorrichtung 10 aus
AlGaInP weist die folgende Struktur auf: eine n-leitende (AlxGa1-x)0,51 In0,49P
Deckschicht 12 (etwa 1 µm dick), eine (AlyGa1-y)0,51 In0,49P aktive Schicht 13
(etwa 0,6 µm dick), eine p-leitende (AlzGa1-z)0,51 In0,49P Deckschicht 14
(ungefähr 1 µm dick) und eine p-leitende Stromausbreitungsschicht 15 (die einige
Mikrometer dick ist und die als p-leitende Schicht den Stromfluß gleichmäßig
verbreitert) sind eine nach der anderen auf einem n-leitenden GaAs-Substrat 11
ausgebildet, und eine p-seitige Elektrode (obere Oberflächenelektrode) 16 und
einenseitige Elektrode (Bodenelektrode) 17 sind auf der p-leitenden
Stromausbreitungsschicht 15 bzw. auf der Bodenfläche des n-leitenden GaAs-Substrats 11
vorgesehen.
-
Hier bildet die AlGaInP Doppelheteroübergangsstruktur mit der
(AlyGa1-y)0,51 In0,49P aktiven Schicht 13 und den beiden AlGaInP
Deckschichten, die größere Bandlückenenergien aufweisen als die aktive Schicht 13, d.h. die
n-leitende (AlxGa1-x)0,51 In0,49P Deckschicht 12 und die p-leitende
(AlzGa1-z)0,51 In0,49P Deckschicht 14, den lichtemittierenden Schichtabschnitt
18, und die (AlyGa1-y)0,51 In0,49P aktive Schicht 13 wirkt als lichtemittierende
Schicht. Die Verhältnisse der Al-Zusammensetzung, also x, y und z, in den
AlGaInP-Schichten, die die AlGaInP-Doppelheteroübergangsstruktur bilden,
genügen der folgenden Beziehung:
-
0 ≤ y ≤ 0,7, y < x und y < z.
-
Soweit keine besondere Gründe vorliegen, werden (AlxGa1-x)0,51 In0,49P,
(AlyGa1-y)0,51 In0,49P und (AlzGa1-z)0,51 In0,49P allgemein als
"(AlBGa1-B)0,51 In0,49P" bezeichnet oder als "AlGaInP" abgekürzt.
-
Eine nichtemittierende Vorrichtung aus AlGaInP, die im folgenden auch als Al-
GaInP lichtemittierende Vorrichtung bezeichnet wird, wie sie oben beschrieben
wurde, erfordert eine Stromausbreitungsschicht und insbesondere eine
Stromausbreitungsschicht, die aus Materialien besteht, die von
AlGaInP-Mischkristallen verschieden sind. Der Grund hierfür wird als nächstes mit Bezug auf Figur 3
erklärt. Pfeile in Figur 3 zeigen die Stromverteilung 19 von der p-seitigen
Elektrode 16 aus.
-
Für die Lichtemission einer AlGaInP lichtemittierenden Vorrichtung ist es
wünschenswert, den Strom wirksam von der p-seitigen Elektrode 16 in den gesamten
Bereich der AlGaInP aktiven Schicht 13 zu verteilen, die die lichtemittierende
Schicht ist, so daß genügend wirksame Lichtemission auftritt. Um dies zu
erreichen, ist es erforderlich, daß der Abstand (Schichtdicke) zwischen der p-seitigen
Elektrode 16 und der AlGaInP aktiven Schicht 13 eine vorgeschriebene Länge
(einige Mikrometer) oder mehr sein sollte.
-
Im Fall einer AlGaInP lichtemittierenden Vorrichtung, die eine aktive Schicht aus
AlGaInP aufweist, wie in Figur 3 gezeigt, sind die AlGaInP-Schichten 12 (ungefähr
1µm dick), 13 (ungefähr 0,6 µm dick) und 14 (ungefähr 1 µm dick) mit einer
generischen Zusammensetzung von (AlBGa1-B)0,51 In0,49P auf einen GaAs-Substrat
11 ausgebildet, wobei die AlGaInP-Schichten an das Kristallgitter des
GaAs-Substrats 11 angepaßt sind. Es ist Jedoch sehr schwierig (AlBGa1-B)0,51 In0,49P-
Mischkristallschichten mit einer Gesamtdicke über 3 µm zu bilden, ohne die
Kristallinität zu beeinträchtigen oder zumindest zu gefährden.
-
Das heißt, um den Strom von der p-seitigen Elektrode 16 wirksam in den
gesamten
Bereich der AlGaInP aktiven Schicht 13 zu verteilen, muß die Dicke zwischen
der p-seitigen Elektrode 16 und der aktiven Schicht 13 einige Mikrometer oder
mehr sein. Wegen der oben beschriebenen Gründe ist es Jedoch nahezu
unmöglich, eine Schicht von dieser Dicke unter Benutzung von AlGaInP-Materialien zu
bilden.
-
Daher ist es herkömmliche Praxis als Stromausbreitungsschicht 15 eine Schicht
aus von AlGaInP verschiedenen Materialien auf der p-leitenden
AlGaInP-Deckschicht 14 auszubilden und somit den Strom wirksam von der p-seitigen
Elektrodein den gesamten Bereich der AlGaInP aktiven Schicht 13 zu verteilen, umso
eine genügende Wirksamkeit der Lichtemission zu erhalten.
-
Als Materialien für die Lichtausbreitungsschicht 15 wurden auf der Grundlage
der Bedingung, daß von der AlGaInP aktiven Schicht 13 emittierte Photonen nicht
absorbiert werden sollten, AlwGa1-wAs (0,45 ≤ w < 1) oder GaP
herkömmlicherweise benutzt, deren Bandlückenenergien größer sind als die Energie der
Photonen.
-
Da jedoch GaP eine große Gitterfehlanpassung mit (AlBGa1-B)0,51In0,49P
aufweist, wird hauptsächlich AlwGa1-wAs benutzt, das nahezu diesselben
Gitterkonstanten wie (AlBGa1-B)0,51In0,49P aufweist.
-
Selbst wenn jedoch AlwGa1-wAs für die Stromausbreitungsschicht benutzt wird,
wenn w, das Verhältnis der Al-Zusammensetzung, zum Zwecke der Vergrößerung
der Bandlückenenergle vergrößert wird, kann die Gitterfehlanpassung mit
(AlBGa1-B)0,51In0,49P-Mischkristallschichten, welche den auf dem
Gaks-Substrat ausgebildeten lichtemittierenden Schichtabschnitt bilden nicht ignoriert
werden.
-
Wenn z. B. die Lichtemissionswellenlänge 590 nm ist, ist es erforderlich, daß
Verhältnis w der Al-Zusammensetzung in AlwGa1-wAs, das für die
Stromausbreitungsschicht 15 benutzt wird, bei etwa 0.7 oder höher zu halten, so daß die von
der AlGaInP aktiven Schicht 13 emittierten Photonen durch die AlwGa1-wAs-
Stromausbreitungsschicht 15 nahezu ohne Absorption hindurch gehen. Jedoch
ist bei einem derartigen Niveau von w das Verhältnis der Gitterfehlanpassung
zwischen AlwGa1-wAs und (AlBGa1-B)0,51In0,49P bei Raumtemperatur 0,1 % oder
höher. Mit Bezug auf die in Figur 3 gezeigte Struktur wird das Verhältnis der
Gitterfehlanpassung
durch die folgende Gleichung ausgedrückt:
-
Verhältnis der Gitterfehlanpassung = a' - a/a x 100 (%)
-
a': Gitterkonstante des für die Stromausbreitungsschicht 15 benutzen
AlwGa1-wAs
-
a: Gitterkonstante des für die p-leitende Deckschicht 14 benutzten
(AlzGa1-z)0,51In0,49P
-
Wenn das Verhältnis der Gitterfehlanpassung größer wird als oben beschrieben
treten im Inneren Spannung durch die Gitterfehlanpassung auf und diese
Spannungen beeinträchtigen den lichtemittierenden Schichtabschnitt 18,
insbesondere die AlGaInP aktive Schicht 13, die die Hauptrolle bei der Lichtemission spielt.
Daher gab es das Problem, daß die Vorrichtungseigenschaften, insbesondere die
Lichtemissionseigenschaften sich verschlechtern, wenn ein
Lichtemissionsbetrieb über lange Zeit ausgeführt wurde. Mit anderen Worten, es gab das Problem
das die Lebensdauer der Vorrichtung kurz war.
-
Es gab auch noch das andere Problem, daß wegen des Einflusses der Spannung
Werfen oder Verziehen in den Epitaxy-Wafern auftrat, die zum Herstellen der
Al-GaInP lichtemittierenden Vorrichtung benutzt wurden, und das Zerteilen in
Elemente für den praktischen Gebrauch beeinträchtigte.
-
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, wie sie in den beigefügten Ansprüchen
dargelegt ist, ist es daher, eine AlGaInP lichtemittierende Vorrichtung
bereitzustellen, die eine Stromausbreitungsschicht aufweist, deren Kristallgitter an das
der (AlBGa1-B)0,51In0,49P Mischkristallschichten gut angepaßt ist, die den
lichtemittierenden Schichtabschnitt bilden.
-
Das heißt, die Aufgabe dieser Erfindung ist es, eine AlGaInP lichtemittierende
Vorrichtung vorzusehen, die eine lange Lebensdauer und eine hohe
Zuverlässigkeit aufweist und keine Verschlechterung der Lichtemissionseigenschaften zeigt,
selbst bei einem Lichtemissionsbetrieb über einen langen Zeitraum.
-
Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Beispiels der
erfindungsgemäßen AlGaInP lichtemittierenden Vorrichtung.
-
Figur 2 zeigt ein Konfigurationsbeispiel des zum Aufwachsen der Schichten
mittels des MOVPE-Verfahrens benutzten Aufwachsapparats.
-
Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt eines Beispiels von
herkömmlichen AlGaInP lichtemittierenden Vorrichtungen.
-
In der erfindungsgemäßen AlGaInP lichtemittierenden Vorrichtung wird ein
lichtemittierender Schichtabschnitt aus einer
AlGaInP-Doppelheteroübergangsstruktur oder einer AlGaInP-Einzelheteroübergangsstruktur auf einem GaAs-
Substrat von einem ersten Leitungstyp ausgebildet, und dann wird eine Schicht
aus einem AlwGa1-wAs1-vPv-Mischkristall (z.B. Al0,7Ga0,3As0,97P0,03), der
eine größere Bandlückenenergle als die Energie von der aktiven Schicht des
lichtemittierenden Schichtabschnitts aufweist und der eine sehr gute Gitteranpassung
mit den (AlBGa1-B)0,51In0,49P Mischkristallen (Schichten), die den
lichtemittlerenden Schichtabschnitt bilden besitzt, als Stromausbreitungsschicht auf der
Oberseite des lichtemittierenden Schichtabschnitts ausgebildet ist. Hier sind w
bzw. v im Bereich von 0,45 ≤ w < 1 bzw. 0 < v ≤ 0,08.
-
Die Dicke der AlwGa1-wAs1-vPv Stromausbreitungsschicht muß 3 µm oder mehr
sein, um den Strom wirksam auszubreiten und Je dicker sie ist desto höher ist die
Helligkeit.
-
Ein Beispiel der Heteroübergangsstruktur des lichtemittierenden
Schichtabschnitts wäre eine Doppelheteroübergangsstruktur mit einer Deckschicht vom
ersten Leitungstyp aus einem (AlxGa1-x)0,51In0,49P Mischkristall, einer aktiven
Schicht aus dem (AlyGa1-y)0,51In0,49P Mischkristall und einer Deckschicht vom
zweiten Leitungstyp aus dem (AlzGa1-z)0,51In0,49P Mischkristall. Hier werden x,
y und z gesetzt, um die folgende Beziehung zu befriedigen: 0 ≤ y ≤ 0,7; y < x und
y < z. Die Werte für w bzw. v werden im Bereich von 0,45 < w < 1 bzw. 0 < v ≤ 0,08
gewählt.
-
Eine Einzelheteroübergangsstruktur mit einer aktiven Schicht aus dem
(AlyGa1-y)0,51In0,49P Mischkristall und einer Deckschicht vom zweiten
Leitungstyp aus dem (AlzGa1-z)0,51In0,49P Mischkristall kann ebenso benutzt
werden. In diesem Fall werden y und z gesetzt, um die folgende Beziehung zu erfüllen:
0 < y ≤ 0,7 und y < z. Die Werte fürw bzw. v werden im Bereich von 0,45 ≤ w < 1 bzw.
0 < v ≤ 0,08 gesetzt.
-
Ein spezielles Beispiel eines Mischkristalls der eine perfekte Gitteranpassung mit
(AlBGa1-B)0,51In0,49P, das den lichtemittierenden Schichtabschnitt bildet,
wäre ein Al0,79Ga0,3As1-vPv Mischkristall mit v von etwa 0,025.
-
In der erfindungsgemäßen AlGaInP lichtemittierenden Vorrichtung besteht die
Stromausbreitungsschicht, die zwischen der lichtemissionsseitigen Elektrode
(obere Elektrode) und dem AaGaInP lichtemittierenden
Schichtabschnittvorgesehen ist, aus einem AlwGa1-wAs1-vPv Mischkristall, der in sehr guter
Gitteranpassung mit dem (AlBGa1-B)0,51In0,49P Mischkristallen (Schichten) ist, die den
lichtemittierenden Schichtabschnitt bilden. Daher ist es möglich, durch
Gitterfehlanpassung zwischen den Schichten bewirkte Spannung signifikant zu
verringern.
-
Diese Verringerung der inneren Spannung macht es nicht nur möglich, die
Lebensdauer der lichtemittierenden Vorrichtung genügend zu verlängern sondern
auch ein Verziehen oder Werfen der AlGaInP Epitaxy-Wafer signifikant zu
verringern, die zur Herstelllung der lichtemittierenden Vorrichtung benutzt werden.
-
Die erfindungsgemäße AlGaInP lichtemittierende Vorrichtung wird im folgenden
mit Bezug auf die Figuren 1 und 2 beschrieben. Für die Schichtstruktur des
lichtemittierenden Schichtabschnitts gibt es, wie oben beschrieben, die AlGaInP-
Doppelheteroübergangsstruktur, die AlGaInP-Einzelheteroübergangsstruktur
und ähnliche. Da die Schichtstruktur des lichtemittierenden Schichtabschnitts
jedoch nicht wesentlich für die Diskussion der Bildung der
Stromausbreitungsschicht ist, welche der Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist, haben wir die
AlGaInP lichtemittierenden Vorrichtungen, welche die
AlGaInP-Doppelheteroübergangsstruktur aufweisen zum Zweck der Beschreibung gewählt.
-
Figur 1 zeigt schematisch einen Querschnitt eines Beispiels der
erfindungsgemäßen AlGaInP lichtemittierenden Vorrichtung. In Figur 1 sind die Teile, welche
identische Gegenstücke in der Figur 3 haben, mit den gleichen Symbolen
bezeichnet, die in Figur 3 benutzt wurden. Die lichtemittierende Vorrichtung 30 hat die
folgende Struktur: einen-leitende (Al0,7Ga0,3)0,51In0,49P Deckschicht 12
(ungefähr 1 µm dick), eine (AlyGa1-y)0,51In0,49P aktive Schicht 13 (0≤y≤0,7,
ungefähr 0,6 µm dick), eine p-leitende (Al0,7Ga0,3)0,51In0,49P Deckschicht 14
(ungefähr 1 µm dick) und eine p-leitende Al0,7Ga0,3As0,97P0,03
Stromausbreitungsschicht 31 (3 µm dick oder dicker) werden eine nach der anderen auf einem
n-leistenden
GaAs-Substrat 11 ausgebildet, und eine p-seitige Elektrode 16 bzw. eine
n-seitige Elektrode 17 werden auf der p-leitenden Stromausbreitungsschicht 31
und der Bodenfläche des n-leitenden GaAs-Substrats 11 vorgesehen.
-
Für das Verfahren zum Aufwachsen der AlGaInP-Schichten (der aktiven Schicht
und der Deckschichten) und der AlGaAsP-Schicht (Stromausbreitungsschicht)
wird das MOVPE-Verfahren angewendet. Als Materialquelle für Al, Ga, In, As bzw.
P werden Trimethylaluminlum (Al(CH&sub3;)&sub3;), Trimethylgallium (Ga(CH&sub3;)&sub3;),
Trimethylindium (In(CH&sub3;)&sub3;), Arsenwasserstoff (AsH&sub3;) bzw. Phosphorwasserstoff (pH&sub3;)
benutzt. Als n-Typ bzw. p-Typ Dotierstoffquellen werden Selenwasserstoff (H&sub2;Se)
bzw. Dimethylzink (Zn(CH&sub3;)&sub2;) benutzt.
-
Figur 2 zeigt ein Konfigurationsbeispiel eines Aufwachsapparats, der zum
Aufwachsen der Schichten mittels des MOVPE-Verfahrens benutzt wird.
Verschiedene Dämpfe metallorganischer Verbindungen der Gruppe-III-Metalle und
Hydridgase der Gruppe-V-Elemente werden gemischt und das erhaltende Mischgas wird
in ein Prozeßrohr oder -behälter 20 eingespeist, wobei die Partialdrücke und
Flußraten entsprechend der Zusammensetzung der wachsenden Schicht eingestellt
sind, und dann werden die gewünschten Aufwachsschichten eine nach der
anderen auf dem n-leitenden GaAs-Substrats 11 ausgebildet, das in den
Prozeßbehälter 20 eingesetzt ist.
-
Die Schichten 12, 13, 14 und 31 werden speziell mit einem Druck von 6,66 kPa (50
Torr) auf dem n-leitenden GaAs-Substrat 11 durch Zuführen gemischter
Quellengase gebildet, die in der Weise vorbereitet sind, daß das Zuführverhältnis der
Gruppe-V-Elemente und der Gruppe-III-Elemente (V-III-Verhältnis) 100 ist unter
den folgenden Wachstumsbedingungen: einer Aufwachstemperatur von 710ºC
und einer Aufwachsrate von 4 µm/h. Der so erhaltene epitaxische Wafer wird in
einzelne Elemente zerteilt, um die AlGaInP lichtemittierende Vorrichtung 30 zu
erhalten, die in Figur 1 gezeigt ist.
-
Wenn die p-leitende Al0,7Ga0,3As0,97P0,03 Stromausbreitungsschicht 31
aufgewachsen wird, ist es erforderlich, die Konzentration von PH&sub3;, die Materialquelle
für P, präzise zu steuern, und wenn das Aufwachsen der p-leitenden
(Al0,7Ga0,3)0,51In0,49P Deckschicht 14 zum Aufwachsen der p-leitenden
Al0,7Ga0,3As0,97P0,03 Schicht 31 wechselt, ist es erforderlich, die Flußrate von
pH&sub3; abrupt zu verringern. Aufgrund dieser Betrachtungen ist es bevorzugt, zwei
oder mehr PH&sub3;-Zuführleitungen zu haben, wie in Figur 2 gezeigt.
-
Tabelle 1 zeigt verschiedene Eigenschaften der AlGaInP lichtemittierenden
Vorrichtungen und der epitaxischen Wafer, die zur Herstellung der
erfindungsgemäßen AlGaInP lichtemittierenden Vorrichtung benutzt werden, für welche der
Al0,7ga0,3As0,97P0,03 Mischkristall als Stromau sbreitungsschicht benutzt ist,
im Vergleich mit dem Vergleichsbeispiel. Die AlGaInP lichtemittierenden
Vorrichtung des Vergleichsbeispiels ist die gleiche wie die des Beispiels abgesehen von
der Tatsache, daß ein Al0,7Ga0,3As Mischkristall als Material für die
Lichtausbreitungsschicht benutzt wird.
Tabelle 1
-
Anmerkung:
-
1. Chipgröße: 300 x 300 µm
-
2. Stromwert für Helligkeitsmessung: 20 mA
-
3. Leben (Verhältnis der verbleibenden Lichtintensität)
Verhältnis der verbleibenden Lichtintensität = (I/I&sub0;) x 100 (%)
-
I&sub0;: Anfängliche Helligkeit
-
I: Helligkeit
nach einer Lichtemission während 1000 Stunden bei 50 mA
Gleichstrom in einer Umgebung mit einer Temperatur von 85ºC und einer
relativen Feuchtigkeit von 85 %.
-
4. Durchmesser der Wafer: 50 mm
-
Tabelle 1 zeigt folgendes: Das Beispiel zeigt, daß genügend hohe Helligkeit
erhalten werden kann, wenn die Dicke der Stromausbreitungsschicht 3 µm oder mehr
beträgt, und daß die Helligkeit höher wird, wenn die Dicke der
Stromausbreitungsschicht ansteigt. Das heißt, wenn die Dicke der Stromausbreitungsschicht
3 µm oder mehr ist, wird der Strom von der p-seitigen Elektrode 16 effektiv über
die gesamte Fläche der aktiven Schicht verteilt, was zu einer genügend wirksamen
Lichtemission führt. Auf der anderen Seite zeigt das Vergleichsbeispiel, daß
infolge der durch die Gitterfehlanpassung bewirkten Spannung die Helligkeit eher
abnimmt als zunimmt, wenn die Dicke der Stromausbreitungsschicht ansteigt.
-
Die AlGaInP lichtemittierende Vorrichtung dieses Beispiels weist eine sehr
verbesserte Lebensdauer auf und der für die Herstellung der AlGaInP
lichtemittlerenden Vorrichtung benutzte epitaxiale Wafer hat eine geringere Verwerfung im
Vergleich mit einem herkömmlichen. Auf dieser Grundlage kann gesagt werden,
daß es durch Ausbilden der Stromausbreitungsschicht 31 aus einem
AlwGa1-wAs1-vPv Mischkristall auf der Oberseite des lichtemittierenden
Schichtabschnitts 18, der eine sehr gute Kristallgitteranpassung an den (AlBGa1-
B)0,51In0,49P Mischkristall (Schicht) aufweist, der den lichtemittierenden
Schichtabschnitt 18 bildet, möglich ist, die durch Gitterfehlanpassung bewirkte
Spannung signifikant zu reduzieren.
-
Auf der Grundlage der oben beschriebenen Resultate kann gesagt werden, daß die
erfindungsgemäße AlGaInP lichtemittierende Vorrichtung eine lichtemittierende
Vorrichtung ist, die eine hohe Helligkeit aufweist, d. h. eine effektive
Stromausbreitung, ebenso wie eine lange Lebensdauer und hohe Zuverlässigkeit.
-
Die oben beschriebenen Beispiele benutzten, als Beispiel, eine AlGaInP
lichtemittierende Vorrichtung mit einer n-leitenden Deckschicht, einer aktiven Schicht,
einer p-leitenden Deckschicht und einer p-leitenden Stromausbreitungsschicht,
die eine nach der anderen auf einem n-leitenden GaAs-Substrat ausgebildet sind.
Es ist jedoch auch möglich, eine p-leitende Deckschicht, eine aktive Schicht, eine
n-leitende Deckschicht und eine n-leitende Stromausbreitungsschicht eine nach
der anderen auf einem p-leitenden GaAs-Substrat auszubilden. Ferner kann auch
anstelle derartiger Doppelheteroübergangsstrukturen eine
Einfachheteroübergangsstruktur benutzt werden. Es ist unnötig zu sagen, daß die Bedingungen in
dem oben beschriebenen Beispiel innerhalb des Bereiches geändert werden
können, der mit den beigefügten Ansprüchen übereinstimmt.
-
Wie soweit beschrieben, ermöglicht es diese Erfindung durch Vorsehen einer
Stromausbreitungsschicht, die kristallgittermäßig gut an die
(AlBGa1-B)0,51In0,49P Schichten angepaßt ist, die den lichtemittierenden
Schichtabschnitt bilden, eine AlGaInP lichtemittierende Vorrichtung zu erhalten,
die eine lange Lebensdauer und eine hohe Zuverlässigkeit aufweist und selbst bei
einem Lichtemissionsbetrieb über einen langen Zeitraum hinweg keine
Verschlechterung der lichtemittierenden Eigenschaften zeigt.