DE69201251T2 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers mit vergrabener Streifenstruktur unter Verwendung von Trockenätzen zur Herstellung dieses Streifens und ein nach diesem Verfahren hergestellter Laser. - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers mit vergrabener Streifenstruktur unter Verwendung von Trockenätzen zur Herstellung dieses Streifens und ein nach diesem Verfahren hergestellter Laser.

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Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers mit vergrabener Streifenstruktur, das darin besteht:
  • - eine Heterostruktur zu bilden durch eine erste Epitaxie, in deren Verlauf man nacheinander auf einem Substrat eine erste Eischließungsschicht mit einem ersten Dotierungstyp und eine Schutzschicht abscheidet,
  • - die Schutzschicht und die aktive Schicht bis auf die erste Einschließungsschicht zu ätzen, um einen Streifen zu bilden aus der aktiven Schicht, und
  • - den Streifen durch eine zweite Epitaxie zu vergraben in einer Halbleiterschicht, die einen zweiten, dem ersten entgegengesetzten Dotierungstyp hat und eine zweite Einschließungsschicht bildet.
  • Die Erfindung wird vor allem auf dem Gebiet der optischen Telekommunikationen angewandt und insbesondere bei der Herstellung von Halbleiterlasern mit doppelter Heterostruktur für die Verbindungen durch Monomodelichtleitfasern.
  • Man kennt schon verschiedene Laser mit vergrabener Streifenstruktur.
  • Man kann zum Beispiel anführen:
  • - die Struktur EMBH (für "EMbedded Buried Heterostructure") mit Sperrschichten,
  • - die Struktur FBH (für "Flat Surface Buried Heterostructure"),
  • - die Struktur SI-PBH (für "Semi-Insulating Planar Buried Herterostructure) mit halbisolierenden Schichten, und
  • - die Struktur BRS (für "Buried Ridge Stripe) mit Homoübergang oder Heteroübergang.
  • Die Wachstumsverfahren und die statischen und dynamischen Charakteristika dieser Laserstrukturen sind sehr unterschiedlich.
  • Jedoch erscheint die BRS-Struktur vielversprechend, da sie nur zwei aufeinanderfolgende Epitaxiezyklen erfordert und gut organometallische Gasphasenabscheidung (MOCVD) und die Molekularstrahlepitaxie (MBE).
  • Diverse bekannte BRS-Strukturen sind in den Dokumenten (1) bis (4) beschrieben die am Ende der vorliegenden Beschreibung genannt werden und auf die Bezug genommen wird.
  • Man weiß auch, daß die Firma THOMSON CSF und die C.N.E.T (Centre National d'Etudes des Telecommunications) gegenwärtig Laser mit BRS-Strukturen entwickeln, die mit 1,3 und mit 1,5 um emittieren.
  • Ein Beispiel solcher Laser mit BRS-Struktur ist in Bild 1 schematisch dargestellt.
  • Die in Figur 1 dargestellte bekannte Struktur wird hergestellt mit Hilfe von zwei Epitaxiezyklen.
  • In einem ersten Epitaxiezyklus bildet man auf einem n&spplus; - dotiertem InP-Substrat 2 eine erste, n-dotierte InP-Einschliessungsschicht 4, dann eine nichtdotierte aktive Schicht 6 aus InGaAsP, dann eine p-dotierte Inp-Schutzschicht von geringer Dicke.
  • Anschließend ätzt man einen Streifen, über eine Breite von z.B. 2 um, bis zu der ersten Einschließungsschicht 4 mit Hilfe einer chemischen Lösung auf Brombasis.
  • Ein zweiter Epitaxiezyklus ermöglicht, auf dem Streifen eine zweite, p-dotierte InP-Einschließungsschicht 8 wachsen zu lassen, dann eine p&spplus;-dotierte InGaAs-Kontaktschicht 10.
  • Die Lokalisierung des elektrischen Stroms auf der aus der Ätzung resultierenden Fläche wird anschließend erhalten durch Protonenimplantation in die Kontaktschicht 10 und in die zweite Einschließungsschicht 8, was Bereiche 12 und 14 hoher Restitivität schafft, beiderseits des aktiven Streifens, den man gebildet hat.
  • Schließlich scheidet man auf der Kontaktschicht 10 eine Platinschicht 16 ab, dann eine Goldschicht 18.
  • Das Herstellungsverfahren der BRS-Struktur, das mit Bezug auf die Figur 1 beschrieben wurde, ist in mancherlei Hinsicht interessant (vor allem wegen seiner einfachen Durchführbarkeit und seiner Kompatibilität mit allen Wachstumsverfahren, vor allem der Gasphase), weist jedoch Nachteile auf.
  • Da nämlich die Ätzung des Streifens mittels chemischer Lösung erfolgt, stellen dich dieser Techik innewohnende Probleme bei der Herstellung dieser Struktur, vor allem bei epitaxierten Halbleiterplatten von großer Fläche.
  • Ein erstes Problem ist die seitliche Ätzung oder Unterätzung, die charakteristisch ist für alle isotropen chemischen Angriffe.
  • Aufgrund der geringen Breite der für die Ätzung benützten Maske (2 um), hat diese Erscheinung zur Folge, die Ätztiefe in dem Material auf einige zehn Nanometer zu begrenzen, um die Endbreite des Streifens nicht zu sehr zu reduzieren (die typischerweise 1,4 um beträgt).
  • Ein zweites Problem ist das Fehlen von Gleichmäßigkeit der Ätzung, vor allem auf den großen Flächen, wo, wie Versuche gezeigt haben, die chemische Ätzung mittels Lösung zunächst an den untergetauchten Rändern des Musters beginnt und sich fortpflanzt in Richtung Mitte dieses Musters, was eine deutliche Tiefen- und Breitenänderung des Streifens zwischen dem Rand und der Mitte des Musters zur Folge hat.
  • Ein drittes Problem beruht auf der Tatsache, daß die chemischen Ätzungen mittels Lösung dafür bekannt sind, daß sie sehr abhängig sind von mehreren äußeren Parametern (vor allem Temperatur, Bewegung und Helligkeit), was es schwierig macht, die hergestellte Struktur zu reproduzieren.
  • Man kennt durch Electronics Letters, Band 25, Nº 22, Oktober 1989, Seiten 1477-1479, eine Halbleiterlaservorrichtung mit vergrabener Streifenstruktur (buried ridge stripe, BRS) und ein Verfahren für ihre Herstellung:
  • - man formt eine Heterostruktur durch eine erste Epitaxie, in deren Verlauf man auf einem Substrat (n-InP) nacheinander eine erste Einschließungsschicht (n-InP) eines ersten Dotierungstyps, eine Aktivschicht (GaInAsP, λ = 1.5um) und eine Schutzschicht GaInAsP, λ = 1.28um) abscheidet,
  • - man ätzt mit Hilfe einer chemischen Lösung auf Brombasis die Schutzschicht und die Aktivschicht, bis zur ersten Einschließungsschicht, um einen Streifen zu bilden ab der Aktivschicht, und
  • - man vergräbt den Streifen durch eine zweite Epitaxie in einer Halbleiterschicht (p-InGaAsP) eines zweiten, dem ersten entgegengesetzten Dotierungstyps, die eine zweite Einschließungsschicht bildet.
  • Man kennt auch durch EP-A-0 292 390 ein anisotropes Ätzverfahren eines III-V-Materials. Nach diesem Verfahren unterzieht man das Material einem reaktiven Ionenätzen unter Verwendung einer Mischung, die volumenmäßig 20-30% eines Gases wie z.B. CH&sub4;, 30-50% eines Gases wie z.B. Ar und 20-50% Wasserstoff enthält.
  • Weitere Verfahren zur Herstellung von Lasern mit vergrabener Heterostruktur, basierend auf Trockenätztechniken, sind bekannt aus JP-A-1-94690 und Applied Physics Letters, Band 57, Nr. 29, Oktober 1990, Seiten 1864-1866.
  • Die Erfindung löst folgendes Problem: Finden eines Herstellungsverfahrens eines Halbleiterlasers mit vergrabener Streifenstruktur, das anwendbar ist bei großflächigen Mustern, z.B. Halbleiterplatten mit 2 Inch (5 cm) Durchmesser oder mehr, um eine Massenfertigung des Lasers mit guter Gleichmäßigkeit der Kennwerte und damit eine Kostenreduzierung dieses Lasers zu ermöglichen.
  • Um dieses Problem zu lösen, ist das Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers mit vergrabener Streifenstruktur, der Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist, konform mit Anspruch 1.
  • Die genannte Harzschicht ist z.B. eine Schicht aus photosensiblem Harz. Die Erfindung nützt somit die Eigenschaften der Anisotropie, der Gleichmäßigkeit und der Reproduzierbarkeit, die spezifisch sind für die diversen Trockenätzverfahren.
  • Dank des Fehlens von Unterätzungseffekten ermöglicht das erf indungsgemäße Verfahren bei guter Kontrolle Aktivstreifen zu erhalten, deren Breiten kleiner sind als 1 um ("submikrometrische Streifen"), dabei den Schwellenstrom der mit diesem Verfahren hergestellten Laser reduzierend, wobei der Schwellenstrom ein sehr wichtiger Parameter ist für mehrere Anwendungen der Erfindung und vor allem für die optoelektronische Integration.
  • Als Trockenätztechnik könnte man die RIE-Technik (RIE für "Reactive Ion Etching"), die IBE-Technik (IBE für "Ion Beam Etching") oder auch die CAIBE-Technik (CAIBE für "Chemical Assisted Ion Beam Etching") anwenden.
  • Bei der vorliegenden Erfindung jedoch ist die Trockenätztechnik ein reaktives Ionenstrahlätzen (oder RIBE für "Reactive Ion Beam Etching"), die Vorzüge aufweist gegenüber den anderen Trockenätztechniken.
  • So ermöglicht die RIBE-Technik z.B., die diversen Ätzparameter auf unabhängige Weise zu kontrollieren (vor allem Druck, Ionenbeschleunigungsspannung und Ionenstrahleinfallwinkel), was die RIE-Technik nicht ermöglicht.
  • Außerdem ist das bei der vorliegenden Erfindung verwendete Gasgemisch aus Methan, Argon und Wasserstoff sehr viel weniger giftig für die Benutzer und sehr viel weniger agressiv gegenüber der Ätzeinrichtung, als andere Gase (z.B. Chlor).
  • Bei der vorliegenden Erfindung kann die zweite Epitaxie eine Gasphasenepitaxie sein.
  • Sie kann erzeugt werden durch die metallorganische Gasphasenabscheidung (oder MOCVD).
  • Vorzugsweise umfaßt das erfindungsgemäße Verfahren auch, vor der zweiten Epitaxie, einen kurzen chemischen Angriff der geätzten Schichten.
  • Nach der bevorzugten Ausführungsart des erfindungsgemäßen Verfahrens ist die Heterostruktur doppelt, wobei die Zusammensetzung der Aktivschicht dann unterschiedlich ist von der Zusammensetzung der ersten Einschließungsschicht und von der Zusammensetzung der Schutzschicht.
  • Man weiß nämlich, daß eine doppelte Heterostruktur zu sehr viel geringeren Schwellenstromdichten führt als die, zu denen die einfachen Heterostrukturen führen.
  • Nach einer speziellen Ausführungsart des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das Substrat aus n+-dotiertem InP, die erste Einschließungsschicht aus n-dotiertem InP, die Aktivschicht aus InGaAsP, die Schutzschicht aus p-dotiertem InP und die zweite Einschließungsschicht aus InP, p-dotiert zwischen 10¹&sup8; und 5.10¹&sup8; cm&supmin;³.
  • Die vorliegende Erfindung wird besser verständlich durch die Lektüre der Beschreibung von rein informatorischen und keinesfalls einschränkenden Ausführungsbeispielen, mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen - ausgenommen die schon beschriebene Figur 1, die schematisch einen bekannten Laser mit vergrabenem Streifen darstellt - in denen die Figuren 2A bis 2D schematisch diverse Schritte einer speziellen Ausführungsart des erfindungsgemäßen Verfahrens zeigen.
  • Diese diversen Schritte werden in der Folge beschrieben.
  • Man beginnt (Figur 2A) mit der Bildung einer doppelten Heterostruktur, indem man nacheinander mittels Epitaxie auf einem n+-dotierten Inp-Substrat 20 abscheidet:
  • - eine erste Einschließungsschicht 22 aus n-dotiertem InP,
  • - eine Aktivschicht 24 aus nichtdotiertem InGaAsP, 110 nm dick,
  • - eine Schutzschicht 23 aus p-dotierem InP (z.B. durch Zinkatome), 100 nm dick.
  • Anschließend maskiert man die erzeugte Heterostruktur, z.B. mittels eines photosensiblen Harzes, auf der Schutzschicht 28 in Form eines Musters 30 aus diesem Harz, mit 2 um Breite und 600 nm bis 1 um Höhe, wobei dieses Muster entsprechend der Richtung < 110 > der Schutzschicht 28 angeordnet ist.
  • Man führt anschließend (Figur 2B) eine Trockenätzung des Typs RIBE der so maskierten Heterostruktur durch, bis zur ersten Einschließungsschicht 22, wodurch man einen Aktivstreifen 32 ab der somit geätzten Aktivschicht 24 erhält.
  • Diese Ätzung wird durchgeführt in einem Gehäuse, versehen mit einer Ionenquelle des Typs Kaufman oder mit einer zyklotronischen Ionenqueile oder ECR-Quelle (für "Electron Cyclotronic Resonance") , oder auch einer RF-Quelle.
  • Diese Ätzung wurde mit einer Elektronenguelle des Typs Kaufman unter folgenden Versuchsbedingungen durchgeführt:
  • - Ätzgas: Mischung aus Argon, Wasserstoff und Methan (wobei diese Mischung sich eignet zum Ätzen von InP, GaAs und vor allem von Verbindungen dieser letzteren)
  • - Energie des Ionenstrahlbundels 34: 300 eV
  • - Ionendichte: von 0,250 bis 0,550 mA/cm²
  • - Einfallwinkel dieses Ionenstrahlbündels 34: 20º
  • - Gesamtdruck: 5x10&supmin;&sup4; Torr (ungefähr 7x10&supmin;² Pa)
  • - jeweilige Gasmengen: Argon 10 sccm (Standard-cm³ pro Minute), Wasserstoff 20 sccm, Methan 4 sccm (wobei diese Gasanteile sich verändern können im Falle der Verwendung von anderen Typen von Quellen)
  • - Rotationsgeschwindigkeit des Substrat-Trägers: 12 Umdrehungen/Minute.
  • Da jedes Trockenätzverfahren gekennzeichnet ist durch die Erzeugung von durch den beschleunigten Ionenstrahl induzierten Fehlern in dem geätzten Material und dadurch, daß die Dicke des gestörten Materials proportional ist zur Energie dieses Strahls (wobei diese Dicke für eine Energie von 300 eV kleiner ist als 20 nm), führt man anschließend einen leichten chemischen Angriff, d.h. von kurzer Dauer (in der Größenordnung von 5 Sekunden), der so geätzten Struktur durch, in einer nichtselektiven Lösung, deren Volumensanteile betragen:
  • Br(1)HBr(17)H&sub2;O(35) (1) : H&sub2;O(7), mit 2ºC.
  • Anschließend führt man eine Kontrolle der Photolumineszenz des erhaltenen Streifens und der Oberfläche der ersten n- dotierten InP-Einschließungsschicht durch, um sich von der guten Qualität der Ätzung zu überzeugen.
  • Anschließend entfernt man die Harzmaske 30 (Figur 2C).
  • Das Entfernen dieser Maske stellt ein Problem dar.
  • Die Verwendung eines reaktiven Gases auf Kohlenwasserstoffbasis wie z.B. Methan ermöglicht zwar, ein Halbleitermaterial wie z.B. InP zu ätzen.
  • Jedoch bildet sich während des Ätzens auf jedem Material außer InP oder seinen Derivaten ein Polymerniederschlag, vor allem auf der Harzmaske, was das Entfernen dieser Maske mit den üblichen Lösungsmitteln wie z.B. Aceton schwierig macht.
  • Die Verwendung eines Sauerstoffplasmas zum Entfernen löst dieses Problem, jedoch wurde jedesmal ein Photolumineszenzverlust des InP und der Quarternärverbindung InAgAsP festgestellt, wenn ein solches Harzentfernungsverfahren angewandt wurde.
  • Um diesen Nachteil zu beseitigen und die Harzmaske 30 auf einfache Weise zu entfernen, ohne die geätzte Heterogenstrukturoberfläche zu beschädigen, verwendet man in dem Ausführungsbeispiel der Erfindung eine Fluorwasserstoffsäurelösung in einem Ultraschallbehälter, und dies 2 Minuten lang.
  • Anschließend führt man mit Hilfe der klassischen Techniken eine Reinigung der geätzten Heterogenstrukturoberfläche durch.
  • Dazu führt man zunächst eine Warmreinigung dieser Oberfläche durch, nacheinander in Trichlorethylen, Aceton und Isopropanol, und dies für jedes dieser Produnkte 2 Minuten lang, dann führt man eine leichte Ätzung dieser Oberfläche in Schwefelsäure durch (während 1 Minute) und daran anschließend eine Desoxidation in Fluorwasserstoffsäure während 30 Sekunden.
  • Anschließend führt man (Figur 2D) einen zweiten Epitaxiezyklus durch, z.B. mittels einer MOCVD-Technik, um auf der geätzten Struktur eine zweite InP-Einschließungsschicht 36 wachsen zu lassen, p-dotiert mit 2x10¹&sup8; cm&supmin;³ Zinkatomen (wobei diese starke Dotierung dazu bestimmt ist, seitliche Streu- bzw. Leckströme zu begrenzen), was den aktiven Streifen 32 vergräbt, dann eine Kontaktschicht 38 aus p&spplus;-dotierem InGaAsP auf dieser zweiten Einschließungsschicht 36.
  • Die Dotierung der Kontaktschicht 38 wird ausgeführt mit 1x10¹&sup9; cm&supmin;³ Zinkatomen.
  • Anschließend scheidet man auf dieser Kontaktschicht 38 eine Platinschicht 40 ab, die man bei 450ºC zwei Minuten lang tempert, sodann auf dieser Schicht 40 eine Goldschicht 42.
  • Die Gleichmaßigkeit des Ätzverfahrens RIBE unter Versuchsbedingungen wurde weiter oben beschrieben.
  • Dazu hat man parallele, 2 um breite und 500 nm tiefe Streifen auf ein InP-Muster mit 50 mm Durchmesser geätzt.
  • Wenn man die Veranderungen der Breite und der Tiefe von jedem Streifen aufzeichnet in Abhängigkeit von seiner Position auf dem Muster, stellt man ifest, daß eine sehr gute Gleichmäßigkeit erreicht wird über die gesamte Fläche dieses Musters, und daß die Breite des Streifens nach dem Ätzen quasi gleich der Breite dieses Streifens vor dem Ätzens ist (in der Größenordnung von 2 um)
  • Dies ermoglicht die Herstellung von submikrometrischen Streifen mit einer sehr guten Kontrolle.
  • Außerdem hat man Laserstrukturen des BRS-Typs hergestellt mit Hilfe des Verfahrens des weiter oben beschriebenen Beispiels, und man hat festgestellt, daß diese Laser höhere Leistungen aufweisen als jene, die man erhält mit den mittels bekannter Verfahren hergestellten Laserstrukturen des BRS-Typs.
  • Die Kennlinien Ausgangsleistung/Impuls-Injektionsstrom (courant injecté en impulsion) (P/I) von mehreren BRS- Laserstrukturen, hergestellt wie im weiter oben erwähnten Beispiel, haben eine gute Gleichmäßigkeit in puncto Schwellenstrom und externer Quantenausbeute.
  • Man hat auch die Dauerkennwerte (P/I) von einem dieser Laser untersucht und eine maximale Ausgangsleistung von mehr als 90 mW festgestellt, was eine gute Effizienz der elektrischen InP- Übergänge beweist, die sich auf jeder Seite des Streifens befinden, sowie eine gute Qualität des angewandten Ätzverfahrens.
  • Außerdem wurde das dynamische Verhalten dieser Laser untersucht durch die Messung ihrer Frequenzkennlinien.
  • Ein -3dB-Durchlaßband von 17 GHz wurde gemessen.
  • Man hat außerdem festgestellt, daß die diesem Durchlaßband entsprechende Kurve flach war (ununterscheidbares "roll-off"), was zeigt, daß die parasitären Elemente der Struktur schwach sind (Störkapazität in der Größenordnung von 5 bis 6 pF und Meßwiderstand in der Großenordnung von 1,5 Ohm).
  • Diese geringen Werte der Störkapazität und des Meßwiderstands beruhen im wesentlichen auf den starken Dotierungen der p-dotierten InP-Schicht und der p&spplus;-dotierten InGaAsP-Schicht (2x10¹&sup8; bzw. 1x10¹&sup9; cm&supmin;³)
  • Selbstverständlich könnte die Aktivschicht 24 eine Mehrfachpotentialstruktur aufweisen anstatt aus einem einzigen Halbleitermaterial gemacht zu sein (InGaAsP im beschriebenen Beispiel)
  • Die Dokumente (1) bis (4), die zu Beginn der vorliegenden Beschreibung erwähnt wurden, sind folgende:
  • (1) Artikel von R. Blondeau u.a., Electronics Letters, Band 20, S. 850 u. 851, 11 Oktober 1984
  • (2) FR-A-2587852, "Herstellungsverfahren eines Halbleiterlasers mit vergrabener Streifenstruktur mit oder ohne Diffraktionsgitter und durch dieses Verfahren hergestellter Laser", G. Chaminant, J. Charil, J.C. Bouley - s.a. US-A-4737237
  • (3) Französische Patentanmeldung Nr. 8607064 vom 16. Mai 1986, Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung und stetig abstimmbarer Wellenlänge, J.C. Bouley, P. Correc- s.a. US-A- 4802187
  • (4) FR-A-2637743, Halbleiterlaser mit vergrabener Streifenstruktur und mit Sperrschicht und Herstellungsverfahren dieses Lasers, J.C. Bouley, C. Kazmierski.

Claims (6)

1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers mit vergrabener Streifenstruktur, das darin besteht:
- eine Heterostruktur zu bilden durch eine erste Epitaxie, in deren Verlauf man nacheinander auf einem Substrat (20) eine erste Einschließungsschicht (22) mit einem ersten Dotierungstyp, eine aktive Schicht (24) und eine Schutzschicht (28) abscheidet,
- die Schutzschicht (28) und die aktive Schicht (24) bis auf die erste Einschließungsschicht (22) zu ätzen, um einen Streifen (32) zu bilden aus der aktiven Schicht (24), und
- den Streifen (32) durch eine zweite Epitaxie zu vergraben in einer Halbleiterschicht (36) mit einem zweiten, dem ersten entgegengesetzten Dotierungstyp und eine zweite Einschließungsschicht bildend,
wobei dieses Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß eine Kontaktschicht (38) mit dem gleichen Dotierungstyp wie die zweite Einschließungsschicht (36) gebildet wird auf dieser letzteren, dadurch daß eine leitende Schicht (40) gebildet wird auf der Kontaktschicht (38), dadurch daß die Schutzschicht (28) und die aktive Schicht (24) qeätzt werden durch reaktives Ionenätzen mittels einer Gasmischung aus Argon, Methan und Wasserstoff, dadurch daß das Atzen mittels reaktivem Ionenstrahl einen vorhergehenden Maskierungsschritt, mittels einer Harzschicht (30), eines Teils der Schutzschicht (28) umfaßt, die sich über der Zone der aktiven Schicht (24) befindet, dem zu bildenden Streifen (32) entsprechend, und dadurch, daß man das Harz entfernt mittels Flußsäure in einem Ultraschallbehälter, nach dem Ätzen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Epitaxie Gasphasenepitaxie ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Epitaxie durchgeführt wird mittels der Metallorganica-CVD-Technik.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß es außerdem, vor der zweiten Epitaxie, einen kurzen chemischen Angriff der geatzten Schichten (24, 26, 28) umfaßt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Heterostruktur doppelt ist, wobei die Zusammensetzung der aktiven Schicht (24) dann unterschiedlich ist von der Zusammensetzung der ersten Einschließungsschicht (22) und von der Zusammensetzung der Schutzschicht (28).
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (20) aus n-dotiertem InP ist, die erste Einschließungsschicht (22) aus n-dotiertem InP, die aktive Schicht (24) aus InGaAsP, die Schutzschicht (28) aus p-dotiertem InP und die zweite Einschließungsschicht (36) aus InP, p-dotiert zwischen 10¹&sup8; und 5.10¹&sup8;cm&supmin;³.
DE69201251T 1991-02-26 1992-02-24 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers mit vergrabener Streifenstruktur unter Verwendung von Trockenätzen zur Herstellung dieses Streifens und ein nach diesem Verfahren hergestellter Laser. Expired - Lifetime DE69201251T2 (de)

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