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Hintergrund
der Erfindung
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Die
Erfindung betrifft einen Prozess zum Testen und Reparieren von Speicherchips
auf einem Wafer für
höhere
Produktivität
durch Vereinfachen der Qualitätstest-
und Reparaturprozesse eines Speicherbauteils wie eines DRAM, SRAM
usw. mit Redundanzschaltkreis. In jüngerer Zeit besteht die Tendenz,
da es die hohe Integration von Speicherbauteilen ermöglicht,
den Abstand zwischen Leitungen zu verkürzen, dass Defekte über den
gesamten Herstellprozess hinweg zunehmen, was die Ausbeute schwerwiegend
senkt. Daher haben Halbleiterhersteller eine Redundanztechnik zum
Erzielen höherer
Produktivität
durch Einschränken
der Ausbeuteverringerung, die sich aus Bearbeitungsmängeln ergeben
kann, entwickelt, bei der ein Reserveschaltungsblock auf einem Chip
positioniert wird, um die reparierbaren Chips zu reparieren, die
sich aus einem bloßen
Bearbeitungsmängel
ergeben haben, und nach einem Test des Chips im Wafer ist ein normaler
Schaltkreis, der aufgrund kleiner Bearbeitungsmängel einen kleineren Defekt
enthält,
durch einen Reserveschaltkreis zu ersetzen.
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Zum
Beispiel wird in einer Halbleiter-Speicherschaltung eine Qualitätsverbesserung
dadurch bewerkstelligt, dass in Chips Reserveblöcke mit Reservezeilen und -spalten
integriert werden und die Zeile oder Spalte eines Blocks, der in
einem normalen Zellenarray ein schlechtes Bit enthält durch
einen Reservezeile/Reservespalte-Block ersetzt wird. Diese Redundanztechnik
ist bei DRAMs und SRAMs sehr wirkungsvoll, bei denen Zellen identischer
Funktion angeordnet sind. Um eine schlechte Zeile oder Spalte mit
einem schlechten Bit in einem Speicherbauteil mit einem schlechten
Bit durch eine voll funktionsfähige
Zeile oder Spalte zu ersetzen, sind eine Programmiervorrichtung
und ein Programmierverfahren zum Deaktivieren der schlechten Zeile/Spalte
und zum Aktivieren der zugehörigen
Reserve erforderlich. Das Programmierelement und das Programmierverfahren,
die am besten für
Redundanzzwecke bekannt sind, beruhen auf einer Schmelzsicherung
aus Polysiliciumwiderständen
und dergleichen und einem elektrischen Schmelzverfahren zum elektrischen
Durchbrennen der Sicherung. Eine Verbindung mittels Polysilicium,
Polysilicid usw. oder ein Laserstrahlverfahren zum Durchtrennen
dieser Verbindung durch Anwenden eines Laserstrahls bilden ein anderes
Programmierelement und ein Programmierverfahren für Redundanzzwecke.
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Beim
Verfahren mit elektrischer Sicherung sollten Transistoren für eine Hochstromansteuerung,
Steuerschaltungen und spezielle Kontaktflecke zum Zuführen von
Strom usw. zum Durchtrennen der Sicherung auf den Chips integriert
werden, was die Mängel
zeigt, dass zuviel Chipfläche
belegt wird und die Programm-Zugriffszeit verzögert wird. Jedoch werden bestimmte
Vorteile dahingehend erzielt, dass Test- und Reparaturanlagen billig
sind und hohe Zuverlässigkeit
dadurch erzielt werden kann, dass der Schmelzsicherungsabschnitt durch
einen Schutzfilm geschützt
wird.
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Beim
Laserstrahlverfahren sind die Anfangskosten wegen der teuren Test-
und Reparaturanlage sehr hoch, und es ist hoher Durchsatz erforderlich,
damit der Laserstrahl stabil ist und die genaue Position desselben
festgelegt werden kann. Jedoch zeigt dieses Verfahren Vorteile dahingehend,
dass das Design des Redundanzschaltkreises einfach ist und Chipfläche wirtschaftlich
genutzt werden kann, da mehrere Verbindungen auf einer sehr kleinen
Fläche
im Chip angeordnet werden können.
Demgemäß wird,
wegen des Trends einer Ultraminiaturisierung und hoher Integration
von Halbleiter-Speicherbauteilen in den letzten Jahren, das Laserstrahlverfahren
immer stärker
vorherrschend.
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Zum
Wafertestprozess gemäß dem Laserstrahlverfahren
gehören
ein Vor-Lasertestschritt, ein Laserreparaturschritt und ein Abschlussqualität-Klassifizierschritt.
Hierbei wurde, um die Testzeit zu verkürzen, während die Eigenschaften und
die Qualität
des Bauteils erhalten bleiben, ein Verfahren verwendet, bei dem
eine Schaltung mit ausreichend Toleranz beim Design und der Bearbeitung
gesucht wird und ein Testpunkt ohne Defekte zu überspringen ist. Jedoch können Mängel hinsichtlich
zu überspringender
Punkte durch Prozessvariablen verursacht werden, die sich häufig verschieben,
was in unvermeidlicher Weise zu einer Ausbeuteverringerung beim
folgenden Baustein-Testprozess
führt.
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Gemäß den 1 bis 5 wird beim herkömmlichen Wafertestprozess,
nach dem Abschließen
der Elementherstellung auf dem Wafer, ein Fotoresistmuster 24 durch
einen normalen fotografischen Ätzprozess
(wie in der 2 dargestellt)
auf einem Wafer hergestellt, auf dem dann ein Passivierungsfilm 22 von
ungefähr 6000 Å Dicke
abgeschieden wird. Das Fotoresistmuster 24 wird als Maske
zum Entfernen des Passivierungsfilms 22, d. h. eines PSG-Films,
auf einem Kontaktfleck 20 und über einer Verbindung 14 verwendet.
Hierbei bezeichnet die Bezugszahl 10 einen Substratwafer, 12 ist
ein Oxidfilm, 16 ein HTO-Film und 18 ein PSG-Film. Wie
es in der 3 dargestellt
ist, wird der PSG-Film unter Verwendung des Fotoresistmusters 24 selektiv
entfernt, und der Kontaktfleck 20 wird geöffnet, und
der PSG-Film auf der Verbindung 14 wird entfernt, um beim Laserreparaturprozess
einen Schneid-Fehlschuss aufgrund der Dicke der Schutzfilme auf
der Verbindung zu verringern (Schritt 101).
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Nach
dem Abschließen
des fotografischen Ätzens
wird ein Wafer auf eine Sondeneinrichtung (z. B. EG2001X) geladen,
wobei eine Sonde den offenen Kontaktfleck kontaktiert, und dann
wird durch eine Testanlage (z. B. Q2/52) ein Vor-Lasertest ausgeführt. Entsprechend
den Ergebnissen des Vor-Lasertests wird eine Waferkarte erstellt,
um zu zeigen, ob die Chips auf einem Wafer gut oder schlecht sind
(Schritt 102). Nach dem Vor-Lasertest wird der Wafer auf
eine Laseranlage (z. B. 9000D) für
Laserreparaturvorgänge
geladen und diese Laseranlage sucht nach reparierbaren Chips (jeweils
mit einem "R" in der 9 markiert), entsprechend dem übertragenen
Ergebnis aus dem Vor-Lasertest, und sie untersucht die spezifizierte
Verbindung durch einen Laserstrahl und trennt sie durch. Daher wird
eine Qualitätsverbesserung
dadurch bewerkstelligt, dass eine schlechte Zeile oder Spalte deaktiviert
wird, eine normale Reservezeile oder -spalte aktiviert wird und
die erstere durch die letztere ersetzt wird (Schritt 103).
Ein so durch den Laser reparierter Laser wird erneut auf die Schaltungsanlage
geladen, und auf der gesamten Oberfläche wird ein Nitridfilm 30 von
ungefähr
6000 Å abgeschieden.
Dieser Nitridfilm dient zum Schützen
des durchgetrennten Verbindungsabschnitts gegen Verunreinigung,
zu der es durch körperliche
Stöße, Feuchtigkeit,
Temperatur oder andere Faktoren beim Herstellprozess kommen kann.
Als Nächstes
wird auf dem Nitridfilm 30 ein Fotoresistmuster 32 zum Öffnen des
Kontaktflecks 20 durch einen normalen Fotoresistprozess
hergestellt, und das hergestellte Fotoresistmuster 32 wird
als Ätzmaske
verwendet, und der Nitridfilm 30 auf dem Kontaktfleck 20 wird
entfernt, wie es in der 4 dargestellt
ist. Hierbei ist der Kontaktfleck 20 so zu öffnen, wie
es in der 5 dargestellt
ist, um für
den verbundenen Abschnitt zu sorgen, in dem Metallleitungen während des
Zusammenbaus des Bauteils verbunden werden.
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Danach
wird der Wafer über
einen Rückläppprozess
zum körperlichen
Schleifen der Rückseite
des Wafers um ungefähr
100 μm zum
abschließenden
Qualitäts testschritt
gebracht (Schritt 105). Im abschließenden Qualitätstestschritt
wird jeder Chip auf einem Wafer durchgescannt und automatisch getestet,
um nur schlechte Chips auf einem Wafer auszuwählen und um die guten Chips
zu Bausteinen zu fertigen. Dann wird ein Farbpunkt von 2 mm Durchmesser
zum Markieren durch ein Online-Färbeverfahren
auf jedem schlechten Chip angebracht.
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Der
herkömmliche
Wafertestprozess zeigt bestimmte Probleme dahingehend, dass häufig eine
Verunreinigung durch Staub und dergleichen auftritt, so dass die
Qualität
und die Zuverlässigkeit
abnehmen, solange nicht Reinraumbedingungen korrekt aufrecht erhalten
bleiben, da der Test durch Wiederholung des zweischrittigen Prozesses
des Herstellens-Testens-Herstellens-Testens auszuführen ist.
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Außerdem kann
die Durchsatzzeit nicht verkürzt
werden, da der herkömmliche
Wafertestprozess den zweistufigen Prozess durchläuft. Ferner ergibt sich, da
ein Probentest nach einem Reparaturprozess entsprechend in Vor-Lasertestergebnissen
ausgeführt
wird, um den Färbeprozess
zu überspringen,
wenn der Anteil guter Chips größer als
95 % ist, und um einen schlechten Chip mittels der Waferkarte des
Vor-Laserergebnisses anzufärben,
ohne dass ein Testvorgang dahingehend ausgeführt wird, ob die reparierten
Chips repariert wurden, wie es sein sollte, wenn der Anteil guter
Chips weniger als 95 % beträgt,
eine Ausbeuteverringerung, die der Anzahl nicht reparierter Chips
entspricht, und es ist schwierig, den Abfall der Ausbeute bei der
Bausteinherstellung durch Mängel
im Redundanzschaltkreis oder durch einen Brenn-Fehlschuss bei der Laserreparatur zu
meistern.
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Ein
Test- und Reparaturprozess für
LSI- und VLSI-Speicherchips auf einem Wafer ist aus "New Electronics", 6. September 1983,
UK, Vol. 16, No. 17, S. 19 bis 21 bekannt. Während dieses Test- und Reparaturprozesses
wird als Erstes ein vollständiger
Speicherchip automatisch gescannt und geprüft. Insbesondere wird als Erstes
ein Echt zeit-Bitkarten-Erstellungsschritt für einen Vor-Lasertest ausgeführt, und
dann werden, während
eines Laserreparaturschritts, fehlerhafte Bits durch Reservebits
durch von auf dem Speicherchip vorhandenen Redundanzschaltkreisen
ersetzt. Zur Laserreparatur wird Information verwendet, wie sie
durch eine 100 %ige Chip-für-Chip-Prüfung während der
Echtzeit-Bitkartenerstellung erhalten wird. Die Laserreparatur wird durch
Verdampfen jeweiliger Polysiliciumverbindungen in einem zu reparierenden
Speicherchip mittels eines feinen Laserstrahls ausgeführt. Danach
wird das Bauteil, d. h. der getestete und reparierte Speicherchip
getestet.
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Der
Artikel von H. Hackl: "Mathematisch-statistisches
Verfahren zur Optimierung von Vorchargen-Stichproben bei Halbleitersystemen", Siemens Forschungs-
und Entwicklungsberichte, 1984, Westdeutschland, Band 13, Nr. 14,
Seiten 196 bis 200 betrifft allgemein Qualitätstestvorgänge und insbesondere Probentestvorgänge. Dieses
Dokument gibt an, dass, als Alternative zu einem 100 eigen Test
aller Elemente in einer Charge der Test auf einen Probensatz der
Elemente der Charge begrenzt werden kann, um den ausgeführten Testumfang
zu verringern. Um zu entscheiden, ob die Qualität einer Charge ausreichend
ist, wird eine Anzahl von n Elementen getestet, und die Anzahl fehlerhafter
Elemente wird mit einer kritischen Anzahl c verglichen, um zu entscheiden,
ob eine Charge zurückzuweisen
ist oder nicht. Dem Zurückweisen
einer Charge folgt eine von drei Wahlmöglichkeiten: erstens werden
alle Elemente der Charge getestet, um alle fehlerhaften Elemente
zu bestimmen; zweitens wird die Charge an den Lieferanten zurückgeliefert;
oder drittens wird die gesamte Charge weggeworfen.
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Ferner
offenbart der Artikel von Hackl einen Testprozess für Speicherchips
auf einem Wafer, bei dem eine Probe von n Chips ausgewählt wird
und die ausgewählten
Chips zu Bausteinen gefertigt und getestet werden. Danach wird,
entsprechend den Ergebnissen dieses Tests, entschieden, ob alle
Chips der Charge montiert und zu einem Baustein verarbeitet werden
oder ob die gesamte Charge weggeworfen wird.
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen neuen Test-und Reparaturprozess
für Speicherchips auf
einem Wafer zu schaffen, der die Bearbeitungsschritte vereinfacht
und die Ausbeute bei der Bausteinherstellung aus dem Wafer erhöht.
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Diese
Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß dem Anspruch 1 gelöst.
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Insbesondere
ist es nden Qualitätsklassifizierschritt
entsprechend dem Ergebnis eines nach dem Laserreparaturschritt ausgeführten Probentests
zu überspringen,
sondern auch eine Qualitätsmarkierung
schnell und zuverlässig
auszuführen,
um den gesamten Herstellprozess zu beschleunigen.
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Kurzbeschreibungen
der Zeichnungen
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Andere
Merkmale und Vorteile werden aus der folgenden und spezielleren
Be schreibung der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, wie
sie in den beigefügten
Zeichnungen veranschaulicht ist, in denen dieselben Bezugszeichen
allgemein in der gesamten Ansicht gleiche Teile bezeichnen, deutlicher
werden.
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1 ist ein Prozessflussdiagramm
eines herkömmlichen
Wafertestprozesses;
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2 bis 5 sind Schnittansichten zum Veranschaulichen
eines zweistufigen Herstellprozesses beim herkömmlichen Wafertestprozess;
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6 ist ein Flussdiagramm
zum Erläutern
eines erfindungsgemäßen Wafertestprozesses;
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7 und 8 sind Schnittansichten zum Veranschaulichen
eines vereinfachten einstufigen Herstellprozesses eines erfindungsgemäßen Wafertestprozesses;
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9 ist eine Waferkarte entsprechend
dem Ergebnis eines Vor-Lasertests; und
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10 ist eine Waferkarte,
die Positionsinformation zu reparierbaren Chips gemäß der Erfindung
entnimmt.
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Die
Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die 6 bis 8 erläutert.
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Gemäß der 6 verfügt ein erfindungsgemäßer Wafertestprozess über den
Schritt des Öffnens
eines Schutzfilms auf einem Kontaktfleck und einer Verbindung (Schritt 201),
einen Vor-Lasertestschritt (Schritt 202), einen Laserreparaturschritt
(Schritt 203) und einen abschließenden Qualitätstestschritt
(Schritt 204). Im Schritt des Öffnens des Schutzfilms auf
einem Kontaktfleck und einer Verbindung, wie es in der 7 dargestell ist, werden
ein PSG-Film 22 und ein Nitridfilm 30 sequenziell
mit weniger als ungefähr
6000 Å Dicke
auf einem Wafer, auf dem das Bauteil hergestellt wurde, abgeschieden.
Dann erfährt
der Wafer einen Rückläppprozess,
und auf dem Nitridfilm 30 wird durch einen normalen fotografischen
Prozess ein Fotoresistmuster 34 zum Entfernen des Schutzfilms
auf dem Kontaktfleck und der Verbindung hergestellt. Anschließend wird,
wie es in der 8 dargestellt
ist, das Fotoresistmuster 34 als Ätzmaske verwendet, damit der
Nitridfilm 30 und der PSG-Film 22 geätzt werden
können,
um den Schutzfilm auf dem Kontaktfleck 20 vollständig zu
entfernen. Damit die Dicke des Oxidfilms weniger als 8000 Å beträgt, wie
sie dazu erforderlich ist, eine Laserreparatur an der Verbindung 14 auszuführen, wird
der PSG-Film 18 überätzt, damit
die Dicke des verbliebenen Oxidfilms weniger als 5000 Å beträgt. Wie
oben veranschaulicht, kann der Anteil von Schneid-Fehltreffern durch Überätzen des Abschnitts über der Verbindung 14 und
durch dünnes
Ausbilden derselben gesenkt werden. D. h., dass gemäß der Erfindung
Abscheidungs- und Ätzschritte
im selben Herstellschritt ablaufen, so dass die zwei Herstellschritte
beim herkömmlichen
Verfahren auf einen verringert sind, so dass die Durchsatzzeit merklich verkürzt werden
kann. Außerdem
ist es zu befürchten,
dass bei einem folgenden Laserreparaturprozess, da der PSG-Film
und der Nitridfilm auf dem Teil der Ausrichtungsmarkierung existieren,
die Erkennung derselben schwierig ist, so dass der durchzutrennende
Teil nicht exakt durchgetrennt wird. Jedoch wird eine Strichplatte geändert, und
der Teil der Ausrichtungsmarkierung wird während des Ätzprozesses geöffnet, was
die Qualität des
Produkts verbessert.
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Der
Vor-Lasertestschritt (Schritt 202) dient zum Optimieren
der Testbedingungen zum Erhöhen
der Gesamtausbeute. Gemäß den allgemeinen
Eigenschaften von Speicherbauteilen wie DRAMs oder SRAMs nehmen,
wenn die Temperatur ansteigt, die Beweglichkeit der Elektronen und
ihre Driftgeschwindigkeit ab, und die erzielte Spannung ist verringert,
so dass die Charakteristik auf Störeinflüsse empfindlicher wird. Normalerweise
nimmt der verbrauchte Strom im Bereitschaftszustand ab und verringert
die Dynamikbedingungen. Die Auffrischcharakteristik, eine der wichtigsten
Charakteristiken eines DRAM, nimmt bei ansteigender Temperatur stark
ab, und bei hohen Temperaturen ist sie im Vergleich zur Charakteristik
bei normaler Temperatur schlecht. Beim bisherigen Wafertestprozess
läuft der
abschließende
Waferklassifiziertest bei normaler Temperatur ab, wobei Nachdruck
darauf gelegt ist, Mängel
von Gleichspannungsparametern und Wechselspannungsparametern herauszufiltern,
und eine Ausbeuteverringerung beim Bausteintest wird willentlich
für den
Teil akzeptiert, der entsprechend einem Temperaturanstieg schlechte
Bauteileigenschaften zeigt.
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Da
jedoch das Problem beim Herstellprozess und auch die Prozessstabilisierung
im Baustein statt im Wafer selbst geprüft werden, sind die Zusammenbaukosten
erhöht,
und die Rückkopplungszeit,
um die Probleme zu meistern, die aus der Fertigung herrühren, ist
entsprechend der Zeit verlängert,
die für
den Zusammenbau und den Bausteintest erforderlich ist. So ist auf
waferniveau ein schwerwiegenderer Test erforderlich.
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Demgemäß wird,
gemeinsam mit der Prozessvereinfachung, für eine Optimierung vieler Faktoren beim
Vor-Lasertest gesorgt, um die Gesamtausbeute selbst und auch die
Bausteinausbeute zu verbessern. In diesem Zusammenhang wird, um
keine guten Chips zu opfern, nach Bedingungen unter Berücksichtigung
des Störeffekts
auf Waferniveau gesucht, um die Gesamtausbeute nur mittels des Vor-Lasertests
zu erhöhen.
Ein Schritt des Testens der Temperaturbedingung wird dadurch bestimmt,
dass der schlechte Temperaturpunkt für jeden Parameter entsprechend
der Temperatur des zu testenden Bauteils aufgefunden wird und der schwächste Testpunkt,
der viele Fehlerfaktoren beim Bausteintest zur Folge hat, beim Reparaturtest
angewandt wird, so dass reparierbare Chips fehlerhafte Zeilen oder
Spalten mit Redundanz ersetzen können.
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Der
Laserreparaturschritt (Schritt 203) ist derselbe wie der
beim oben beschriebenen herkömmlichen Verfahren,
so dass eine zugehörige
detaillierte Erläuterung
weggelassen wird.
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Der
abschließende
Qualitätstestschritt
(Schritt 204) verfügt über einen
Schritt (Schritt 2041) des Beurteilens, ob der Anteil guter
Chips nicht weniger als 95 % beträgt, was durch Ausführen eines
Probentests nach dem Abschließen
des Laserreparierens erfolgt, einen Schritt (Schritt 2042)
des Auswählens
und Testens nur reparierbarer Chips, wenn der Anteil unter 95 %
liegt, und einen Schritt (Schritt 2043) des Offline-Anfärbens, das
nach dem Schritt 2041 oder 2041 ausgeführt wird.
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Betreffend
den Schritt 2042 werden nur reparierbare Chips (mit "R" markiert) aus der Waferkarte des Vor-Lasertestergebnisses
entnommen, wie es in der 9 dargestellt
ist, die entnommene Information, wie in der 10 dargestellt, wird im Speicher der
Testanlage (Q2/25) zwischengespeichert und diese gespeicherte Information
wird in die Sondenanlage EG2001X geladen, woraufhin, mittels der
XY-Koordinaten reparierbarer Chips gemäß dieser Information, nur reparierbare
Chips durch die Testanlage und die Sondenanlage zu testen sind.
Um nur schlechte Chips aus einem Wafer auszuwählen und nur die guten Chips
als Baustein zu fertigen, werden durch einen Offline-Färbeprozess Markierungen, die
schlechte Qualität
anzeigen, um die Qualität
beim zusammenbauenden Chipanbringungsprozess zu erkennen, auf schlechten
Chips durch Farbe angebracht.
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Diese
Anzeigemarkierungen für
schlechte Qualität
sind eine Punktmarkierung mit einem Durchmesser nicht unter 20 mil
(1 mil = 2,54 × 10–5 m).
Beim Offline-Färbeverfahren,
das sich vom Online-Färbeverfahren zum
Anfärben
während
des Ablaufs des Echtzeittestens unterscheidet, wird als Erstes ein Test
ausgeführt,
und ein Anfärben
wird unter Verwendung eines PC/AT-Computersystems mit dem Binning-Ergebnis,
das einen Bezugswert zum Festlegen der Qualität bildet, entsprechend der
XY-Position eines getesteten Wafers und anderer Testergebnisse nur
für schlechte
Chips ausgeführt.
Demgemäß sorgt
das Offline-Anfärbeverfahren
für höhere Anfärbegeschwindigkeit,
gleichmäßigere Färbepunktgröße und einfachere
Steuerung als das Online-Anfärbeverfahren,
so dass die Abschaltzeit aufgrund von Defekten der Anfärbeanlage
verringert ist, wodurch die Produktivität verbessert ist und die Automatisierung
des Herstellprozesses erleichtert ist.
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Wie
oben beschrieben, dient die Erfindung zum Vereinfachen und Optimieren
eines Wafertestprozesses. Erläuterungen
zu den Vorteilen aufgrund dieser Erfindung im Vergleich zum herkömmlichen
Verfahren sind die folgenden.
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1.
Wie es in der Tabelle 1 dargestellt ist, wird, ausgehend vom Bauteil-Entwicklungsschritt,
eine Strichplatte zur Prozessvereinfachung hergestellt. Die Herstellprozess-Periode
und die Wafertestprozess-Periode können im Vergleich zum herkömmlichen
Verfahren um mehr als 48 Stunden verkürzt werden, was die Produktivität des Testprozesses
bei der Massenherstellung um mehr als 50 % verbessern kann.
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Wie
es in der Tabelle 2 dargestellt ist, wird gemäß der Erfindung, da ein Passivierungsfilm
nach der Laserreparatur über
der Verbindung entfernt wird, geringere Zuverlässigkeit, wie sie sich durch
höhere
Temperatur, höhere
Feuchtigkeit oder einen Temperaturschock ergeben kann, zu einem schwerwiegenden
Punkt. Jedoch wurden als Ergebnis eines Zuverlässigkeitstests verbesserte
Ergebnisse erzielt.
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< Tabelle 2 > (a)
PLCC PCT 204 Stunden Testergebnis
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(c)
PCT (NO VCC, 121 °C/
100 %/ 2 atm)
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3.
Wie es in den Tabellen 3 und 4 dargestellt ist, nimmt die Gesamtausbeute
aufgrund der Optimierung des Vor-Lasertests um ungefähr 4,6 %
zu.
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4.
Wie es in der Tabelle 5 dargestellt ist, ist durch Verwenden des
Offline-Anfärbeverfahrens
eine Neuausführung
des Laser- und des Vor-Lasertests möglich, und das Anfärbe-Fehltrefferverhältnis aufgrund
von Mängeln
der Anfärbeanlage
ist verringert, während
eine Qualitätsbeeinträchtigung
durch das Anfärben
vermieden wird.
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5.
Das Testen der Qualität
eines Kontaktflecks kann verbessert werden, und die Anzahl von Sondenpartikeln
und die Anzahl von Waferpartikeln können durch einen Testschritt
auf Null gebracht werden.
