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Die
Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf ein Verfahren zum Testen
einer Halbleitervorrichtung und insbesondere auf ein Verfahren zum
Testen einer Halbleitervorrichtung vor einem Zusammenbauschritt
in einem Prozeß zum
Herstellen einer Halbleitervorrichtung.
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Herkömmlicherweise
wird eine elektrische Eigenschaft einer Halbleitervorrichtung zweimal
in breiter Hinsicht getestet. Anfangs wird, in Form eines Halbleiter-Wafers,
ein erster Test – Wafer-Test
genannt – in
jedem Bereich, der durch Schneid- bzw. Zerteilungslinien
umgeben ist, ausgeführt.
Der Halbleiter-Wafer
wird entlang der Zerteilungslinien zerteilt bzw. geschnitten, um
eine Vielzahl von Halbleiterchips bereit zu stellen. Nur ein Halbleiterchip,
der im Wafer-Test als nicht defekt angesehen wird, schreitet zum
nachfolgenden Zusammenbauschritt voran. Ein zweiter Test – Endtest
genannt – wird
dann in der Form eines Endprodukts nach Durchlauf des Zusammenbauschritts
ausgeführt.
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Als
ein anderer, herkömmlicher
Stand der Technik offenbart die japanische Patent-Offenlegungsschrift
Nr. 6-5668 ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips durch
Auswählen
von nur einem nicht defekten Halbleiterchip aus einem Wafer. Die japanische
Patent-Offenlegungsschrift Nr. 7-74131 offenbart auch eine Zerteilungs-
bzw. Schneidausrüstung,
die ohne weiteres Halbleiterchips aus einem Wafer von reduzierter
Dicke liefern kann, sowie ein Verfahren zum Verarbeiten von Halbleiterchips.
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Wenn
die Implementierung des oben beschriebenen Wafer-Tests vollständig sicherstellen kann,
daß ein
Endprodukt Qualität
aufweist, braucht nach dem Zusammenbauschritt lediglich ein vereinfachter
Test durchgeführt
werden, um das Produkt auszuliefern.
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In
einem herkömmlichen
Wafer-Test wird jedoch eine elektrische Eigenschaft einer Halbleitervorrichtung
in Form eines Halbleiter-Wafers getestet, der noch nicht in Halbleiterchips
unterteilt worden ist. Deshalb sind Halbleitervorrichtungen, die
für ein Endprodukt
in einzelne Halbleiterchips unterteilt werden, im Schritt des Wafer-Tests
noch körperlich
verbunden. Dies verhindert, daß ein
elektrischer Effekt, der beim Ausführen des Tests zwischen den
Halbleiterchips erzeugt wird, gelöscht wird. Folglich wird eine
in einem Endprodukt zu untersuchende elektrische Eigenschaft nachteilhafterweise
im Schritt des Wafer-Tests nicht getestet. Dieses Problem ist in
den vergangenen Jahren ernster geworden auf Grund kleinerer Muster
und höherer
Leistungen einer IC (Integrierte Schaltung).
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Um
eine elektrische Eigenschaft einer einem Wafer-Test unterworfenen
Halbleitervorrichtung viel näher
derjenigen eines Endprodukts anzunähern, mag auch ein Verfahren
zum Ausführen
des Tests nach dem Erhalt von Halbleiterchips aus einem Halbleiter-Wafer
in Betracht gezogen werden. In diesem Fall kann der Test gegenüber der
Halbleitervorrichtung ausgeführt
werden, die in einzelne Halbleiterchips unterteilt wurde. Die Ausführung des
Wafer-Tests gegenüber
einzelnen Halbleiterchips erfordert jedoch Geräteteile, um jeden der Halbleiterchips auf
einem Testhalter zu positionieren und die Halbleiterchips vom Halter
nach dem Test zu entfernen. Da für
ein solches Gerät
eine hohe Genauigkeit bei der Positionierung erforderlich ist und
eine enorme Anzahl von Geräten
erforderlich werden, ist ein großer Betrag an Kapitalinvestition
für die
Ausrüstung
nötig. Aus
diesen Gründen
werden gegenwärtig,
wie bei der Beschreibung des herkömmlichen Stands der Technik,
ein Wafer-Test in Form eines Halbleiter-Wafers sowie ein Endtest
für ein
Endprodukt ausgeführt.
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Ein
Endtest ist unabdingbar, um einen Defekt, der in einem Zusammenbauschritt
verursacht wurde, zu finden. Es gibt jedoch einen Fall, bei dem ein
defektes Produkt im Schritt eines Endtests gefunden wird, das nicht
auf einen in einem Zusammenbauschritt durchgeführten Unterschritt, sondern
einfach auf das Versagen, es in einem Wafer-Test zu detektieren,
zurück
zu führen
ist. In diesem Fall werden alle Operationen, die gegenüber dem
defekten Produkt in den auf den Zusammenbauschritt folgenden Schritten
ausgeführt
werden, unnütz.
Dies führt
zu einem schweren Managementproblem mit erhöhten Herstellungskosten für eine Halbleitervorrichtung.
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In
den vergangenen Jahren ist ferner eine MCP (Multichippackung) in
zunehmenden Maße
hergestellt worden, wobei eine Vielzahl von Halbleiterchips zum
Zusammenbau in einer Einzelpackung eingeschlossen sind. Wenn einer
aus der Vielzahl von Halbleiterchips, die in einer MCP eingeschlossen sind,
im Schritt eines Endtests als defekt befunden wird, sind die anderen,
in der MCP eingeschlossenen Halbleiterchips verloren.
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Auf
diese Weise besteht die Neigung, daß der einem Produkt in einem
Zusammenbauschritt verliehene Wert (Value Added) ansteigt, und der Schaden
auf Grund des Versagens, ein defektes Produkt während eines Wafer-Tests zu
detektieren, wird groß.
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Bei
der oben beschriebenen MCP muß eine Vielzahl
von Halbleiterchips in einer Dickenrichtung aufgestapelt werden,
um in einer einzelnen Packung eingeschlossen zu werden. Dies verlangt
nach weniger dicken Halbleiterchips als herkömmlich, in dem vor einem Zusammenbauschritt
ein Polierschritt ausgeführt
wird. Wenn vor einem Wafer-Test eine Rückoberfläche eines Halbleiterwafers
poliert wird, nimmt jedoch die Steifigkeit des Halbleiter-Wafers
ab. Dies führt
zu einem Problem hinsichtlich der Tatsache, daß ein Halbleiter-Wafer beim
Unterziehen eines Wafer-Tests der Kraft der Abnehmerspitze von einer Sonde
der Testausrüstung
nicht standhalten kann.
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Unter
den gegenwärtigen
Umständen
wird somit zuerst ein Wafer-Test
ausgeführt,
und dann wird ein Polierschritt ausgeführt. In diesem Fall wird der
Wafer-Test gegenüber
einem Wafer einer Dicke ausgeführt,
die sich von demjenigen eines Endprodukts unterscheidet. Dies ist
gleichfalls nachteilhaft, da eine elektrische Eigenschaft, die im
Endprodukt zu implementieren ist, nicht getestet wird.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, die oben erwähnten Probleme
zu lösen
und ein Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung bereit
zu stellen, bei dem eine elektrische Eigenschaft mit höherer Genauigkeit
vor einem Zusammenbauschritt getestet werden kann.
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Die
Aufgabe wird gelöst
durch ein Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung gemäß irgendeinem
der Ansprüche
1, 4 und 5. Bevorzugte Ausführungsformen
sind in den Unteransprüchen wiedergegeben.
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Ein
Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung schließt
die Schritte ein: Positionieren eines Halbleiter-Wafers, der mit
der Halbleitervorrichtung versehen ist, auf einer Oberfläche eines
lagenartigen Elements; Teilen des Halbleiter-Wafers in eine Vielzahl von
Halbleiterchips auf der Oberfläche
durch Zerteilen oder Schneiden des Halbleiter-Wafers; und, unter Positionierung
der Vielzahl von Halbleiterchips auf der Oberfläche, Testen einer elektrischen
Eigenschaft einer Halbleitervorrichtung, die bei jedem einzelnen
der Vielzahl von Halbleiterchips gebildet ist.
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Die
vorangehenden und weitere Aufgaben, Merkmale, Gegenstände und
Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden
detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung deutlich bei
Betrachtung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen.
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1 ist eine perspektivische
Ansicht, die einen Schritt eines Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung
in einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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2 ist eine perspektivische
Ansicht, die einen Schritt eines Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung
in einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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3 ist eine perspektivische
Ansicht, die einen zweiten Schritt des Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung
in der ersten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung zeigt.
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4 ist eine Querschnittsansicht,
die den zweiten Schritt des Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung
in der ersten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung zeigt.
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5 ist eine Draufsicht, die
eine Modifikation des in 3 und 4 gezeigten Halters zeigt.
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6 ist eine Schnittansicht
zum Veranschaulichen einer Struktur des Halters von 5.
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7 ist eine Draufsicht, die
eine andere Modifikation des in 3 und 4 gezeigten Halters zeigt.
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8 ist eine Schnittansicht
zum Veranschaulichen einer Struktur des Halters von 7.
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9 ist eine Draufsicht, die
einen dritten Schritt des Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung
in der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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10 ist eine Schnittansicht,
die den dritten Schritt des Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung
in der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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11 ist eine Seitenansicht,
die einen vierten Schritt des Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung
in der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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12 ist eine Schnittansicht,
die den vierten Schritt des Verfahrens zum Testen einer Halbleitervorrichtung
in der ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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Es
werden Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
beschrieben.
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(Erste Ausführungsform)
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Ein
Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung vor einem Zusammenbauschritt
(ein Schritt zum Montieren von aus einem Halbleiter-Wafer erhaltenen
Halbleiterchips auf einer Packung) wird nachfolgend beschrieben.
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Bei 1 wird eine Halbleitervorrichtung 20 auf
einem Halbleiter-Wafer 10, der z.B. aus Silizium gefertigt
ist, gebildet, in dem ein vorgeschriebener Herstellungsschritt ausgeführt wird.
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2 ist eine Draufsicht, die
einen vergrößerten Abschnitt
einer Oberfläche 10a des
in 1 gezeigten Halbleiter-Wafers 10 zeigt.
Bei 2 wird eine Zerteilungs-
bzw. Schneidlinie 26 auf der Oberfläche 10a des mit Halbleitervorrichtungen 20 versehenen
Halbleiter-Wafers 10 gebildet. Entlang der Linie wird der
Wafer 10 in einem nachfolgenden Schneidschnitt durch eine
Schneidsäge
geschnitten. Durch den Schneidschritt werden eine Vielzahl von Halbleiterchips
aus dem Halbleiter-Wafer 10 erhalten. In einem durch Schneidlinien 26 umgebenen
Bereich wird eine Halbleitervorrichtung 20 gebildet, um jeden
der Vielfalt der Halbleiterchips zu bilden. Eine Vielzahl von Elektroden 25 sind
bei der Oberfläche 10a des
Halbleiter-Wafers 10 gebildet.
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Der
Halbleiter-Wafer 10 wird dann zu einem Poliergerät gesetzt,
damit eine Rückoberfläche 10b poliert
wird. Die Rückoberfläche 10b ist
eine Oberfläche,
die der Oberfläche 10a entgegengesetzt
ist, wo die Halbleitervorrichtung 20 gebildet ist. Wenn
der Halbleiter-Wafer 10 z.B. ein 8-Inch-Wafer von 725 μm Dicke ist,
mindert das Polieren die Dicke des Halbleiter-Wafers 10,
um so dünn
wie 100 μm
bis 150 μm
zu sein. Dies ermöglicht
eine Reduzierung der Dicke der aus dem Halbleiter-Wafer 10 erhaltenen
Halbleiterchips.
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Bei 3 wird der Halbleiter-Wafer 10 auf eine
Oberfläche 1a einer
Test-Werkzeugvorrichtung 1 gebunden. Der Halbleiter-Wafer 10 wird
so positioniert, daß die
Rückoberfläche 10b des
Halbleiter-Wafers 10 der Oberflächen 1a der Test-Werkzeugvorrichtung 1 gegenüber liegt.
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4 ist eine Schnittansicht
entlang einer Linie IV-IV von 3.
Bei 3 und 4 ist die Test-Werkzeugvorrichtung 1 aus
einer lagenförmigen Schneidlage 2 und
einem ringförmigen
Halter 3 gebildet. Der Halter 3 erstreckt sich
entlang einer Außenkante
der Schneidlage 2. Eine innere Peripherie 3m des
Halters 3 ist so geformt, daß die Test-Werkzeugvorrichtung 1 in
einem nachfolgenden Schritt bei einem Testgerät auf eine entfernbare/anheftbare
Weise festgesetzt werden kann. Die Schneidlage 2 ist unter
Verwendung eines Klebstoffs mit dem Halter 3 verbunden.
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Die
Schneidlage 2 ist aus (Poly)Vinylchlorid oder einem ähnlichen
weichen synthetischen Harz gebildet. Die Schneidlage 2 ist
ungefähr
100 μm dick. Der
Halter 3 ist aus rostfreiem Stahl gefertigt (SUS; wie durch
JIS bezeichnet). Der Halter 3 kann aus anderen Metallen
oder synthetischem Harz mit einem hohen Grad an Steifigkeit gebildet
sein.
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Während die
vorliegende Ausführungsform die
Schneidlage 2 und den Halter 3 als die die Test-Werkzeugvorrichtung 1 aufbauenden
Elemente verwendet, besteht keine Beschränkung darauf. Anstelle einer
Schneidlage kann ein Halter z.B. mit einem plattenähnlichen
steifen Element verwendet werden. Ein solches plattenähnliches
Element kann mit einem Halter zum Bilden einer Test-Werkzeugvorrichtung
in einer Einheit gebildet sein.
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6 zeigt einen Aufbau, der
dem Querschnitt entlang der Linie VI-VI von 5 entspricht.
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Bei 5 und 6 schließt eine Test-Werkzeugvorrichtung 40 eine
lagenartige Schneidlage 41 und einen Halter 42 ein.
Der Halter 42 hat eine Quadratform. Beim Zentrum des Halters 42 ist
eine kreisförmige Öffnung gebildet,
die durch eine innere Peripherie 42m des Halters 42 begrenzt
ist. Die innere Peripherie 42m des Halters 42 ist
so geformt, daß die Test-Werkzeugvorrichtung 40 in
einem Nachfolgeschritt bei einem Testgerät auf eine entfernbar/anheftbare
Weise festgesetzt werden kann. Die Schneidlage 41 ist unter
Verwendung eines Klebstoffs mit dem Halter 42 verbunden.
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8 zeigt einen Aufbau, der
dem Querschnitt entlang einer Linie VIII-VIII von 7 entspricht.
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Bei 7 und 8 schließt eine Test-Werkzeugvorrichtung 50 eine
lagenartige Schneidlage 51, einen ringförmigen Halter 53 und
einen ringförmigen Halter 52,
der um eine Größe geringer
als der Halter 53 gebildet ist, ein. Eine innere Peripherie 52m des Halters 52 ist
so geformt, daß die
Test-Werkzeugvorrichtung in einem nachfolgenden Schritt auf eine
entfernbar/anheftbare Weise beim Testgerät festgesetzt werden kann.
Eine innere Peripherie 53m des Halters 53 ist
in eine äußere Peripherie 52n des
Halters 52 zum Integrieren der Halter 53 und 52 eingepaßt. Die
Schneidlage 51 ist zwischen der äußeren Peripherie 52n und der
inneren Peripherie 53m gelegt, um an einer Endoberfläche des
Halters 52 fixiert zu sein.
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Bei 9 ist ein vergrößerter Abschnitt
des bei der Test-Werkzeugvorrichtung 1 positionierten Halbleiter-Wafers 10 gezeigt.
Die Test-Werkzeugvorrichtung 1, wo der Halbleiter-Wafer 10 positioniert
ist, wird bei dem Schneidgerät
festgesetzt. Eine Schneidsäge
des Schneidgeräts
rotiert, um den Halbleiter-Wafer 10 entlang der Schneidlinie 26 zu schneiden.
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10 ist eine Schnittansicht
entlang einer Linie X-X von 9.
Bei 9 und 10 ist der Halbleiter-Wafer 10 geschnitten,
um eine Vielzahl von Halbleiterchips 28 auf der Oberfläche 1a der
Test-Werkzeugvorrichtung 1 zu bilden. Jeder der Vielzahl
von Halbleiterchips 28 ist körperlich durch die Schneidlinien 26m nach
dem Schneiden getrennt. Ferner ist jeder der Vielzahl der Halbleiterchips 28 elektrisch getrennt
bzw. isoliert, da die Schneidlage 2 aus einem isolierenden
Material gebildet ist.
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Bei 11 ist ein Sondenelement 30 bzw. ein
Gerät zum
Testen einer elektrischen Eigenschaft einer Halbleitervorrichtung
gezeigt. Das Sondenelement 30 schließt einen Testerkörper 31,
einen mit dem Testerkörper 31 elektrisch
verbundenen Testkopf 32, einen niedriger als dem Testkopf 32 vorgesehenen
Testerkörper 33 sowie
eine Testplattform 35, die auf der Seite der oberen Oberfläche des
Testerkörpers 33 vorgesehen
ist, ein. Die bei der Test-Werkzeugvorrichtung 1 positionierten
Halbleiterchips 28 werden bei der Testplattform 35 festgesetzt.
Das Sondenelement 30 schließt ferner eine am Testkopf 32 vorgesehene
Sonde 34 ein, um den Halbleiterchips 28 gegenüber zu liegen.
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12 ist eine Schnittansicht,
die im vergrößerten Maßstab die
Sonde 34 von 11 und
die Testplattform 35, wo die Halbleiterchips 28 festgesetzt
sind, zeigt. Bei 12 ist
die Sonde 34 in der Form einer Nadel vorgesehen, um die
bei den Halbleiterchips 28 gebildete Elektrode 25 (siehe 9) zu kontaktieren zum Bereitstellen
einer elektrischen Leitung zwischen dem Testerkörper 31 und den Halbleiterchips 28.
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Die
innere Peripherie 3m des Halters 3 ist in die äußere Peripherie
der Testplattform 35 eingepaßt, so daß die Test-Werkzeugvorrichtung 1 bei der Testplattform 35 getragen
wird. Der Durchmesser der inneren Peripherie 3m des Halters 3 ist
eingestellt, um ein solches Tragen sicherzustellen.
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Beim
Testen eines Halbleiter-Wafers mit einem Sondenelement wird herkömmlicher
Weise ein Saugloch in einer Testplattform gebildet, um den Halbleiterwafer
direkt anzusaugen. Es kann jedoch der Fall auftreten, in dem, je
nach dem Ort, wo das Saugloch gebildet ist, eine unmittelbar oberhalb
des Sauglochs positionierte Elektrode durch eine Sonde kontaktiert
wird. In diesem Fall kann es fehlschlagen, daß der Halbleiter-Wafer mit
einer reduzierten Dicke der Kraft der Abnehmerspitze von der Sonde
standhält.
Im Gegensatz dazu kann in der vorliegenden Ausführungsform die Test-Werkzeugvorrichtung 1 ohne
Ansaugen gehalten werden, was ein solches Problem lösen kann.
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Bei 11 und 12 wird eine elektrische Eigenschaft
einer Halbleitervorrichtung 20, die bei Halbleiterchips 28 gebildet
ist, unter Verwendung eines Sondenelements 30 getestet.
Dieser Test bestimmt, ob eine Halbleitervorrichtung 20,
die jeweils einzeln bei jedem der Vielzahl von Halbleiterchips 28 gebildet
ist, Betrieb und Leistungsfähigkeit
wie beabsichtigt implementiert. Dadurch wird bestimmt, ob Halbleiterchips 28 defekt
sind oder nicht.
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Um
ein Testergebnis zu einem darauffolgenden Zusammenbauschritt zu überführen, wird
ein Testergebnis von jedem der Vielzahl von Halbleiterchips 28 zur
Zusammenbauausrüstung
geschickt zusammen mit seiner Koordinatenposition auf der Test-Werkzeugvorrichtung 1,
z.B. in Form von elektronischer Information. Ein defekter Halbleiterchip 28 kann
auch auf visuell erkennbare Weise zum Anzeigen seiner Defektheit
markiert werden.
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Die
Test-Werkzeugvorrichtung 1, wo die Halbleiterchips 28 positioniert
sind, wird dann zu einem Zusammenbauschritt überführt. Im Zusammenbauschritt
wird nur der Halbleiterchip 28 zum Zusammenbau ausgewählt, der
als ein konformes Produkt erkannt wurde.
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Ein
Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung 20 gemäß einer
ersten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung schließt
die Schritte ein: Positionieren eines mit einer Halbleitervorrichtung 20 versehenen
Halbleiter-Wafers 10 auf der Oberfläche 1a der Test-Werkzeugvorrichtung 1 als
einem lagenartigen Element; Aufteilen des Halbleiter-Wafers 10 in
eine Vielzahl von Halbleiter-Chips 28 auf der Oberfläche 1a durch
Schneiden bzw. Sägen
des Halbleiter-Wafers 10; und, unter Positionierung der
Vielzahl der Halbleiterchips 28 auf der Oberfläche 1a,
Testen einer elektrischen Eigenschaft der Halbleitervorrichtung 20,
die jeweils einzeln bei jedem der Vielzahl der Halbleiterchips 28 gebildet
ist.
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Der
Schritt des Testens einer elektrischen Eigenschaft der Halbleitervorrichtung 20 schließt den Schritt
des Festsetzens der Test-Werkzeugvorrichtung 1 beim Probenelement 30 ein,
die als Ausrüstung
zum Testen der elektrischen Eigenschaft der Halbleitervorrichtung 20 dient.
Die Test-Werkzeugvorrichtung 1 ist entfernbar am Testelement 30 befestigt.
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Das
Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung 20 schließt ferner
den Schritt des Polierens der Rückoberfläche 10b des
Halbleiter-Wafers 10 vor dem Schritt des Positionierens
des Halbleiter-Wafers 10 ein. Der Schritt der Positionierung
des Halbleiter-Wafers 10 schließt den Schritt der Positionierung des
Halbleiter-Wafers 10 auf der Oberfläche 1a der Test-Werkzeugvorrichtung 1 ein,
derart, daß die Oberfläche 1a der
Test-Werkzeugvorrichtung 1 und die Rückoberfläche 10b des Halbleiter-Wafers 10 einander
gegenüberliegen.
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Gemäß dem Verfahren
zum Testen der Halbleitervorrichtung 20 mit einem solchen
Schema ist die Halbleitervorrichtung 20 bereits in einer
Form gebildet worden, die näher
an einem Endprodukt dran ist, wenn sie mit dem Sondenelement 30 getestet
wird. Mit anderen Worten ist die mit dem Sondenelement 30 zu
testende Halbleitervorrichtung 20 bei dem Halbleiterchip 20 gebildet,
der durch Schneiden bzw. Sägen
des Halbleiter-Wafers 10 erhalten wurde. Darüber hinaus
ist eine Rückoberfläche des
Halbleiterchips 28 bereits poliert worden, als sie in der
Form des Halbleiter-Wafers 10 vorlag. Als einem Ergebnis wird
die Dicke des Halbleiter-Wafers 28 auf eine reguläre Dicke
eines Endprodukts reduziert. Dies ermöglicht es, daß eine elektrische
Eigenschaft der zu testenden Halbleitervorrichtung 20 in
einer Form vorliegt, die näher
an dem dranliegt, wie sie durch das Endprodukt zu implementieren
ist. Dadurch kann die Zuverlässigkeit
des Tests beträchtlich
verbessert werden, und ein defekter Halbleiterchip kann exakter unter
den Halbleiterchips 28 erfaßt werden. Wenn eine Vielzahl
von Halbleiterchips 28 in eine MCP gepackt sind, werden
defekte Halbleiterchips 28 nicht eingeschlossen, so daß die Herstellungskosten
minimiert werden können.
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Wenn
die Halbleitervorrichtung 20 getestet wird, ist der Halbleiterchip 28 bei
der Oberfläche 1a der
Test-Werkzeugvorrichtung 1 positioniert. Dies kann die
Steifigkeit des Halbleiterchips 28 beim Testen erhöhen. Deshalb
kann, obgleich ein Halbleiterchip 28 verminderter Dicke
eine geringere Steifigkeit aufweist, der Halbleiterchip 28 der
Kraft der Abnehmerspitze von der Sonde 34 standhalten.
Darüber
hinaus liegt im Schritt der Positionierung bei der Test-Werkzeugvorrichtung 1 die
Halbleitervorrichtung 20 in Form des Halbleiter-Wafers 10 vor,
der noch nicht zerteilt worden ist. Dies ermöglicht es, daß die Halbleitervorrichtung 20 ohne
langwierige Prozedur zur Positionierung von vielen Halbleiterchips 28 bei
der Test-Werkzeugvorrichtung 1 leicht
zu testen sind.
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(Zweite Ausführungsform)
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Ein
Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung in einer zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung unterscheidet sich von einem Verfahren
zum Testen einer Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform
in der Zeitabfolge, wenn der Schneidschritt ausgeführt wird.
Nachfolgend werden die Schritte, die mit jenen der ersten Ausführungsform übereinstimmen,
nicht wiederholt.
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In
den in 3 und 4 gezeigten Schritten wird,
nach dem der Halbleiter-Wafer 10 bei der Oberfläche 1a der
Test-Werkzeugvorrichtung 1 positioniert ist, eine elektrische
Eigenschaft der beim Halbleiter-Wafer 10 gebildeten Halbleitervorrichtung 20 in Übereinstimmung
mit den in 11 und 12 gezeigten Schritten getestet.
Der Halbleiter-Wafer 10 wird dann bei einer vorgeschriebenen
Position geschnitten oder gesägt,
um eine Vielzahl von Halbleiterchips 28 aus dem Halbleiter-Wafer 10 in Übereinstimmung mit
den in 9 und 10 gezeigten Schritten bereitzustellen.
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Ein
Verfahren zum Testen der Halbleitervorrichtung 20 gemäß einer
zweiten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung schließt
die Schritte ein: Polieren der Rückoberfläche 10b des
mit der Halbleitervorrichtung 20 versehenen Halbleiter-Wafers 10; Positionieren
des Halbleiter-Wafers 10 auf der Oberfläche 1a der Test-Werkzeugvorrichtung 1 als
einem lagenartigen Element, derart, daß die Oberfläche 1a und
die Rückoberfläche 10b des
Halbleiter-Wafers 10 einander gegenüberliegen; und, unter Positionierung
des Halbleiter-Wafers 10 auf der Oberfläche 1a, Testen einer
elektrischen Eigenschaft der beim Halbleiter-Wafer gebildeten Halbleitervorrichtung 20.
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Gemäß dem Verfahren
zum Testen der Halbleitervorrichtung 20 mit einem solchen
Schema ist, wenn die Halbleitervorrichtung 20 mit dem Sondenelement 30 getestet
wird, eine Dicke des beim Probenelement 30 festgesetzten
Halbleiter-Wafers 10 reduziert worden auf eine reguläre Dicke
eines Endprodukts. Dies ermöglicht
es, daß eine
elektrische Eigenschaft der zu testenden Halbleitervorrichtung 20 derjenigen
Form näher
ist, die durch das Endprodukt zu implementieren ist. Dies ermöglicht es,
daß der Halbleiterchip 28,
der aus der Position des Halbleiter-Wafers 10 entnommen
wurde, wo die Halbleitervorrichtung 20 als defekt befunden
wurde, exakter beseitigt wird.
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Wie
bei dem in der ersten Ausführungsform beschriebenen
Effekt ist der Halbleiter-Wafer 10 während des Testens bei der Test-Werkzeugvorrichtung 1 positioniert,
was es ermöglicht,
daß die
Halbleitervorrichtung 20 so getestet wird, daß sie der
Kraft der Abnehmerspitze aus der Sonde 34 standhält. Darüber hinaus
kann die Halbleitervorrichtung 20 ohne eine mühevolle
Prozedur zur Positionierung mehrerer Halbleiterchips 28 bei
der Test-Werkzeugvorrichtung 1 ohne
weiteres getestet werden.
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(Dritte Ausführungsform)
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In
einem Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung in einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung fehlt ein Schritt zum Polieren eines
Halbleiter-Wafers 10, nachdem eine Halbleitervorrichtung 20 beim
Halbleiter-Wafer 10 in den in 1 und 2 gezeigten
Schritten gebildet wurde. In den in 3 und 4 gezeigten Schritten wird
der Halbleiter-Wafer 10 dann an die Oberfläche 1a der Test-Werkzeugvorrichtung 1 gebunden.
In den in 11 und 12 gezeigten Schritten wird
die Test-Werkzeugvorrichtung 1 dann bei der Testplattform 35 des
Probenelements 30 festgesetzt. Eine elektrische Eigenschaft
der beim Halbleiter-Wafer 10 gebildeten Halbleitervorrichtung 20 wird
dann getestet.
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Ein
Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung 20 gemäß einer
dritten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung schließt
die Schritte ein: Binden des mit der Halbleitervorrichtung 20 versehenen
Halbleiter-Wafers 10 auf die Oberfläche 1a der Test-Werkzeugvorrichtung 1 als
einem lagenartigen Element derart, daß die Oberfläche 1a und
eine Rückoberfläche des
Halbleiter-Wafers 10 einander gegenüberliegen; und Festsetzen der
Test-Werkzeugvorrichtung 1 bei dem Probenelement 30,
das als Ausrüstung
zum Testen einer elektrischen Eigenschaft der Halbleitervorrichtung 20 dient;
und Testen der elektrischen Eigenschaft der beim Halbleiter-Wafer 10 gebildeten
Halbleitervorrichtung 20.
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Gemäß dem Verfahren
zum Testen einer Halbleitervorrichtung 20 mit einem solchen
Schema, wobei der Halbleiter-Wafer 10 an die Test-Werkzeugvorrichtung 1 gebunden
ist, wird die Test-Werkzeugvorrichtung 1 beim
Probenelement 30 zum Testen einer elektrischen Eigenschaft
der Halbleitervorrichtung 20 festgesetzt.
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Dies
beseitigt die Notwendigkeit einer Vakuum-Verrohrung, die bei einem
herkömmlichen
Probenelement zum Ansaugen eines Halbleiter-Wafers unter Ausnutzung
von Vakuum bereitgestellt wird. Eine Testplattform eines Probenelements
ist ein Ort, wo ein Abstandszufuhrbetrieb bezüglich X-Y (planare Verschiebung)
und -θ (Drehverschiebung)
häufig wiederholt
wird, während
ein Halbleiter-Wafer darauf montiert ist. Somit war die bei der
Testplattform bereitgestellte Vakuumverrohrung anfällig gegenüber Schwierigkeiten.
Das Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung 20 der
vorliegenden Ausführungsform
kann jedoch ein solches Problem lösen.
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Bei
der ersten, der zweiten und der dritten Ausführungsform kann ein Test einer
elektrischen Eigenschaft der Halbleitervorrichtung 20 ein
Umgebungstest wie ein Einbrenntest sein. Ein Einbrenntest ist ein
beschleunigter Test, bei dem eine Schaltung für einige Stunden unter härteren Bedingungen
als denjenigen bei der tatsächlichen
Verwendung in Bezug auf Temperatur, etc. betrieben wird. Der Einbrenntest
wurde herkömmlicherweise
gegenüber
der Form eines Endprodukts nach Ablauf eines Zusammenbauschritts
ausgeführt.
In den vergangenen Jahren wurde er jedoch in einem Schritt vor einem
Zusammenbauschritt ausgeführt.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung kann, wie oben beschrieben, ein Verfahren zum Testen einer
Halbleitervorrichtung bereit gestellt werden, welches eine elektrische
Eigenschaft mit höherer
Genauigkeit vor einem Zusammenbauschritt testen kann.
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Obgleich
die vorliegende Erfindung im einzelnen beschrieben und veranschaulicht
wurde ist klar, daß dies
nur zur Veranschaulichung und als Beispiel erfolgte und nicht als
Einschränkung
zu verstehen ist, wobei der Umfang der vorliegenden Erfindung lediglich
durch den Inhalt der beigefügten
Ansprüche
begrenzt ist.